JPS589610B2 - Preset counter - Google Patents
Preset counterInfo
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- JPS589610B2 JPS589610B2 JP49078266A JP7826674A JPS589610B2 JP S589610 B2 JPS589610 B2 JP S589610B2 JP 49078266 A JP49078266 A JP 49078266A JP 7826674 A JP7826674 A JP 7826674A JP S589610 B2 JPS589610 B2 JP S589610B2
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- counter
- preset
- flip
- circuit
- signal
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプリスットカウンタに係り、特にプリセット数
をシリアルに入力してカウンタに内蔵された不揮発性半
導体メモリに書き込んでおき、カウンタのプリセットを
任意の時に並列に行ない得るプリセットカウンタに関す
る。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a preset counter, and in particular, the number of presets is serially inputted and written in a non-volatile semiconductor memory built into the counter, so that the counter can be preset in parallel at any time. Regarding preset counters.
従来のプリセットカウンタはTTL,MOS回路による
フリツプフロツプを基本にしたカウンタの各ビットの入
力端子に、デイジタルスイッチ等のプリセット数設定用
のスイッチを並列に結合させて、プリセットを行なうよ
うに構成されている。Conventional preset counters are configured to perform presetting by connecting a switch for setting the number of presets, such as a digital switch, in parallel to the input terminal of each bit of a counter based on a flip-flop using a TTL or MOS circuit. .
第1図はこの従来のプリセットカウンタ10進1桁分を
示すものである。FIG. 1 shows one decimal digit of this conventional preset counter.
本図に示すようにプリセット数はデイジタルスイッチ1
より4ビットの信号としてカウンタ2のプリセットデー
タ入力端子A,B,C,Dに与えられる。As shown in this figure, the number of presets is 1 digital switch.
The signal is then applied to the preset data input terminals A, B, C, and D of the counter 2 as a 4-bit signal.
この状態で端子LOADにプリセット入力信号を加える
と、4ビットで与えられたプリセット数がカウンタ内に
セットされる。When a preset input signal is applied to the terminal LOAD in this state, the preset number given by 4 bits is set in the counter.
こうしてセットされたプリセット数を初期値としてクロ
ツク信号の入力に従ってカウンク内容が増加または減少
し、データ出力端子QA ,QB t Qc p QD
より出力される。With the preset number thus set as the initial value, the count contents increase or decrease according to the input of the clock signal, and the count contents are increased or decreased at the data output terminals QA, QB t Qc p QD.
It is output from
しかるに従来のプリセットカウンタは、カウンタ自身の
電源が切れたときにカウンタの内容を保持することがで
きず、プリセット数も再びセットし直さねばならない。However, the conventional preset counter cannot retain the contents of the counter when the counter itself is powered off, and the preset number must be reset again.
この不便を除くために従来はカウンタに設けられている
プリセットデータ入力端子A,B,C,Dと設定手段で
あるデイジタルスイッチのデータ端子とをハンダ付け等
によって固定接続する方法がとられていた。In order to eliminate this inconvenience, conventionally, a method was used in which the preset data input terminals A, B, C, and D provided on the counter were fixedly connected to the data terminal of the digital switch, which was the setting means, by soldering or the like. .
従って従来のプリセットカウンタにはカウンタの外部に
必らずプリセット数を与えるための人力装置が接続され
ることになる。Therefore, a conventional preset counter necessarily has a manual device connected to the outside of the counter to provide a preset number.
しかもこの入力装置はカウンタの桁毎に設けられるため
、外部装置の占める割合が非常に大きくなり、これが装
置の大型化、複雑化をまねく原因となっていた。Furthermore, since this input device is provided for each digit of the counter, the proportion occupied by the external device becomes extremely large, which causes the device to become larger and more complex.
またこのプリセットカウンタを集積回路として実現する
場合には入力装置とカウンタとの結合用の端子の全てを
ピンとして出しておかねはならず集積回路の製造上大き
な幣害となる。In addition, when this preset counter is realized as an integrated circuit, all the terminals for coupling the input device and the counter must be provided as pins, which causes a large cost in the manufacture of the integrated circuit.
