「isolation diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The isolation region 1 is formed by connecting P type buried diffusion layers 8, 9 with a P type diffusion layer 10.例文帳に追加

分離領域１は、Ｐ型の埋込拡散層８、９及びＰ型の拡散層１０が連結し、形成されている。 - 特許庁

External diffusion of the boron 6, which is additive impurity from an isolation region, is restrained.例文帳に追加

分離領域からの添加不純物であるボロン６の外方拡散を抑制する。 - 特許庁

The isolation regions 13 are formed so as to be shallower than the N-type diffusion layer 14.例文帳に追加

この分離領域１３は、Ｎ型拡散層１４よりも浅く形成される。 - 特許庁

Isolation regions 303b and 303a are provided between the well contact and the diffusion layer and conductive layers 304 and 305 are provided on both isolation regions 303b and 303a.例文帳に追加

ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b，303a上の両方に導電層304，305を設ける。 - 特許庁

Isolation regions 303b and 303a are provided between the well contact and the diffusion layer and channel stop layers 307b and 307a are provided beneath the isolation regions 303b and 303a.例文帳に追加

ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b,303aの下にチャネルストップ層307b，307aを設ける。 - 特許庁

An outer base diffusion layer 6 which is superposed with an outer circumference of the intrinsic base diffusion layer 7, encloses the intrinsic base diffusion layer 7, and reaches the isolation insulation film 3 is formed.例文帳に追加

この真性ベース拡散層７の外周と重畳してこの真性ベース拡散層７を取囲み、分離絶縁膜３に達する外部ベース拡散層６を形成する。 - 特許庁

A second diffusion layer 126 is spaced apart from the first diffusion layer 116 through an element isolation film 102 and has the same conductivity type as the first diffusion layer 116.例文帳に追加

第２拡散層１２６は、素子分離膜１０２を介して第１拡散層１１６と離間しており、第１拡散層１１６と同一導電型を有している。 - 特許庁

To attain embedding performance and reduction in channel resistance for an inter-diffusion-layer isolation insulating film in a semiconductor device of a trench gate structure having diffusion layers and an inter-diffusion-layer isolation insulating film partly recessed, formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に形成された拡散層および拡散層間分離絶縁膜の一部がリセスされた溝ゲート構造を有する半導体装置において、拡散層間分離絶縁膜の埋設性とチャネル抵抗の低減を両立する。 - 特許庁

N+ emitter diffusion layers 15A and 15B are formed on the opposite sides of the P+ base lead out diffusion layer 14 through isolation films 17B and 17C.例文帳に追加

P+ベース引き出し拡散層１４の両側に分離絶縁膜１７Ｂ，１７Ｃを介してN+エミッタ拡散層１５Ａ，１５Ｂを形成する。 - 特許庁

The multistage element isolation layer 31 is formed by including a plurality of stages of impurity diffusion layers.例文帳に追加

多段素子分離層３１は、複数段の不純物拡散層を有して構成されている。 - 特許庁

A separate distance between an element isolation diffusion layer 25 and a drain diffusion layer 24 is made smaller than that between the element isolation diffusion layer 25 and a buried diffusion layer 22, a breakdown voltage between the element isolation diffusion layer 25 and a drain electrode becomes small, and a surge voltage applied to a drain can be restricted by the breakdown voltage, so that the drain can be improved in surge resistance.例文帳に追加

素子分離拡散層２５とドレイン拡散層２４との離間距離を、素子分離拡散層２５と埋め込み拡散層２２との離間距離よりも小さくするため、素子分離拡散層２５とドレイン電極３３間の降伏電圧が小さくなり、ドレインに印加されるサージ電圧をその降伏電圧で制限することが出来るため、ドレインのサージ耐量を大きくすることができる。 - 特許庁

The field isolation layers 2, 4 are provided to both parts adjacent to the region of the diffusion layer 3.例文帳に追加

拡散層３領域の両隣にフィールド分離層２及びフィールド分離層４が設けられている。 - 特許庁

The P-type isolation region 2 has the bottom face, reaching the upper face of the P-type impurity diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型分離領域２は、Ｐ型不純物拡散層３の上面に達する底面を有している。 - 特許庁

