「ion dose」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

At least one wide ion beam out of the plurality of wide ion beams has at least a dose different from any other wide ion beams.例文帳に追加

複数のワイドイオンビームのうち少なくとも一つのワイドイオンビームは、少なくともいずれか他のワイドイオンビームと異なるドーズを有する。 - 特許庁

Ion implantation conditions for the ion implantation are 300 keV ion implantation energy and 2×10^18 atoms/cm^2 dose amount.例文帳に追加

このときのイオン注入条件は、注入エネルギー３００ｋｅＶ、ドーズ量２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２である。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR INSPECTING DOSE UNIFORMITY IN ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入におけるドーズ均一性検査装置およびドーズ均一性検査方法 - 特許庁

To rapidly detect that a dose amount, an ion mass, an ion speed, etc., are deviated from a set condition.例文帳に追加

トーズ量、イオン質量、イオン速度等が設定条件からズレたことを迅速に検出できるようにする。 - 特許庁

To enhance in-plane uniformity of a dose in ion implantation using a ribbon beam.例文帳に追加

リボンビームを用いたイオン注入において、ドーズ量の面内均一性を高める。 - 特許庁

In ion implantation, argon ions of a dose amount of 5E+14 atoms/cm^2 and 5E+17 atoms/cm^2 are implanted.例文帳に追加

イオン注入では、ドーズ量が５Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のアルゴンイオンを注入する。 - 特許庁

The marginal dose DL of resist used as a mask in the ion implantation is calculated.例文帳に追加

イオン注入においてマスクとして用いるレジストの限界ドーズ量ＤＬを算出する。 - 特許庁

A dose Faraday 1 is installed outside a path of an ion beam 6 applied toward a wafer 4 of an ion irradiation object, and measures a beam current of the ion beam 6 during ion implantation treatment into the wafer 4.例文帳に追加

ドーズファラデー1は、イオン照射対象物のウェハ4に照射するイオンビーム6の軌道外に設けられ、ウェハ4へのイオン注入処理中のイオンビーム6のビーム電流を測定する。 - 特許庁

To control variations in a dose and an implantation depth of ion implantation resulting from a mismatch between an ion beam shape and a scan pitch.例文帳に追加

イオンビーム形状とスキャンピッチとのミスマッチに起因するイオン注入のドーズ量及び注入深さ等のバラツキを抑制する。 - 特許庁

HYDROGEN ION IMPLANT DOSE MEASURING METHOD OF SILICON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SUBSTRATE FOR STANDARD SAMPLE例文帳に追加

シリコン半導体基板の水素イオン注入量測定方法及び標準試料用基板 - 特許庁

To provide an ion doping apparatus that can have more than two arbitrary ranges for dose control.例文帳に追加

任意の二つ以上のドーズ量制御範囲を持つことのできるイオンドーピング装置を提供する。 - 特許庁

This invention generally provides methods and the apparatus to monitor an ion dose during the plasma processing.例文帳に追加

本発明は、一般に、プラズマプロセス中にイオンドーズ量を監視する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A required dose amount of ions is provided and a spot ion beam 112 is formed from an ion source 108 and undergoes a mass spectrometry by a mass spectrograph 126.例文帳に追加

イオンの所望ドーズ量が与えられ、スポットイオンビーム112がイオン源108から形成され、質量分析器126によって質量分析される。 - 特許庁

Further, by compensating the setting of the ion implantation device depending on the estimated dose amount, the dose amount of ions implanted to a semiconductor substrate can be brought close to target dose amount.例文帳に追加

また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。 - 特許庁

The ion implantation at a high acceleration and a high dose may not be done, and if under conditions that two kinds or more of dopants are subjected to the ion implantation at an equal ratio and with the dose quantity adjusted, the given temperature characteristics can be obtained.例文帳に追加

高加速、高ドーズのイオン注入をしなくても、２種類以上のドーパントが同等の比でかつドーズ量が調整されてイオン注入されていれば、所定の温度特性が得られる。 - 特許庁

In general, a method and equipment control ion dose in real time during plasma process.例文帳に追加

本発明は、一般に、プラズマ処理中に実時間にてイオンドーズを制御する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Then, as the formation depth from the first main surface J of the ion implantation layer 4 for peeling becomes small, a dose rate in ion implantation is set small.例文帳に追加

そして、剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さが小さくなるほど、イオン注入のドーズ量を小さく設定する。 - 特許庁

To provide a device and a method for inspecting dose uniformity in ion implantation, accurately obtaining the dose even if a hole of an aperture plate is etched by ion beams to enlarge its aperture area.例文帳に追加

アパーチャープレートの孔部がイオンビームによりエッチングされてその開孔面積が大きくなっても、ドーズ量を正確に求めることができるイオン注入におけるドーズ均一性検査装置およびドーズ均一性検査方法を提供すること。 - 特許庁

