ion gateとは 意味・読み方・使い方

A gate width (concretely, integration processing time in integrating part 70, that is, ion current detecting period) is determined on the basis of the waveform of an ion current (ion current generating period) (gate (GATE) width setting part 80).例文帳に追加

イオン電流の波形（イオン電流の発生期間）に基づいてゲート幅（具体的には、積分部７０における積分処理期間、即ちイオン電流検出期間）を設定する（ゲート（ＧＡＴＥ）幅設定部８０）。 - 特許庁

Capacitance between a gate and a source and capacitance between the gate and a drain are inhibited by oxidizing a trench gate, forming a body to a sidewall by inclined ion implantation, forming a gate electrode and forming a lightly doped source region by inclined ion implantation.例文帳に追加

トレンチゲート酸化後に傾斜イオン注入で側壁にボディを形成し、ゲート電極形成後に低濃度ソース領域を傾斜イオン注入で形成することにより、ゲート・ソース間容量とゲート・ドレイン間容量を抑える。 - 特許庁

To reduce damage to a gate electrode or a control gate when implanting an ion.例文帳に追加

イオン注入の際にゲート電極又はコントロールゲートへのダメージを減少させた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, nitrogen is ion-implanted in the polysilicon gate 12 through the opening part OP.例文帳に追加

その後、開口部ＯＰを介してポリシリコンゲート１２内に窒素をイオン注入する。 - 特許庁

A gate is formed as a diamond surface having a hydrogen ion insensitive terminal.例文帳に追加

ゲートが水素イオン鈍感応終端を有するダイヤモンド表面として形成される。 - 特許庁

Then a memory source-drain region SDm is formed by ion implantation D01 using the dummy gate DG as an ion implantation mask.例文帳に追加

その後、ダミーゲートＤＧをイオン注入マスクとしたイオン注入Ｄ０１によって、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成する。 - 特許庁

Next, ion implantation is conducted to the semiconductor substrate 1 at the side of the one gate structure G2.例文帳に追加

次に、一のゲート構造Ｇ２脇の半導体基板１に対してイオン注入を行う。 - 特許庁

Next, the soure layer 6 is formed by an ion implantation using the floating gate 11 as a mask.例文帳に追加

次に、フローティングゲート１１をマスクとしたイオン注入によりソース層６を形成する。 - 特許庁