JP7735896B2 - Photosensitive resin composition, wiring board, and method for manufacturing wiring board - Google Patents
Photosensitive resin composition, wiring board, and method for manufacturing wiring boardInfo
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Description
本発明は、感光性樹脂組成物、配線基板および配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a photosensitive resin composition, a wiring board, and a method for manufacturing a wiring board.
近年、入力手段としてタッチパネルが広く用いられている。タッチパネルは、液晶パネルなどの表示部と、特定の位置に入力された情報を検出するタッチパネルセンサー等から構成される。タッチパネルの方式は、入力位置の検出方法により、抵抗膜方式、静電容量方式、光学方式、電磁誘導方式、超音波方式などに大別される。中でも、光学的に明るいこと、意匠性に優れること、構造が簡易であることおよび機能的に優れること等の理由により、静電容量方式のタッチパネルが広く用いられている。 In recent years, touch panels have become widely used as an input method. A touch panel consists of a display unit such as an LCD panel and a touch panel sensor that detects information input at a specific position. Touch panel types can be broadly categorized into resistive, capacitive, optical, electromagnetic induction, and ultrasonic types depending on how they detect the input position. Of these, capacitive touch panels are widely used due to their optical brightness, excellent design, simple structure, and excellent functionality.
静電容量方式のタッチパネルセンサーは、第一電極と絶縁層を介して直交する第二電極を有し、タッチパネル面の電極に電圧をかけて、指などの導電体が触れた際の静電容量変化を検知することにより得られた接触位置を信号として出力する。静電容量方式に用いられるタッチパネルセンサーとしては、例えば、一対の対向する透明基板上に電極および外部接続端子を形成した構造や、一枚の透明基板の両面に電極および外部接続端子をそれぞれ形成した構造などが知られている。 A capacitive touch panel sensor has a second electrode that is perpendicular to a first electrode via an insulating layer. A voltage is applied to the electrodes on the touch panel surface, and when a conductive object such as a finger touches the surface, the sensor detects a change in capacitance, outputting the contact position as a signal. Known examples of capacitive touch panel sensors include those with electrodes and external connection terminals formed on a pair of opposing transparent substrates, and those with electrodes and external connection terminals formed on both sides of a single transparent substrate.
タッチパネルセンサーに用いられる配線電極としては、配線電極を見えにくくする観点から透明配線電極が用いられることが一般的であったが、近年、高感度化や画面の大型化により、金属材料を用いた不透明配線電極が広まっている。金属材料を用いた不透明配線電極を有するタッチパネルセンサーは、不透明配線電極の金属光沢により不透明配線電極が視認される課題があった。不透明配線電極を視認されにくくする方法として、透明基板上に不透明配線電極を形成した後、黒色のポジ型感光性組成物を塗布し、不透明配線電極をマスクとして、ポジ型感光性組成物を露光及び現像することにより、不透明配線電極上に遮光層を形成する方法が提案されている(例えば特許文献1)。この方法に用いられる黒色のポジ型感光性組成物の一例として、顔料、ノボラック樹脂、カルボキシ基を有するアクリル樹脂、光酸発生剤、アミン系分散剤を含む感光性樹脂組成物が提案されている。(例えば特許文献2) Transparent wiring electrodes have typically been used in touch panel sensors to reduce their visibility. However, in recent years, due to the trend toward higher sensitivity and larger screens, opaque wiring electrodes made of metallic materials have become more common. Touch panel sensors with opaque wiring electrodes made of metallic materials have had the problem of the opaque wiring electrodes being visible due to their metallic luster. One method proposed for reducing the visibility of opaque wiring electrodes is to form an opaque wiring electrode on a transparent substrate, then apply a black positive-tone photosensitive composition to the substrate, and then expose and develop the positive-tone photosensitive composition using the opaque wiring electrode as a mask to form a light-shielding layer on the opaque wiring electrode (see, for example, Patent Document 1). One example of a black positive-tone photosensitive composition used in this method is a photosensitive resin composition containing a pigment, novolac resin, a carboxyl-containing acrylic resin, a photoacid generator, and an amine-based dispersant (see, for example, Patent Document 2).
しかしながら、特許文献2記載の感光性樹脂組成物を用いて不透明配線電極上に遮光層を形成したところ、遮光性、パターンニング性については良好な結果が得られたが、耐候性試験を実施したところ、不透明配線電極の抵抗値が上昇する傾向があり、耐候性に関しては改善の余地があることがわかった。 However, when a light-shielding layer was formed on an opaque wiring electrode using the photosensitive resin composition described in Patent Document 2, good results were obtained in terms of light-shielding properties and patterning properties. However, when a weather resistance test was conducted, it was found that the resistance value of the opaque wiring electrode tended to increase, and there was room for improvement in terms of weather resistance.
そこで本発明は、上記課題に鑑み、不透明配線電極と併せて用いても、不透明配線電極の抵抗値上昇を抑制することのできる感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。 In view of the above-mentioned problems, the present invention aims to provide a photosensitive resin composition that can suppress an increase in the resistance value of an opaque wiring electrode even when used in combination with the opaque wiring electrode.
上記課題を解決するため、本発明は、(a)顔料、(b)ノボラック樹脂、(c)キノンジアジド化合物および(d)下記一般式(1)で表される化合物を含み、前記(d)化合物の含有量が固形分中、3~10質量%である、感光性樹脂組成物である。 In order to solve the above problems, the present invention provides a photosensitive resin composition comprising (a) a pigment, (b) a novolak resin, (c) a quinone diazide compound, and (d) a compound represented by the following general formula (1), wherein the content of the (d) compound is 3 to 10 mass % of the solid content.
(上記一般式(1)中、X1~X4は、それぞれ独立に、水素原子、カルボキシル基、水酸基、ニトロ基又は炭素数1~20の1価の炭化水素基を表す。) (In the above general formula (1), X 1 to X 4 each independently represent a hydrogen atom, a carboxyl group, a hydroxyl group, a nitro group, or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.)
本発明によれば、不透明配線電極と併せて用いても、不透明配線電極の抵抗値上昇を抑制することのできる感光性樹脂組成物を得ることができる。 According to the present invention, a photosensitive resin composition can be obtained that can suppress an increase in the resistance value of an opaque wiring electrode even when used in combination with the opaque wiring electrode.
[感光性樹脂組成物]
本発明の感光性樹脂組成物は、(a)顔料、(b)ノボラック樹脂、(c)キノンジアジド化合物および(d)上記一般式(1)で表される化合物を含み、前記(d)化合物の含有量が固形分中、3~10質量%である。ここで「感光性」とは、感光性ペーストが活性光線の照射を受けた場合に、光架橋、光重合、光解重合、光変性などの反応を通して感光性有機成分の化学構造が変化することを意味する。本発明における感光性樹脂組成物は、活性光線の照射によって化学構造の変化が生じ、現像液に対して可溶になるポジ型感光性樹脂組成物である必要がある。ここで言う活性光線とはこのような化学反応を起こす250~1100nmの波長領域の光線を指し、具体的な光源としては、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、LEDランプなどの紫外光線、ハロゲンランプなどの可視光線、ヘリウム-カドミウムレーザー、ヘリウム-ネオンレーザー、アルゴンイオンレーザー、半導体レーザー、YAGレーザー、炭酸ガスレーザーなどの特定波長のレーザー光線等を挙げることができる。本発明の感光性樹脂組成物においては、波長が300~500nmの範囲である紫外線を好ましく用いることができる。
[Photosensitive resin composition]
The photosensitive resin composition of the present invention comprises (a) a pigment, (b) a novolac resin, (c) a quinone diazide compound, and (d) a compound represented by the general formula (1), and the content of the compound (d) is 3 to 10 mass % of the solid content. Here, "photosensitive" means that when the photosensitive paste is irradiated with actinic rays, the chemical structure of the photosensitive organic component changes through reactions such as photocrosslinking, photopolymerization, photodepolymerization, and photomodification. The photosensitive resin composition of the present invention must be a positive-type photosensitive resin composition whose chemical structure changes upon irradiation with actinic rays, making it soluble in a developer. Here, actinic rays refer to light in the wavelength range of 250 to 1100 nm that causes such chemical reactions. Specific light sources include ultraviolet light from ultra-high-pressure mercury lamps, metal halide lamps, LED lamps, etc.; visible light from halogen lamps, etc.; and laser beams of specific wavelengths from helium-cadmium lasers, helium-neon lasers, argon ion lasers, semiconductor lasers, YAG lasers, and carbon dioxide lasers. In the photosensitive resin composition of the present invention, ultraviolet light having a wavelength in the range of 300 to 500 nm can be preferably used.
本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成される遮光層は、例えば、タッチセンサーパネルにおいて、不透明配線電極の上部に形成され、前記不透明配線電極を視認されにくくすることができる。 A light-shielding layer formed using the photosensitive resin composition of the present invention can be formed, for example, on top of an opaque wiring electrode in a touch sensor panel, making the opaque wiring electrode less visible.
[(a)顔料]
本発明の感光性樹脂組成物は、(a)顔料を含有する。(a)顔料を含有することにより、形成した遮光層は遮光性を有する。
[(a) Pigment]
The photosensitive resin composition of the present invention contains (a) a pigment. By containing (a) the pigment, the formed light-shielding layer has light-shielding properties.
(a)顔料としては有機顔料、無機顔料が挙げられ、これらの顔料を2種以上含有してもよい。(a)顔料の割合は、固形分中5~30質量%であることが好ましい。 (a) Pigments include organic pigments and inorganic pigments, and two or more of these pigments may be contained. The proportion of (a) pigment is preferably 5 to 30% by mass of the solid content.
