induced oxidationとは 意味・読み方・使い方

In such heat treatment, occurrence of stacking faults induced by oxidation is completely prevented without performing heat treatment at high temperature or for a long period.例文帳に追加

この様な熱処理では、高温または長時間の熱処理を行わなくても酸化誘起積層欠陥の発生を完全に防止することができる。 - 特許庁

In this method for growing a silicon single crystal by CZ method, the characteristic comprises doping the single crystal with nitrogen so that oxidation- induced stacking faults are generated on the whole surface of the wafer or so that the wafer surface comprises the oxidation-induced stacking faults, oxygen-depositing areas and, if necessary, further oxygen deposit-controlling areas, when a high temperature oxidation treatment is applied.例文帳に追加

(1) ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。 - 特許庁

To provide a method for heat treating a silicon single-crystal wafer, which suppresses generation of oxidation-induced stacking faults in the device- forming active layer and makes the oxygen precipitation density uniform inside the wafer.例文帳に追加

デバイス活性層での酸化誘起積層欠陥を抑制し、また酸素析出密度をウェーハ面内で均一にしたシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of heat treatment of a silicon wafer with which occurrence of stacking faults induced by oxidation is completely prevented without performing heat treatment at high temperature or for a long period.例文帳に追加

高温または長時間の熱処理を行わなくても酸化誘起積層欠陥の発生を完全に防止することができるシリコン基板の熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon wafer, by which only an etch pit of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) is detected by selective etching and an OSF can be accurately determined.例文帳に追加

選択エッチングによりＯＳＦのエッチピットのみを検出し、ＯＳＦを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁

To produce a silicon single crystal with slight formation of crystal defects such as an oxidation induced stacking fault(OSF) by removing impurities such as moisture or oxygen contained in an argon gas atmosphere in a furnace.例文帳に追加

炉内アルゴンガス雰囲気中に含まれる水分、酸素等の不純物を除去することにより、ＯＳＦ等の結晶欠陥の発生が少ないシリコン単結晶を提供する。 - 特許庁

A compound represented by formula I (m is 0, 1 or 2; n is 0, 1, 2 or 3; and P is 0, 1 or 2) is provided, and the polymers grafted with the compound, e.g., polyolefins such as polyethylene and polypropylene have excellent stability against oxidation, heat, dynamic or light-induced, and/or ozone-induced decomposition.例文帳に追加

式Ｉで表わされる化合物であって、該化合物でグラフト化されたポリマー、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィンは、酸化、熱、ダイナミック（ｄｙｎａｍｉｃ）、光により誘発される及び／又はオゾンにより誘発される分解に対し、優れた安定性を有する。 - 特許庁

When the anisotropic etching is applied, OSF (oxidation-induced stacking faults) of OSF density 2×10^4 pieces/cm^2 or more and the OSF length 2 μm or more is made to exist on the rear surface of the Si substrate 1.例文帳に追加

異方性エッチングを行う際、Ｓｉ基板１の裏面に、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）をＯＳＦ密度２×１０^4個／ｃｍ^2以上、かつＯＳＦ長さを２μｍ以上で存在させておく。 - 特許庁