To form a dose region of a plurality of species on one wafer in a one time ion implantation process without masking, etc., in an ion implanter and an ion implanting method.例文帳に追加

イオン注入装置及びイオン注入方法において、マスキング等を行うことなしに、１回のイオン注入プロセスで１枚のウェハ上に複数種類のドーズ量領域を形成することができるようにする。 - 特許庁

Although it is necessary to use a high energy type ion implantation device to carry out ion implantation into a deep position, little dose is used, so that ion implantation time is not sharply increased.例文帳に追加

しかも、深い位置にイオン注入するためには、高エネルギー型のイオン注入装置を用いる必要があるが、本発明ではドーズ量が少ないことから、イオン注入時間が大幅に長くなることはない。 - 特許庁

In a step of doping the first halo region, oblique ion implantation is carried out, with the use of a gate electrode as a mask, and in a step of doping the second halo region, vertical ion implantation is carried out with use of the gate electrode as the mask and with a dose rate which is larger than the dose rate of the first halo region ion implantation.例文帳に追加

第１ハロー領域のドーピング工程を、ゲート電極をマスクとして、斜めにイオン注入し、さらに、第２ハロー領域は、ゲート電極をマスクとして、垂直に、かつ第１ハロー領域のイオン注入ドーズ量よりも大きなドーズ量でイオン注入することにより形成する。 - 特許庁

In this way, ion beams are radiated according to the dose distribution 35 and the sharp edge is obtained to a deposition film 32.例文帳に追加

これにより、ドーズ分布３５のようにイオンビームが照射され、デポジション膜３２に対し急峻なエッジが得られる。 - 特許庁

To estimate a dose amount of ions implanted by an ion implantation device with a quick and simple measuring method.例文帳に追加

迅速かつ簡易的な測定方法によりイオン注入装置によって注入されるイオンのドーズ量を推定すること。 - 特許庁

To provide an ion tableware which can effectively afford a minus ion effect to drinks and cooking and prevents the segment to be directly touched by the mouth and hands from having a high radiation dose.例文帳に追加

イオン食器において飲料・料理に効果的にマイナスイオン効果を付与できるとともに、口や手に直接触れる部分が放射線量が高くならないこと。 - 特許庁

A first ion implanting process (a1) implants a bond wafer 1 with ions below a critical dose at the side facing an insulation film 2 to form a peel-expected ion implanted layer 3.例文帳に追加

第１のイオン注入工程（ａ１）で、ボンドウェーハ１の絶縁膜２側から臨界ドーズ量未満のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を形成する。 - 特許庁

Germanium ions 14A are ion-implanted to the surface region of a semiconductor substrate 11 at a prescribed acceleration voltage and in a prescribed dose amount.例文帳に追加

半導体基板１１の表面領域に、所定の加速電圧、所定のドーズ量で、ゲルマニウムイオン１４Ａをイオン注入する。 - 特許庁

To solve a problem that a precise real time dose measurement is required in a plasma processing chamber such as high frequency plasma immersion ion implantation reactor.例文帳に追加

高周波プラズマ浸漬イオン注入リアクタのようなプラズマ処理チャンバにおいて精密な実時間ドーズ計測が必要とされる - 特許庁

The calculated marginal dose DL is compared with the amount of implantation of dose in the ion implantation, whereby the residue of resist generated upon resist-removing process or the resist-removing capability is evaluated.例文帳に追加

算出された限界ドーズ量ＤＬとイオン注入における注入ドーズ量とを比較することにより、レジスト除去工程で生じるレジスト残り、つまりレジスト除去能力を評価する。 - 特許庁

In a step 33 for the calculation of ion distribution, a (n+1)th ion distribution is calculated by obtaining a (n+1)th dose from the difference obtained in the step 32 for the calculation of the difference.例文帳に追加

イオン分布計算ステップ３３は、差分計算ステップ３２によって求められた差分から第（ｎ＋１）回目のドーズ量を求めて第（ｎ＋１）回目のイオン分布を計算する。 - 特許庁

The As ion implantation region 13 and the P ion implantation region 14 are constituted such that each dopant of As and P can obtain at least given temperature characteristics at a given ratio and by ion implantation with a dose quantity adjusted.例文帳に追加

Ａｓイオン注入領域１３とＰイオン注入領域１４は、Ａｓ，Ｐの各ドーパントを所定の比でかつドーズ量が調整されたイオン注入によって少なくとも所定の温度特性が得られるよう構成されている。 - 特許庁

A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加

第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。 - 特許庁

To reduce the ion dose when forming separation areas to magnetically divide the recording area.例文帳に追加

