例文 (147件) |
diffusion distanceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 147件
The sum of the shortest distance from the third diffusion layer to the fifth diffusion layer and the shorter one of the shortest distance from the fifth diffusion layer to the fourth diffusion layer and that from the lower end part of the first diffusion layer to the fourth diffusion layer, is shorter than the shortest distance from the third diffusion layer to the fourth diffusion layer.例文帳に追加
第3拡散層から第5拡散層までの最短距離と、第5拡散層から第4拡散層までの最短距離及び第1拡散層の下端部から第4拡散層までの最短距離のいずれか短い方の距離との和は、第3拡散層から第4拡散層までの最短距離よりも小さい。 - 特許庁
When diffusion is formed from the rectangular region, a diffusion distance d1 in the direction of the long side of the rectangle is smaller than a diffusion distance d2 of a short side and an insulation wall is closed within limited diffusion time.例文帳に追加
くぼみはほぼ長方形の断面を有し、その大きい方の寸法はくぼみの配列線に垂直で、くぼみの深さは基板の半分の厚さより小さいあるいは等しい。 - 特許庁
In the protection element 1, an interval distance W1 between an N-type diffusion layer 10a and a P-type diffusion layer 6 is smaller than an interval distance W2 between an N-type diffusion layer 9 and the P-type diffusion layer 6.例文帳に追加
そして、保護素子1では、N型の拡散層10とP型の拡散層6との離間距離W1が、N型の拡散層9とP型の拡散層6との離間距離W2よりも短くなる。 - 特許庁
The diffuser panel has a diffusion angle according to the distance from the microlens array.例文帳に追加
拡散板は、マイクロレンズアレイとの距離に応じた拡散角を有する。 - 特許庁
Clearance (first distance 11) between a P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 10 is set shorter than the clearance (second distance 12) between the P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 9.例文帳に追加
さらに、P型分離拡散層30と高濃度N型拡散層10との離間距離(第1の距離11)をP型分離拡散層30と高濃度N型拡散層9との離間距離(第2の距離12)に比べて短くする。 - 特許庁
The disk 1 is provided with a first diffusion part 10 with the long distance between its peripheral edge and the shaft 2 and a second diffusion part 11 with the short distance between them.例文帳に追加
そして、拡散盤1は、その外周縁と前記回転軸2との間の距離が長い、第一の拡散部10と、その距離が短い、第二の拡散部11とを備える。 - 特許庁
A second seal layer 13 is extended onto the interface between the second gas diffusion layer 10 and the first gas diffusion layer 22 across the distance of L from the end surface of the second gas diffusion layer 10.例文帳に追加
第二ガス拡散層10と第一ガス拡散層22との界面には、第二ガス拡散層10の端面からLの距離に渡って、第二シール層13が延在する。 - 特許庁
To provide a lithium ion secondary battery using an electrode having a short ion diffusion distance.例文帳に追加
イオン拡散距離が短い電極を用いてなるリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁
Further, the distance L1 between the floating diffusion region 8 and the output gate electrode 6 is set larger than the distance L2 between the floating diffusion region 8 and the reset gate electrode 11.例文帳に追加
また、フローティングディフュージョン領域8と出力ゲート電極6との間の距離L1は、フローティングディフュージョン領域8とリセットゲート電極11との間の距離L2よりも大きい。 - 特許庁
To accurately measure the film thickness of a light diffusion transmission film even if distance from the light diffusion transmission film to a light reception section changes.例文帳に追加
光拡散透過膜から受光部までの距離が変化する場合でも、該光拡散透過膜の膜厚を高精度で測定できるようにする。 - 特許庁
