JPS622696B2 - - Google Patents
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- JPS622696B2 JPS622696B2 JP16350080A JP16350080A JPS622696B2 JP S622696 B2 JPS622696 B2 JP S622696B2 JP 16350080 A JP16350080 A JP 16350080A JP 16350080 A JP16350080 A JP 16350080A JP S622696 B2 JPS622696 B2 JP S622696B2
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- semiconductor
- porcelain
- insulating
- insulating agent
- binder
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本発明は半導体磁器の粒界絶縁化方法に関す
る。 従来、粒界絶縁型半導体磁器コンデンサや半導
体磁器バリスタなどを製造する場合、Bi2O3，
Pb3O4，CuOなどの金属酸化物を絶縁化剤として
用いこれをワニスなどのバインダと混練してペー
ストとし、これを半導体磁器の表面にスクリーン
印刷した後、加熱して絶縁化剤を半導体磁器の表
面層および粒界層に拡散させる方法が採用されて
いる。しかしながら、この方法では半導体磁器へ
のペーストの塗布量が時間的に変化してバラツキ
が多く、製品の電気的特性が不均一となり、その
標準偏差も大きいという問題があつた。 本発明は、かかる問題を解決すべくなされたも
のであつて、電気的特性のバラツキが少なく、そ
の標準偏差の小さい製品を得ることができる半導
体磁器の粒界絶縁方法を提供することを目的と
し、その要旨は、半導体磁器の表面に熱可塑性バ
インダをコーテイングし、該半導体磁器を絶縁化
剤粉末と共に混合しつつ加熱して半導体磁器表面
に前記絶縁化剤粉末を付着させた後、熱処理して
半導体磁器の表面および粒界層に前記絶縁化剤を
拡散させることを特徴とする半導体磁器の粒界絶
縁化方法、にある。 熱可塑性バインダとしてはアクリル樹旨、スチ
レン系樹脂、ビニル系樹脂、など種々の熱可塑性
樹脂を用いることができる。 また、絶縁化剤としては、Bi2O3，Ｐb3O4，
CuO，MnO2など従来公知の金属酸化物を単独ま
たは混合して使用すればよく、その量は磁器に対
し0.5〜4.0重量％の範囲で添加される。また絶縁
化剤を付着させるにはバインダが軟化する程度の
温度で加熱すればよいが、通常、80〜110℃の範
囲の温度で加熱する。 半導体磁器の表面に熱可塑性バインダをコーテ
イングする方法としては、前記熱可塑性樹脂をそ
のまま、あるいは溶剤に溶かした溶液を半導体磁
器表面に噴霧するスプレー法、あるいは溶液中に
浸漬するデイツピング法などを採用することがで
きる、このバインダの量は半導体磁器の個々の大
きさにより異なるが、通常、３〜15μ厚の層が形
成されるように設定される。これはバインダ層の
厚さが、３μ未満では絶縁化剤を半導体磁器表面
に充分量付着させることができず、また15μを超
えると磁器同志が付着し粒界絶縁化の歩留りが低
下するからである。 熱処理は、中性あるいは酸化性霧囲気で行なわ
れるが、その温度は従来同様1000〜1200℃の範囲
が好ましい。 実施例 アクリル樹脂固形分30％、溶剤70％からなるバ
インダ溶液を用意する。次に、常法により製造し
たチタン酸バリウム系半導体磁器からなる直径10
mm、肉厚0.4mmの円板試料を一枚のステンレス製
マスクに100個挿入し、の上下両面より前記バイ
ンダをスプレー法によりコートし、60℃で３分間
乾燥させ、７〜10μ厚のバインダ層を形成する。
このようにしてコーテイングした試料300個を円
筒状銭属容器に入れ、これに絶縁化剤として
Bi2O345重量％、Pb3O445重量％、CuO10重量％
からなる混合粉末を1.5ｇ投入し、85℃に保持し
た乾燥器中で容器を毎分５回の速度で１分間回転
させる。 これと同じ操作を３回行なつて３ロツトの試料
を作成し、それぞれ空気中、1100℃で１時間熱処
理し、次いで常法により銀電極を焼付け、粒界絶
縁型半導体磁器コンデンサを製作し、各ロツト毎
に静電容量（Cs）および標準偏差を求めた。 その結果を第１表に示す。
る。 従来、粒界絶縁型半導体磁器コンデンサや半導
体磁器バリスタなどを製造する場合、Bi2O3，
Pb3O4，CuOなどの金属酸化物を絶縁化剤として
用いこれをワニスなどのバインダと混練してペー
ストとし、これを半導体磁器の表面にスクリーン
印刷した後、加熱して絶縁化剤を半導体磁器の表
面層および粒界層に拡散させる方法が採用されて
いる。しかしながら、この方法では半導体磁器へ
のペーストの塗布量が時間的に変化してバラツキ
が多く、製品の電気的特性が不均一となり、その
標準偏差も大きいという問題があつた。 本発明は、かかる問題を解決すべくなされたも
のであつて、電気的特性のバラツキが少なく、そ
の標準偏差の小さい製品を得ることができる半導
体磁器の粒界絶縁方法を提供することを目的と
し、その要旨は、半導体磁器の表面に熱可塑性バ
インダをコーテイングし、該半導体磁器を絶縁化
剤粉末と共に混合しつつ加熱して半導体磁器表面
に前記絶縁化剤粉末を付着させた後、熱処理して
半導体磁器の表面および粒界層に前記絶縁化剤を
拡散させることを特徴とする半導体磁器の粒界絶
縁化方法、にある。 熱可塑性バインダとしてはアクリル樹旨、スチ
レン系樹脂、ビニル系樹脂、など種々の熱可塑性
樹脂を用いることができる。 また、絶縁化剤としては、Bi2O3，Ｐb3O4，
CuO，MnO2など従来公知の金属酸化物を単独ま
たは混合して使用すればよく、その量は磁器に対
し0.5〜4.0重量％の範囲で添加される。また絶縁
化剤を付着させるにはバインダが軟化する程度の