有機顔料としては、例えば、溶性アゾ顔料、不溶性アゾ顔料、金属錯塩アゾ顔料、フタロシアニン顔料、縮合多環顔料などが挙げられる。 Examples of organic pigments include soluble azo pigments, insoluble azo pigments, metal complex azo pigments, phthalocyanine pigments, and condensed polycyclic pigments.
無機顔料としては、例えば、カーボンブラック、グラファイトや、松煙、群青、又は、鉄黒、ヘマタイト、ゲーサイト、マグネタイトなどの酸化鉄、チタン、クロム、鉛、及びこれらの金属複合系などが挙げられる。 Examples of inorganic pigments include carbon black, graphite, pine soot, ultramarine, iron oxides such as iron black, hematite, goethite, and magnetite, titanium, chromium, lead, and composites of these metals.
[(b)ノボラック樹脂]
本発明の感光性樹脂組成物は、(b)ノボラック樹脂を含有する。(b)ノボラック樹脂を含有することにより、現像性が向上する。ここでいう「現像性」とは未露光部の現像液に対する溶解耐性をいい、現像性が良好なほど現像液に長時間浸漬してもパターンの線幅の削れが少ない。
[(b) Novolac Resin]
The photosensitive resin composition of the present invention contains (b) a novolac resin. By containing (b) a novolac resin, developability is improved. Here, "developability" refers to the resistance of unexposed areas to dissolution in a developer, and the better the developability, the less the pattern line width is scraped off even when immersed in a developer for a long period of time.
(b)ノボラック樹脂は、フェノール類とアルデヒド類とを公知の方法で重縮合することによって得られる。2種以上のノボラック樹脂を含有してもよい。含有する(b)ノボラック樹脂の割合は、固形分中50~80質量%であることが好ましい。 (b) Novolac resin is obtained by polycondensing phenols and aldehydes using a known method. Two or more types of novolac resins may be contained. The proportion of (b) novolac resin contained is preferably 50 to 80 mass% of the solid content.
上記フェノール類としては、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、2,3-キシレノール、2,5-キシレノール、3,4-キシレノール、3,5-キシレノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール等が挙げられる。これらのフェノール類を2種以上用いてもよい。 Examples of the phenols include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, and 3,4,5-trimethylphenol. Two or more of these phenols may be used.
上記アルデヒド類としては、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、クロロアセトアルデヒド等が挙げられる。これらのアルデヒド類を2種以上用いてもよい。 Examples of the aldehydes include formalin, paraformaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, hydroxybenzaldehyde, and chloroacetaldehyde. Two or more of these aldehydes may be used.
[(c)キノンジアジド化合物]
本発明の感光性樹脂組成物は、(c)キノンジアジド化合物を含有する。(c)キノンジアジド化合物を含有することにより、活性光線照射部のアルカリ現像液に対する溶解性を上げる、ポジ型感光性を付与することができる。(c)キノンジアジド化合物の割合は、固形分中5~25質量%であることが好ましい。
[(c) Quinone diazide compound]
The photosensitive resin composition of the present invention contains (c) a quinone diazide compound. By containing the (c) quinone diazide compound, it is possible to impart positive photosensitivity, which increases the solubility of the actinic ray-irradiated area in an alkaline developer. The proportion of the (c) quinone diazide compound is preferably 5 to 25 mass % of the solid content.
(c)キノンジアジド化合物としては、ポリヒドロキシ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステルで結合したもの、ポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がスルホンアミド結合したもの、ポリヒドロキシポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステル結合および/またはスルホンアミド結合したものなどが挙げられる。 (c) Examples of quinone diazide compounds include those in which the sulfonic acid of quinone diazide is bonded to a polyhydroxy compound via an ester bond, those in which the sulfonic acid of quinone diazide is bonded to a polyamino compound via a sulfonamide bond, and those in which the sulfonic acid of quinone diazide is bonded to a polyhydroxy polyamino compound via an ester bond and/or a sulfonamide bond.
[(d)一般式(1)で表される化合物]
本発明の感光性樹脂組成物は、(d)下記一般式(1)で表される化合物(本明細書において、単に「(d)化合物」と称することがある。)を含む。(d)化合物を含有することにより、紫外線、可視光により不透明配線電極から溶出した金属イオンを捕捉し、不透明配線電極表面に錯体による膜を形成することで、新たに金属イオンが溶出することを抑制し、不透明配線電極の抵抗値上昇を抑制することができる。
[(d) Compound represented by general formula (1)]
The photosensitive resin composition of the present invention contains (d) a compound represented by the following general formula (1) (sometimes simply referred to as "compound (d)" in this specification). By containing compound (d), metal ions eluted from the opaque wiring electrode by ultraviolet light or visible light are captured, and a complex film is formed on the surface of the opaque wiring electrode, thereby suppressing the elution of additional metal ions and suppressing an increase in the resistance value of the opaque wiring electrode.
上記一般式(1)中、X1~X4は、それぞれ独立に、水素原子、カルボキシル基、水酸基、ニトロ基又は炭素数1~20の1価の炭化水素基を表す。 In the above general formula (1), X 1 to X 4 each independently represent a hydrogen atom, a carboxyl group, a hydroxyl group, a nitro group, or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
中でも、X1~X4の少なくとも1つが、カルボキシル基であることが好ましい。X1~X4の少なくとも1つが、カルボキシル基であることにより、後述のキュア工程での揮発を抑制し、200℃を超える高温であっても、不透明配線電極の抵抗値上昇をより抑制することができる。 In particular, it is preferable that at least one of X 1 to X 4 is a carboxyl group. By having at least one of X 1 to X 4 be a carboxyl group, volatilization in the curing step described below can be suppressed, and an increase in the resistance value of the opaque wiring electrode can be further suppressed even at high temperatures exceeding 200°C.
また、X1~X4の少なくとも1つが、メチル基であることが好ましい。X1~X4の少なくとも1つが、メチル基であることにより、キュア工程での揮発を抑制し、130℃を超える高温であっても、不透明配線電極の抵抗値上昇をより抑制することができる。 Preferably, at least one of X 1 to X 4 is a methyl group. By having at least one of X 1 to X 4 be a methyl group, volatilization during the curing step is suppressed, and an increase in the resistance value of the opaque wiring electrode can be further suppressed even at high temperatures exceeding 130°C.
炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基が挙げられる。脂肪族炭化水素基は直鎖であっても分岐していてもよく、一部または全体が環状であってもよい。また、飽和炭化水素基であっても不飽和炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は水素の少なくとも一部がハロゲンなどにより置換されていてもよい。芳香族炭化水素基は水素の少なくとも一部がハロゲンなどにより置換されていてもよい。炭化水素基の炭素数は1~20であり、好ましくは1~10である。 Examples of hydrocarbon groups include aliphatic hydrocarbon groups and aromatic hydrocarbon groups. Aliphatic hydrocarbon groups may be straight-chain or branched, and may be partially or entirely cyclic. They may also be saturated or unsaturated hydrocarbon groups. In aliphatic hydrocarbon groups, at least some of the hydrogen atoms may be substituted with halogens or the like. In aromatic hydrocarbon groups, at least some of the hydrogen atoms may be substituted with halogens or the like. The hydrocarbon group has 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10.
X1~X4は互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。 X 1 to X 4 may be the same as or different from each other.
一般式(1)の構造は、核磁気共鳴装置(NMR)を用いて、検出されるピークを帰属する方法によって確認できる。 The structure of general formula (1) can be confirmed by assigning the peaks detected using a nuclear magnetic resonance (NMR) spectrometer.
(d)化合物としては、例えば、1,2,3-ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール等が挙げられる。 (d) Examples of compounds include 1,2,3-benzotriazole, carboxybenzotriazole, tolyltriazole, and nitrobenzotriazole.
(d)化合物の含有量は、固形分中、3~10質量%である。(d)化合物の含有量が固形分中3質量%未満であると、抵抗値上昇抑制の効果が不十分である。(d)化合物の含有量は、好ましくは4質量%以上である。一方、(d)化合物の含有量が固形分中10質量%より多いと、不透明配線電極中の金属を必要以上に捕捉してしまい、抵抗値が上昇してしまう。(d)化合物の含有量は、好ましくは6質量%以下である。 The content of the (d) compound is 3 to 10 mass% of the solid content. If the content of the (d) compound is less than 3 mass% of the solid content, the effect of suppressing an increase in resistance value will be insufficient. The content of the (d) compound is preferably 4 mass% or more. On the other hand, if the content of the (d) compound is more than 10 mass% of the solid content, more metal in the opaque wiring electrode will be captured than necessary, resulting in an increase in resistance value. The content of the (d) compound is preferably 6 mass% or less.