Since the conductive layers 304 and 305 are provided on both isolation regions 303b and 303a, difference in diffusion of minority carriers from the well contact to the photodiode (diffusion layer) is suppressed.例文帳に追加

素子分離領域303b，303a上の両方に導電層304，305を設けることで、ウエルコンタクトからフォトダイオード（拡散層）への少数キャリアの拡散の差を少なくする。 - 特許庁

A nitrogen diffusion region 14 with nitrogen ions introduced thereinto is formed apart from the element isolation region 13 at an interval at the upper part of at least the drain diffusion layer 18 in the drain diffusion layer 18 and source diffusion layer 18.例文帳に追加

ドレイン拡散層１８及びソース拡散層１８のうちの少なくともドレイン拡散層１８の上部には、窒素イオンが導入された窒素拡散領域１４が素子分離領域１３と間隔をおいて形成されている。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is formed with a first insulating film 40 on a semiconductor substrate 33 surface, a diffusion layer 43 and a second insulating film 44 on the diffusion layer and includes an element isolation means 86 for isolation neighboring pixels.例文帳に追加

半導体基板３３表面の第１の絶縁膜４０と、拡散層４３とその上の第２の絶縁膜４４によって形成され、隣接する画素間を分離する素子分離手段８６を有する。 - 特許庁

In the trench forming a trench gate structure, an inter-diffusion-layer isolation insulating film is selectively wet etched to a diffusion layer so that the diffusion layer is projected, and the projected diffusion layer is selectively epitaxially grown so that the projected portion of the diffusion layer forms an eaves structure.例文帳に追加

溝ゲート構造となる溝内において、拡散層間分離絶縁膜を拡散層に対して選択的にウェットエッチングして拡散層が突出部した構造を形成し、さらに突出した拡散層を選択エピタキシャル成長させることで拡散層の突出部に庇状の構造を形成する。 - 特許庁

The impurity diffusion region 17 is not arranged between the drain region 16 and the element isolation film 12.例文帳に追加

不純物拡散領域１７は、ドレイン領域１６と素子分離膜１２との間には配置されていない。 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

The diffusion layer electrode is so formed as to contain the top face of the edge of the boundary in the diffusion layer region, but not contain the top face of the edge of the boundary in the trench-type element isolation region, and so is separated from the isolation.例文帳に追加

拡散層電極は、拡散層領域における境界端部上面を含み、溝型素子分離領域における境界端部上面を含まないように形成されることにより、素子分離と分離されている。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 7 and a silicide film 8 on the n-type diffusion layer 5 are provided over the n-type diffusion layer 5, the sidewall film 6 and the element isolation film 3.例文帳に追加

ｎ型拡散層５の上の多結晶シリコン膜７およびシリサイド膜８は、ｎ型拡散層５、側壁膜６、及び素子分離膜３にまたがって設けられる。 - 特許庁

When forming the diffusion layer region 5 separated by an element isolation region, the diffusion layer region 5 is formed separately in two stages by using a double exposure technique.例文帳に追加

素子分離領域によって分離された拡散層領域５を形成する際に、２重露光技術を用いて拡散層領域５を２段階に分けて形成する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 7 and a silicide film 8 which are formed on the n-type diffusion layer 5 are so formed as to be extended over the n-type diffusion layer 5, the side wall film 6, and the element isolation film 3.例文帳に追加

ｎ型拡散層５の上の多結晶シリコン膜７およびシリサイド膜８は、ｎ型拡散層５、側壁膜６、及び素子分離膜３にまたがって設けられる。 - 特許庁

In the element formation regions demarcated by the isolation 105, a diffusion layer region 111 is formed, and a diffusion layer electrode 113b is formed thereon.例文帳に追加

