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JPH0212461B2 - - Google Patents
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JPH0212461B2 - - Google Patents

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JPH0212461B2
JPH0212461B2 JP23859484A JP23859484A JPH0212461B2 JP H0212461 B2 JPH0212461 B2 JP H0212461B2 JP 23859484 A JP23859484 A JP 23859484A JP 23859484 A JP23859484 A JP 23859484A JP H0212461 B2 JPH0212461 B2 JP H0212461B2
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indium
acetoacetate
alkyl
triisopropylate
reaction
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Mitsuru Kano
Yoshinori Kato
Koji Takanashi
Masahiro Yasaka
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ARUPUSU DENKI KK
KAWAKEN FUAINKEMIKARU KK
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、透明導電体形成に有用なインジウム
トリスアルキルアセトアセテートおよびその製造
方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to indium trisalkyl acetoacetate useful for forming transparent conductors and a method for producing the same.

従来の技術 近年インジウムの酸化物被膜が液晶素子の透明
導電膜に使用されるようになり、インジウムの金
属としての特性を利用すべく、その応用範囲が拡
大してきている。
BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, indium oxide films have come to be used as transparent conductive films for liquid crystal devices, and the range of applications has been expanding to take advantage of the properties of indium as a metal.

このような酸化物被膜の形成方法には、化学ス
プレー法、真空蒸着法、スクリーン印刷法等があ
る。化学スプレー法は比較的大面積の形状の被膜
を得るには有利であるが、微細で複雑な形状のも
のをえるにはエツチング処理等の余分な工程が必
要となり経済的に不利である。真空蒸着法は、最
近マスク蒸着法が発達し、エツチング処理は必要
でなくなつたが、バツチ式である為、大量生産に
好適とはいい難い。スクリーン印刷法では、上述
のような問題がなく、目的形状のものを印刷焼成
により容易に得ることができ、しかも、エツチン
グ処理にともなう廃液処理の必要もないという利
点を有する。
Methods for forming such an oxide film include a chemical spray method, a vacuum evaporation method, a screen printing method, and the like. Although the chemical spray method is advantageous in obtaining a film with a relatively large area, it is economically disadvantageous because extra steps such as etching are required to obtain a film with a fine and complex shape. The vacuum evaporation method has recently developed into a mask evaporation method and no longer requires etching, but since it is a batch method, it is not suitable for mass production. The screen printing method has the advantage that it does not have the above-mentioned problems, that it can easily obtain the desired shape by printing and firing, and that there is no need for waste liquid treatment associated with the etching process.

しかし、従来のインジウム化合物を含む透明導
電性被膜形成用ペーストは、それ自体の安定性が
良くないため、スクリーン印刷時の作業性も悪
く、また、形成された被膜の導電性についてもバ
ラツキが大きいという欠点があつた。
However, conventional pastes for forming transparent conductive films containing indium compounds do not have good stability themselves, resulting in poor workability during screen printing, and the conductivity of the formed films also varies widely. There was a drawback.

すなわち、従来、透明導電体形成用インジウム
化合物としては、オクチル酸インジウム
〔(C7H15CO23In〕のような有機酸インジウムや、
インジウムトリスアセチルアセトナート〔In
(acac)3〕が使用されている。
That is, conventional indium compounds for forming transparent conductors include organic acid indium such as indium octylate [(C 7 H 15 CO 2 ) 3 In],
Indium trisacetylacetonate [In
(acac) 3 ] is used.

有機酸インジウムは一般に加水分解しやすく、
またペーストとした場合、ペーストのゲル化を促
進する等、比較的容易に化学変化するという欠点
を持つており、このため、有機酸インジウムを含
有するペーストの寿命が短く、スクリーン印刷時
の作業性を悪くする原因となつている。
Indium organic acids are generally easy to hydrolyze;
In addition, when made into a paste, it has the disadvantage of being relatively easily chemically changed, such as promoting gelation of the paste.For this reason, the life of the paste containing indium organic acid is short, and the workability during screen printing is It is a cause of deterioration.