例えは10進4桁のプリセットカウンタを考えてみると
10進1桁に4本のピンが必要で4桁分て16本必要で
ある。For example, if we consider a 4-digit decimal preset counter, four pins are required for one decimal digit, and 16 pins are required for the four digits.
従って通常のカウンタにプリセット機能を追加するだけ
で16本のピンが余計に必要となり集積回路の製造上好
ましくなかった。Therefore, simply adding a preset function to a normal counter requires 16 additional pins, which is not desirable in terms of manufacturing integrated circuits.
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、外部にプリ
セット数設定用の入力装置を設ける必要のないプリセッ
トカウンタを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a preset counter that does not require an external input device for setting the number of presets.
また本発明の他の目的はプリセット数のセット及び変更
が電気的に容易なプリセットヵウンクを提供するにある
。Another object of the present invention is to provide a preset counter that allows electrically easy setting and changing of the number of presets.
以下本発明を詳細に説明する。The present invention will be explained in detail below.
本発明はカウンタ内部に、記憶動作を行ない得る不揮発
性半導体メモリを設けることを基本としている。The present invention is based on the provision of a nonvolatile semiconductor memory capable of performing storage operations inside the counter.
不揮発生半導体メモリを有するカウンタは出願人が先に
出願した特願昭48−
109005号明細書に詳しく述べられているがこれを
第2図を用いて簡単に説明する。A counter having a non-volatile generation semiconductor memory is described in detail in Japanese Patent Application No. 109005/1985, previously filed by the applicant, which will be briefly explained with reference to FIG.
第2図はその不揮発生カウンタ回路の基本構成である2
進1ビット分の回路構成を示すものである。Figure 2 shows the basic configuration of the non-volatile generation counter circuit.
This shows the circuit configuration for one bit of the decimal bit.
MT1,MT2はPチャンネルのMNOSトランジスタ
、T1〜T6はPチャンネルMOSトランジスタであり
、計8個の素子により1ビットが構成されている。MT1 and MT2 are P-channel MNOS transistors, T1 to T6 are P-channel MOS transistors, and a total of eight elements constitute one bit.
上記8個の素子のうちT1,T2はフリツプフロツプの
スイッチング用MOSトランジスタ、T5,T6は負荷
用MOSトランジスタである。Of the eight elements mentioned above, T1 and T2 are flip-flop switching MOS transistors, and T5 and T6 are load MOS transistors.
MNOSトランジスタMT1,MT2はスイッチング用
MOSトランジスタT,,T2と負荷用MOSトランジ
スタT5, T6の各々の間に介挿される。MNOS transistors MT1 and MT2 are interposed between switching MOS transistors T, T2 and load MOS transistors T5 and T6, respectively.
またMNOSトランジスタMT1,MT2に各々並列に
スイッチング素子としてMOSトランジスタT3,T,
が設けられている。In addition, MOS transistors T3, T,
is provided.
ここで負荷用MOSトランジスタT, , T6はデプ
レツション型であり、それ以外のMOSトランジスタは
全てエンハンスメント型を用いている。Here, the load MOS transistors T, , T6 are of the depletion type, and all other MOS transistors are of the enhancement type.
第2図の回路におけるMNOSトランジスタMT1,M
T2は、ゲートに基板に対して正の消去電圧(例えば+
24■)を印加するとゲート閾電圧が正方向に移動し、
逆にソース電位に対して負の書込電圧(例えは−24■
)を印加するとゲート閾電圧が負方向に移動するものを
用いている。MNOS transistors MT1, M in the circuit of Fig. 2
T2 applies a positive erase voltage (e.g. +
When applying 24■), the gate threshold voltage moves in the positive direction,
Conversely, a write voltage that is negative with respect to the source potential (for example, -24
) is applied, the gate threshold voltage shifts in the negative direction.