固形分中の(d)化合物の含有量は、次のようにして測定することができる。まず、固形分の比率を求めるにあたり、感光性樹脂組成物をクロロホルム等で希釈し、フィルターろ過を行った濾液のGC/MS測定を行い、溶剤成分の定性を行う。次に、溶剤成分について、該当する溶剤の標準品を用いて、クロロホルム等により任意の濃度に調製した標準品溶液を作製し、GC測定にて検量線を作成する。さらに、感光性樹脂組成物をクロロホルム等で希釈し、フィルターろ過を行った濾液のGC測定を実施し、作成した検量線を用いて溶剤成分の濃度を算出する。得られた溶剤成分の濃度を100%から差し引いた値を固形分の比率とする。同様に、(d)化合物の濃度について、感光性樹脂組成物をアセトニトリル等で希釈し、フィルターろ過を行ったろ液のLC/MS測定を行い、(d)化合物の定性を行う。次に、該当する標準品を用いて、アセトニトリル等により任意の濃度に調製した標準品溶液を作製し、LC/UVまたはLC/MS測定にて検量線を作成する。さらに感光性樹脂組成をアセトニトリル等で希釈し、フィルターろ過を行ったろ液のLC/UVまたはLC/MS測定を実施し、作成した検量線を用いて(d)化合物の濃度を算出する。これらの固形分の比率と(d)化合物の濃度の値を用いて、固形分中の(d)化合物の含有量を算出することができる。 The content of compound (d) in the solids can be measured as follows. First, to determine the solids ratio, the photosensitive resin composition is diluted with chloroform or the like, filtered, and the filtrate is subjected to GC/MS measurement to qualify the solvent component. Next, a standard solution of the solvent component is prepared using a standard of the appropriate solvent, adjusted to a desired concentration with chloroform or the like, and a calibration curve is created by GC measurement. Furthermore, the photosensitive resin composition is diluted with chloroform or the like, filtered, and the filtrate is subjected to GC measurement. The concentration of the solvent component is calculated using the created calibration curve. The obtained solvent component concentration is subtracted from 100% to determine the solids ratio. Similarly, to determine the concentration of compound (d), the photosensitive resin composition is diluted with acetonitrile or the like, filtered, and the filtrate is subjected to LC/MS measurement to qualify the compound (d). Next, a standard solution of the appropriate standard is prepared using acetonitrile or the like, adjusted to a desired concentration, and a calibration curve is created by LC/UV or LC/MS measurement. The photosensitive resin composition is then diluted with acetonitrile or the like, and the filtrate is filtered and subjected to LC/UV or LC/MS measurement. The concentration of compound (d) is calculated using the calibration curve created. The content of compound (d) in the solids can be calculated using the ratio of these solids and the concentration of compound (d).
本発明の感光性樹脂組成物は、前記(d)化合物の分子量が130~240であることが好ましい。(d)化合物の分子量が130以上であることで、後述の遮光層形成時のキュア工程での揮発を抑制し、不透明配線電極の抵抗値上昇をより抑制することができる。一方、(d)化合物の分子量が240以下であることで、必要な添加量を最小限に抑えることができる。(d)化合物の分子量は、NMRを用いて、構造を特定した後に、原子量から計算することができる。 In the photosensitive resin composition of the present invention, the molecular weight of the (d) compound is preferably 130 to 240. When the (d) compound has a molecular weight of 130 or more, volatilization during the curing process when forming the light-shielding layer (described below) is suppressed, and an increase in the resistance value of the opaque wiring electrode can be further suppressed. On the other hand, when the (d) compound has a molecular weight of 240 or less, the necessary amount can be minimized. The molecular weight of the (d) compound can be calculated from the atomic weight after identifying the structure using NMR.
[(e)メチロール系化合物]
本発明の感光性樹脂組成物は、さらに、(e)メチロール系化合物を含むことが好ましい。(e)メチロール系化合物を含むことで、熱により(b)ノボラック樹脂の架橋が促進して不透明配線電極の抵抗値上昇をより抑制することができる。(e)メチロール系化合物の含有量は、固形分中1~15質量%であることが好ましく、3~7質量%であることがより好ましい。
[(e) Methylol-based compounds]
The photosensitive resin composition of the present invention preferably further contains (e) a methylol-based compound. By containing the (e) methylol-based compound, crosslinking of the (b) novolac resin is promoted by heat, and an increase in the resistance value of the opaque wiring electrode can be further suppressed. The content of the (e) methylol-based compound is preferably 1 to 15 mass % of the solid content, and more preferably 3 to 7 mass %.
メチロール系化合物としては、市販品を用いることができ、このような市販品としては、ニカラックMW-390、ニカラックMW-100LM、ニカラックMX-750LM、ニカラックMX-270、ニカラックMX-280(以上、いずれも株式会社三和ケミカル製)等が挙げられる。 Commercially available methylol compounds can be used, including Nikalac MW-390, Nikalac MW-100LM, Nikalac MX-750LM, Nikalac MX-270, and Nikalac MX-280 (all manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.).
[溶剤]
本発明の感光性樹脂組成物は、溶剤を含有しても構わない。溶剤としては、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチル-2-ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン、乳酸エチル、3-メトキシ-3-メチルブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、ジアセトンアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、「PGMEA」)、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ブチルカルビトールアセテートなどが挙げられる。
[solvent]
The photosensitive resin composition of the present invention may contain a solvent, such as N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylimidazolidinone, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, γ-butyrolactone, ethyl lactate, 3-methoxy-3-methylbutanol, 1-methoxy-2-propanol, 1-ethoxy-2-propanol, ethylene glycol mono-n-propyl ether, diacetone alcohol, tetrahydrofurfuryl alcohol, propylene glycol monomethyl ether acetate (hereinafter referred to as "PGMEA"), dipropylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, and butyl carbitol acetate.
[その他の成分]
本発明の感光性樹脂組成物は、その所望の特性を損なわない範囲であれば、ポリマー、可塑剤、界面活性剤、シランカップリング剤、架橋剤、レベリング剤、消泡剤又は顔料等の添加剤を配合しても構わない。
[Other ingredients]
The photosensitive resin composition of the present invention may contain additives such as polymers, plasticizers, surfactants, silane coupling agents, crosslinking agents, leveling agents, antifoaming agents, or pigments, as long as the desired properties of the composition are not impaired.
[配線基板]
本発明の配線基板は、透明基板上に不透明配線電極を有し、前記不透明配線電極上に遮光層を有する配線基板であって、前記遮光層が上述した感光性樹脂組成物の硬化物である。
[Wiring board]
The wiring board of the present invention has an opaque wiring electrode on a transparent substrate and a light-shielding layer on the opaque wiring electrode, and the light-shielding layer is a cured product of the above-mentioned photosensitive resin composition.
透明基板は、可視光領域において透明である。ここで「透明」とは、波長550nmにおける透過率が80%以上であるものをいう。なお、透明基板の波長550nmにおける透過率は、紫外可視分光光度計(U-3310 (株)日立ハイテクノロジーズ製)を用いて測定することができる。 The transparent substrate is transparent in the visible light region. Here, "transparent" means that the transmittance at a wavelength of 550 nm is 80% or more. The transmittance of the transparent substrate at a wavelength of 550 nm can be measured using a UV-visible spectrophotometer (U-3310, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation).
透明基板としては、可撓性を有しない透明基板や可撓性を有する透明基板が挙げられる。可撓性を有しない透明基板としては、例えば、石英ガラス、ソーダガラス、化学強化ガラス、“パイレックス(登録商標)”ガラス、合成石英板、エポキシ樹脂基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等が挙げられる。可撓性を有する透明基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム(以下、「PETフィルム」)、シクロオレフィンポリマーフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、アラミドフィルム等の樹脂からなる透明フィルムや光学用樹脂板等が挙げられる。これらを複数重ねて使用してもよく、例えば、粘着層により複数の透明基板を用いて貼り合せて使用することができる。 Transparent substrates include inflexible and flexible transparent substrates. Inflexible transparent substrates include, for example, quartz glass, soda glass, chemically strengthened glass, Pyrex (registered trademark) glass, synthetic quartz plates, epoxy resin substrates, polyetherimide resin substrates, polyetherketone resin substrates, and polysulfone resin substrates. Flexible transparent substrates include, for example, transparent films and optical resin plates made of resins such as polyethylene terephthalate film (hereinafter referred to as "PET film"), cycloolefin polymer film, polyimide film, polyester film, and aramid film. Multiple of these may be used in layers; for example, multiple transparent substrates can be bonded together using an adhesive layer.
不透明配線電極は、透明基板の少なくとも片面にパターニングされる。ここで「不透明」とは、波長550nmにおける透過率が25%以下であるものをいう。 The opaque wiring electrode is patterned on at least one side of the transparent substrate. Here, "opaque" means that the transmittance at a wavelength of 550 nm is 25% or less.
不透明配線電極を構成する材料としては、例えば、銀、金、銅、白金、鉛、錫、ニッケル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、チタン、インジウム等の金属や、これらの合金などが挙げられる。これらの中でも、導電性の観点から、銀又は銅が好ましい。また、不透明配線電極は、導電性粒子を含む導電性組成物を硬化させたものであってもよい。この場合、導電性粒子の形状は、球状が好ましく、材料としては前述の金属や合金を用いることができる。 Examples of materials that can be used to form the opaque wiring electrode include metals such as silver, gold, copper, platinum, lead, tin, nickel, aluminum, tungsten, molybdenum, chromium, titanium, and indium, as well as alloys of these metals. Of these, silver or copper is preferred from the perspective of conductivity. The opaque wiring electrode may also be formed by hardening a conductive composition containing conductive particles. In this case, the conductive particles are preferably spherical, and the aforementioned metals and alloys can be used as the material.
不透明配線電極は、透明基板の片面、両面に形成してもよく、透明保護層などを介して片方の面に2層以上形成してもよい。 The opaque wiring electrode may be formed on one or both sides of the transparent substrate, or two or more layers may be formed on one side via a transparent protective layer, etc.
遮光層は、前記不透明配線電極上に形成され、上述した感光性樹脂組成物の硬化物である。 The light-shielding layer is formed on the opaque wiring electrode and is a cured product of the above-mentioned photosensitive resin composition.
