JPH0133108B2 - - Google Patents
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- JPH0133108B2 JPH0133108B2 JP23859184A JP23859184A JPH0133108B2 JP H0133108 B2 JPH0133108 B2 JP H0133108B2 JP 23859184 A JP23859184 A JP 23859184A JP 23859184 A JP23859184 A JP 23859184A JP H0133108 B2 JPH0133108 B2 JP H0133108B2
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- indium
- monoisopropylate
- diacetylacetonate
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、透明導電体形成に有用なインジウム
ジアセチルアセトナートモノイソプロピレートお
よびその製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to indium diacetylacetonate monoisopropylate useful for forming transparent conductors and a method for producing the same.
従来の技術
近年インジウムの酸化物被膜が液晶素子の透明
導電膜に使用されるようになり、インジウムの金
属としての特性を利用すべく、その応用範囲が拡
大してきている。BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, indium oxide films have come to be used as transparent conductive films for liquid crystal devices, and the range of applications has been expanding to take advantage of the properties of indium as a metal.
このような酸化物被膜の形成方法には、化学ス
プレー法、真空蒸着法、スクリーン印刷法等があ
る。化学スプレー法は比較的大面積の形状の被膜
を得るには有利であるが、微細で複雑な形状のも
のをえるにはエツチング処理等の余分な工程が必
要となり経済的に不利である。真空蒸着法は、最
近マスク蒸着法が発達し、エツチング処理は必要
でなくなつたが、バツチ式である為、大量生産に
好適とはいい難い。スクリーン印刷法では、上記
のような問題がなく、目的形状のものを印刷焼成
により容易に得ることができ、しかも、エツチン
グ処理にともなう廃液処理の必要もないという利
点を有する。 Methods for forming such an oxide film include a chemical spray method, a vacuum evaporation method, a screen printing method, and the like. Although the chemical spray method is advantageous in obtaining a film with a relatively large area, it is economically disadvantageous because extra steps such as etching are required to obtain a film with a fine and complex shape. The vacuum evaporation method has recently developed into a mask evaporation method and no longer requires etching, but since it is a batch method, it is not suitable for mass production. The screen printing method has the advantage that it does not have the above-mentioned problems, can easily obtain a desired shape by printing and firing, and does not require waste liquid treatment associated with etching.
しかし、従来のインジウム化合物を含む透明導
電性被膜形成用ペーストは、それ自体の安定性が
良くないため、スクリーン印刷時の作業性も悪
く、また、形成された被膜の導電性についてもバ
ラツキが大きいという欠点があつた。 However, conventional pastes for forming transparent conductive films containing indium compounds do not have good stability themselves, resulting in poor workability during screen printing, and the conductivity of the formed films also varies widely. There was a drawback.
すなわち、従来、透明導電体形成用インジウム
化合物としては、オクチル酸インジウム
〔(C7H15CO2)3ln〕のような有機酸インジウムや、
インジウムトリスアセチルアセトナート〔In
(acac)3〕が使用されている。 That is, conventional indium compounds for forming transparent conductors include organic acid indium such as indium octylate [(C 7 H 15 CO 2 ) 3 ln],
Indium trisacetylacetonate [In
(acac) 3 ] is used.
有機酸インジウムは一般に加水分解しやすく、
またペーストとした場合、ペーストのゲル化を促
進する等、比較的容易に化学変化するという欠点
を持つており、このため、有機酸インジウムを含
有するペーストの寿命が短く、スクリーン印刷時
の作業性を悪くする原因となつている。 Indium organic acids are generally easy to hydrolyze;
In addition, when made into a paste, it has the disadvantage of being relatively easily chemically changed, such as promoting gelation of the paste.For this reason, the life of the paste containing indium organic acid is short, and the workability during screen printing is It is the cause of deterioration.
発明が解決しようとする問題点
本発明は、従来の透明導電体形成用インジウム
化合物の欠点を解消し、すなわち化学的安定性に
すぐれ、かつスクリーン印刷操作の容易なインジ
ウム化合物を提供し、かつ、その製造方法を提供
するものである。Problems to be Solved by the Invention The present invention eliminates the drawbacks of conventional indium compounds for forming transparent conductors, that is, provides an indium compound with excellent chemical stability and easy screen printing operation, and The present invention provides a method for manufacturing the same.