また第2図において信号MはMNOSトランジスタMT
1,MT2の情報の復帰、情報の消去、情報の書き込み
のための制御信号、VDD、VSSは電源電圧、信号V
はこの不揮発生カウンタ回路を通常のカウンタ回路とし
て動作させるための制御信号である。Also, in FIG. 2, the signal M is the MNOS transistor MT.
1. Control signals for restoring information, erasing information, and writing information in MT2, VDD and VSS are power supply voltages, and signal V
is a control signal for operating this non-volatile generation counter circuit as a normal counter circuit.
この回路において、通電時は信号MによりMNOSトラ
ンジスタMT,MT2をオフにし、信号岡によりMNO
Sトランジスタに並列に接続されたMOSトランジスタ
T3、T4をオンにする。In this circuit, when energized, the signal M turns off the MNOS transistors MT and MT2, and the signal O turns off the MNOS transistors MT and MT2.
MOS transistors T3 and T4 connected in parallel to the S transistor are turned on.
従ってこの状態ではこのカウンタは通常のMOSフリツ
プフロツプとして動作する。Therefore, in this state, this counter operates as a normal MOS flip-flop.
今MOSトランジスタT1がオンでMOSトランジスタ
T2がオフのときにこのフリップフロップの内容をMN
OSトランジスタに書込む場合を考える。Now, when MOS transistor T1 is on and MOS transistor T2 is off, the contents of this flip-flop are MN
Consider the case of writing to an OS transistor.
まず予め信号MによってVSSより約24V正のパルス
を加えてMNOSトランジスタMT1及びMT2のゲー
ト閾値を正方向に移動し約−2■に設定しているものと
する。First, it is assumed that a pulse of about 24 V positive than VSS is applied in advance by the signal M to move the gate thresholds of the MNOS transistors MT1 and MT2 in the positive direction and set them to about -2.
この状態で信号MによりV ss( + 1. 2 V
)よりも24V負のパルスすなわち−12Vのパルス
を加える。In this state, signal M causes V ss (+1.2 V
), apply a 24V negative pulse, that is, a -12V pulse.
この結果MNOSトランジスタMT1の絶縁膜には約−
24■の電圧が印加され、MNOSトランジタMT,の
ゲート閾値は負の方向に移動し、約−8■になる。As a result, the insulating film of the MNOS transistor MT1 has approximately -
A voltage of 24 cm is applied, and the gate threshold of the MNOS transistor MT moves in the negative direction to about -8 cm.
一方MNOSトランジスタMT2の絶縁膜にはゲート直
下のチャンネル電位が−6■になっているため、約−6
Vしか印加されず、ゲート閾値の変動は阻止される。On the other hand, since the channel potential directly under the gate of the insulating film of MNOS transistor MT2 is -6■, approximately -6
Only V is applied and gate threshold variations are prevented.
このようにして、フリツプフロツプの内容がMNOSト
ランジスタのゲート閾値として不揮発的に記憶される。In this way, the contents of the flip-flop are non-volatilely stored as the gate threshold of the MNOS transistor.
通電時には前述のようにMOsトランジスタT3,T4
が動作しているが、上述の如くして記憶されたMNOS
トランジスタの内容を読み出すためには、まず岡をVS
SレベルにしてMosトランジスタT3,T4を共にオ
フする。When energized, as mentioned above, MOS transistors T3 and T4
is running, but the MNOS stored as described above
To read the contents of the transistor, first set Oka to VS.
It is set to S level and both Mos transistors T3 and T4 are turned off.
MOSトランジスタT3,T4がオフされるとフリップ
フ田ノプには負荷がなくなり、MOSトランジスタT
とT2のゲート容量による記憶作用しか残らない。When MOS transistors T3 and T4 are turned off, there is no load on the flip-flop, and the MOS transistor T
Only the memory effect due to the gate capacitance of T2 remains.
この容量によるチャージは浮遊容量の値、ゲート閾値の
大きさによって異なるが、P−N逆接合のリーク電流に
よって徐々に失なわれていく。The charge due to this capacitance varies depending on the value of the stray capacitance and the size of the gate threshold, but is gradually lost due to the leakage current of the P-N reverse junction.
