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isolation diffusionとは 意味・読み方・使い方
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「isolation diffusion」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 157件
The bit line isolation diffusion layer 18 includes a diffusion suppressor 18B for suppressing diffusion of an impurity.例文帳に追加
各ビット線分離拡散層１８は、不純物の拡散を抑制する拡散抑制物１８Ｂを含む。 - 特許庁
A control part 33 of a P-type diffusion layer which controls a signal read voltage and an isolation part 32 of the P-type diffusion layer which is used for layer isolation are formed on the side parts of the N-type diffusion layer 4.例文帳に追加
このｎ型拡散層４の側方に、信号読み出し電圧を制御するｐ型拡散層の制御部３３と、層分離用のｐ型拡散層の分離部３２を形成する。 - 特許庁
To prevent external diffusion in drive-in diffusion of impurities added for isolation region formation of a P-N junction.例文帳に追加
ＰＮ接合の分離領域形成用に添加された不純物のドライブイン拡散での外方拡散を防止する。 - 特許庁
The diffusion layer 3 is not provided with the field isolation layer and an activated device.例文帳に追加
拡散層３には、フィールド分離層及び活性化デバイスは設けられていない。 - 特許庁
Clearance (first distance 11) between a P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 10 is set shorter than the clearance (second distance 12) between the P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 9.例文帳に追加
さらに、Ｐ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層１０との離間距離（第１の距離１１）をＰ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層９との離間距離（第２の距離１２）に比べて短くする。 - 特許庁
The isolation region 1 is formed by connecting P type buried diffusion layers 8, 9 with a P type diffusion layer 10.例文帳に追加
分離領域１は、Ｐ型の埋込拡散層８、９及びＰ型の拡散層１０が連結し、形成されている。 - 特許庁
External diffusion of the boron 6, which is additive impurity from an isolation region, is restrained.例文帳に追加
分離領域からの添加不純物であるボロン６の外方拡散を抑制する。 - 特許庁
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「isolation diffusion」の部分一致の例文検索結果
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The isolation regions 13 are formed so as to be shallower than the N-type diffusion layer 14.例文帳に追加
この分離領域１３は、Ｎ型拡散層１４よりも浅く形成される。 - 特許庁
Isolation regions 303b and 303a are provided between the well contact and the diffusion layer and conductive layers 304 and 305 are provided on both isolation regions 303b and 303a.例文帳に追加
ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b，303a上の両方に導電層304，305を設ける。 - 特許庁
Isolation regions 303b and 303a are provided between the well contact and the diffusion layer and channel stop layers 307b and 307a are provided beneath the isolation regions 303b and 303a.例文帳に追加
ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b,303aの下にチャネルストップ層307b，307aを設ける。 - 特許庁
An outer base diffusion layer 6 which is superposed with an outer circumference of the intrinsic base diffusion layer 7, encloses the intrinsic base diffusion layer 7, and reaches the isolation insulation film 3 is formed.例文帳に追加
この真性ベース拡散層７の外周と重畳してこの真性ベース拡散層７を取囲み、分離絶縁膜３に達する外部ベース拡散層６を形成する。 - 特許庁
A second diffusion layer 126 is spaced apart from the first diffusion layer 116 through an element isolation film 102 and has the same conductivity type as the first diffusion layer 116.例文帳に追加
第２拡散層１２６は、素子分離膜１０２を介して第１拡散層１１６と離間しており、第１拡散層１１６と同一導電型を有している。 - 特許庁
To attain embedding performance and reduction in channel resistance for an inter-diffusion-layer isolation insulating film in a semiconductor device of a trench gate structure having diffusion layers and an inter-diffusion-layer isolation insulating film partly recessed, formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板に形成された拡散層および拡散層間分離絶縁膜の一部がリセスされた溝ゲート構造を有する半導体装置において、拡散層間分離絶縁膜の埋設性とチャネル抵抗の低減を両立する。 - 特許庁
N+ emitter diffusion layers 15A and 15B are formed on the opposite sides of the P+ base lead out diffusion layer 14 through isolation films 17B and 17C.例文帳に追加
P+ベース引き出し拡散層１４の両側に分離絶縁膜１７Ｂ，１７Ｃを介してN+エミッタ拡散層１５Ａ，１５Ｂを形成する。 - 特許庁
The multistage element isolation layer 31 is formed by including a plurality of stages of impurity diffusion layers.例文帳に追加
多段素子分離層３１は、複数段の不純物拡散層を有して構成されている。 - 特許庁
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