「induced oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The silicon wafer is cut out from the silicon single crystal grown by the CZ method and doped with the nitrogen, and generates the oxidation-induced stacking faults in a density of ≥103/cm2 on the surface, when a high temperature oxidation treatment is applied.例文帳に追加

(2) ＣＺ法によって窒素をドープして育成されたシリコン単結晶から切り出され、高温酸化処理を施した場合にその表面に10^3/cm^2以上の酸化誘起積層欠陥が発生するシリコンウェーハである。 - 特許庁

By so doing, the oxidation (combustion) reaction of the unburnt gas constituent in the exhaust gas can be effectively induced after the exhaust gas enters the bypass passage 22.例文帳に追加

これによって、排気ガスがバイパス通路２２に入ってから、排気ガス中の未燃ガス成分の酸化（燃焼）反応を効果的に誘導することができる。 - 特許庁

In such heat treatment, occurrence of stacking faults induced by oxidation is completely prevented without performing heat treatment at high temperature or for a long period.例文帳に追加

この様な熱処理では、高温または長時間の熱処理を行わなくても酸化誘起積層欠陥の発生を完全に防止することができる。 - 特許庁

In this method for growing a silicon single crystal by CZ method, the characteristic comprises doping the single crystal with nitrogen so that oxidation- induced stacking faults are generated on the whole surface of the wafer or so that the wafer surface comprises the oxidation-induced stacking faults, oxygen-depositing areas and, if necessary, further oxygen deposit-controlling areas, when a high temperature oxidation treatment is applied.例文帳に追加

(1) ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。 - 特許庁

To provide a method for heat treating a silicon single-crystal wafer, which suppresses generation of oxidation-induced stacking faults in the device- forming active layer and makes the oxygen precipitation density uniform inside the wafer.例文帳に追加

デバイス活性層での酸化誘起積層欠陥を抑制し、また酸素析出密度をウェーハ面内で均一にしたシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of heat treatment of a silicon wafer with which occurrence of stacking faults induced by oxidation is completely prevented without performing heat treatment at high temperature or for a long period.例文帳に追加

高温または長時間の熱処理を行わなくても酸化誘起積層欠陥の発生を完全に防止することができるシリコン基板の熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon wafer, by which only an etch pit of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) is detected by selective etching and an OSF can be accurately determined.例文帳に追加

選択エッチングによりＯＳＦのエッチピットのみを検出し、ＯＳＦを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁

To produce a silicon single crystal with slight formation of crystal defects such as an oxidation induced stacking fault(OSF) by removing impurities such as moisture or oxygen contained in an argon gas atmosphere in a furnace.例文帳に追加

炉内アルゴンガス雰囲気中に含まれる水分、酸素等の不純物を除去することにより、ＯＳＦ等の結晶欠陥の発生が少ないシリコン単結晶を提供する。 - 特許庁

A compound represented by formula I (m is 0, 1 or 2; n is 0, 1, 2 or 3; and P is 0, 1 or 2) is provided, and the polymers grafted with the compound, e.g., polyolefins such as polyethylene and polypropylene have excellent stability against oxidation, heat, dynamic or light-induced, and/or ozone-induced decomposition.例文帳に追加

式Ｉで表わされる化合物であって、該化合物でグラフト化されたポリマー、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィンは、酸化、熱、ダイナミック（ｄｙｎａｍｉｃ）、光により誘発される及び／又はオゾンにより誘発される分解に対し、優れた安定性を有する。 - 特許庁

When the anisotropic etching is applied, OSF (oxidation-induced stacking faults) of OSF density 2×10^4 pieces/cm^2 or more and the OSF length 2 μm or more is made to exist on the rear surface of the Si substrate 1.例文帳に追加

異方性エッチングを行う際、Ｓｉ基板１の裏面に、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）をＯＳＦ密度２×１０^4個／ｃｍ^2以上、かつＯＳＦ長さを２μｍ以上で存在させておく。 - 特許庁