残っているチャージ電位がほぼOになったとき信号Mに
徐々にVSSから負の電位を印加して行くと、ゲート閾
値の低い方のMNOSトランジスタ(この場合はMNO
SトランジスタMT2)が先にオン状態に移向する。When the remaining charge potential becomes almost O, if a negative potential is gradually applied from VSS to the signal M, the MNOS transistor with the lower gate threshold (in this case, the MNO
The S transistor MT2) turns on first.
従ってVDDよりMNOSトランジスタMT2のソース
に先に負の電圧が印加されていくためはじめMOSトラ
ンジスタT1がオンし、MOSトランジスタT2かオフ
となって先にMNOSトランジスタに記憶された内容が
読.み出される。Therefore, since a negative voltage is first applied to the source of the MNOS transistor MT2 from VDD, the MOS transistor T1 is first turned on, and the MOS transistor T2 is turned off, so that the contents stored in the MNOS transistor are read. Being exposed.
従って電源のオン、オフを検知して信号M,<15を制
御することによって、電源が切れた場合にフリツプフロ
ツプの内容をMNOSトランジスタMT1,MT2に書
き込み、電源がオンとなったときにこの記憶内容を読み
出すことができる。Therefore, by detecting whether the power is on or off and controlling the signal M,<15, the contents of the flip-flop are written to the MNOS transistors MT1 and MT2 when the power is turned off, and this memory content is stored when the power is turned on. can be read out.
本発明は上記の原理に基づくものでフリツプフロツプの
内容を不揮発性メモリへ書き込む信号を外部より与える
ことによってプリセット数をメモリに保存しておき、そ
の後は不揮発性メモリの内容とは無関係にカウント動作
を実行させ、再びカウンタ内容を設定された後にプリセ
ットしたいときに、メモリ中に保存しているプリセット
数をフリツプフロップへ読み出すようにしたものである
,本発明によるプリセットカウンタは第2図に示した回
路を1ビットとして、これを4ビット分組み込んで10
進1桁が構成される。The present invention is based on the above principle, and the preset number is stored in the memory by externally applying a signal to write the contents of the flip-flop to the non-volatile memory, and thereafter the counting operation is performed independently of the contents of the non-volatile memory. The preset counter according to the present invention has the circuit shown in FIG. As 1 bit, incorporate 4 bits of this to make 10
Consists of one hex digit.
プリセットカウンタとして10進4桁のカウントが必要
であれは、更にこれが4組並べられる。If a 4-digit decimal count is required as a preset counter, four sets of these are further arranged.
第3図は本発明のプリセットカウンタを10進1桁分だ
け示した図である。FIG. 3 is a diagram showing one decimal digit of the preset counter of the present invention.
すなわち1桁分は第2図に示した回路を4ビット分並べ
て構成されこの1桁分に、入力制御回路1、リセット及
び桁上げ回路2、キャリー回路3及びこの回路に加えら
れる信号を発生する制御信号発生回路4が設けられる。That is, one digit is constructed by arranging the circuits shown in Figure 2 for 4 bits, and for this one digit, input control circuit 1, reset and carry circuit 2, carry circuit 3, and signals to be applied to this circuit are generated. A control signal generation circuit 4 is provided.
本図において信号M,v,■DD Vssは第2図に示
した信号と同じであり、入力制御回路1に加えられる信
号φはMNoSトランジスタの情報の復帰時およびMN
OSトランジスタへの情報の書き込み時にカウント入力
を禁止するための制御信号であるらまた信号Rは回路を
リセットするためのリセット信号である。In this figure, the signals M, v, ■DD Vss are the same as the signals shown in FIG.
The signal R is a control signal for inhibiting count input when writing information to the OS transistor, and is also a reset signal for resetting the circuit.