問題点を解決するための手段
上記問題点は、下記構造式(1):
で示されるインジウムジアセチルアセトナートモ
ノイソプロピレートにより解消される。Means to solve the problem The above problem is solved by the following structural formula (1): This problem can be solved by indium diacetylacetonate monoisopropylate.
また、上記インジウムジアセチルアセトナート
モノイソプロピレートは、下記構造式(2):
で示されるインジウムトリイソプロピレートと、
下記構造式(3):
で示されるアセチルアセトンとを反応させること
を特徴とする本発明方法によつて製造される。 In addition, the above indium diacetylacetonate monoisopropylate has the following structural formula (2): Indium triisopropylate represented by
Structural formula (3) below: It is produced by the method of the present invention, which is characterized by reacting with acetylacetone represented by:
作用および実施例
本発明にかかるインジウムジアセチルアセトナ
ートモノイソプロピレートは、良好な化学的安定
性と、有機溶媒に対する良好な溶解性を有してい
る。このためインジウムジアセチルアセトナート
モノイソプロピレートを、例えばベンゼン、又は
酢酸エチルなどの有機溶媒に高濃度で均一に溶解
させることができ、得られたペーストは、透明導
電体、例えば被膜などの形成用に使用することが
できる。Effects and Examples Indium diacetylacetonate monoisopropylate according to the present invention has good chemical stability and good solubility in organic solvents. Therefore, indium diacetylacetonate monoisopropylate can be uniformly dissolved in an organic solvent such as benzene or ethyl acetate at a high concentration, and the resulting paste can be used for forming transparent conductors such as films. can be used.
本発明方法においては、インジウムトリイソプ
ロピレート1モル部に対しアセチルアセトン2モ
ル部が反応し、1モル部のインジウムジアセチル
アセトナートモノイソプロピレートが得られる。
この反応において、所望量のインジウムトリイソ
プロピレートを有機溶媒に溶解し、この溶液に所
定量のアセチルアセトンを滴下混合してもよい。
或は、インジウムトリイソプロピレートと、アセ
チルアセトンとの所定量を、別々に有機溶媒に溶
解しておき、これら両溶液を混合してもよい。 In the method of the present invention, 1 mole part of indium triisopropylate is reacted with 2 moles of acetylacetone to obtain 1 mole part of indium diacetylacetonate monoisopropylate.
In this reaction, a desired amount of indium triisopropylate may be dissolved in an organic solvent, and a predetermined amount of acetylacetone may be added dropwise to this solution.
Alternatively, predetermined amounts of indium triisopropylate and acetylacetone may be dissolved separately in an organic solvent, and these two solutions may be mixed.
上記いずれの反応操作においても、反応系を所
定温度に保持しながら反応が完了するまで撹拌す
る。反応が完了したならば反応系から有機溶媒
と、生成したイソプロピルアルコールとを常圧、
又は減圧下に蒸留して除去して、目的の化合物を
得る。 In any of the above reaction operations, the reaction system is maintained at a predetermined temperature and stirred until the reaction is completed. Once the reaction is complete, the organic solvent and the produced isopropyl alcohol are removed from the reaction system under normal pressure.
Alternatively, the target compound is obtained by distilling and removing under reduced pressure.
上記の反応において、反応温度に格別の限定は
ないが一般に室温以上100℃以下の温度が好まし
い。反応温度を100℃より高くしても格別の効果
はなく、却つて経済的に不利となる。上記の反応
温度範囲内では、反応時間は数分ないし数時間で
ある。 In the above reaction, the reaction temperature is not particularly limited, but generally a temperature of room temperature or higher and 100°C or lower is preferred. Even if the reaction temperature is made higher than 100°C, there is no particular effect and it becomes economically disadvantageous. Within the above reaction temperature range, the reaction time is from several minutes to several hours.