When a gate width direction is set as a vertical direction, the middle point is set as an origin and a distance between a MOS transistor and a diffusion layer adjacent to the MOS transistor is set as a vertical direction adjacent diffusion layer distance, the vertical direction adjacent diffusion layer distance is specified as a function of a vertical direction distance to be changed according to a position X in the longitudinal direction of the channel.例文帳に追加
そして、ゲート幅方向を縦方向とし、その中点を原点としてそのMOSトランジスタとそのMOSトランジスタの隣の拡散層との距離を縦方向隣接拡散層距離とするとき、その縦方向隣接拡散層距離を、そのチャネル長方向の位置Xに応じて変化する縦方向の距離の関数として特定する。 - 特許庁
The well contact 2 has a short distance tS to the diffusion layer 4 of the cathode at its long side and a long distance tL to the diffusion layers 4, 5 of the anode and cathode in its short side (tL>tS).例文帳に追加
このウエルコンタクト2は、その長辺ではカソードの拡散層4までの距離tSが短く、その短辺ではアノード及びカソードの拡散層4、5までの距離tLが長く(tL>tS)に設定される。 - 特許庁
A P+-diffusion layer 10a as a base contact region for having a contact with the P-diffusion layer is formed at a prescribed distance (a) from the emitter region.例文帳に追加
p拡散層7とコンタクトをとるためのベースコンタクト領域としてのp^+拡散層10aが、エミッタ領域と所定の距離aを隔てて形成されている。 - 特許庁
The protection diode has a p-type diffusion layer 14 as an anode layer and a p-type diffusion layer 15 as a cathode layer, which is formed away therefrom at a prescribed distance.例文帳に追加
保護用ダイオードは、アノード層となるp型拡散層14と、これから所定距離離れて形成されたカソード層となるp型拡散層15とを有する。 - 特許庁
Two diffusion layers 2 and 3 of N-type regions spaced apart at a certain distance are provided inside a P-type semiconductor substrate 1, so as to be flush with the top surface of the substrate 1, and the diffusion layers 2 and 3 are made to serve as diffusion resistors 4 and 5.例文帳に追加
P型半導体基板1内の表面側に、所定の間隔をおいてN型領域からなる2つの拡散層2、3を形成し、この拡散層2、3を拡散抵抗4、5とする。 - 特許庁
To provide a range finder by a spectrum diffusion method, which enables to extend a measurable distance, while maintaining measurement resolution.例文帳に追加
スペクトル拡散方式の測距装置において、測定分解能を保ったまま測定可能距離を延ばす。 - 特許庁
To provide a light diffusion sheet that can realize a luminaire with smaller illuminance decrease even at a distance from the luminaire.例文帳に追加
照明装置から離れても照度低下が少ない照明装置を実現する光拡散シートを提供する。 - 特許庁
The support part separates the diffusion sheet 204 of the backlight module 200 for a distance determined beforehand from the lamps 206.例文帳に追加
支持部はバックライトモジュール200の拡散シート204を、ランプ206から予め決められた距離だけ分離する。 - 特許庁
A second diffusion film 302 having a high translucency and a low diffusivity is arranged at a location separated for a prescribed distance on the front side of the first diffusion film 301.例文帳に追加
第1拡散フィルム301の正面側には、所定距離離間した位置に透光性が高く拡散性が低い第2拡散フィルム302が配設されている。 - 特許庁
The separator 40 has a gas supply port 16 supplying fuel gas to the second gas diffusion layer 10 in a position of distance L_0 from the end surface of the second gas diffusion layer 10.例文帳に追加
セパレータ40は、第二ガス拡散層10に燃料ガスを供給するガス供給口16を、第二ガス拡散層10の端面から距離L_0の位置に備える。 - 特許庁
A radio frequency tag distance measuring device 10 forms a diffusion pulse modulation signal, based on a peculiar assignment PN code of the radio frequency tag of a distance measuring object, and transmits the signal.例文帳に追加
無線タグ距離測定装置10は、距離測定対象の無線タグの固有割り当てPN符号に基づいて拡散パルス変調信号を生成し送信する。 - 特許庁
