JPH0414742B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0414742B2 JPH0414742B2 JP94585A JP94585A JPH0414742B2 JP H0414742 B2 JPH0414742 B2 JP H0414742B2 JP 94585 A JP94585 A JP 94585A JP 94585 A JP94585 A JP 94585A JP H0414742 B2 JPH0414742 B2 JP H0414742B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- peaks
- peak
- group
- gaseous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 9
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 8
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001479 atomic absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/33—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/314—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry with comparison of measurements at specific and non-specific wavelengths
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/71—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
- G01N21/74—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited using flameless atomising, e.g. graphite furnaces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は新規なＳの定量方法及び該方法を利用
したその場での高感度な検知定量が可能なＳモニ
ターに関する。 本発明はＳを用いる半導体製造品及び製造装
置、廃棄物処理装置等、例えばZns、Cds、
ZnSxSe1-x等の化合物半導体のエビ成長装置
（CVD炉、LPE炉等）、高圧HB炉、アニーリング
炉、Ｓ圧アニーリング炉、MBE装置、MOCVD
装置等にＳ検出定量高感度モニターとして利用し
たり、あるいは、Ｓを含有する合金やセラミツク
ス、ガラス等の溶解炉等に利用することができ
る。 （従来の技術） 従来、Ｓを検出する場合に、非破壊で、系を乱
さず、その場でガス状Ｓを検知定量する方法は殆
んど知られておらず、Ｓの検出は破壊検知が主で
ある。ガス状物質の非破壊検出・定量法として
は、ガスクロマトグラフイーが考えられるが、
測定系内に試料を導くまでに、導入管壁に付着
し、正確な定量ができない、系内からのサンプ
リングを要するため系を乱してしまう、という本
質的な問題点があるため不適であり、実用されて
いない。また、原子吸光分析は、原子状態の試料
について厳密に測定できるが、試料を2000°C以上
の高温状態とする必要があり、原子化温度以下の
検知定量は原理的に不可能であるに加え、用いう
るホロカソードランプがない。 （発明が解決しようとする手段） 本発明は上記した現状に鑑みてなされたもの
で、非破壊で、系をみださず、その場でガス状Ｓ
の高感度検知・定量が可能な方法及び該方法を利
用した高感度モニターの提供を目的とするもので
ある。 （問題点を解決しようとする手段） すなわち、本発明はガス状Ｓに、波長263nm、
265.5nm、268nm、270.5nm、273nm、276nm、
279nm、282nmに山部（以下山ピークという）を
有する第群ピークのうちの少なくとも１つ及び
波長264.5nm、267nm、269.5nm、272nm、