本発明方法の反応に用いられる溶媒は、インジ
ウムトリイソプロピレート、アセチルアセトン、
およびインジウムジアセチルアセトナートモノイ
ソプロピレートに対し、化学的反応性に乏しく、
しかし、溶解性にすぐれているものであれば、格
別の限定はないが、一般に、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、などから選ばれる少くとも1種か
らなるものが好ましい。 The solvent used in the reaction of the method of the present invention is indium triisopropylate, acetylacetone,
and indium diacetylacetonate monoisopropylate,
However, as long as it has excellent solubility, there are no particular limitations, but it is generally preferred to use at least one selected from benzene, toluene, xylene, and the like.
前述のように、反応完了後、反応系から有機溶
媒およびイソプロピルアルコールが常圧、又は減
圧下で蒸留除去される。使用した溶媒の沸点が、
インジウムジアセチルアセトナートモノイソプロ
ピレートの分解点以上である場合、上記蒸留除去
操作を減圧下において、上記目的化合物の分解点
より低い温度で行うことが好ましい。 As mentioned above, after the reaction is completed, the organic solvent and isopropyl alcohol are distilled off from the reaction system under normal pressure or reduced pressure. The boiling point of the solvent used is
When the temperature is higher than the decomposition point of indium diacetylacetonate monoisopropylate, the distillation removal operation is preferably carried out under reduced pressure at a temperature lower than the decomposition point of the target compound.
本発明のインジウムジアセチルアセトナートモ
ノイソプロピレートは、有機溶媒に溶解し易く高
濃度のペーストが容易に得られるので、このペー
ストは、特に液晶素子の透明導電性皮膜形成用に
好適である。 Since the indium diacetylacetonate monoisopropylate of the present invention is easily dissolved in an organic solvent and a highly concentrated paste can be easily obtained, this paste is particularly suitable for forming a transparent conductive film of a liquid crystal element.
このような透明導電性皮膜形成用ペーストを得
るには、本発明のインジウムジアセチルアセトナ
ートモノイソプロピレートを2〜20重量%の濃度
で、有機溶媒、例えばベンゼン、酢酸エチル、又
はメチルエチルケトンなどに溶解すればよい。こ
のとき抵抗値調整剤として、スズの有機錯化合
物、例えばジブチルスズアセテートを、インジウ
ムに対するスズの原子比が5〜30%になるよう
に、上記ペーストに添加すれば、より抵抗値の低
い透明導電性皮膜、例えば電極が得られる。 To obtain such a paste for forming a transparent conductive film, indium diacetylacetonate monoisopropylate of the present invention is dissolved in an organic solvent such as benzene, ethyl acetate, or methyl ethyl ketone at a concentration of 2 to 20% by weight. Bye. At this time, if an organic complex compound of tin, such as dibutyltin acetate, is added to the paste as a resistance value adjusting agent so that the atomic ratio of tin to indium is 5 to 30%, transparent conductivity with a lower resistance value can be achieved. A coating, for example an electrode, is obtained.
実施例 1
500mlの四つ口フラスコに撹拌機、温度計、滴
下ロート、および乾燥管付き冷却管をとりつけ、
このフラスコ中にインジウムトリイソプロピレー
ト35.05g(120ミリモル)、およびベンゼン300ml
を入れ、室温で撹拌しながら、滴下ロートよりア
セチルアセトン24.03g(240ミリモル)を5分間
で滴下した。滴下終了後、反応混合物を80℃に加
熱して30分還流し、その後、不溶分をろ去し、ベ
ンゼンと生成したイソプロピルアルコールを留出
させて、ろ液を減圧下に濃縮し、残渣としてイン
ジウムジアセチルアセトナートモノイソプロピレ
ート42.8g(収率95.9%)を得た。このものの
NMRの測定結果は次のようであつた。1
H NMR(CDCl3)δ(ppm)
1.09(d、6H) 1.93(s、12H)
4.12(m、1H) 5.28(s、 2H)
また、この生成物のインジウム含量をキレート
滴定により測定したところ31.0%(理論値30.85
%)であり、また、その赤外線特性吸収はキレー
トC=O構造:1582cm-1、および、キレートC=
C構造:1526cm-1であつた。Example 1 A 500 ml four-necked flask was equipped with a stirrer, a thermometer, a dropping funnel, and a cooling tube with a drying tube.