The relation between the distance Y between the second P-type drain diffusion layer 11d and the channel 9 in the first P-type drain diffusion layer 5d and the difference Xj in depth between the second P-type drain diffusion layer 11d and the first P-type drain diffusion layer 5d is expressed in an inequality: Y<Xj.例文帳に追加
第1P型ドレイン拡散層5dにおける第2P型ドレイン拡散層11d、チャネル9間の距離Yと、第2P型ドレイン拡散層11dと第1P型ドレイン拡散層5dの深さの差Xjとの間にY<Xjの関係が成り立っている。 - 特許庁
To enhance cleaning efficiency by making the boundary layers formed in cells thin and making the diffusion distance of exhaust gas molecules short.例文帳に追加
セル内部に形成される境界層を薄くし、排気ガス分子の拡散行程を短距離にして浄化効率を上げる。 - 特許庁
A diffusion layer 60 is provided in the semiconductor substrate 20 and it is separated from the floating gate 40 by a predetermined distance.例文帳に追加
拡散層60は、半導体基板20内に設けられ、フローティングゲート40から所定の距離だけ離間している。 - 特許庁
Since the creeping distance from a p-type diffusion region 23 to an n-type diffusion region 24 can be made longer in the vertical direction, the capacity of the n-type MOSFET 26 can be increased.例文帳に追加
p型拡散領域23からn型拡散領域24までの沿面距離を垂直方向に長くすることができ、n型MOSFET26のキャパシティーを大きくすることができる。 - 特許庁
In addition, by shortening the distance h between each of the LEDs 1 and the diffusion plate 3, thinning of the backlight device can be achieved while unevenness of a quantity of light incidenting on the diffusion plate 3 is reduced.例文帳に追加
また、LED1と拡散板3との距離hを短くすることで、拡散板3に入射する光量のムラを低減させたまま、バックライト装置の薄型化を可能とする。 - 特許庁
The anti-diffusion region 22 is provided to have a thickness not smaller than a diffusion distance of the P type impurity from the collector region 11 toward the buffer region 12 in an element formation process.例文帳に追加
拡散防止領域22は、素子形成プロセスにおいてコレクタ領域11からバッファ領域12側へP型不純物が拡散する距離以上の厚みで設けられている。 - 特許庁
A P^+ diffusion layer 8 is formed outside the source region and the P^+ diffusion region detaches the source region from the oxidized film for element isolation by the previously predetermined distance.例文帳に追加
例えば、ソース領域の外側にP^+拡散層8を形成して、このP^+拡散層によって予め規定された距離だけソース領域を素子分離用酸化膜から離間する。 - 特許庁
To provide a calculation method of the diffusion coefficient of a metal impurity by measuring metal impurity concentration distribution along a few cm in the depth direction in quartz glass, regarding the diffusion of the metal impurity having an extremely fast diffusion rate in quartz glass in such a way that the diffusion distance reaches a few cm in a short diffusion time, for which heretofore the analysis has been difficult.例文帳に追加
従来分析が困難であった、短時間の拡散で拡散距離が数cmにも及ぶ石英ガラス中の非常に速い拡散速度を持つ金属不純物の拡散について、石英ガラス中の、深さ方向に数cmに渡る金属不純物濃度分布を測定し、金属不純物の拡散係数を算出する方法を提供する。 - 特許庁
The light L passing through the end of the light control member 6 is dispersed by making a distance to the diffusion transmission plate 5 longer.例文帳に追加
光制御部材6の端部を通過する光Lは、拡散透過板5までの距離が長いことによって分散される。 - 特許庁
Thus, the length of the connecting tube 5 is set in the predetermined length longer than a diffusion distance of a substance from the getter agent 3.例文帳に追加
これにより、連絡チューブ5の長さは、ゲッター剤3からの物質の拡散距離よりも長い所定の長さとされている。 - 特許庁
Consequently, diffusion approximation can be adopted even in the near domain within a prescribed distance from the incidence point of the incident light.例文帳に追加
このため、入射光の入射点から所定距離内の近傍領域においても拡散近似を適用することができる。 - 特許庁