発明が解決しようとする問題点 本発明は、従来の透明導電体形成用インジウム
化合物の欠点を解消し、すなわち化学的安定性に
すぐれ、かつスクリーン印刷操作の容易なインジ
ウム化合物を提供し、かつ、その製造方法を提供
するものである。
Problems to be Solved by the Invention The present invention eliminates the drawbacks of conventional indium compounds for forming transparent conductors, that is, provides an indium compound with excellent chemical stability and easy screen printing operation, and The present invention provides a method for manufacturing the same.

問題点を解決するための手段 上記問題点は、下記構造式(1): 〔但し、上式中Rは5〜12個の炭素原子を有す
るアルキル基を表わす〕 で示されるインジウムトリスアルキルアセトアセ
テートにより解消される。
Means to solve the problem The above problem is solved by the following structural formula (1): In the above formula, R represents an alkyl group having 5 to 12 carbon atoms.

また、上記インジウムトリスアルキルアセトア
セテートは下記構造式(2): で示されるインジウムトリイソプロピレートと、 下記構造式(3): 〔上式中Rは上記定義の通り〕 で示されるアセト酢酸アルキルとを反応させるこ
とを特徴とする本発明方法によつて製造される。
In addition, the above indium trisalkyl acetoacetate has the following structural formula (2): Indium triisopropylate represented by and the following structural formula (3): [In the above formula, R is as defined above] It is produced by the method of the present invention, which is characterized by reacting with an alkyl acetoacetate represented by the following.

作用および実施例 本発明にかかるインジウムトリスアルキルアセ
トアセテートは、良好な化学的安定性と、有機溶
媒に対する良好な溶解性を有している。このため
インジウムトリスアルキルアセトアセテートを、
例えばベンゼン、又は酢酸エチルなどの有機溶媒
に高濃度で均一に溶解させることができ、得られ
たペーストは、透明導電体、例えば皮膜などの形
成用に使用することができる。
Effects and Examples Indium trisalkyl acetoacetate according to the present invention has good chemical stability and good solubility in organic solvents. For this reason, indium trisalkyl acetoacetate,
For example, it can be uniformly dissolved at a high concentration in an organic solvent such as benzene or ethyl acetate, and the resulting paste can be used for forming a transparent conductor, such as a film.

本発明のインジウムトリスアルキルアセトアセ
テートは、そのアルキル基として、ペンチル(ア
ミル)、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、
デシル、ウンデシル又はドデシル(ラウリル)基
を有することができ、好ましい化合物としてはイ
ンジウムトリスオクチルアセトアセテートおよび
インジウムトリスラウリルアセトアセテートなど
がある。
The indium trisalkyl acetoacetate of the present invention has pentyl (amyl), hexyl, heptyl, octyl, nonyl,
It can have decyl, undecyl or dodecyl (lauryl) groups; preferred compounds include indium trisoctylacetoacetate and indium trislaurylacetoacetate.

本発明方法においては、インジウムトリイソプ
ロピレート1モル部に対しアセト酢酸アルキルが
3モル部の割合で反応し、1モル部のインジウム
ジアセチルアセトナートモイソプロピレートが得
られる。
In the method of the present invention, 1 mole part of indium triisopropylate is reacted with 3 mole parts of alkyl acetoacetate to obtain 1 mole part of indium diacetylacetonate moisopropylate.

アセト酢酸アルキルは、そのアルキル基とし
て、ペンチル(アミル)、ヘキシル、ヘプチル、
オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、又はド
デシル(ラウリル)基を有するものである。好ま
しいアセト酢酸アルキルとしてはアセト酢酸オク
チル、およびアセト酢酸ラウリルなどがある。
Alkyl acetoacetate has pentyl (amyl), hexyl, heptyl,
It has an octyl, nonyl, decyl, undecyl, or dodecyl (lauryl) group. Preferred alkyl acetoacetates include octyl acetoacetate and lauryl acetoacetate.

上記の反応において、所望量のインジウムトリ
イソプロピレートを有機溶媒に溶解し、この溶液
に所定量のアセト酢酸アルキルを滴下混合しても
よい。或は、インジウムトリイソプロピレート
と、アセト酢酸アルキルとの所定量を別々に有機
溶媒に溶解しておき、これら両溶液を混合しても
よい。
In the above reaction, a desired amount of indium triisopropylate may be dissolved in an organic solvent, and a predetermined amount of alkyl acetoacetate may be added dropwise to this solution. Alternatively, predetermined amounts of indium triisopropylate and alkyl acetoacetate may be dissolved separately in an organic solvent, and these two solutions may be mixed.