Since the outer diameter of the bottom side ingot is made larger than the outer diameter of the top side ingot, OSF (oxidation-induced stacking faults) generating in an outer peripheral part of the ingot can be enclosed in a region outside the outer diameter of the bottom ingot after cutting the ingot.例文帳に追加

ボトム側インゴットの外径をトップ側インゴットの外径より大きくしたので、その外周部に発生するＯＳＦをボトム側インゴットの切削後の外径より外側に納めることができる。 - 特許庁

A silicon single crystal having such a property that the oxidation-induced stacking faults generated during high temperature oxidation treatment is ≤1×10^2/cm^2 is obtained by cooling a silicon single crystal at a cooling speed of ≥3.0°C/min within a temperature range of 1,100-900°C after pulling, in a process for pulling and growing the silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶を引上げ育成する工程で、引上げ後の１１００℃から９００℃の温度範囲を３．０℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して、高温酸化処理時に発生する酸化誘起積層欠陥が１×１０^2／ｃｍ^2以下の性状を有するシリコン単結晶を得る。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, which can grow a single crystal of a non-faulty region where there is no OSF (oxidation-induced stacking faults) and grown-in faults over the whole diameter direction region, in a high yield and stably.例文帳に追加

径方向全域にわたりＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）およびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical waveguide substrate of high quality in which particles or recessed pits caused by an oxidation- induced lamination defect are few on a quartz film when the quartz film becoming an optical waveguide is formed on the surface by oxidizing the surface of a silicon substrate relatively thick.例文帳に追加

シリコン基板の表面を比較的厚く酸化して、表面に光導波路となる石英膜を形成させる際、酸化誘起積層欠陥を起因とするパーティクルまたは凹状ピットが石英膜上に少ない高品質な光導波路基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an N-type silicon single crystal, in which generation of OSF (oxidation-induced stacking fault) is prevented even when a silicon single crystal is produced by an FZ (floating zone) method, particularly, a silicon single crystal having a diameter of 8 inches (200 mm) or more is produced, and the N-type silicon single crystal.例文帳に追加

ＦＺ法によりシリコン単結晶、特には直径８インチ（２００ｍｍ）以上のシリコン単結晶を製造する場合であっても、ＯＳＦの発生を防止することができるＮ型シリコン単結晶製造方法及びＮ型シリコン単結晶を提供することを目的とする。 - 特許庁

The ingot is grown by keeping the lifting rate for growing the ingot to enable an OSF(Oxidation Induced Stacking Fault) ring to exist in the vicinity of the ingot and controlling the cooling condition of a hot zone where the single crystal grows to increase the uniformity of the heat history in the radius direction and after that, the ingot is sliced to form a wafer.例文帳に追加

ＯＳＦリングがインゴット周辺部に存在できるようにインゴットを成長させる引上げ速度を維持し、単結晶が成長するホットゾーンの冷却条件を調節して半径方法への熱履歴の均一度を増加させことでインゴットを成長させた後、そのインゴットをスライスしてウェーハを作製する。 - 特許庁

Before the establishment of safe brewing in Japan, the main cause had been putrefaction by hiochi (putrefaction) bacterium (a kind of lactic acid bacterium), but in the today's brewing environment, it can be mentioned that the causes are oxidation due to the poor management of moromi and temperature, the human-induced extinction of yeast cells due to the addition of alcohol at an undesirable timing, and others. 例文帳に追加

安全醸造が保証される以前の日本では、火落ち火落菌による腐造が主な原因であったが、昨今の醸造環境においていうならば、醪や温度の管理のまずさからくる酸化、好ましくないタイミングでアルコール添加を行なってしまったことによる酵母の人為的死滅などが挙げられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The method for correcting pattern defects includes the steps for: feeding raw material gas to a correcting portion of a correcting object mask in a reduced-pressure atmosphere, applying an energy beam thereto, and depositing a material including silicon by energy beam-induced chemical vapor deposition; and performing either of an oxidation treatment, a nitriding treatment, and an oxynitriding treatment for at least a part of the deposited material.例文帳に追加

減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを設ける。 - 特許庁