In an error diffusion processing method for quantizing multi-level image data by using an error diffusion matrix, the values of an error diffusion matrix coefficients for diffusing the errors rise as the distance from target pixels to be quantized increases.例文帳に追加
この発明は、多階調の画像データを誤差拡散マトリクスを用いて量子化する誤差拡散処理方法において、誤差を拡散する誤差拡散マトリクス係数の値を、量子化する注目画素から位置が遠いほど大きくしたものである。 - 特許庁
A spectrum diffusion type distance measuring device determines, prior to main distance measurements, whether or not a laser beam emitted from an emitting part 14 is reflected back from rain or fog as a scattered beam.例文帳に追加
スペクトル拡散方式の距離測定装置において、本測距の前に、発光部14から出射したレーザ光が雨や霧に当たって反射してくる散乱光があるか否かを判定する。 - 特許庁
A distance Wm_2 between buried regions 44a which are located on the bottom faces of different base diffusion regions 17a and face each other is made smaller than a distance Wm_1 between buried regions 44a which are located on the bottom face of one and the same base diffusion region 17a (Wm_1>Wm_2).例文帳に追加
同じベース拡散領域17a底面に位置する埋込領域44a相互間の距離Wm_1よりも、異なるベース拡散領域17a底面に位置し、互いに対面する埋込領域44a間の距離Wm_2を小さくする(Wm_1>Wm_2)。 - 特許庁
Therefore, to determine the minimum clearance (d) between an n + source drain region and a p + source drain region, the lateral diffusion distance of the N well region needs not be considered but only a lateral diffusion distance 1' of the P well region 54 might as well be considered.例文帳に追加
したがって、N型ソースドレイン領域とP型ソースドレイン領域との間の最小間隔dを決める際に、Nウエル領域の横方向拡散距離を考慮する必要がなく、このPウエル領域54の横方向拡散分l’だけを考慮すればよい。 - 特許庁
A first impurity diffusion layer 60 is provided in the semiconductor substrate 20 separately apart from the floating gate 40 by a predetermined distance.例文帳に追加
第1の不純物拡散層60は、半導体基板20内に設けられ、フローティングゲート40から所定の距離だけ離間している。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element capable of simplifying the manufacture process and reducing the manufacture cost by varying the thickness of a cap layer immediately above a window region arbitrarily in order to facilitate control of the diffusion depth of a diffusion source thereby controlling the distance from the diffusion source to an active layer and controlling the diffusion depth of the diffusion source, and to provide a wafer for semiconductor laser employing it.例文帳に追加
拡散源の拡散深さの制御を容易に行うために、窓領域を形成する直上のキャップ層厚を任意に変えることにより、拡散源から活性層までの距離を制御し、拡散源の拡散深さを制御し、製造プロセスを簡易にし、製造コストを低下させることができる、半導体レーザ素子およびそれを用いた半導体レーザ用ウェハを提供すること。 - 特許庁
A separate distance between an element isolation diffusion layer 25 and a drain diffusion layer 24 is made smaller than that between the element isolation diffusion layer 25 and a buried diffusion layer 22, a breakdown voltage between the element isolation diffusion layer 25 and a drain electrode becomes small, and a surge voltage applied to a drain can be restricted by the breakdown voltage, so that the drain can be improved in surge resistance.例文帳に追加
素子分離拡散層25とドレイン拡散層24との離間距離を、素子分離拡散層25と埋め込み拡散層22との離間距離よりも小さくするため、素子分離拡散層25とドレイン電極33間の降伏電圧が小さくなり、ドレインに印加されるサージ電圧をその降伏電圧で制限することが出来るため、ドレインのサージ耐量を大きくすることができる。 - 特許庁
The high concentration diffusion area 13 keeps an approximately equal distance from the p-type semiconductor region 14 as if it surrounds the p-type semiconductor region 14, and has a first high concentration diffusion regions 13a to a sixth 13f that are respectively formed by keeping the equal distance.例文帳に追加