35.05 g (120 mmol) of indium triisopropylate and 300 ml of benzene in this flask.
was added, and while stirring at room temperature, 24.03 g (240 mmol) of acetylacetone was added dropwise from the dropping funnel over 5 minutes. After the dropwise addition was completed, the reaction mixture was heated to 80°C and refluxed for 30 minutes, then the insoluble matter was filtered off, the benzene and the produced isopropyl alcohol were distilled off, and the filtrate was concentrated under reduced pressure to form a residue. 42.8 g (yield 95.9%) of indium diacetylacetonate monoisopropylate was obtained. of this
The NMR measurement results were as follows. 1 H NMR (CDCl 3 ) δ (ppm) 1.09 (d, 6H) 1.93 (s, 12H) 4.12 (m, 1H) 5.28 (s, 2H) In addition, the indium content of this product was measured by chelate titration. 31.0% (theoretical value 30.85
%), and its infrared characteristic absorption is chelate C=O structure: 1582 cm -1 and chelate C=
C structure: It was 1526 cm -1 .
実施例 2
実施例1と同様の操作を行つた。但し、インジ
ウムトリイソプロピレートとアセチルアセトンと
を別々にそれぞれ150mlのベンゼンに溶解し、フ
ラスコ中で両溶液を混合して反応させた。Example 2 The same operation as in Example 1 was performed. However, indium triisopropylate and acetylacetone were each dissolved separately in 150 ml of benzene, and both solutions were mixed and reacted in a flask.
得られた生成物の収率は94.5%であり、この生
成物は実施例1記載と同様のNMR測定結果およ
びインジウム含有率を示した。 The yield of the product obtained was 94.5%, and the product showed the same NMR measurement results and indium content as described in Example 1.
発明の効果
本発明のインジウムジアセチルアセトナートモ
ノイソプロピレートは、良好な安定性と有機溶媒
溶解性を示すので透明導電性皮膜形成用に有用な
ものである。また本発明方法により、インジウム
ジアセチルアセトナートモノイソプロピレートが
良好な収率で得られる。Effects of the Invention The indium diacetylacetonate monoisopropylate of the present invention exhibits good stability and solubility in organic solvents, and is therefore useful for forming transparent conductive films. Furthermore, by the method of the present invention, indium diacetylacetonate monoisopropylate can be obtained in good yield.
Claims (1)
ノイソプロピレート。 2 下記構造式(2): で示されるインジウムトリイソプロピレートと、
下記構造式(3): で示されるアセチルアセトンとを反応させること
を特徴とする、下記構造式(1): で示されるインジウムジアセチルアセトナートモ
ノイソプロピレートの製造方法。 3 前記インジウムトリイソプロピレートとアセ
チルアセトンとの反応が室温から100℃までの温
度で行われる、特許請求の範囲第2項記載の方
法。[Claims] 1. Structural formula (1) below: Indium diacetylacetonate monoisopropylate. 2 Structural formula (2) below: Indium triisopropylate represented by
Structural formula (3) below: The following structural formula (1) is characterized by reacting with acetylacetone represented by: A method for producing indium diacetylacetonate monoisopropylate represented by 3. The method of claim 2, wherein the reaction of indium triisopropylate and acetylacetone is carried out at a temperature from room temperature to 100°C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23859184A JPS61118388A (en) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | Indium diacetylacetonato monoisopropylate and preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23859184A JPS61118388A (en) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | Indium diacetylacetonato monoisopropylate and preparation thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61118388A JPS61118388A (en) | 1986-06-05 |
| JPH0133108B2 true JPH0133108B2 (en) | 1989-07-11 |
Family
ID=17032472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23859184A Granted JPS61118388A (en) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | Indium diacetylacetonato monoisopropylate and preparation thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61118388A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014119592A1 (en) * | 2013-02-04 | 2014-08-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Resistive element, inorganic-material paste for electronic component such as dielectric, and process for producing said inorganic-material paste |
-
1984
- 1984-11-14 JP JP23859184A patent/JPS61118388A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61118388A (en) | 1986-06-05 |
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