本発明の配線基板は、前記透明配線電極の膜厚T1と前記遮光層の膜厚T2の比率が、T1:T2=1.0:1.5~2.0:1.0であり、T1とT2の合計が1.0~3.0μmであることが好ましい。前記透明配線電極の膜厚T1の比率をT1:T2=1.0:1.5より大きくすることで、導電性が良好となる。また、前記遮光層の膜厚T2の比率をT1:T2=2.0:1.0より大きくすることで視認性が良好となる。また、T1とT2の合計が、1.0μm以上であると導電性、視認性の両方をより良好な特性とすることが可能である。T1とT2の合計は1.2μm以上であることがより好ましい。また、3.0μm以下とすることで、凹凸が少なくなり、配線基板上への保護層の形成が容易となる。透明配線電極および遮光層の膜厚は、配線基板を割断した断面をSEM観察することで測定することができる。 In the wiring board of the present invention, the ratio of the thickness T1 of the transparent wiring electrode to the thickness T2 of the light-shielding layer is preferably T1:T2 = 1.0:1.5 to 2.0:1.0, and the sum of T1 and T2 is preferably 1.0 to 3.0 μm. By increasing the ratio of the thickness T1 of the transparent wiring electrode to T2 = 1.0:1.5 or more, electrical conductivity is improved. Furthermore, by increasing the ratio of the thickness T2 of the light-shielding layer to T1:T2 = 2.0:1.0 or more, visibility is improved. Furthermore, when the sum of T1 and T2 is 1.0 μm or more, both electrical conductivity and visibility can be improved. It is more preferable that the sum of T1 and T2 is 1.2 μm or more. Furthermore, by keeping the sum 3.0 μm or less, unevenness is reduced, making it easier to form a protective layer on the wiring board. The thicknesses of the transparent wiring electrode and the light-shielding layer can be measured by SEM observation of a cross section of the wiring board.
本発明の配線基板は、前記不透明配線電極と前記遮光層の線幅の差が1.0μm以下であることが好ましい。前記不透明配線電極と前記遮光層の線幅の差を1.0μm以下とすることで、配線基板の透過率が低下したり、前記遮光層よりはみ出した前記不透明配線電極が反射することによる視認性の悪化を最小限にすることができる。前記不透明配線電極と前記遮光層の線幅の差は0.5μm以下であることがより好ましい。線幅の差については、光学顕微鏡(株式会社キーエンス製VHX-6000)を用いて、前記不透明配線電極の方が太い場合は不透明配線電極形成面から、前記不透明配線電極の方が細い場合は透明基板側から測定することができる。 In the wiring board of the present invention, the difference in line width between the opaque wiring electrode and the light-shielding layer is preferably 1.0 μm or less. By keeping the difference in line width between the opaque wiring electrode and the light-shielding layer 1.0 μm or less, it is possible to minimize a decrease in the transmittance of the wiring board and a deterioration in visibility due to reflection from the opaque wiring electrode protruding from the light-shielding layer. It is more preferable that the difference in line width between the opaque wiring electrode and the light-shielding layer be 0.5 μm or less. The difference in line width can be measured using an optical microscope (Keyence Corporation VHX-6000) from the surface on which the opaque wiring electrode is formed if the opaque wiring electrode is thicker, or from the transparent substrate side if the opaque wiring electrode is thinner.
本発明の配線基板は、不透明配線電極及び遮光層上に透明保護層を有してもよい。透明保護層の形成方法としては、例えば、透明樹脂組成物を塗布し、乾燥する方法や、不透明配線電極形成面側に透明粘着フィルムを貼り合わせる方法などが挙げられる。 The wiring board of the present invention may have a transparent protective layer on the opaque wiring electrode and the light-shielding layer. Examples of methods for forming the transparent protective layer include applying a transparent resin composition and drying it, or laminating a transparent adhesive film to the surface on which the opaque wiring electrode is formed.
[感光性樹脂組成物の製造方法]
次に本発明の感光性樹脂組成物の製造方法について説明する。
[Method for producing photosensitive resin composition]
Next, a method for producing the photosensitive resin composition of the present invention will be described.
(a)顔料、(b)ノボラック樹脂、(c)キノンジアジド化合物および(d)化合物を混合した後、例えば、ジェットミル、ビーズミル、ボールミル若しくは遊星式ボールミル等の分散機又は混練機を用いて調製することができる。 After mixing (a) pigment, (b) novolac resin, (c) quinone diazide compound, and (d) compound, the dispersion can be prepared using a dispersing machine or kneader such as a jet mill, bead mill, ball mill, or planetary ball mill.
[配線基板の製造方法]
次に、本発明の配線基板の製造方法について説明する。
[Method of manufacturing a wiring board]
Next, a method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described.
本発明の配線基板の製造方法は、透明基板上に不透明配線電極を形成する工程と、前記不透明配線電極形成面に前記感光性樹脂組成物を塗布する工程と、前記不透明配線電極をマスクとして前記感光性樹脂組成物を前記塗布面とは反対の面側から露光し、現像することにより、前記不透明配線電極上に遮光層を形成する工程と、を有することが好ましい。これにより、前記不透明配線電極と同一のパターンの遮光層を形成することができる。 The method for manufacturing a wiring board of the present invention preferably includes the steps of forming an opaque wiring electrode on a transparent substrate, applying the photosensitive resin composition to the surface on which the opaque wiring electrode is formed, and exposing the photosensitive resin composition from the side opposite the applied surface using the opaque wiring electrode as a mask, followed by development, to form a light-shielding layer on the opaque wiring electrode. This allows the formation of a light-shielding layer with the same pattern as the opaque wiring electrode.
まず、透明基板上に不透明配線電極を形成する。 First, an opaque wiring electrode is formed on a transparent substrate.
不透明配線電極の形成方法としては、例えば、感光性導電性組成物を用いてフォトリソグラフィー法によりパターン形成する方法、導電性組成物(導電ペースト)を用いてスクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット等によりパターン形成する方法、金属、金属複合体、金属と金属化合物との複合体、金属合金等の膜を形成し、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングによりパターン形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、微細配線が形成可能であることから、感光性導電性組成物を用いてフォトリソグラフィー法により形成する方法が好ましい。なお、不透明配線電極を透明基板の両面に形成する場合や、透明保護層を介して不透明配線電極を2層以上形成する場合は、各不透明配線電極を同じ方法により形成してもよいし、異なる方法を組み合わせてもよい。 Methods for forming opaque wiring electrodes include, for example, photolithography using a photosensitive conductive composition to form a pattern; screen printing, gravure printing, inkjet printing, or other methods using a conductive composition (conductive paste) to form a pattern; and etching a film of metal, metal composite, metal-metal compound composite, or metal alloy, etc., using photolithography to form a pattern. Among these, photolithography using a photosensitive conductive composition is preferred because it allows for the formation of fine wiring. When forming opaque wiring electrodes on both sides of a transparent substrate, or when forming two or more layers of opaque wiring electrodes via a transparent protective layer, each opaque wiring electrode may be formed by the same method, or different methods may be combined.
感光性導電性組成物を用いてフォトリソグラフィー法によりパターン形成する方法は、透明基板上に前記感光性導電性組成物を塗布して塗布膜を得る塗布工程と、上記塗布膜を露光及び現像してパターンを得るフォトリソ工程と、上記パターンを100~300℃で加熱して導電パターンを得るキュア工程により製造される。 The method for forming a pattern by photolithography using a photosensitive conductive composition involves a coating step in which the photosensitive conductive composition is applied to a transparent substrate to form a coating film, a photolithography step in which the coating film is exposed to light and developed to form a pattern, and a curing step in which the pattern is heated at 100 to 300°C to form a conductive pattern.
塗布工程は、前述の感光性導電性組成物を透明基板上に塗布して、塗布膜を得る工程である。感光性導電性組成物を透明基板に塗布する方法としては、例えば、スピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷、又は、スリットコーター、ブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター若しくはバーコーターを用いた塗布が挙げられる。 The coating process is a process in which the photosensitive conductive composition described above is applied to a transparent substrate to obtain a coating film. Methods for applying the photosensitive conductive composition to a transparent substrate include, for example, spin coating using a spinner, spray coating, roll coating, screen printing, or coating using a slit coater, blade coater, die coater, calendar coater, meniscus coater, or bar coater.
感光性導電性組成物が溶剤を含有する場合には、得られた塗布膜を乾燥して、溶剤を除去する乾燥工程を有しても構わない。塗布膜を乾燥する方法としては、例えば、オーブン、ホットプレート若しくは赤外線照射による加熱乾燥又は真空乾燥が挙げられる。加熱乾燥温度は50~120℃、加熱乾燥時間は1分~数時間が一般的である。 If the photosensitive conductive composition contains a solvent, a drying step may be included in which the resulting coating film is dried to remove the solvent. Methods for drying the coating film include, for example, heat drying in an oven, on a hot plate, or by infrared irradiation, or vacuum drying. The heat drying temperature is typically 50 to 120°C, and the heat drying time is typically one minute to several hours.
フォトリソ工程は、塗布工程で得られた塗布膜を露光及び現像して、パターンを得る工程である。塗布膜の露光に用いる光源としては、水銀灯又はLEDランプのi線(365nm)、h線(405nm)又はg線(436nm)が好ましい。透明基板上の感光性導電性組成物を塗布した面から露光マスクを介して露光し、現像液で未露光部を除去することによって、導電性のパターンが得られる。 The photolithography process is a process in which the coating film obtained in the coating process is exposed to light and developed to obtain a pattern. The light source used to expose the coating film is preferably a mercury lamp or an LED lamp with i-line (365 nm), h-line (405 nm), or g-line (436 nm). A conductive pattern is obtained by exposing the coated surface of the photosensitive conductive composition on the transparent substrate through an exposure mask, and then removing the unexposed areas with a developer.
アルカリ現像を行う場合の現像液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、の水溶液が挙げられるが、これらの水溶液に、界面活性剤を添加しても構わない。 Examples of developers for alkaline development include aqueous solutions of tetramethylammonium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, and potassium carbonate, and surfactants may be added to these aqueous solutions.
有機現像を行う場合の現像液としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N-アセチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド若しくはヘキサメチルホスホルトリアミド等の極性溶剤又はこれら極性溶媒とメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、キシレン、水、メチルカルビトール若しくはエチルカルビトールとの混合溶液が挙げられる。 Examples of developers for organic development include polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, or hexamethylphosphortriamide, or mixed solutions of these polar solvents with methanol, ethanol, isopropyl alcohol, xylene, water, methyl carbitol, or ethyl carbitol.