高濃度拡散領域13は、P型半導体領域14を囲むようにP型半導体領域14からほぼ均等な距離だけ離間し、且つそれぞれ離間して形成された第1の高濃度拡散領域13a〜第6の高濃度拡散領域13fを備える。 - 特許庁
An automatic layout circuit design supporter 10 of the semiconductor integrated circuit uses library data 212 to which layout coordinates data 221 of a diffusion layer inside cells is added, calculates a distance between the diffusion layers with respect to the adjacently arranged cells, and decides an arrangement position of the cell concerned based on the distance.例文帳に追加
本発明による半導体集積回路の自動レイアウト回路設計支援装置10は、セル内の拡散層のレイアウト座標データ221を付加したライブラリデータ212を用い、隣接配置するセルとの拡散層間の距離を計算し、その距離に基づいて当該セルの配置位置を決定する。 - 特許庁
The arrayed pitch distance L (mm) of the primary light source 2, the height H (mm) of the barrier rib 5, and the distance D (mm) between the barrier rib and the diffusion plate satisfy H≥0.25L+10-D and 0≤D≤0.25L.例文帳に追加
一次光源2の配列ピッチ距離L(mm)、隔壁5の高さH(mm)および隔壁と拡散板との距離D(mm)が、H≧0.25L+10−D、及び、0≦D≦0.25Lを満たす。 - 特許庁
It is presumed that the composition ratio x causes the difference in optimum growth temperature, depending on the difference in surface diffusion distance between Al and Ga.例文帳に追加
組成比xによって最適な成長温度が相違するのは、AlとGaとの表面拡散距離の相違によるものと推定される。 - 特許庁
The extent of the coverage area of the micro cell depends on a distance from the antenna of a cell site and the dimension of the array for deciding the angle diffusion of beams.例文帳に追加
マイクロセルのカバレッジ領域の大きさは、セルサイトのアンテナからの距離とビームの角度拡散を決定するアレイの次元に依存する。 - 特許庁
When the operating button 11 is in the initial state, a distance from the LED 19 to the light guide passage 11d is long, and the diffusion part 20 becomes large.例文帳に追加
操作ボタン11が初期状態にあるときは、LED19から導光路11dまでの距離が長く、放散部20が大きくなる。 - 特許庁
A 2nd diffusion member 45 scatters the irradiation light from the fluorescent lamp 43, to prevent the light irradiated from the fluorescent lamp 43 from impinging directly on the 1st diffusion member 44 at a short distance.例文帳に追加
第2拡散部材45は、蛍光管ランプ43から照射された光を散乱させ、蛍光管ランプ43から照射された光が至近距離にある第1拡散部材44へ直接入射するのを防止する。 - 特許庁
The atomization and the diffusion are promoted by injecting a urea aqueous solution into the spray diffusion chamber 36 capable of an injection distance L with the field temperature higher than the inside of the pipe 33b and the large passage cross-sectional area.例文帳に追加
パイプ33b内に比較して場の温度が高く、且つ通路断面積が大きくて噴射距離Lを確保できる噴霧拡散室36内に尿素水溶液を噴射することにより霧化・拡散を促進する。 - 特許庁
The p-type diffusion layers 3 is arranged such that a lower region 3b is wider than an upper region 3a and the distance between adjacent p-type diffusion layers 3 is shortened in the lower region 3b.例文帳に追加
p型拡散層3の上部領域3aよりも下部領域3bの方が幅が広くなるようにし、下部領域3bにおいて隣り合うp型拡散層3同士の距離が短くなるように構成する。 - 特許庁
Since the second diffusion plate is formed at an interval of the prescribed distance from the first diffusion plate, illuminance distribution generated by a tip end of the projecting part is uniformized and the generation of a dark line or a bright line can be prevented.例文帳に追加
また、第1拡散板と所定距離を隔てて第2拡散板が設置されているため、突出部の先端によって生じた照度分布が均一化して暗線又は明線の発生を防止することができる。 - 特許庁
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