intersection capacityとは 意味・読み方・使い方

To disperse concentrated heat without extending a chip area by preventing a parasitic capacity formed at an intersection in a semiconductor device having an FET for high frequency high power amplification.例文帳に追加

高周波高出力増幅に用いるＦＥＴを具えた半導体装置において、交差部に起因の寄生容量を防止し、かつチップ面積を拡大せずに発熱の集中を分散させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing relative variations of characteristics among a plurality of large capacity power elements and eliminating the intersection between output wires to suppress an increase in layout area.例文帳に追加

複数個の大容量パワー素子間の特性の相対的なばらつきを低減するとともに、出力配線間の交差を無くしてレイアウト面積の増大を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A pixel 116 provided by corresponding to intersection of an i-th row scanning line 312 and a j-th row data line 212 includes a pixel capacity 118 and TFD 220 connected electrically serially, and an auxiliary capacity 120 interposed electrically between a (i-1)-th row scanning line selected before one row and a connection point of the pixel capacity 118 and TFD 220.例文帳に追加

ｉ行目の走査線３１２とｊ列目のデータ線２１２との交差に対応して設けられた画素１１６は、電気的に直列接続された画素容量１１８およびＴＦＤ２２０と、１行前に選択される（ｉ−１）行目の走査線３１２と画素容量１１８およびＴＦＤ２２０の接続点との間で電気的に介挿された補助容量１２０とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which kinds of cells forming a sense amplifier can be reduced, capacity between two data lines forming a pair can be balanced in a short period, and the reforming of intersection parts in two data lines forming a pair in accordance with capacity and bus width is not required.例文帳に追加

センスアンプを形成するセルの種類を減少することができると共に、ペアを為す２本のデータ線間の線間容量を短い周期でバランスすることができ、また、ペアを為す２本のデータ線における交差部を容量やバス幅に応じて形成し直す必要がない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing the capacity of a storage area required for memorizing a scene image in a map display device changing a scene image displayed on a screen for each of leaving directions in a guidance intersection.例文帳に追加

画面に表示される風景画像を案内交差点における退出方向毎に変化させることが可能な地図表示装置において、風景画像の記憶に必要な記憶領域の容量を抑制する技術を提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate and a display device with it, capable of reducing capacity formed at an intersection between scanning wiring and signal wiring without an increase of wiring resistance and lowering of driving capability of a switching element.例文帳に追加

配線抵抗の増加やスイッチング素子の駆動能力の低下を伴うことなく、走査配線と信号配線との交差部に形成される容量を低減することが可能なアクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

To reduce a electrostatic capacity formed in an intersection portion of a pair of row electrodes and a line electrode to realize practical use, in a plasma display panel formed with the paired row electrodes and the line electrode in one substrate side.例文帳に追加

一方の基板側に行電極対と列電極とを形成するプラズマディスプレイパネルにおいて、行電極対と列電極の交差部分に形成される静電容量を減少させてその実用化を図ることが出来るプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

A relay part 62a of the data line 6a passes through the lower layer side of the scanning line 3a and a capacity line 3b in the intersection part of the wiring, and the relay part 62a is composed of a high melting point metal such as chrome, tantalum and molybdenum-tungsten.例文帳に追加

配線の交差部では、データ線６ａの中継部分６２ａが走査線３ａおよび容量線３ｂの下層側を通り、かつ、この中継部分６２ａは、クロム、タンタル、モリブデン−タングステンなどといった高融点金属から構成されている。 - 特許庁