現像の方法としては、例えば、基板を静置又は回転させながら現像液を塗布膜の表面にスプレーする方法、基板を現像液中に浸漬する方法、又は、基材を現像液中に浸漬しながら超音波をかける方法が挙げられる。 Development methods include, for example, spraying the developer onto the surface of the coating film while the substrate is stationary or rotating, immersing the substrate in the developer, or applying ultrasound while immersing the substrate in the developer.
現像工程で得られたパターンは、リンス液によるリンス処理を施しても構わない。ここでリンス液としては、例えば、水あるいは水にエタノール若しくはイソプロピルアルコール等のアルコール類又は乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類若しくは界面活性剤を加えた水溶液が挙げられる。 The pattern obtained in the development step may be rinsed with a rinse solution. Examples of rinse solutions include water, or an aqueous solution of water to which an alcohol such as ethanol or isopropyl alcohol, or an ester such as ethyl lactate or propylene glycol monomethyl ether acetate, or a surfactant has been added.
キュア工程におけるキュア温度は100~300℃が好ましい。キュアの方法としては、例えば、オーブン、イナートオーブン若しくはホットプレートによる加熱乾燥、赤外線ヒーター等の電磁波による加熱乾燥、又は、真空乾燥が挙げられる。 The curing temperature in the curing process is preferably 100 to 300°C. Curing methods include, for example, heat drying using an oven, inert oven, or hot plate, heat drying using electromagnetic waves such as an infrared heater, or vacuum drying.
次に、前記不透明配線電極形成面に本発明の感光性樹脂組成物を塗布する。 Next, the photosensitive resin composition of the present invention is applied to the surface on which the opaque wiring electrode is formed.
塗布工程、乾燥工程については、前記不透明配線電極と同様に行うことができる。 The coating and drying processes can be carried out in the same manner as for the opaque wiring electrode.
次に、前記不透明配線電極をマスクとして前記感光性樹脂組成物を前記塗布面とは反対の面側から露光し、現像することにより、前記不透明配線電極上に遮光層を形成する。これにより、図1に示すとおり、不透明配線電極と同様の遮光層のパターンが得られる。 Next, the photosensitive resin composition is exposed to light from the side opposite the coated surface using the opaque wiring electrode as a mask, and then developed to form a light-shielding layer on the opaque wiring electrode. This results in a light-shielding layer pattern similar to that of the opaque wiring electrode, as shown in Figure 1.
また、透明基板上に不透明配線電極を形成する工程と、前記不透明配線電極形成面に前記感光性樹脂組成物を塗布する工程と、前記感光性樹脂組成物を露光マスクを用いて前記感光性樹脂組成物の塗布面側から露光する工程と、前記不透明配線電極をマスクとして前記感光性樹脂組成物を前記塗布面とは反対の面側から露光する工程と、両面から露光された前記感光性樹脂組成物を現像することにより、前記不透明配線電極上に遮光層を形成する工程と、を有することがより好ましい。これにより、例えば端子部など、外部素子との導通を確保する必要があり、不透明配線電極を露出させたい部分の遮光層を除去することができる。 More preferably, the method includes the steps of forming an opaque wiring electrode on a transparent substrate, applying the photosensitive resin composition to the surface on which the opaque wiring electrode is formed, exposing the photosensitive resin composition from the coated side using an exposure mask, exposing the photosensitive resin composition from the side opposite the coated side using the opaque wiring electrode as a mask, and developing the photosensitive resin composition exposed from both sides to form a light-shielding layer on the opaque wiring electrode. This makes it possible to remove the light-shielding layer from areas where it is necessary to ensure electrical continuity with external elements, such as terminal portions, and where it is desired to expose the opaque wiring electrode.
キュア工程については、前記不透明配線電極と同様に行うことができる。 The curing process can be carried out in the same way as for the opaque wiring electrode.
以下に本発明を実施例及び比較例を挙げて詳細に説明するが、本発明の態様はこれらに限定されるものではない。各実施例及び比較例で用いた材料は、以下のとおりである。 The present invention will be described in detail below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples. The materials used in each example and comparative example are as follows:
[(a)顔料]
カーボンブラック(三菱化学(株)製MA100)
窒化チタン粒子(平均一次粒子径:30nm)。
[(a) Pigment]
Carbon black (MA100 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)
Titanium nitride particles (average primary particle size: 30 nm).
[(b)ノボラック樹脂]
フェノールノボラック(DIC(株)製WR-101)。
[(b) Novolac Resin]
Phenol novolak (WR-101 manufactured by DIC Corporation).
[(c)キノンジアジド化合物]
TDF-517(東洋合成(株)製)。
[(c) Quinone diazide compound]
TDF-517 (manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.).
[(d)化合物]
・VERZONE Crystal#120(大和化成(株)製、以下、「BTA」、X1~X4がいずれも水素)
・VERZONE C-BTA(大和化成(株)製、X1~X4のいずれか1つがカルボキシル基で、残り3つが水素)
・VERZONE TTA(大和化成(株)製、X1~X4のいずれか1つがメチル基で、残り3つが水素)
・VERZONE N-BTA(大和化成(株)製、X1~X4のいずれか1つがニトロ基で、残り3つが水素)。
[(d) Compound]
VERZONE Crystal #120 (manufactured by Daiwa Kasei Co., Ltd., hereinafter referred to as "BTA", where X 1 to X 4 are all hydrogen)
VERZONE C-BTA (manufactured by Daiwa Kasei Co., Ltd., one of X 1 to X 4 is a carboxyl group and the remaining three are hydrogen)
VERZONE TTA (manufactured by Daiwa Kasei Co., Ltd., one of X 1 to X 4 is a methyl group and the remaining three are hydrogen)
VERZONE N-BTA (manufactured by Daiwa Kasei Co., Ltd., one of X 1 to X 4 is a nitro group and the remaining three are hydrogen).
[分散剤]
・BYK-LP21116(ビックケミー社製)
・BYK-9077(ビックケミー社製)。
[Dispersant]
・BYK-LP21116 (manufactured by BYK)
- BYK-9077 (manufactured by BYK-Chemie).
[レベリング剤]
・BYK-331(ビックケミー社製)
・BYK-350(ビックケミー社製)。
[Leveling agent]
・BYK-331 (manufactured by BYK)
- BYK-350 (manufactured by BYK-Chemie).
[(e)メチロール系化合物]
・ニカラックMW-390(株式会社 三和ケミカル製)。
[(e) Methylol-based compounds]
- Nikalac MW-390 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.).
[透明基板]
・無アルカリガラス“AN Wizus(登録商標)”(AGC株式会社製)(a-1)
・PETフィルム“ルミラー(登録商標)”T60(東レ(株)製)(a-2)。
[Transparent substrate]
- Alkali-free glass "AN Wizus (registered trademark)" (manufactured by AGC Inc.) (a-1)
PET film "Lumirror (registered trademark)" T60 (manufactured by Toray Industries, Inc.) (a-2).
[溶剤]
・PGMEA((株)クラレ製)
・ブチルカルビトールアセテート。
[solvent]
PGMEA (Kuraray Co., Ltd.)
-Butyl carbitol acetate.
[レジスト]
・LC-140(ローム・アンド・ハース電子材料(株)製)。
[Register]
LC-140 (manufactured by Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.).
[レジスト剥離液]
・JELK-101(関東化学(株)製)。
[Resist Stripper]
-JELK-101 (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.).
(製造例1:カルボキシル基含有アクリル系共重合体(C-1))
窒素雰囲気の反応容器中に、150gのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート(以下、「DMEA」)を仕込み、オイルバスを用いて80℃まで昇温した。これに、20gのエチルアクリレート(以下、「EA」)、40gのメタクリル酸2-エチルへキシル(以下、「2-EHMA」)、20gのスチレン(以下、「St」)、15gのアクリル酸(以下、「AA」)、0.8gの2,2’-アゾビスイソブチロニトリル及び10gのDMEAからなる混合物を、1時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに6時間重合反応を行った。その後、1gのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、5gのグリシジルメタクリレート(以下、「GMA」)、1gのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び10gのDMEAからなる混合物を、0.5時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに2時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに24時間真空乾燥することで、共重合比率(質量基準):EA/2-EHMA/St/GMA/AA=20/40/20/5/15のカルボキシ基含有アクリル系共重合体(C-1)を得た。
(Production Example 1: Carboxyl Group-Containing Acrylic Copolymer (C-1))
A reaction vessel under a nitrogen atmosphere was charged with 150 g of diethylene glycol monoethyl ether acetate (hereinafter, "DMEA") and heated to 80°C using an oil bath. To this was added dropwise a mixture consisting of 20 g of ethyl acrylate (hereinafter, "EA"), 40 g of 2-ethylhexyl methacrylate (hereinafter, "2-EHMA"), 20 g of styrene (hereinafter, "St"), 15 g of acrylic acid (hereinafter, "AA"), 0.8 g of 2,2'-azobisisobutyronitrile, and 10 g of DMEA over 1 hour. After completion of the dropwise addition, the polymerization reaction was carried out for an additional 6 hours. Thereafter, 1 g of hydroquinone monomethyl ether was added to terminate the polymerization reaction. Subsequently, a mixture consisting of 5 g of glycidyl methacrylate (hereinafter, "GMA"), 1 g of triethylbenzylammonium chloride, and 10 g of DMEA was added dropwise over 0.5 hours. After completion of the dropwise addition, the addition reaction was carried out for an additional 2 hours. The resulting reaction solution was purified with methanol to remove unreacted impurities, and then vacuum dried for 24 hours to obtain a carboxyl group-containing acrylic copolymer (C-1) having a copolymerization ratio (by mass): EA/2-EHMA/St/GMA/AA=20/40/20/5/15.