上記いづれの反応操作においても、反応系を所
定温度に保持しながら反応が完了するまで撹拌す
る。反応が完了したならば反応系から有機溶媒
と、生成したイソプロピルアルコールとを常圧、
又は、減圧下に蒸留して除去して、目的の化合物
を得る。
In any of the above reaction operations, the reaction system is maintained at a predetermined temperature and stirred until the reaction is completed. Once the reaction is complete, the organic solvent and the produced isopropyl alcohol are removed from the reaction system under normal pressure.
Alternatively, the target compound is obtained by distilling and removing under reduced pressure.

上記の反応において、反応温度に格別の限定は
ないが一般に室温以上100℃以下の温度が好まし
い。反応温度を100℃より高くしても格別の効果
はなく、却つて経済的に不利となる。上記の反応
温度範囲内では反応時間は数分ないし数時間であ
る。
In the above reaction, the reaction temperature is not particularly limited, but generally a temperature of room temperature or higher and 100°C or lower is preferred. Even if the reaction temperature is made higher than 100°C, there is no particular effect and it becomes economically disadvantageous. Within the above reaction temperature range, the reaction time is from several minutes to several hours.

本発明方法の反応に用いられる溶媒は、インジ
ウムトリイソプロピレート、アセト酢酸アルキ
ル、およびインジウムトリスアルキルアセトアセ
テートとに対し、化学的反応性に乏しく、しか
も、溶解性にすぐれているものであれば格別の限
定はないが、一般に、ベンゼン、トルエン、キシ
レンなどから選ばれる少くとも1種からなるもの
が好ましい。
The solvent used in the reaction of the method of the present invention is particularly one that has poor chemical reactivity with indium triisopropylate, alkyl acetoacetate, and indium trisalkyl acetoacetate and has excellent solubility. Although there is no limitation, it is generally preferable to use at least one selected from benzene, toluene, xylene, and the like.

前述のように、反応完了後、反応系から有機溶
媒およびイソプロピルアルコールが常圧、又は減
圧下で蒸留除去される。使用した溶媒の沸点が、
インジウムトリスアルキルアセトアセテートの分
解点以上である場合、上記蒸留除去操作を減圧下
において、上記目的化合物の分解点より低い温度
で行うことが好ましい。
As mentioned above, after the reaction is completed, the organic solvent and isopropyl alcohol are distilled off from the reaction system under normal pressure or reduced pressure. The boiling point of the solvent used is
When the temperature is higher than the decomposition point of indium trisalkyl acetoacetate, the distillation removal operation is preferably carried out under reduced pressure at a temperature lower than the decomposition point of the target compound.

本発明のインジウムトリスアルキルアセトアセ
テートは、有機溶媒に溶解し易く高濃度のペース
トが容易に得られるので、このペーストは特に液
晶素子の透明導電性皮膜形成用に好適である。
The indium tris-alkyl acetoacetate of the present invention is easily dissolved in an organic solvent and a highly concentrated paste can be easily obtained, so this paste is particularly suitable for forming a transparent conductive film of a liquid crystal element.

このような透明導電性皮膜形成用ペーストを得
るには、本発明のインジウムトリスアルキルアセ
トアセテートを2〜10重量%の濃度で、有機溶
媒、例えばベンゼン、酢酸エチル、又はメチルエ
チルケトンなどに溶解すればよい。このとき、抵
抗値調整剤として、スズの有機錯化合物、例えば
ジブチルスズアセテートを、インジウムに対する
スズの原子比が5〜30%になるように、上記ペー
ストに添加すれば、より抵抗値の低い透明導電性
皮膜、例えば電極が得られる。
In order to obtain such a paste for forming a transparent conductive film, the indium trisalkyl acetoacetate of the present invention may be dissolved in an organic solvent such as benzene, ethyl acetate, or methyl ethyl ketone at a concentration of 2 to 10% by weight. . At this time, if an organic complex compound of tin, such as dibutyltin acetate, is added to the above paste as a resistance value adjusting agent so that the atomic ratio of tin to indium is 5 to 30%, it is possible to conduct a transparent conductive material with a lower resistance value. A transparent film, such as an electrode, is obtained.