275nm、278nm、281nmに谷部（以下谷ピークと
いう）を有する第群ピークのうちの少なくとも
１つのスペクトル線を、入射し、上記ガス状Ｓに
よる上記入射スペクトル線の吸収を測定し、各光
強度のピーク高さからＳの検知・定量を行う方法
および炉またはヒータ付容器の光の進行方向に窓
部を設け、一方の窓部に波長263nm、265.5nm、
268nm、270.5nm、273nm、276nm、279nm、
282nmの山ピークを有する第群ピークのうちの
少なくとも１つ及び波長264.5nm、267nm、
269.5nm、272nm、275nm、278nm、281nmの谷
ピークを有する第群ピークのうちの少なくとも
１つのスペクトル線発光部、他方の窓にはヒータ
付容器内のガス状Ｓを通過した前記スペクトル線
の光強度のピーク高さからＳを検知定量する受
光、測光部を接続してなる、Ｓモニターである。 以下に本発明につき詳細に説明する。 本発明者らは、ガス状Ｓ（ガス状ではS2、S4、
S6、S8等になると考えられているが、特定されて
いない。）の吸光スペクトルを詳細に研究の結果、
第１図に示すように、波長263nm、265.5nm、
268nm、270.5nm、273nm、276nm、279nm及び
282nmに第群の吸光の山ピーク、そして波長
264.5nm、267nm、269.5nm、272nm、275nm、
278nm及び281nmに第群の吸光の谷ピークを有
することを発見した。そしてこのような第群及
び第群の山と谷のピークは温度300°C程度のＳ
の分子の状況のスペクトルで得られるという知見
をも得て、ガス状Ｓの吸収による上記各々の吸光
ピークを利用することにより、ガス状Ｓを高感度
でかつその場でさえ検出・定量を可能としたもの
である。 こゝで谷ピークがこの検出・定量に利用できる
理由は次のとおりである。第６図において、ｍ
はバツクグラウンドの光の透過を示しており、吸
収等がなければｍが測定される。それに対し、
光の吸収があれば吸光分ａだけ光の光量が吸収
されｉの値となつて測定されることになる。光
の吸収等はＳの分子の構造にかかわつているもの
とみられ、光の吸収はＳとＳのボンデイング等の
振動などにエネルギー吸収されているためと推定
されるのでバツククラウンドの光透過量Imに対
する光吸収量IaがＳの濃度変化に対し、あらかじ
め検量線が作成されていれば、Iiを測定すること
によつて、つまり谷のピークをImに対して測定
することによつてＳに定量することができる。実
際には、上記第群ピークのうちの少なくとも１
つと第群ピークのうちの少なくとも１つのスペ
クトル線を同時に入射し、発光部にある分光器を
用い別々に測定してその平均をとるので単一のス
ペクトル線を用いる場合より他物質との分離がよ
り確実となり、しかもＳ定量の精度が向上する。 本発明は第２図に示すように、炉、ヒータ付セ
ルあるいは筒部１に窓２を取り付け、発光部３に
おいて上記第群ピーク及び第群ピークのスペ
クトル線を発光させ、この光を窓２から入射し、
受光部４において光強度のピーク高さを測定する
ことにより、炉またはセル中のＳを検知定量する
ものである。このＳの検知、定量は、上記第群
ピーク及び第群ピークのピーク吸収がＳ濃度に
比例することから求める。ピーク吸収とＳ濃度の
関係は Ｄ＝log１／Ｔ（％） ……(1) Ｄ∝Ｃ ……(2) 上記(1)，(2)式で表される。ここでＴはピークで
の吸光度（％）、ＣはＳの濃度である。 上記第及び群ピークのスペクトル発光源と
しては、ホロカソードランプを用い、第及び
群ピークを中心したフイルターを各々設けたもの
が使用できる。また該フイルターは受光部に設け
ることもできる。 さらに検出結果をコンピユータ処理し、その結
果を表示するようにできる。このようにすれば、
ほぼ実時間でＳを定量検出できるので、その場で
のＳの検知定量とＳの投入量Ｓ圧コントロール等
を制御しうる高感度Ｓモニターを実現できる。 （実施例） 第３図ａは本発明の実施例で用いた装置の概略
図であつて、１はセル、２は窓、３は発光部、４
は受光部、５は加熱手段をあらわす。なお第３図
ｂはこの装置の温度分布を示すグラフである。 セル１内にＳを置き加熱手段５によりセル１内
の温度を298℃に一定にして保持したときのスペ
クトルを第４図に示す。第群ピークすなわち波
長263nm、265.5nm、268nm、270.5nm、273nm、