(製造例2:感光性導電ペースト(D-1))
100mLクリーンボトルに、3.0gの製造例1により得られたカルボキシル基含
有アクリル系共重合体(C-1)、0.3gの光重合開始剤N-1919((株)ADEKA製)、1.2gのモノマー“ライトアクリレート(登録商標)”BP-4EA(共栄社化学(株)製)、0.5gの分散剤BYK-LP21116及び79.0gのPGMEA、0.7gのMA100、15.3gの表面炭素被覆層の平均厚みが1nmで粒子径が40nmの銀微粒子(日清エンジニアリング(株)製)を入れ、自転-公転真空ミキサー「あわとり錬太郎ARE-310」((株)シンキー製)で混合して、100.0gの感光性導電ペースト(D-1)を得た。
(Production Example 2: Photosensitive conductive paste (D-1))
Into a 100 mL clean bottle were placed 3.0 g of the carboxyl group-containing acrylic copolymer (C-1) obtained in Production Example 1, 0.3 g of photopolymerization initiator N-1919 (manufactured by ADEKA Corporation), 1.2 g of the monomer "Light Acrylate (registered trademark)" BP-4EA (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), 0.5 g of dispersant BYK-LP21116, 79.0 g of PGMEA, 0.7 g of MA100, and 15.3 g of silver fine particles having a surface carbon coating layer with an average thickness of 1 nm and a particle diameter of 40 nm (manufactured by Nisshin Engineering Inc.), and mixed using a rotation-revolution vacuum mixer "Awatori Rentaro ARE-310" (manufactured by Thinky Corporation) to obtain 100.0 g of photosensitive conductive paste (D-1).
(製造例3:感光性導電ペースト(D-2))
100mLクリーンボトルに、17.5gの製造例1により得られたカルボキシル基含有アクリル系共重合体(C-1)、0.5gの光重合開始剤N-1919((株)ADEK製)1.5gのエポキシ樹脂“アデカレジン(登録商標)”EP-4530(エポキシ当量190、(株)ADEKA製)、3.5gのモノマー“ライトアクリレート(登録商標)”BP-4EA(共栄社化学(株)製)及び19.0gのDMEAを入れ、“あわとり錬太郎(登録商標)”ARE-310((株)シンキー製)を用いて混合し、42.0gの樹脂溶液を得た。得られた42gの樹脂溶液と62.3gの体積粒子径0.3μmのAg粒子とを混ぜ合わせて、3本ローラーEXAKT M50(EXAKT製)を用いて混練した後に、さらにDMEAを7g加えて混合し、111gの感光性導電ペースト(D-2)を得た。
(Production Example 3: Photosensitive conductive paste (D-2))
Into a 100 mL clean bottle were placed 17.5 g of the carboxyl group-containing acrylic copolymer (C-1) obtained in Production Example 1, 0.5 g of photopolymerization initiator N-1919 (manufactured by ADEK Corporation), 1.5 g of epoxy resin "ADEKA RESIN (registered trademark)" EP-4530 (epoxy equivalent 190, manufactured by ADEKA Corporation), 3.5 g of monomer "Light Acrylate (registered trademark)" BP-4EA (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), and 19.0 g of DMEA, and these were mixed using "Awatori Rentaro (registered trademark)" ARE-310 (manufactured by THINKY Corporation) to obtain 42.0 g of a resin solution. The resulting 42 g of resin solution was mixed with 62.3 g of Ag particles having a volume particle diameter of 0.3 μm and kneaded using a three-roller EXAKT M50 (manufactured by EXAKT). Then, 7 g of DMEA was added and mixed to obtain 111 g of a photosensitive conductive paste (D-2).
(製造例4:不透明配線電極付き基板(E-1))
透明基板(a-1)上に製造例2により得られた感光性導電ペースト(D-1)を、スピンコートにより乾燥後膜厚が0.6μmとなるように塗布し、90℃にて8分間乾燥させた。次に、図2に示す通り、メッシュピッチ70μm、メッシュ角度90度のメッシュ形状のマスクメッシュ部及びマスク遮光部を有する露光マスクを介して、露光装置(PEM-6M;ユニオン光学(株)製)を用いて露光量100mJ/cm2(波長365nm換算)で露光した。マスク開口幅は4μmとした。その後、0.1%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液として、露光部が溶解した時間の2倍の時間現像を行い、さらに、超純水で30秒間リンスしてから、240℃のボックスオーブンで60分間加熱して、不透明配線電極付き基板を得た。得られた不透明配線電極付き基板の不透明配線電極形成面を真空プラズマ装置で10W、10秒間の条件で洗浄処理をした。得られた不透明配線電極線幅を光学顕微鏡で測定した結果、4μmであった。また、膜厚は0.3μmであった。
(Production Example 4: Substrate with Opaque Wiring Electrode (E-1))
The photosensitive conductive paste (D-1) obtained in Production Example 2 was applied to a transparent substrate (a-1) by spin coating so that the film thickness after drying would be 0.6 μm, and then dried at 90°C for 8 minutes. Next, as shown in FIG. 2, an exposure mask having a mesh portion and a mask light-shielding portion with a mesh pitch of 70 μm and a mesh angle of 90° was used to expose the substrate to light at an exposure dose of 100 mJ/cm 2 (equivalent to a wavelength of 365 nm) using an exposure device (PEM-6M; manufactured by Union Optical Co., Ltd.). The mask opening width was 4 μm. Thereafter, development was carried out using a 0.1% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution as a developer for a time twice the time it took for the exposed portion to dissolve, followed by rinsing with ultrapure water for 30 seconds and heating in a box oven at 240°C for 60 minutes to obtain a substrate with an opaque wiring electrode. The opaque wiring electrode-forming surface of the obtained substrate with an opaque wiring electrode was cleaned using a vacuum plasma device at 10 W for 10 seconds. The line width of the resulting opaque wiring electrode was measured with an optical microscope and found to be 4 μm, and the film thickness was 0.3 μm.
(製造例5:不透明配線電極付き基板(E-2))
乾燥後膜厚が2.0μmとなるように塗布した点以外は、製造例4と同様にして不透明配線電極付き基板を得た。得られた不透明配線電極線幅を光学顕微鏡で測定した結果、4μmであった。また、膜厚は1.0μmであった。
(Production Example 5: Substrate with Opaque Wiring Electrode (E-2))
A substrate with an opaque wiring electrode was obtained in the same manner as in Production Example 4, except that the coating was performed so that the film thickness after drying would be 2.0 μm. The line width of the obtained opaque wiring electrode was measured with an optical microscope and found to be 4 μm. The film thickness was also 1.0 μm.
(製造例6:不透明配線電極付き基板(E-3))
乾燥後膜厚が1.0μmとなるように塗布した点以外は、製造例4と同様にして不透明配線電極付き基板を得た。得られた不透明配線電極線幅を光学顕微鏡で測定した結果、4μmであった。また、膜厚は0.5μmであった。
(Production Example 6: Substrate with Opaque Wiring Electrode (E-3))
A substrate with an opaque wiring electrode was obtained in the same manner as in Production Example 4, except that the coating was performed so that the film thickness after drying would be 1.0 μm. The line width of the obtained opaque wiring electrode was measured with an optical microscope and found to be 4 μm. The film thickness was also 0.5 μm.
(製造例7:不透明配線電極付き基板(E-4))
透明基板(a-2)上に製造例3により得られた感光性導電ペースト(D-2)を、スクリーン印刷により乾燥後膜厚が1.6μmとなるように塗布し、100℃にて10分間乾燥させた。次に、図2に示す通り、メッシュピッチ70μm、メッシュ角度90度のメッシュ形状のマスクメッシュ部及びマスク遮光部を有する露光マスクを介して、露光装置(PEM-6M;ユニオン光学(株)製)を用いて露光量100mJ/cm2(波長365nm換算)で露光した。マスク開口幅は3μmとした。その後、0.2質量%炭酸ナトリウム水溶液で30秒間浸漬現像を行い、さらに、超純水で30秒間リンスしてから、140℃のボックスオーブンで60分間加熱して、不透明配線電極付き基板を得た。得られた不透明配線電極付き基板の不透明配線電極形成面を真空プラズマ装置で10W、10秒間の条件で洗浄処理をした。得られた不透明配線電極線幅を光学顕微鏡で測定した結果、4μmであった。また、膜厚は1.6μmであった。
(Production Example 7: Substrate with Opaque Wiring Electrode (E-4))
The photosensitive conductive paste (D-2) obtained in Production Example 3 was applied to a transparent substrate (a-2) by screen printing so that the film thickness after drying would be 1.6 μm, and then dried at 100°C for 10 minutes. Next, as shown in FIG. 2, an exposure mask having a mesh portion and a mask light-shielding portion with a mesh pitch of 70 μm and a mesh angle of 90 degrees was used to expose the substrate to light at an exposure dose of 100 mJ/cm 2 (equivalent to a wavelength of 365 nm) using an exposure device (PEM-6M; manufactured by Union Optical Co., Ltd.). The mask opening width was 3 μm. Thereafter, immersion development was performed in a 0.2 mass% sodium carbonate aqueous solution for 30 seconds, followed by rinsing with ultrapure water for 30 seconds and then heating in a box oven at 140°C for 60 minutes to obtain a substrate with an opaque wiring electrode. The opaque wiring electrode-forming surface of the obtained substrate with an opaque wiring electrode was subjected to a cleaning treatment using a vacuum plasma device at 10 W for 10 seconds. The line width of the obtained opaque wiring electrode was measured using an optical microscope and found to be 4 μm. The film thickness was 1.6 μm.
