「ion gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Further, a gate trench 21 is formed by reactive ion etching (c).例文帳に追加

さらに，反応性イオンエッチングにより，ゲートトレンチ２１を形成する（ｃ）。 - 特許庁

Thus, ion penetration to the area just below the gate electrode 18 is prevented.例文帳に追加

これにより、ゲート電極１８直下へのイオンの突き抜けを防止する。 - 特許庁

A gate width (concretely, integration processing time in integrating part 70, that is, ion current detecting period) is determined on the basis of the waveform of an ion current (ion current generating period) (gate (GATE) width setting part 80).例文帳に追加

イオン電流の波形（イオン電流の発生期間）に基づいてゲート幅（具体的には、積分部７０における積分処理期間、即ちイオン電流検出期間）を設定する（ゲート（ＧＡＴＥ）幅設定部８０）。 - 特許庁

Capacitance between a gate and a source and capacitance between the gate and a drain are inhibited by oxidizing a trench gate, forming a body to a sidewall by inclined ion implantation, forming a gate electrode and forming a lightly doped source region by inclined ion implantation.例文帳に追加

トレンチゲート酸化後に傾斜イオン注入で側壁にボディを形成し、ゲート電極形成後に低濃度ソース領域を傾斜イオン注入で形成することにより、ゲート・ソース間容量とゲート・ドレイン間容量を抑える。 - 特許庁

To reduce damage to a gate electrode or a control gate when implanting an ion.例文帳に追加

イオン注入の際にゲート電極又はコントロールゲートへのダメージを減少させた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, nitrogen is ion-implanted in the polysilicon gate 12 through the opening part OP.例文帳に追加

その後、開口部ＯＰを介してポリシリコンゲート１２内に窒素をイオン注入する。 - 特許庁

A gate is formed as a diamond surface having a hydrogen ion insensitive terminal.例文帳に追加

ゲートが水素イオン鈍感応終端を有するダイヤモンド表面として形成される。 - 特許庁

Then a memory source-drain region SDm is formed by ion implantation D01 using the dummy gate DG as an ion implantation mask.例文帳に追加

その後、ダミーゲートＤＧをイオン注入マスクとしたイオン注入Ｄ０１によって、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成する。 - 特許庁

Next, ion implantation is conducted to the semiconductor substrate 1 at the side of the one gate structure G2.例文帳に追加

次に、一のゲート構造Ｇ２脇の半導体基板１に対してイオン注入を行う。 - 特許庁

Next, the soure layer 6 is formed by an ion implantation using the floating gate 11 as a mask.例文帳に追加

次に、フローティングゲート１１をマスクとしたイオン注入によりソース層６を形成する。 - 特許庁

Ion implantation is performed after removing the gate insulating film 4b on a source/drain region 1d.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域１ｄ上のゲート絶縁膜４ｂを除去後、イオン注入を行う。 - 特許庁

The second deposition, with an associated ion implant for doping, completes the gate electrode.例文帳に追加

第２堆積は、ドーピングに関連するイオン注入により、ゲート電極を完成させる。 - 特許庁

Thereafter, ion implantation is conducted to the semiconductor substrate 1 at the side of the other gate structure G1.例文帳に追加

その後、他のゲート構造Ｇ１脇の半導体基板１に対してイオン注入を行う。 - 特許庁

First impurity layers 810 are formed in the substrate using the control gate layer as an ion implantation mask and the control gate layer is patterned to form a gate on the peripheral circuit part.例文帳に追加

コントロールゲート層をイオン注入マスクとして半導体基板に第１不純物層８１０を形成し、コントロールゲート層をパタニングして周辺回路部にゲートを形成する。 - 特許庁

A thick gate insulating film and a remarkably thin gate insulating film are formed, and ion implantation of a first conductive type which does not penetrate the thick gate insulating film and oblique ion implantation of the opposite conductivity type which also penetrates the thick gate insulating film are performed before formation of the sidewall.例文帳に追加

厚いゲート絶縁膜と著しく薄いゲート絶縁膜を形成し、サイドウォール形成前、厚いゲート絶縁膜は貫通しない第１導電型のイオン注入と、厚いゲート絶縁膜も貫通する逆導電型の斜めイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a hybrid ion transmitting device for enhancing transmission efficiency of an RF ion transmitting tube to which a gate valve is attached by using an electrostatic lens.例文帳に追加

静電レンズを用いてゲート弁を取り付けたＲＦイオン伝送管の伝送効率を高める混成イオン伝送装置を提供する。 - 特許庁

First of all, an LDD region 5 is formed by an ion implantation using a gate electrode 4 as a mask.例文帳に追加

