hdp-1とは 意味・読み方・使い方

Wiring layers 2 are formed on a semiconductor substrate 1 and thereafter, an SiOF film 3 is formed on the whole surface of the substrate 1 by an HDP(High Density Plasma)-CVD method.例文帳に追加

半導体基板１上に配線層２を形成した後、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により全面にＳｉＯＦ膜３を形成する。 - 特許庁

An HDP-NSG (high-density plasma-NSG) film 2, a tantalum oxide film 3, a titanium nitride film 4, and an NSG film 5 as a sacrifice film formed by the CVD (chemical vapor deposition) method are successively laminated on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ＨＤＰ−ＮＳＧ膜２、タンタル酸化膜３、チタン窒化膜４、犠牲膜としてＣＶＤ法によるＮＳＧ膜５を順次積層する。 - 特許庁

In a semiconductor device 1 for expressing a shallow trench isolation (STI) structure, an Si substrate 2 is etched to form a trench 3 with a depth A, and the trench 3 is filled with a high-density plasma oxide film (HDP 4a).例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造を表す半導体装置１で、Ｓｉ基板２をエッチングで深さＡのトレンチ３を形成し、高密度プラズマ酸化膜（ＨＤＰ４ａ）で当該トレンチ３を充填する。 - 特許庁

When a main microcomputer 10 of the TV receiver 1 is operated in an adjustment mode, the main microcomputer transmits a signal to the adjustment device 3 via an HDP line 41 and the transmission line 2a, and receives the signal from the adjustment device 3 via the transmission line 2b and a +5V line 42.例文帳に追加

ＴＶ受像機１のメインマイコン１０は、調整モードで動作すると、ＨＤＰライン４１及び伝送ライン２ａを介して、調整装置３に信号を送信し、調整装置３から伝送ライン２ｂ及び＋５Ｖライン４２を介して信号を受信する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises: (1) forming a first oxide film 3 including a groove 7 on a semiconductor substrate 1; (2) depositing a second oxide film 9 by means of HDP-CVD on the resultant substrate and tapering the groove 7, so that its inner side surface becomes narrow toward the bottom; and (3) etching back the second oxide film 9.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、（１）半導体基板１上に、溝部７を有する第１の酸化膜３を形成し、（２）得られた基板上に、ＨＤＰ−ＣＶＤ法によって第２の酸化膜９を堆積して、前記溝部７をその内側面が底方向に狭くなるテーパー形状にし、（３）第２の酸化膜９をエッチバックすることからなる。 - 特許庁