(製造例8:不透明配線電極付き基板(E-5))
透明基板(a-2)の片面に、銅膜をスパッタリング法で2.0μmの厚みで全面形成した。次に、銅膜上にスピンコートによりレジストを塗布し、100℃にて5分間乾燥させた。次に、図2に示す通り、メッシュピッチ70μm、メッシュ角度90度のメッシュ形状のマスクメッシュ部及びマスク遮光部を有する露光マスクを介して、露光装置(PEM-6M;ユニオン光学(株)製)を用いて露光量45mJ/cm2(波長365nm換算)で露光した。マスク開口幅は8μmとした。その後、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で30秒間浸漬現像を行い、さらに、超純水で30秒間リンスした。次に、塩化第二鉄水溶液で3分間エッチングを行い、さらに、超純水で30秒間リンスした。次に、レジスト剥離液で4分間浸漬現像を行い、さらに、超純水で30秒間リンスし、不透明配線電極付き基板を得た。得られた不透明配線電極付き基板の不透明配線電極形成面を真空プラズマ装置で10W、10秒間の条件で洗浄処理をした。得られた不透明配線電極線幅を光学顕微鏡で測定した結果、4μmであった。また、膜厚は2.0μmであった。
(Production Example 8: Substrate with Opaque Wiring Electrode (E-5))
A copper film was formed on one surface of the transparent substrate (a-2) using a sputtering method to a thickness of 2.0 μm over the entire surface. Next, a resist was applied to the copper film by spin coating and dried at 100°C for 5 minutes. Next, as shown in FIG. 2, an exposure mask having a mesh portion and a mask light-shielding portion with a mesh pitch of 70 μm and a mesh angle of 90 degrees was used to perform exposure at an exposure dose of 45 mJ/cm 2 (equivalent to a wavelength of 365 nm) using an exposure device (PEM-6M; manufactured by Union Optical Co., Ltd.). The mask opening width was 8 μm. Thereafter, immersion development was performed in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 30 seconds, and further rinsed with ultrapure water for 30 seconds. Next, etching was performed in a ferric chloride aqueous solution for 3 minutes, and further rinsed with ultrapure water for 30 seconds. Next, immersion development was performed in a resist stripper for 4 minutes, and further rinsed with ultrapure water for 30 seconds to obtain a substrate with an opaque wiring electrode. The opaque wiring electrode-formed surface of the obtained substrate with opaque wiring electrodes was subjected to a cleaning treatment using a vacuum plasma device under conditions of 10 W and 10 seconds. The line width of the obtained opaque wiring electrodes was measured using an optical microscope and found to be 4 μm. The film thickness was also found to be 2.0 μm.
(製造例9:感光性絶縁ペースト(F-1))
100mLクリーンボトルに、15.5gのアクリル系共重合体(C-1)、5.2gの“ライトアクリレート(登録商標)”HPP-A、0.3gの光重合開始剤N-1919、79.0gのPGMEAを入れ、自転-公転真空ミキサー「あわとり錬太郎ARE-310」で混合して、100.0gの感光性絶縁ペースト(F-1)を得た。
(Production Example 9: Photosensitive Insulating Paste (F-1))
Into a 100 mL clean bottle were placed 15.5 g of the acrylic copolymer (C-1), 5.2 g of Light Acrylate (registered trademark) HPP-A, 0.3 g of photopolymerization initiator N-1919, and 79.0 g of PGMEA, and these were mixed using a rotation-revolution vacuum mixer "Awatori Rentaro ARE-310" to obtain 100.0 g of a photosensitive insulating paste (F-1).
<不透明配線電極と遮光層の線幅の差の評価>
各実施例および比較例により得られた配線基板について、光学顕微鏡(株式会社キーエンス製VHX-6000)を用いて、不透明配線電極形成面からの観察と透明基板側からの観察をそれぞれ行い、不透明配線電極と遮光層の線幅の差を測定した。
<Evaluation of the difference in line width between the opaque wiring electrode and the light-shielding layer>
The wiring substrates obtained in each of the examples and comparative examples were observed from the opaque wiring electrode forming surface and from the transparent substrate side using an optical microscope (VHX-6000 manufactured by Keyence Corporation), and the difference in line width between the opaque wiring electrode and the light-shielding layer was measured.
<不透明配線電極の抵抗値の評価>
遮光層未形成の不透明配線電極付き基板と、各実施例および比較例により得られた遮光層形成後の配線基板それぞれについて、耐候性試験機Q-Sun Xe-3(Q-Lab社製)を用いて0.3W/m2(340nm)、槽内温度55℃、湿度30%の条件で、疑似太陽光を500時間照射し、照射前後での端子間の抵抗値を、抵抗測定用テスター(2407A;BKプレシジョン社製)を用いて測定した。なお、端子間の距離は17mm、幅は15mmとし、パッド部6は長さ2mm、幅15mmとした。不透明配線電極付き基板に対する配線基板の抵抗値の変化率を算出し、変化率が10%未満の場合は「A」、10%以上15%未満の場合は「B」、15%以上20%未満の場合は「C」、20%以上25%未満の場合は「D」、25%以上の場合は「E」と評価した。
<Evaluation of Resistance Value of Opaque Wiring Electrodes>
For each of the opaque wiring electrode-equipped substrate without a light-shielding layer and the wiring substrate after the light-shielding layer formed thereon obtained in each Example and Comparative Example, simulated sunlight was irradiated for 500 hours using a weather resistance tester Q-Sun Xe-3 (manufactured by Q-Lab) under conditions of 0.3 W/m 2 (340 nm), a chamber temperature of 55°C, and humidity of 30%, and the resistance between the terminals before and after irradiation was measured using a resistance measurement tester (2407A; manufactured by BK Precision). The distance between the terminals was 17 mm, the width was 15 mm, and the pad portion 6 was 2 mm long and 15 mm wide. The rate of change in the resistance of the wiring substrate relative to the opaque wiring electrode-equipped substrate was calculated, and the rate of change was evaluated as "A" if it was less than 10%, "B" if it was 10% or more but less than 15%, "C" if it was 15% or more but less than 20%, "D" if it was 20% or more but less than 25%, and "E" if it was 25% or more.
<初期導電性の評価>
各実施例および比較例により得られた配線基板について、端子間の抵抗値を、抵抗測定用テスターを用いて測定した。なお、端子間の距離は17mm、幅は15mmとし、パッド部6は長さ2mm、幅15mmとした。抵抗値が12Ω未満であった場合を「A」、12Ω以上20Ω未満の場合は「B」、20Ω以上の場合は「C」と評価した。
<Evaluation of initial conductivity>
For the wiring boards obtained in each example and comparative example, the resistance between terminals was measured using a resistance tester. The distance between terminals was 17 mm, the width was 15 mm, and the pad portion 6 was 2 mm long and 15 mm wide. Resistance values less than 12 Ω were evaluated as "A," 12 Ω or more but less than 20 Ω as "B," and 20 Ω or more as "C."
<視認性の評価>
各実施例および比較例により得られた配線基板について、不透明配線電極形成面とは反対側に黒色フィルムを設置した後、配線基板に対して投光機を用いて光を投射して30cm離れた位置から10人がそれぞれ目視し、メッシュ状の電極部分が視認可能か否かを評価した。8人以上が視認可能である場合は「E」、5人以上8人未満が視認可能である場合は「D」、3人以上5人未満が視認可能である場合は「C」、1人以上3人未満が視認可能である場合は「B」、10人が視認不可の場合は「A」と評価した。
<Visibility evaluation>
For the wiring boards obtained in each example and comparative example, a black film was placed on the side opposite to the surface on which the opaque wiring electrode was formed, and then light was projected onto the wiring board using a projector. Ten people were then visually inspected from a distance of 30 cm to evaluate whether the mesh-like electrode portion was visible. If it was visible to eight or more people, it was rated as "E," if it was visible to five or more but less than eight people, it was rated as "D," if it was visible to three or more but less than five people, it was rated as "C," if it was visible to one or more but less than three people, it was rated as "B," and if it was invisible to ten people, it was rated as "A."
(実施例1)
<感光性樹脂組成物の調合>
100mLクリーンボトルに、3.42gのWR-101、0.58gのTDF-517、0.26gのBTA、0.02gのBYK-331、44.71gのPGMEAを入れ、自転-公転真空ミキサー「あわとり錬太郎ARE-310」((株)シンキー製)で混合して、49.0gの樹脂溶液を得た。49.0gの得られた樹脂溶液、0.64gのカーボンブラック、0.38gのBYK-LP21116を混ぜ合わせ、0.05mmφジルコニアビーズ(東レ(株)製)を70体積%充填した遠心分離セパレーターを具備した、ウルトラアペックスミル(寿工業(株)製)を用いて混練し、50.0gの感光性樹脂組成物を得た。
Example 1
<Preparation of Photosensitive Resin Composition>
In a 100 mL clean bottle, 3.42 g of WR-101, 0.58 g of TDF-517, 0.26 g of BTA, 0.02 g of BYK-331, and 44.71 g of PGMEA were placed and mixed using a centrifugal-revolution vacuum mixer "Awatori Rentaro ARE-310" (manufactured by Thinky Corporation) to obtain 49.0 g of a resin solution. 49.0 g of the resulting resin solution, 0.64 g of carbon black, and 0.38 g of BYK-LP21116 were mixed and kneaded using an Ultra Apex Mill (manufactured by Kotobuki Industries Co., Ltd.) equipped with a centrifugal separator filled with 70% by volume of 0.05 mmφ zirconia beads (manufactured by Toray Industries, Inc.), to obtain 50.0 g of a photosensitive resin composition.