上記素子分離１０５により画成された素子形成領域には、拡散層領域１１１、その上部にシリサイドで構成された拡散層電極１１３ｂが形成されている。 - 特許庁

An n^+ diffusion region 11 is formed selectively in an SOI layer 3, and a perfect isolation region 4 is formed to cover the entire peripheral region of the n^+ diffusion region 11.例文帳に追加

ＳＯＩ層３内にＮ^+拡散領域１１が選択的に形成され、Ｎ^+拡散領域１１の全周辺領域を覆って完全分離領域４が形成される。 - 特許庁

An impurity diffusion region whose conductivity-type is opposite to that of a well under an element isolation region is made to serve as a shielding layer.例文帳に追加

また、素子分離領域下のウエルにこれとは逆導電型の不純物拡散領域をシールド層としてもよい。 - 特許庁

An N+-type diffusion region 9 is formed around a P-type isolation layer 8 which is formed on an N-type epitaxial layer 4.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層４に形成されたＰ型アイソレーション層８の周囲にＮ＋型拡散領域９を形成する。 - 特許庁

P-type diffusion regions 44 are formed on the surface of the substrate 21 below the respective circuit elements and serve as junction isolation.例文帳に追加

各回路素子の下部の基板２１表面にＰ型の拡散領域４４を形成し、接合分離の役割を果たす。 - 特許庁

The height of the element isolation insulation film 4 at the location of a drain contact diffusion region 15' is set higher than that of the element isolation insulation film 4 at the locations of the memory transistors MC.例文帳に追加

ドレインコンタクト拡散領域１５’の位置における素子分離絶縁膜４の高さは、メモリトランジスタＭＣの位置における素子分離絶縁膜４の高さよりも高くされている。 - 特許庁

The semiconductor device includes gate electrode parts G21a-G21c formed over a P type diffusion region, an N type diffusion region, and an element isolation region, and arranged on a diffusion region; and a plurality of gate polysilicon films G20a-G20c having gate wiring parts G22a-G22c arranged on the element isolation region.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型拡散領域，Ｎ型拡散領域及び素子分離領域に跨って形成され、拡散領域上に位置するゲート電極部Ｇ２１ａ〜Ｇ２１ｃと、素子分離領域上に位置するゲート配線部Ｇ２２ａ〜Ｇ２２ｃとを有する複数のゲートポリシリコン膜Ｇ２０ａ〜Ｇ２０ｃを備えている。 - 特許庁

A P-type diffusion region 44 is formed on a surface of the substrate 21, which is under each circuit element so that the region 44 will play the role of junction isolation.例文帳に追加

各回路素子の下部の基板２１表面にＰ型の拡散領域４４を形成し、接合分離の役割を果たす。 - 特許庁

To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁

A P^+ diffusion layer 8 is formed outside the source region and the P^+ diffusion region detaches the source region from the oxidized film for element isolation by the previously predetermined distance.例文帳に追加

例えば、ソース領域の外側にＰ^＋拡散層８を形成して、このＰ^＋拡散層によって予め規定された距離だけソース領域を素子分離用酸化膜から離間する。 - 特許庁

Since the perfect isolation region 4 penetrates the SOI layer 3 to reach a buried oxide film 2, the n^+ diffusion region 11 is electrically isolated completely from the outside by the perfect isolation region 4.例文帳に追加

完全分離領域４はＳＯＩ層３を貫通して埋め込み酸化膜２に到達するため、Ｎ^+拡散領域１１が完全分離領域４によって外部から電気的に完全に絶縁される。 - 特許庁

To achieve element isolation more securely while suppressing an increase in plane size of a semiconductor device when an element isolation region is shallower than a part of a low-concentration diffusion region nearby a gate electrode.例文帳に追加

素子分離領域が低濃度拡散領域におけるゲート電極近傍の部分より浅い場合に半導体装置の平面寸法の大型化を抑制しつつ素子分離をより確実に行う。 - 特許庁

A low-concentration diffusion region is such that a first part 3a coming into contact with the element isolation region 6 is as deep as or shallower than the element isolation region 6, and a second part 3b on a side of a gate electrode 1 as compared with the first part 3a is deeper than the element isolation region 6.例文帳に追加