276nm、279nm及び282nmを最大のピーク山とし
た吸収スペクトル及び第群ピークすなわち波長
264.5nm、267nm、269.5nm、272nm、275nm、
278nm及び281nmを谷のピークとした吸収スペク
トルが明瞭に測定された。 一方、Ｓの投入量と、吸光度の間には、一般的
に第５図に示す関係があることを詳細な実験によ
り確認した。ここでガス状Ｓが存在するとき検知
される光強度をＩ、ガス状Ｓがないときの光強度
をIoとすると、吸光度Ｔ（％）は次式(3)で与えら
れる。 Ｔ＝Ｉ／Io×100 ……(3) したがつて、前記の(1)および(2)式により吸光度か
らＳを定量できる。なおＡ点は、温度ｔにおける
飽和点をあらわしており、 蒸気圧＝（logPt（mmHg）＝6750／ｔ＋11.32）によ り規定される。 第５図の関係は第群及び第群の夫々の山と
谷の吸収スペクトルについて成立するので、いず
れのピークの測定によつてもＳ量を求めることが
できる。検出は0.01ppmオーダーまで可能であ
る。 しかし、本発明にしたがい、上記の第及び第
群の山と谷の少なくとも１つづつのスペクトル
線の組合せを用いこれらを同時に検知し、各々の
ピーク高さから同時に定量して平均すると、Ｓ検
知・定量精度は一層向上した。すなわち、この場
合は前記(1)，(3)式にかえて、下記(a)〜(c)の評価手
段による。なお，は夫々の平均値を、ｎ＝
１，２…８は上記８種類のピークについての、
夫々の測定を表す。 (a) Ｄ＝log１／Ｔ（％）、 （％）＝1i=o 〓ni=1 Ii／Ioi×100 ｎ＝１，２，…８ (b) ＝1i=o 〓ni=1 log１／Ti（％）、 Ti（％）＝Ii／Ioi×100 ｎ＝１，２，…８ (c) Ｄ＝log１／To（％），
したその場での高感度な検知定量が可能なＳモニ
ターに関する。 本発明はＳを用いる半導体製造品及び製造装
置、廃棄物処理装置等、例えばZns、Cds、
ZnSxSe1-x等の化合物半導体のエビ成長装置
（CVD炉、LPE炉等）、高圧HB炉、アニーリング
炉、Ｓ圧アニーリング炉、MBE装置、MOCVD
装置等にＳ検出定量高感度モニターとして利用し
たり、あるいは、Ｓを含有する合金やセラミツク
ス、ガラス等の溶解炉等に利用することができ
る。 （従来の技術） 従来、Ｓを検出する場合に、非破壊で、系を乱
さず、その場でガス状Ｓを検知定量する方法は殆
んど知られておらず、Ｓの検出は破壊検知が主で
ある。ガス状物質の非破壊検出・定量法として
は、ガスクロマトグラフイーが考えられるが、
測定系内に試料を導くまでに、導入管壁に付着
し、正確な定量ができない、系内からのサンプ
リングを要するため系を乱してしまう、という本
質的な問題点があるため不適であり、実用されて
いない。また、原子吸光分析は、原子状態の試料
について厳密に測定できるが、試料を2000°C以上
の高温状態とする必要があり、原子化温度以下の
検知定量は原理的に不可能であるに加え、用いう
るホロカソードランプがない。 （発明が解決しようとする手段） 本発明は上記した現状に鑑みてなされたもの
で、非破壊で、系をみださず、その場でガス状Ｓ
の高感度検知・定量が可能な方法及び該方法を利
用した高感度モニターの提供を目的とするもので
ある。 （問題点を解決しようとする手段） すなわち、本発明はガス状Ｓに、波長263nm、
265.5nm、268nm、270.5nm、273nm、276nm、
279nm、282nmに山部（以下山ピークという）を
有する第群ピークのうちの少なくとも１つ及び
波長264.5nm、267nm、269.5nm、272nm、
275nm、278nm、281nmに谷部（以下谷ピークと
いう）を有する第群ピークのうちの少なくとも
１つのスペクトル線を、入射し、上記ガス状Ｓに
よる上記入射スペクトル線の吸収を測定し、各光
強度のピーク高さからＳの検知・定量を行う方法
および炉またはヒータ付容器の光の進行方向に窓
部を設け、一方の窓部に波長263nm、265.5nm、
268nm、270.5nm、273nm、276nm、279nm、
282nmの山ピークを有する第群ピークのうちの
少なくとも１つ及び波長264.5nm、267nm、
269.5nm、272nm、275nm、278nm、281nmの谷