<遮光層の形成>
得られた感光性樹脂組成物を不透明配線電極付き基板(E-1)上にスピンコートにより不透明配線電極上での乾燥後膜厚が1.5μmとなるように塗布し、100℃にて5分間乾燥させ、不透明配線電極をマスクとして、不透明配線電極形成面の反対面側から露光量500mJ/cm2(波長365nm換算)で露光した。その後、不透明配線電極のパッド部に対応する箇所以外が遮光された露光マスクを介して、露光装置を用いて感光性樹脂組成物の塗布面側から露光量500mJ/cm2(波長365nm換算)で露光した。その後、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液で50秒間浸漬現像を行い、不透明配線電極上部に遮光層を形成した。さらに、240℃のボックスオーブンで60分間加熱して、遮光層付き基板を得た。
<Formation of light-shielding layer>
The obtained photosensitive resin composition was applied by spin coating onto a substrate (E-1) with an opaque wiring electrode so that the film thickness after drying on the opaque wiring electrode was 1.5 μm, and dried at 100 ° C. for 5 minutes. Using the opaque wiring electrode as a mask, it was exposed from the side opposite the opaque wiring electrode formation surface at an exposure dose of 500 mJ / cm 2 (wavelength 365 nm equivalent). Then, using an exposure mask that shielded areas other than those corresponding to the pad portions of the opaque wiring electrode, it was exposed from the coated side of the photosensitive resin composition at an exposure dose of 500 mJ / cm 2 (wavelength 365 nm equivalent) using an exposure device. Then, immersion development was performed for 50 seconds in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution as a developer, and a light-shielding layer was formed on the top of the opaque wiring electrode. Furthermore, it was heated for 60 minutes in a box oven at 240 ° C. to obtain a substrate with a light-shielding layer.
<透明保護層の形成>
得られた遮光層付き基板の不透明配線電極及び遮光層形成面に、製造例9により得られた感光性絶縁ペースト(F-1)を、スピンコートにより乾燥後膜厚が1.5μmとなるように塗布し、80℃にて5分間乾燥した。さらに、不透明配線電極のパッド部に対応する箇所のみが遮光された露光マスクを介して、露光装置(PEM-6M;ユニオン光学(株)製)を用いて感光性絶縁ペーストの塗布面側から露光量100mJ/cm2(波長365nm換算)で露光したその後、0.1%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液として、30秒間現像を行い、さらに、超純水で30秒間リンスしてから、240℃のボックスオーブンで60分間加熱して、図1に示すような配線基板を得た。
<Formation of Transparent Protective Layer>
The photosensitive insulating paste (F-1) obtained in Production Example 9 was applied by spin coating to the opaque wiring electrode and light-shielding layer-formed surface of the obtained substrate with a light-shielding layer so that the film thickness after drying would be 1.5 μm, and then dried for 5 minutes at 80° C. Furthermore, using an exposure mask that shielded only the areas corresponding to the pad portions of the opaque wiring electrode, an exposure device (PEM-6M; manufactured by Union Optical Co., Ltd.) was used to expose from the side where the photosensitive insulating paste was applied at an exposure dose of 100 mJ/cm 2 (equivalent to a wavelength of 365 nm). Thereafter, development was carried out for 30 seconds using a 0.1% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution as a developer, and further, rinsing was carried out for 30 seconds with ultrapure water, followed by heating for 60 minutes in a box oven at 240° C. to obtain a wiring substrate as shown in FIG.
(実施例2~9、比較例1~3)
<感光性樹脂組成物の調合>における(b)ノボラック樹脂、(d)化合物、(e)メチロール系化合物の添加量、(d)化合物の種類、<遮光層の形成>で使用した不透明配線電極付き基板、遮光層の膜厚T2を表1に記載の通りに変更した以外は実施例1と同様にして図1に示すような配線基板を作製した。
(Examples 2 to 9, Comparative Examples 1 to 3)
A wiring board as shown in FIG. 1 was produced in the same manner as in Example 1, except that the amounts of (b) novolak resin, (d) compound, and (e) methylol-based compound added and the type of (d) compound in <Preparation of photosensitive resin composition>, the substrate with opaque wiring electrode used in <Formation of light-shielding layer>, and the thickness T2 of the light-shielding layer were changed as shown in Table 1.
(実施例10)
<感光性樹脂組成物の調合>
100mLクリーンボトルに、12.73gのWR-101、3.15gのTDF-517、1.34gのVERZONE C-BTA、0.08gのBYK-350、1.34gのニカラックMW-390、21.94gのブチルカルビトールアセテートを入れ、自転-公転真空ミキサー「あわとり錬太郎ARE-310」((株)シンキー製)で混合して、40.58gの樹脂溶液を得た。40.58gの得られた樹脂溶液、7.24gの窒化チタン粒子、2.18gのBYK-9077を混ぜ合わせ、0.05mmφジルコニアビーズ(東レ(株)製)を70体積%充填した遠心分離セパレーターを具備した、ウルトラアペックスミル(寿工業(株)製)を用いて混練し、50.0gの感光性樹脂組成物を得た。
Example 10
<Preparation of Photosensitive Resin Composition>
Into a 100 mL clean bottle were placed 12.73 g of WR-101, 3.15 g of TDF-517, 1.34 g of VERZONE C-BTA, 0.08 g of BYK-350, 1.34 g of Nikalac MW-390, and 21.94 g of butyl carbitol acetate, and mixed using a rotation-revolution vacuum mixer "Awatori Rentaro ARE-310" (manufactured by Thinky Corporation) to obtain 40.58 g of a resin solution. 40.58 g of the obtained resin solution, 7.24 g of titanium nitride particles, and 2.18 g of BYK-9077 were mixed together and kneaded using an Ultra Apex Mill (manufactured by Kotobuki Industries Co., Ltd.) equipped with a centrifugal separator filled with 70% by volume of 0.05 mmφ zirconia beads (manufactured by Toray Industries, Inc.), to obtain 50.0 g of a photosensitive resin composition.
<遮光層の形成>
得られた感光性樹脂組成物を不透明配線電極付き基板(E-4)上にスクリーン印刷により不透明配線電極上での乾燥後膜厚が0.8μmとなるように塗布し、100℃にて10分間乾燥させ、不透明配線電極をマスクとして、不透明配線電極形成面の反対面側から露光量500mJ/cm2(波長365nm換算)で露光した。その後、不透明配線電極のパッド部に対応する箇所のみが遮光された露光マスクを介して、露光装置を用いて感光性樹脂組成物の塗布面側から露光量500mJ/cm2(波長365nm換算)で露光した。その後、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液で50秒間浸漬現像を行い、不透明配線電極上部に遮光層を形成した。さらに、140℃のボックスオーブンで60分間加熱して、遮光層付き基板を得た。
<Formation of light-shielding layer>
The obtained photosensitive resin composition was applied by screen printing onto a substrate (E-4) with an opaque wiring electrode so that the film thickness after drying on the opaque wiring electrode was 0.8 μm, and dried at 100 ° C. for 10 minutes. Using the opaque wiring electrode as a mask, it was exposed from the side opposite the surface on which the opaque wiring electrode was formed at an exposure dose of 500 mJ / cm 2 (equivalent to a wavelength of 365 nm). Then, using an exposure mask that shielded only the areas corresponding to the pad portions of the opaque wiring electrode, it was exposed from the coated side of the photosensitive resin composition at an exposure dose of 500 mJ / cm 2 (equivalent to a wavelength of 365 nm) using an exposure device. Then, immersion development was performed for 50 seconds in a developer of 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, and a light-shielding layer was formed on the top of the opaque wiring electrode. Furthermore, it was heated in a box oven at 140 ° C. for 60 minutes to obtain a substrate with a light-shielding layer.
<透明保護層の形成>
実施例1と同様にして、図1に示すような配線基板を作製した。
<Formation of Transparent Protective Layer>
In the same manner as in Example 1, a wiring board as shown in FIG.
(実施例11)
<遮光層の形成>で使用した不透明配線電極付き基板、遮光層の膜厚T2を表1に記載の通りに変更した以外は実施例10と同様にして図1に示すような配線基板を作製した。
Example 11
A wiring substrate as shown in FIG. 1 was prepared in the same manner as in Example 10, except that the substrate with opaque wiring electrodes and the thickness T2 of the light-shielding layer used in <Formation of Light-Shielding Layer> were changed as shown in Table 1.
評価結果を表1、2に示す。 The evaluation results are shown in Tables 1 and 2.
1:透明基板
2:不透明配線電極
3:遮光層
4:透明保護層
5:配線基板
6:パッド部
1: transparent substrate 2: opaque wiring electrode 3: light-shielding layer 4: transparent protective layer 5: wiring substrate 6: pad portion
Claims (11)
前記不透明配線電極形成面に請求項1~5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を塗布する工程と、
前記不透明配線電極をマスクとして前記感光性樹脂組成物を前記塗布面とは反対の面側から露光し、現像することにより、前記不透明配線電極上に遮光層を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。 forming an opaque wiring electrode on a transparent substrate;
a step of applying the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 5 to the surface on which the opaque wiring electrode is formed;
and exposing the photosensitive resin composition from the side opposite to the coated surface using the opaque wiring electrode as a mask, and developing the composition to form a light-shielding layer on the opaque wiring electrode.
前記不透明配線電極形成面に請求項1~5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を塗布する工程と、
前記感光性樹脂組成物を露光マスクを用いて前記感光性樹脂組成物の塗布面側から露光する工程と、
前記不透明配線電極をマスクとして前記感光性樹脂組成物を前記塗布面とは反対の面側から露光する工程と、
両面から露光された前記感光性樹脂組成物を現像することにより、前記不透明配線電極上に遮光層を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。 forming an opaque wiring electrode on a transparent substrate;
a step of applying the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 5 to the surface on which the opaque wiring electrode is formed;
exposing the photosensitive resin composition from the coated surface side of the photosensitive resin composition using an exposure mask;
a step of exposing the photosensitive resin composition to light from the side opposite to the coated surface using the opaque wiring electrode as a mask;
and developing the photosensitive resin composition that has been exposed from both sides to form a light-shielding layer on the opaque wiring electrodes.
Priority Applications (1)
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