まず、ゲート電極４をマスクとしたイオン注入によりＬＤＤ領域５が形成される。 - 特許庁

The implantation energy at that time is so set that no implanted ion penetrate the polysilicon gate 12.例文帳に追加

このときの注入エネルギーは、注入イオンがポリシリコンゲート１２を突き抜けないように設定する。 - 特許庁

A gate electrode 3 is provided over a straight line orbit B where the ion outgoing is flying from an ion source 1, and the ion is introduced over a circumvolant orbit A when a voltage is applied to the gate electrode 3 from the MS mode changeover controller 7.例文帳に追加

イオン源１から出射したイオンが飛行する直線軌道Ｂ上にゲート電極３を設け、ＭＳモード切替制御部７からゲート電極３に電圧が印加されたときにはイオンが周回軌道Ａに導入されるようにする。 - 特許庁

To provide a method for preventing a polysilicon gate electrode from penetrating by a channeling ion on ion implantation, in a manufacturing method for a field-effect transistor having the gate electrode using a polysilicon layer.例文帳に追加

ポリシリコン層を用いたゲート電極を有する電界効果トランジスタの製造方法において、イオン注入時のチャネリングイオンによるポリシリコンゲート電極の突き抜けを防止できる方法を提供する。 - 特許庁

Then an n-type ion implantation region n1 is formed by performing ion implantation dp01 on the principal surface s1 below the side of the memory gate insulating electrode MG1.例文帳に追加

その後、メモリゲート電極ＭＧ１の側方下部の主面ｓ１にイオン注入ｄｐ０１を施してｎ型イオン注入領域ｎ１を形成する。 - 特許庁

As for the high-voltage transistor, because the ion implantation is performed through the gate insulating film 11a, the high concentration impurity diffusion region is formed shallower.例文帳に追加

高電圧トランジスタについてはゲート絶縁膜１１ａを介して行うので、浅く形成される。 - 特許庁

(b) An opening 5 is formed in the sacrificial layer 4 and the gate electrode layer 3 by applying a focused ion beam thereto.例文帳に追加

（ｂ）集束イオンビームを照射して、犠牲層４とゲート電極層３とに開口部５を形成する。 - 特許庁

A trench 15 is provided between a source electrode 4 and a gate electrode 5 as a ion migration preventing zone.例文帳に追加

ソース電極４とゲート電極５との間に、イオンマイグレーション防止帯として溝部１５を設ける。 - 特許庁

A gate electrode is provided at a prestage of an ion reservoir provided in front of an injection portion to inject ions.例文帳に追加

イオンを射出する射出部の前に設けられているイオン溜りの前段にゲート電極を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where ion implantation of arsenic into a gate electrode can be suppressed.例文帳に追加

ゲート電極中への砒素のイオン注入を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To keep oxide contamination on a substrate surface prior to ion implantation at a low level, after a polymetal gate has been processed.例文帳に追加

ポリメタルゲート加工後、イオン注入に先立って、基板表面の酸化物汚染を低レベルに保つ。 - 特許庁

To suppress dispersion of quantity of ion implantation caused by variability of the thickness of remaining film on a substrate (gate electrode).例文帳に追加

基板（ゲート電極）上の残膜厚ばらつきに起因するイオン注入量ばらつきを抑止する。 - 特許庁

An ion responsive film 6 is formed on the gate electrode wiring 26 through an insulating oxide film 19.例文帳に追加

ゲート電極配線２６上に絶縁酸化膜１９を介してイオン感応膜６が形成されている。 - 特許庁

A protective film 3, which serves as a protective film for ion implantation, is formed on a substrate 1 so as to coat a control gate electrode 8 and a gate electrode 15.例文帳に追加

コントロールゲート電極８およびゲート電極１５を覆うように基板１上にイオン注入用の保護膜となる保護膜３を形成する。 - 特許庁

Then a sidewall 12 is formed on the side surface of the gate electrode 11, and As is ion-implanted by using the gate electrode 11 and the sidewall 12 as masks.例文帳に追加

その後、ゲート電極１１側面にサイドウォール１２を形成した後、ゲート電極１１及びサイドウォール１２をマスクにＡｓをイオン注入する。 - 特許庁

To suppress a residue of a gate electrode forming film which is generated in a sidewall portion of an ion implantation mask by etching upon gate electrode processing.例文帳に追加

ゲート電極加工時のエッチングでイオン注入マスクの側壁部分に発生するゲート電極形成膜の残渣を抑制することを可能にする。 - 特許庁

After a gate electrode 92 and a gate sidewall 101 are formed, an ion is vertically implanted into a substrate 81 to form a deep source/drain diffusion layer 112.例文帳に追加