実施例 1 500mlの四つ口フラスコに撹はん機、温度計、
滴下ロート、および乾燥管付き冷却管をとりつ
け、このフラスコ中にインジウムトリイソプロピ
レート35.05g(120ミリモル)、およびベンゼン
300mlを入れ、室温で撹はんしながら、滴下ロー
トよりアセト酢酸ラウリル97.35g(360ミリモ
ル)を5分間で滴下した。滴下終了後、反応混合
物を80℃に加熱して30分還流し、その後、不溶分
をろ去し、ベンゼンと生成したイソプロピルアル
コールを留出させて、ろ液を減圧下に濃縮し、残
査としてインジウムトリスラウリルアセトアセテ
ート106.33g(収率96.1%)を得た。この生成物
のNMRの測定結果は次のようであつた。1 H NMR(CDCl3)δ(ppm) 0.88(t,9H) 1.26(brs,60H) 1.96(s,9H) 4.02(t,6H) 4.83(s,3H) また、この生成物のインジウム含量をキレート
滴定により測定したところ12.7%(理論値12.43
%)であり、またその赤外特性吸収は下記の通り
であつた。
Example 1 A 500ml four-necked flask with a stirrer, thermometer,
A dropping funnel and a cooling tube with a drying tube were installed, and 35.05 g (120 mmol) of indium triisopropylate and benzene were placed in this flask.
300 ml was added, and while stirring at room temperature, 97.35 g (360 mmol) of lauryl acetoacetate was added dropwise from the dropping funnel over 5 minutes. After the dropwise addition was completed, the reaction mixture was heated to 80°C and refluxed for 30 minutes, then the insoluble matter was filtered off, the benzene and the produced isopropyl alcohol were distilled off, and the filtrate was concentrated under reduced pressure to remove the residue. 106.33 g (yield: 96.1%) of indium trislaurylacetoacetate was obtained. The NMR measurement results of this product were as follows. 1 H NMR (CDCl 3 ) δ (ppm) 0.88 (t, 9H) 1.26 (brs, 60H) 1.96 (s, 9H) 4.02 (t, 6H) 4.83 (s, 3H) Also, the indium content of this product is 12.7% as determined by chelate titration (theoretical value 12.43)
%), and its infrared characteristic absorption was as follows.

キレート C=O構造:1602cm-1 キレート C=C構造:1518cm-1 実施例 2 実施例1と同様の操作を行つた。但しインジウ
ムトリイソプロピレートとアセト酢酸ラウリルと
を、別々にそれぞれ150mlのベンゼンに溶解し、
フラスコ中で両溶液を混合して反応させた。
Chelate C=O structure: 1602 cm -1 Chelate C=C structure: 1518 cm -1 Example 2 The same operation as in Example 1 was performed. However, indium triisopropylate and lauryl acetoacetate were separately dissolved in 150 ml of benzene,
Both solutions were mixed and reacted in a flask.

得られた生成物の収率は96%であり、この生成
物は実施例1記載と同様のNMR測定結果、イン
ジウム含有率および赤外特性吸収を示した。
The yield of the obtained product was 96%, and this product showed the same NMR measurement results, indium content, and infrared characteristic absorption as described in Example 1.