更に入力制御回路1の出力信号IN,INは第1段目の
フリップフロツプ回路への入力信号、信号Qt,Qエ、
Q2q,Q3,Q3は各々各段のフリツプフロツプの
出力信号であり、また同時に次段のフリップフロツプへ
の入力信号とされる。Furthermore, the output signals IN and IN of the input control circuit 1 are input signals to the first stage flip-flop circuit, and the signals Qt, Qe,
Q2q, Q3, and Q3 are the output signals of the flip-flops in each stage, and are also input signals to the flip-flops in the next stage.
本図においてキャリー回路3は従来公知のMOSフリツ
プフロツプ回路に設けられるものと全く同じ構成であり
、また入力制御回路1、リセット及び桁上げ回路2もカ
ウントを中断させるためのスイッチ機能が付加されるほ
かは従来のものと全く同じ構成である。In this figure, the carry circuit 3 has exactly the same configuration as that provided in a conventionally known MOS flip-flop circuit, and the input control circuit 1 and the reset and carry circuit 2 also have a switch function added to interrupt counting. has exactly the same configuration as the conventional one.
また制御信号発生回路4は図示の如く所定の電圧を印加
するためのスイッチ機構である。Further, the control signal generating circuit 4 is a switch mechanism for applying a predetermined voltage as shown in the figure.
電源電圧VSS =+1 2V , VDD =−6V
として次にこの制御信号発生回路4中のスイッチの切り
換え手順を述べる。Power supply voltage VSS = +12V, VDD = -6V
Next, the procedure for switching the switches in the control signal generating circuit 4 will be described.
すなわちまずスイッチを端子■に倒し、信号Mを+36
Vとする。In other words, first flip the switch to terminal ■, and set signal M to +36.
Let it be V.
この結果第3図中の全てのMNOSトランジスタは消去
され、そのゲート閾値は正の方向へ移動する。As a result, all MNOS transistors in FIG. 3 are erased and their gate thresholds move in the positive direction.
次に信号7を端子■に接続してGNDレベルにして入力
制御回路1にカウント入力パルスを加え、カウント内容
が所望のプリセット数に達したとき信号Mを端子■に切
り換えて−12Vとする。Next, the signal 7 is connected to the terminal (2) and set to GND level, and a count input pulse is applied to the input control circuit 1. When the count reaches the desired preset number, the signal M is switched to the terminal (2) and set to -12V.
先に第2図を用いて説明したとうり、信号Mを+12V
から−1 2Vに切り換えることによってその時のカウ
ント内容がMNOSトランジスタに書き込まれ、プリセ
ット数が設定される。As explained earlier using Fig. 2, the signal M is set to +12V.
By switching from -1 to -12V, the count contents at that time are written to the MNOS transistor, and the preset number is set.
また書き込みが終了し、次のカウント入力が加えられる
前に信号Mを再び+12Vに切り換えることによって、
書き込み以後は再び通常のカウンタとして働らく。Also, by switching the signal M to +12V again after writing is completed and before the next count input is applied,
After writing, it works as a normal counter again.
次に通常のカウンタとしての動作が行なわれカウント内
容が変化している時点で、カウント内容を先に設定した
プリセット数に戻すには、まず信号7を端子■に切り換
えて適当な時間(数秒間)保持し、信号Mを■に切り換
え徐々にGNDの方向へ変化させでいく。Next, when the normal counter operation is performed and the count contents are changing, in order to return the count contents to the previously set preset number, first switch signal 7 to terminal ■ and wait for an appropriate time (several seconds). ), then switch the signal M to ■ and gradually change it toward GND.
すなわち端子■の電圧を可変抵抗器等によって徐々に下
げていく。That is, the voltage at terminal (2) is gradually lowered using a variable resistor or the like.
その結果カウンタとして動作している各フリツプフロッ
プに、MNOSトランジスタに先に書き込まれていた内
容(すなわちプリセット数)が読み出されてくる。As a result, the contents previously written in the MNOS transistor (ie, the preset number) are read out to each flip-flop operating as a counter.
このとき信号7を端子■に切り換えてGNDに戻してお
き更に信号Mを+l2■(■ssレベル)に戻すことに
よって読み出しが完了し、カウンタの内容は先に設定さ
れたプリセット数となる。At this time, reading is completed by switching the signal 7 to the terminal ■ and returning it to GND, and then returning the signal M to +l2■ (■ss level), and the contents of the counter become the preset number set previously.
