mbeとは 意味・読み方・使い方

A CaF_2 buffer layer 3 is formed on a CaF_2(111) substrate 2 with an MBE method.例文帳に追加

ＣａＦ_２（１１１）基板２上に、ＭＢＥ法によってＣａＦ_２ｂｕｆｆｅｒ層３を形成する。 - 特許庁

A substrate (12) having a III-V semiconductor surface is positioned in the MBE equipment (50 or 150).例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ半導体表面を有する基板（１２）をＭＢＥ装置（５０、１５０）内に位置決めする。 - 特許庁

To provide an MBE device or the like that can maintain a constant film-formation rate regardless of a film-formation time.例文帳に追加

成膜時間に関係なく一定の成膜レートを維持することのできるＭＢＥ装置等を提供する。 - 特許庁

To provide an MBE(molecular beam epitaxial) apparatus, which can increase the used rate of a molecular beam material, enhance crystallization and stabilize the growth conditions of a growth layer, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the apparatus.例文帳に追加

分子線材料の利用率を向上でき、結晶性を高めることができて、しかも、成長層の成長条件を安定させることができるMBE装置およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A high concentration semiconductor layer 16 which turns into a source/drain region is epitaxially grown by MOCVD or MBE.例文帳に追加

次にソース／ドレイン領域となる高濃度の半導体層１６をＭＯＣＶＤ又はＭＢＥなどでエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Well-known methods such as CVD, MBE and sublimation methods can be employed as a method for manufacturing the AlN crystal.例文帳に追加

またＡｌＮ結晶の製造方法としては、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法や昇華法等公知の方法に採用できる。 - 特許庁

The growth direction and composition distribution of the p-GaN layer 23 can be controlled with good accuracy by using an MBE technique.例文帳に追加

また、ＭＢＥ法を用いることにより、ｐ−ＧａＮ層２３の成長方向や組成分布を精度良く制御できる。 - 特許庁

Generally, nonpolar 4 H-AlN is grown up on 4 H-SiC (11-20) by molecular beam epitaxy (MBE).例文帳に追加

一般に、無極性４Ｈ−ＡｌＮは分子線エピタキシー（ＭＢＥ）により４Ｈ−ＳｉＣ（１１−２０）上に成長させる。 - 特許庁