実施例 3 500mlの四つ口フラスコに撹はん機、温度計、
滴下ロート、および乾燥管付き冷却管をとりつ
け、このフラスコ中に、インジウムトリイソプロ
ピレート35.05g(120ミリモル)、およびベンゼ
ン300mlを入れ、これを室温で撹はんしながら、
滴下ロートより、アセト酢酸オクチル77.15g
(360ミリモル)を5分間で滴下した。滴下終了
後、反応混合物を80℃に加熱して30分還流し、そ
の後、不溶分をろ去し、次にベンゼンと生成した
イソプロピルアルコールを留出させて、ろ液を減
圧下に濃縮し、残査としてインジウムトリスオク
チルアセトアセテート89.14g(収率98.5%)を
得た。このもののNMRの測定結果は次のようで
あつた。1 H NMR(CDCl3)δ(ppm) 0.89(t,9H) 1.27(brs,36H) 1.96(s,9H) 4.08(t,6H) 4.87(s,3H) また、この生成物のインジウム含量をキレート
滴定により測定したところ15.4%(理論値15.21
%)であつた。またその赤外特性吸収は下記の通
りであつた。
Example 3 A 500ml four-necked flask with a stirrer, thermometer,
A dropping funnel and a cooling tube with a drying tube were attached, and 35.05 g (120 mmol) of indium triisopropylate and 300 ml of benzene were placed in this flask, and while stirring at room temperature,
From the dropping funnel, 77.15 g of octyl acetoacetate.
(360 mmol) was added dropwise over 5 minutes. After the dropwise addition was completed, the reaction mixture was heated to 80°C and refluxed for 30 minutes, then the insoluble matter was filtered off, the benzene and the produced isopropyl alcohol were distilled off, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. 89.14 g (yield 98.5%) of indium trisoctylacetoacetate was obtained as a residue. The NMR measurement results for this product were as follows. 1 H NMR (CDCl 3 ) δ (ppm) 0.89 (t, 9H) 1.27 (brs, 36H) 1.96 (s, 9H) 4.08 (t, 6H) 4.87 (s, 3H) In addition, the indium content of this product is 15.4% as measured by chelate titration (theoretical value 15.21
%). Further, its infrared characteristic absorption was as follows.

キレート C=O構造:1602cm-1 キレート C=C構造:1518cm-1 発明の効果 本発明のインジウムトリスアルキルアセトアセ
テートは、良好な安定性と有機溶媒溶解性を示す
ので、透明導電性皮膜形成用に有用なものであ
る。
Chelate C=O structure: 1602 cm -1 Chelate C=C structure: 1518 cm -1 Effects of the invention The indium trisalkyl acetoacetate of the present invention exhibits good stability and solubility in organic solvents, and is therefore suitable for forming transparent conductive films. It is useful for

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 下記構造式(1): 〔但し上式中Rは5〜12個の炭素原子を有する
アルキル基を表わす〕 で示されるインジウムトリスアルキルアセトアセ
テート。 2 特許請求の範囲第1項記載の化合物におけ
る、インジウムトリスラウリルアセトアセテー
ト。 3 特許請求の範囲第1項記載の化合物におけ
る、インジウムトリスオクチルアセトアセテー
ト。 4 下記構造式(2): で示されるインジウムトリイソプロピレートと、 下記構造式(3): 〔但し上式中Rは5〜12個の炭素原子を有する
アルキル基を表わす〕 で示されるアセト酢酸アルキルとを反応させるこ
とを特徴とする、下記構造式(1): 〔但し上式中、Rは上記定義の通り〕 で示されるインジウムトリスアルキルアセトアセ
テートを製造する方法。 5 前記アセト酢酸アルキルが、アセト酢酸ラウ
リルおよびアセト酢酸オクチルから選ばれる、特
許請求の範囲第4項記載の方法。 6 前記インジウムトリイソプロピレートとアセ
ト酢酸アルキルとの反応が室温から100℃までの
温度で行われる、特許請求の範囲第4項記載の方
法。
[Claims] 1. Structural formula (1) below: [However, in the above formula, R represents an alkyl group having 5 to 12 carbon atoms.] Indium trisalkyl acetoacetate. 2. Indium trislaurylacetoacetate in the compound according to claim 1. 3. Indium trisoctylacetoacetate in the compound according to claim 1. 4 Structural formula (2) below: Indium triisopropylate represented by and the following structural formula (3): [However, in the above formula, R represents an alkyl group having 5 to 12 carbon atoms] The following structural formula (1) is characterized by reacting with an alkyl acetoacetate represented by: [However, in the above formula, R is as defined above.] A method for producing indium tris-alkyl acetoacetate. 5. The method of claim 4, wherein the alkyl acetoacetate is selected from lauryl acetoacetate and octyl acetoacetate. 6. The method of claim 4, wherein the reaction of the indium triisopropylate with the alkyl acetoacetate is carried out at a temperature from room temperature to 100°C.
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