本発明によるプリセットカウンタは上述の如くしてプリ
セットされるが、第3図中の信号φは、プリセット数を
MNOSトランジスタに書き込むとき、及びMNOSト
ランジスタからプリセット数を読み出すときに、入力制
御回路1、リセット及び桁上げ回路2に加えられる。The preset counter according to the present invention is preset as described above, and the signal φ in FIG. Added to reset and carry circuit 2.
第4図は本発明のプリセットカウンタを集積化した場合
の各入出力信号を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing each input/output signal when the preset counter of the present invention is integrated.
このカウンタの出力は1桁分だけのBCD出力となって
おり、発振器により桁を振り分けられるようにされてい
る。The output of this counter is a BCD output for only one digit, and the digits can be assigned by an oscillator.
以上説明したように本発明によれは通常のカウンタ入力
を行なうことによってその入力値がプリセット数となっ
たときに該カウンタ内部に内蔵されているMNOSトラ
ンジスタにプリセット数を書き込み、常時に通常のカウ
ンタとして働かせ、再びプリセットしたい場合にMNO
Sトランジスタに書き込まれた内容を読み出すようにし
ているため、プリセット入力を設定するための外部入力
装置が不用となり、装置を小型化することができる。As explained above, according to the present invention, when a normal counter input is performed and the input value reaches a preset number, the preset number is written to the MNOS transistor built in the counter, and the normal counter is always input. MNO if you want to work as a preset again.
Since the contents written in the S transistor are read out, an external input device for setting preset inputs is not required, and the device can be made smaller.
また一度プリセットを行なったカウンタは別の装置に組
み込まれたとしても、プリセットされた値がそのカウン
タ内部の不揮発生メモリの中に貯えられているので、プ
リセット設定装置は不要で、読み出しのための回路を設
けるだけでよい。Furthermore, even if a counter that has been preset is installed in another device, the preset value is stored in the non-volatile memory inside the counter, so there is no need for a preset setting device and there is no need to read it. All you need to do is install the circuit.
また本発明によればプリセット用の端子が不要なので、
何桁のカウンタであってもプリセット専用の入力端子は
全く必要ない。Furthermore, according to the present invention, there is no need for a preset terminal, so
No matter how many digits the counter has, there is no need for a dedicated preset input terminal.
従って集積化が容易である。Therefore, integration is easy.
更に本発明によれはプリセット数の変更も電気的に容易
に行なうことができるためその使用用途も大きい。Further, according to the present invention, the number of presets can be easily changed electrically, so that the present invention can be used for a wide variety of purposes.
以上に述べた本発明の実施例においては説明を簡単にす
るために制御信号発生回路4の構成を簡単なスイッチ機
構で示したが、このスイッチ機構を例えはトランジスタ
等を用いた電気回路で構成することができ、また時定数
回路、遅延回路等によって印加電圧の制御を行なうこと
ができることは云うまでもない。In the embodiments of the present invention described above, the configuration of the control signal generation circuit 4 is shown as a simple switch mechanism to simplify the explanation, but this switch mechanism may be configured, for example, with an electric circuit using a transistor or the like. It goes without saying that the applied voltage can be controlled by a time constant circuit, a delay circuit, etc.
また本発明のプリセットカウンタの書き込み、読み出し
を説明するための第2図、第3図においてはMNOSト
ランジスタ、MOSトランジスタをPチャンネル形とし
たが、nチャンネル形でも同様に実施し得、またフリツ
プフロツプを構成するMOSトランジスタをバイボーラ
型にして実現することもできる。In addition, in FIGS. 2 and 3 for explaining the writing and reading of the preset counter of the present invention, the MNOS transistor and the MOS transistor are of P-channel type, but they can be similarly implemented with N-channel type, and flip-flops can also be used. It is also possible to implement the configuration by using bibolar type MOS transistors.