低濃度拡散領域は、素子分離領域６に接する第１部分３ａは素子分離領域６と同じ深さであるか又はそれよりも浅く、第１部分３ａよりもゲート電極１側の第２部分３ｂは素子分離領域６よりも深い。 - 特許庁

After a gate groove 20 is formed on the n+diffusion layer 5 so that the n+diffusion layer 5 on the spot which will be a gate in elements region between the element isolation layers 2 may be separated, a gate insulation film 8 is formed.例文帳に追加

次に、素子分離層２に挟まれた素子領域のゲートとなる位置のｎ^+拡散層５を分断するようにｎ^+拡散層５にゲート溝２０を形成した後、ゲート絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

The element isolation insulating film 132 is formed thicker than the element isolation insulating film 134, and in the n-type source side diffusion region 114, the peak concentration section having a highest impurity concentration is formed in a deeper position than in the n-type drain side diffusion region 112.例文帳に追加

ここで、素子分離絶縁膜１３２が素子分離絶縁膜１３４よりも膜厚が厚く形成され、ｎ型ソース側拡散領域１１４において、ｎ型ドレイン側拡散領域１１２よりも、不純物の濃度が最も高いピーク濃度部分が深い位置に形成されている。 - 特許庁

A P-type isolation region 2 is formed in part by the diffusion of the P-type impurity in the upper face of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

また、Ｎ^-型シリコン基板１の上面内には、Ｐ型不純物の拡散によって、Ｐ型分離領域２が部分的に形成されている。 - 特許庁

To connect a part between a pair of mutual diffusion regions which are isolated by an isolation region, by not arranging a contact but using a wiring layer.例文帳に追加

分離領域で隔てられた一対の拡散領域相互間を、コンタクトを設けずに、配線層により接続することを特徴とする。 - 特許庁

By the subsequent heat treatment, the P-type impurities are introduced from the solid diffusion source film 5 at the boundary part of the pixel part with an element isolation insulating film 9.例文帳に追加

その後の熱処理により、素子分離絶縁膜９と画素部の境界部に固体拡散源膜５からＰ型不純物を導入する。 - 特許庁

To prevent matching displacement of a bit line contact isolation region from a bit line diffusion layer in a bit line backing region of a virtual ground type memory cell array.例文帳に追加

仮想接地式メモリセルアレイのビット線裏打ち領域において、ビット線コンタクト分離領域とビット線拡散層との合わせズレを防ぐ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of suppressing outward diffusion of the impurity from a device isolation film containing the impurity in a heat treatment when forming another member after forming the device isolation film in the device isolation film containing the impurity.例文帳に追加

不純物を含有する素子分離膜において、当該素子分離膜を形成後の他の部材を形成する際の熱処理により、当該素子分離膜からの不純物の外方拡散を抑制することができる半導体装置および、その製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thus, at the portion lying between the NMOS forming region Rnm and the PMOS forming region Rpm in an oxide film 2 for an element isolation, the N/P-type well diffusion layer 12 is hardly formed, and the CMOS device that has a small element isolation width and a high isolation function is provided.例文帳に追加

したがって、素子分離用酸化膜２のうちＮＭＯＳ形成領域ＲnmとＰＭＯＳ形成領域Ｒpmとの間に位置する部分には、Ｎ／Ｐ型ウェル拡散層１２がほとんど形成されず、素子分離幅が小さく分離機能の高いＣＭＯＳデバイスが得られる。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes: a first conduction-type semiconductor substrate defined in an active region and an element isolation region; an element isolation film formed in the element isolation region of the semiconductor substrate; a second conduction-type diffusion region formed in the active region of the semiconductor substrate; and a first conduction-type doping region and insulation film formed between the element isolation film and the second conduction-type diffusion region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、アクティブ領域と素子分離領域とで定義された第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の素子分離領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板のアクティブ領域に形成される第２導電型の拡散領域と、前記素子分離膜と第２導電型の拡散領域との間に形成される第１導電型のドーピング領域及び絶縁膜とを含む。 - 特許庁