ピークを有する第群ピークのうちの少なくとも
１つのスペクトル線発光部、他方の窓にはヒータ
付容器内のガス状Ｓを通過した前記スペクトル線
の光強度のピーク高さからＳを検知定量する受
光、測光部を接続してなる、Ｓモニターである。 以下に本発明につき詳細に説明する。 本発明者らは、ガス状Ｓ（ガス状ではS2、S4、
S6、S8等になると考えられているが、特定されて
いない。）の吸光スペクトルを詳細に研究の結果、
第１図に示すように、波長263nm、265.5nm、
268nm、270.5nm、273nm、276nm、279nm及び
282nmに第群の吸光の山ピーク、そして波長
264.5nm、267nm、269.5nm、272nm、275nm、
278nm及び281nmに第群の吸光の谷ピークを有
することを発見した。そしてこのような第群及
び第群の山と谷のピークは温度300°C程度のＳ
の分子の状況のスペクトルで得られるという知見
をも得て、ガス状Ｓの吸収による上記各々の吸光
ピークを利用することにより、ガス状Ｓを高感度
でかつその場でさえ検出・定量を可能としたもの
である。 こゝで谷ピークがこの検出・定量に利用できる
理由は次のとおりである。第６図において、ｍ
はバツクグラウンドの光の透過を示しており、吸
収等がなければｍが測定される。それに対し、
光の吸収があれば吸光分ａだけ光の光量が吸収
されｉの値となつて測定されることになる。光
の吸収等はＳの分子の構造にかかわつているもの
とみられ、光の吸収はＳとＳのボンデイング等の
振動などにエネルギー吸収されているためと推定
されるのでバツククラウンドの光透過量Imに対
する光吸収量IaがＳの濃度変化に対し、あらかじ
め検量線が作成されていれば、Iiを測定すること
によつて、つまり谷のピークをImに対して測定
することによつてＳに定量することができる。実
際には、上記第群ピークのうちの少なくとも１
つと第群ピークのうちの少なくとも１つのスペ
クトル線を同時に入射し、発光部にある分光器を
用い別々に測定してその平均をとるので単一のス
ペクトル線を用いる場合より他物質との分離がよ
り確実となり、しかもＳ定量の精度が向上する。 本発明は第２図に示すように、炉、ヒータ付セ
ルあるいは筒部１に窓２を取り付け、発光部３に
おいて上記第群ピーク及び第群ピークのスペ
クトル線を発光させ、この光を窓２から入射し、
受光部４において光強度のピーク高さを測定する
ことにより、炉またはセル中のＳを検知定量する
ものである。このＳの検知、定量は、上記第群
ピーク及び第群ピークのピーク吸収がＳ濃度に
比例することから求める。ピーク吸収とＳ濃度の
関係は Ｄ＝log１／Ｔ（％） ……(1) Ｄ∝Ｃ ……(2) 上記(1)，(2)式で表される。ここでＴはピークで
の吸光度（％）、ＣはＳの濃度である。 上記第及び群ピークのスペクトル発光源と
しては、ホロカソードランプを用い、第及び
群ピークを中心したフイルターを各々設けたもの
が使用できる。また該フイルターは受光部に設け
ることもできる。 さらに検出結果をコンピユータ処理し、その結
果を表示するようにできる。このようにすれば、
ほぼ実時間でＳを定量検出できるので、その場で
のＳの検知定量とＳの投入量Ｓ圧コントロール等
を制御しうる高感度Ｓモニターを実現できる。 （実施例） 第３図ａは本発明の実施例で用いた装置の概略
図であつて、１はセル、２は窓、３は発光部、４
は受光部、５は加熱手段をあらわす。なお第３図
ｂはこの装置の温度分布を示すグラフである。 セル１内にＳを置き加熱手段５によりセル１内
の温度を298℃に一定にして保持したときのスペ
クトルを第４図に示す。第群ピークすなわち波
長263nm、265.5nm、268nm、270.5nm、273nm、
276nm、279nm及び282nmを最大のピーク山とし
た吸収スペクトル及び第群ピークすなわち波長
264.5nm、267nm、269.5nm、272nm、275nm、
278nm及び281nmを谷のピークとした吸収スペク
トルが明瞭に測定された。 一方、Ｓの投入量と、吸光度の間には、一般的
に第５図に示す関係があることを詳細な実験によ
り確認した。ここでガス状Ｓが存在するとき検知
される光強度をＩ、ガス状Ｓがないときの光強度
をIoとすると、吸光度Ｔ（％）は次式(3)で与えら
れる。 Ｔ＝Ｉ／Io×100 ……(3) したがつて、前記の(1)および(2)式により吸光度か