更に本発明では不揮発性メモリとしてMNOSトランジ
スタを例にあげたが、これに限らず、MIOS構造また
はMIS構造のもので絶縁膜中に不揮発的に情報を記憶
するものであれはよく、また紫外線等で消去し、電気的
に書き込めるものを用いてもよい。Furthermore, in the present invention, an MNOS transistor is used as an example of a nonvolatile memory, but it is not limited to this, but any type of MIOS or MIS structure that stores information nonvolatilely in an insulating film may also be used. It is also possible to use one that can be erased and written electrically.
また第2図、第3図に示した一対の不揮発性メモリトラ
ンジスタの各々に並列に他の不揮発性メモリトランジス
タを接続し、各対をなすメモリトランジスタに独立に信
号Mを加えるようにすれはプリセット機能を拡張させる
ことができる。In addition, it is possible to connect another non-volatile memory transistor in parallel to each of the pair of non-volatile memory transistors shown in FIGS. 2 and 3, and to apply the signal M independently to each pair of memory transistors. Functions can be expanded.
第1図は従来のプリセットカウンタを示す図、第2図は
本発明によるプリセットカウンタの動作原理を説明する
ための図、第3図は本発明によるプリセットカウンタの
一実施例を示す構成図、第4図は本発明によるプリセッ
トカウンタを集積化した場合のパッケージに設けられる
入出力端子の様子を示す図である。
MT ,MT2・・・MNOSI−ランジスタ、T
〜,11
T6・・・MOSt−ランジスタ、1・・・入力制御回
路、.2・・・リセット及び桁上げ回路、3・・・キャ
リー回路、4・・・制御信号発生回路。FIG. 1 is a diagram showing a conventional preset counter, FIG. 2 is a diagram for explaining the operating principle of the preset counter according to the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of the preset counter according to the present invention. FIG. 4 is a diagram showing input/output terminals provided in a package when the preset counter according to the present invention is integrated. MT, MT2...MNOSI-transistor, T
~,11 T6...MOSt-transistor, 1...input control circuit, . 2... Reset and carry circuit, 3... Carry circuit, 4... Control signal generation circuit.
Claims (1)
の各能動素子と負荷との間に介挿された不揮発生電界効
果メモリトランジスタと、このメモリトランジスタ各々
に並列に設けられたスイッチング素子と、前記能動素子
にカウント信号を供給する手段と、この手段によって供
給されたカウント数が所望の数になったときの前記フリ
ツプフロツプの情報内容を前記メモリトランジスタにプ
リセット数として書き込む手段と、この手段によって書
き込まれた情報を前記フリツプフロツプに復帰させると
ともに前記スイッチング素子を閉じてカウント動作を行
なわせる手段とを具備することを特徴とするプリセット
カウンタ。1. A non-volatile field effect memory transistor inserted between each active element of a flip-flop constituting each bit of a binary code and a load, a switching element provided in parallel with each of the memory transistors, and the active element. means for supplying a count signal to the memory transistor; means for writing the information content of the flip-flop into the memory transistor as a preset number when the count number supplied by the means reaches a desired number; and the information written by the means. A preset counter comprising means for returning the flip-flop to the flip-flop and closing the switching element to perform a counting operation.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49078266A JPS589610B2 (en) | 1974-07-10 | 1974-07-10 | Preset counter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49078266A JPS589610B2 (en) | 1974-07-10 | 1974-07-10 | Preset counter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS518862A JPS518862A (en) | 1976-01-24 |
| JPS589610B2 true JPS589610B2 (en) | 1983-02-22 |
Family
ID=13657167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49078266A Expired JPS589610B2 (en) | 1974-07-10 | 1974-07-10 | Preset counter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589610B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007185469A (en) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Kowa Co Ltd | Brush roll |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3845327A (en) * | 1972-08-16 | 1974-10-29 | Westinghouse Electric Corp | Counter with memory utilizing mnos memory elements |
-
1974
- 1974-07-10 JP JP49078266A patent/JPS589610B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS518862A (en) | 1976-01-24 |
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