記録領域間を磁気的に分離する分離領域をイオンビームの照射により形成する場合に、イオンビームの照射量（Ｄｏｓｅ）を低減する。 - 特許庁

To provide a scanning probe microscope provided with a mean measuring a dose of particle beam such as electron beam and ion beam.例文帳に追加

電子ビームやイオンビーム等の粒子線の粒子線量を測定する手段を備えた走査形プローブ顕微鏡を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for implanting ions capable of maintaining dose uniformity by controlling relative movement between a substrate and a beam for ion implantation.例文帳に追加

基板とイオン注入用ビーム間の相対的な移動を制御して均一のドーズに維持するイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

This charged particle beam irradiation system stops the supply of ion beams to an angle domain reaching a target dose out of a plurality of angle domains formed by dividing RMW (Range Modulation Wheel) in the rotating direction, and supplies the ion beams to another angle domain non-reaching the target dose.例文帳に追加

ＲＭＷを回転方向において分割して形成される複数の角度領域のうち目標線量に達した角度領域へのイオンビームの供給を停止しその目標線量に到達していない他の角度領域にイオンビームを供給することにある。 - 特許庁

This method can easily adjust the exposure radiation dose to each position inside a patient in the ion beam advancing direction to greatly reduce the probability of the erroneous irradiation causing excess/deficiency of the exposure radiation dose in each position in the ion advancing direction in the patient.例文帳に追加

このため、患部内のイオンビーム進行方向における各位置に対する照射線量を容易に調節することができ、患部内のイオン進行方向における各位置において照射線量の過不足が生じる誤照射の確率を著しく低減することができる。 - 特許庁

This evaluation method includes a step for acquiring data of dependency to ion dose having the intensity of gamma rays generated by a hydrogen resonance nuclear reaction, relative to a sample comprising a plurality of membranes laminated mutually, and a step for fitting the data by a function expression of the ion dose.例文帳に追加

実施形態に係る評価方法は、互いに積層された複数の膜からなる試料について、水素共鳴核反応で発生するガンマ線の強度のイオンドーズに対する依存性のデータを取得するステップと、上記イオンドーズの関数式で上記データをフィッティングするステップと、を含む。 - 特許庁

Further, an ion plantation of a different second impurity having the same type of conductivity as the first impurity is carried out by a dose amount selected between the dose amount of the first impurity and that of the second impurity.例文帳に追加

さらに、第１不純物領域内に、第１不純物と同じ導電型を有する別の第２不純物を、第１不純物のドーズ量と第２のドーズ量の間で選択されたドーズ量でイオン注入する。 - 特許庁

Impurity ion with a dose amount of 1×10^14 cm^-2 or more is implanted into the semiconductor substrate using the resist film pattern as a mask.例文帳に追加

次いで、当該レジスト膜パターンをマスクとして半導体基板に１×１０^14ｃｍ^-2以上のドーズ量で不純物イオンが注入される。 - 特許庁

To provide an ion implanting device wherein dose correction attended by interruption of an ion implanting process and errors is not required since ions are injected so as not to deteriorate degree of vacuum.例文帳に追加

真空度を悪化させないようにイオン注入することで、イオン注入処理中断や誤差の伴うドーズ量補正をすることのないイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 at a dose of 1.5×101^7 atoms/cm^2 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）にドーズ量１．５×１０１^7ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以上で水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。 - 特許庁

A dopant is driven to the diamond thin film 5-12 at an acceleration voltage of 60 kV and a dose of 1×10^14 cm^-2 by using an ion implantation device.例文帳に追加

上記ダイヤモンド薄膜５−１２にイオン注入装置を用い、加速電圧６０ｋＶ、ドーズ量１×１０^１４ｃｍ^−２でドーパントを打ち込む。 - 特許庁

Thereby, the multivalent ions 34 converged by the multivalent ion guide 33 can be irradiated on the test piece 35 with high spatial resolution and exact dose.例文帳に追加

多価イオンガイド３３で収束した多価イオン３４を、試料３５に空間分解能が高く、かつ、正確なドーズ量で照射することができる。 - 特許庁

Etching processing is carried out by radiating ion beams according to the calculated irradiation position and dose distribution while blowing etching gas toward a glass substrate 34.例文帳に追加

ガラス基板３４へエッチング用ガスを吹き付けながら、算出された照射位置及びドーズ分布に従ってイオンビームを照射し、エッチング加工を行う。 - 特許庁

Ions generated in the source chamber 1 are applied through the analyzer 3, the acceleration pipes 2, 4, and a dose counter 8 to a semiconductor wafer 7 to perform ion implantation.例文帳に追加

ソースチャンバー１で発生したイオンは、アナライザー３と加速管２，４とドーズカウンタ８を通して半導体ウェハ７に照射されイオン注入が行われる。 - 特許庁