ゲート電極９２及びゲート側壁１０１を形成後、基板８１に対して垂直にイオン注入し深いソース−ドレイン拡散層１１２を形成する。 - 特許庁

The ion implantation holes 16 of a photo resist decide to which transistor gate 13 are to be ions implanted and the ion implantation holes 15 of an aluminum film are used to accurately decide the position/area of ion implantation.例文帳に追加

イオン注入孔２４が密なところと疎なところでは、ガラスマスク上のイオン注入孔の寸法は同一であるのに、フォトレジストのイオン注入孔２４の寸法が互いに同一にならない。 - 特許庁

To provide a gate electrode for controlling generation of crystal defects due to the stress in the heat treatment while break of the gate electrode by ion injection is prevented, and also to provide a method of manufacturing the gate electrode.例文帳に追加

イオン注入によるゲート電極の突き抜けを防止しながら、熱処理時の応力発生による結晶欠陥の発生をも抑制するゲート電極およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

After forming a gate electrode 11 on the surface of a substrate 17 through a gate insulating film 13, As is ion-implanted by using the gate electrode 11 as a mask to form a source-drain expansion region 15.例文帳に追加

基板１７上にゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１１を形成した後、ゲート電極１１をマスクにＡｓをイオン注入して、ソース・ドレイン拡張領域１５を形成する。 - 特許庁

A gate electrode capable of supplying metal ions such as copper ions is disposed on an opposite side surface of the ion conductor.例文帳に追加

イオン伝導体の反対側の面には銅イオンなどの金属イオンを供給可能なゲート電極を配置する。 - 特許庁

After that, each gate electrode is patterned, and source and drain regions are formed in the well region 13 by ion implantation of impurities in the well region 13.例文帳に追加

その後、各ゲート電極をパターニングし、不純物のイオン注入によりソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To form an impurity region having an LDD structure, only through a one-time ion implantation step, without forming a gate spacer film.例文帳に追加

ゲートスペーサ膜を形成せずに１回のイオン注入工程のみでLDD構造の不純物領域を形成する。 - 特許庁

In this case, the ion gun 32 is directed toward an area excluding the gate valve 5 among the inner surface of the bonding chamber 2.例文帳に追加

このとき、イオンガン３２は、接合チャンバ２の内側表面のうちのゲートバルブ５を除く領域に向いている。 - 特許庁

Thereafter, a p-type second gate layer 7 is formed on the surface of the channel layer 6 by an ion implanting method.例文帳に追加

その後、このチャネル層６の表面にイオン注入法によってＰ型の第２のゲート層７を形成する。 - 特許庁

Ion pouring is effected by employing the gate electrode as a mask to form a source region 16 and a drain region 17.例文帳に追加

ゲート電極をマスクとしてイオン注入を行いソース領域１６とドレーン領域１７を形成する。 - 特許庁

In a step of doping the first halo region, oblique ion implantation is carried out, with the use of a gate electrode as a mask, and in a step of doping the second halo region, vertical ion implantation is carried out with use of the gate electrode as the mask and with a dose rate which is larger than the dose rate of the first halo region ion implantation.例文帳に追加

第１ハロー領域のドーピング工程を、ゲート電極をマスクとして、斜めにイオン注入し、さらに、第２ハロー領域は、ゲート電極をマスクとして、垂直に、かつ第１ハロー領域のイオン注入ドーズ量よりも大きなドーズ量でイオン注入することにより形成する。 - 特許庁

Between an ion supply source 21 and an ion trap part 22, an entrance side gate electrode 24, an ion holding part 23 that accumulates and holds ions at the exit side end by cooling gas, high frequency voltage and electric field having inclination from the entrance side toward the exit side, and an exit side gate electrode 25, are provided.例文帳に追加

イオン供給源２１とイオントラップ部２２との間に：入口側ゲート電極２４；クーリングガス、高周波電圧及び入口側から出口側にかけて傾斜を有する電場により出口側端部の方にイオンを集積して保持するイオン保持部２３；及び出口側ゲート電極２５を設ける。 - 特許庁

In the ion implantation dp01, the memory gate electrode MG1 and the first protective film pt1 formed on a side wall thereof serve as an ion implantation mask, and the n-type ion implantation region n1 is formed at a distance of the thickness of the first protective film p1 from the memory gate electrode MG1.例文帳に追加

イオン注入ｄｐ０１では、メモリゲート電極ＭＧ１およびその側壁に形成した第１保護膜ｐｔ１がイオン注入マスクとなり、メモリゲート電極ＭＧ１から、第１保護膜ｐｔ１の厚さ分だけ離れた位置に、ｎ型イオン注入領域ｎ１を形成する。 - 特許庁