温度で加熱すればよいが、通常、80〜110℃の範
囲の温度で加熱する。 半導体磁器の表面に熱可塑性バインダをコーテ
イングする方法としては、前記熱可塑性樹脂をそ
のまま、あるいは溶剤に溶かした溶液を半導体磁
器表面に噴霧するスプレー法、あるいは溶液中に
浸漬するデイツピング法などを採用することがで
きる、このバインダの量は半導体磁器の個々の大
きさにより異なるが、通常、３〜15μ厚の層が形
成されるように設定される。これはバインダ層の
厚さが、３μ未満では絶縁化剤を半導体磁器表面
に充分量付着させることができず、また15μを超
えると磁器同志が付着し粒界絶縁化の歩留りが低
下するからである。 熱処理は、中性あるいは酸化性霧囲気で行なわ
れるが、その温度は従来同様1000〜1200℃の範囲
が好ましい。 実施例 アクリル樹脂固形分30％、溶剤70％からなるバ
インダ溶液を用意する。次に、常法により製造し
たチタン酸バリウム系半導体磁器からなる直径10
mm、肉厚0.4mmの円板試料を一枚のステンレス製
マスクに100個挿入し、の上下両面より前記バイ
ンダをスプレー法によりコートし、60℃で３分間
乾燥させ、７〜10μ厚のバインダ層を形成する。
このようにしてコーテイングした試料300個を円
筒状銭属容器に入れ、これに絶縁化剤として
Bi2O345重量％、Pb3O445重量％、CuO10重量％
からなる混合粉末を1.5ｇ投入し、85℃に保持し
た乾燥器中で容器を毎分５回の速度で１分間回転
させる。 これと同じ操作を３回行なつて３ロツトの試料
を作成し、それぞれ空気中、1100℃で１時間熱処
理し、次いで常法により銀電極を焼付け、粒界絶
縁型半導体磁器コンデンサを製作し、各ロツト毎
に静電容量（Cs）および標準偏差を求めた。 その結果を第１表に示す。
【表】
比較例
Bi2O3 22.5重量部、Pb3O422.5重量部、CuO5重
量部、ワニス50重量部からなるペーストを調製
し、これを実施例の試料と同寸法、同材質の磁器
円板の表面に常法によりスクリーン印刷し、300
個を時系列で３ロツトに分け、各ロツトの試料を
空気中1100℃で１時間熱処理した後、銀電極を焼
付けて粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製作
し、その容量のｘおよびσを求めた。その結果を
第２表に示す。
量部、ワニス50重量部からなるペーストを調製
し、これを実施例の試料と同寸法、同材質の磁器
円板の表面に常法によりスクリーン印刷し、300
個を時系列で３ロツトに分け、各ロツトの試料を
空気中1100℃で１時間熱処理した後、銀電極を焼
付けて粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製作
し、その容量のｘおよびσを求めた。その結果を
第２表に示す。
【表】
第１表および第２表の結果から明らかなよう
に、本発明方法によれば、従来法に比べ静電容量
のバラツキが少なく、また標準偏差も小さくする
ことができ、従つて製品の品質を向上させること
ができる。また、このことから、本発明方法によ
れば半導体磁器表面への絶縁化剤の付着量もほぼ
均一であることがわかる。
に、本発明方法によれば、従来法に比べ静電容量
のバラツキが少なく、また標準偏差も小さくする
ことができ、従つて製品の品質を向上させること
ができる。また、このことから、本発明方法によ
れば半導体磁器表面への絶縁化剤の付着量もほぼ
均一であることがわかる。
Claims (1)
- １ 半導体磁器の表面に熱可塑性バインダをコー
テイングし、該半導体磁器を絶縁化剤粉末と共に
混合しつつ加熱して半導体磁器表面に前記絶縁化
剤粉末を付着させた後、熱処理して半導体磁器の
表面および粒界層に前記絶縁化剤を拡散させるこ
とを特徴とする半導体磁器の粒界絶縁化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16350080A JPS5787111A (en) | 1980-11-19 | 1980-11-19 | Method of insulating grain boundary of semiconductor porcelain |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16350080A JPS5787111A (en) | 1980-11-19 | 1980-11-19 | Method of insulating grain boundary of semiconductor porcelain |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5787111A JPS5787111A (en) | 1982-05-31 |
| JPS622696B2 true JPS622696B2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15775037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16350080A Granted JPS5787111A (en) | 1980-11-19 | 1980-11-19 | Method of insulating grain boundary of semiconductor porcelain |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5787111A (ja) |
-
1980
- 1980-11-19 JP JP16350080A patent/JPS5787111A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5787111A (en) | 1982-05-31 |
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