らＳを定量できる。なおＡ点は、温度ｔにおける
飽和点をあらわしており、 蒸気圧＝（logPt（mmHg）＝6750／ｔ＋11.32）によ り規定される。 第５図の関係は第群及び第群の夫々の山と
谷の吸収スペクトルについて成立するので、いず
れのピークの測定によつてもＳ量を求めることが
できる。検出は0.01ppmオーダーまで可能であ
る。 しかし、本発明にしたがい、上記の第及び第
群の山と谷の少なくとも１つづつのスペクトル
線の組合せを用いこれらを同時に検知し、各々の
ピーク高さから同時に定量して平均すると、Ｓ検
知・定量精度は一層向上した。すなわち、この場
合は前記(1)，(3)式にかえて、下記(a)〜(c)の評価手
段による。なお，は夫々の平均値を、ｎ＝
１，２…８は上記８種類のピークについての、
夫々の測定を表す。 (a) Ｄ＝log１／Ｔ（％）、 （％）＝1i=o 〓ni=1 Ii／Ioi×100 ｎ＝１，２，…８ (b) ＝1i=o 〓ni=1 log１／Ti（％）、 Ti（％）＝Ii／Ioi×100 ｎ＝１，２，…８ (c) Ｄ＝log１／To（％），
【式】
ｎ＝１，２，…８
このような評価はコンピユータ等演算装置によ
れば容易かつ迅速であり、実時間でＳ量を表示で
きるので、系の制御ができる。 （発明の効果） 本発明の効果は次のとおりである。 １ ガス状Ｓの吸収による上記第群ピーク
（山）第群ピーク（谷）のスペクトルを利用
することにより、ガス状Ｓの高感度の検知・定
量がその場で可能となつた。 ２ 上記第群ピーク及び第群ピークのスペク
トルのピーク高から同時に定量を行なうため、
他物質から明確に分離して検知精度が向上し、
またＳの定量精度が大巾に向上する。 ３ 本発明の高感度ＳモニターはＳ量のその場検
知・定量が可能であり、さらにコンピユータ等
演算装置と組合すことにより、各スペクトルの
吸光度から実時間でＳ量を検知定量し、該演算
装置の出力信号によりＳ投入量、Ｓ圧等をその
場で制御することができる。
れば容易かつ迅速であり、実時間でＳ量を表示で
きるので、系の制御ができる。 （発明の効果） 本発明の効果は次のとおりである。 １ ガス状Ｓの吸収による上記第群ピーク
（山）第群ピーク（谷）のスペクトルを利用
することにより、ガス状Ｓの高感度の検知・定
量がその場で可能となつた。 ２ 上記第群ピーク及び第群ピークのスペク
トルのピーク高から同時に定量を行なうため、
他物質から明確に分離して検知精度が向上し、
またＳの定量精度が大巾に向上する。 ３ 本発明の高感度ＳモニターはＳ量のその場検
知・定量が可能であり、さらにコンピユータ等
演算装置と組合すことにより、各スペクトルの
吸光度から実時間でＳ量を検知定量し、該演算
装置の出力信号によりＳ投入量、Ｓ圧等をその
場で制御することができる。
第１図はガス状Ｓの吸光スペクトルである。第
２図は本発明方法及びモニターの概略を示す模式
図である。第３図ａは本発明の実施例で用いた装
置の概略図であり、第３図ｂは第３図ａ装置にお
ける温度分布を示すグラフである。第４図は本発
明の実施例で得られた波長と吸光度の関係を示す
グラフ、第５図はＳ量と吸光度の関係を示すグラ
フである。第６図は谷ピークがＳの検知・定量に
利用できる理由を示すための吸光スペクトルの模
式図である。
２図は本発明方法及びモニターの概略を示す模式
図である。第３図ａは本発明の実施例で用いた装
置の概略図であり、第３図ｂは第３図ａ装置にお
ける温度分布を示すグラフである。第４図は本発
明の実施例で得られた波長と吸光度の関係を示す
グラフ、第５図はＳ量と吸光度の関係を示すグラ
フである。第６図は谷ピークがＳの検知・定量に
利用できる理由を示すための吸光スペクトルの模
式図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガス状Ｓに、波長263nm、265.5nm、
268nm、270.5nm、273nm、276nm、279nm、
282nmの山ピークを有する第群ピークのうちの
少なくとも１つ及び波長264.5nm、267nm、
269.5nm、272nm、275nm、278nm、281nmの谷
ピークを有する第群ピークのうちの少なくとも
一つのスペクトル線を、入射し、上記ガス状Ｓに
よる上記入射スペクトル線の吸収を測定し、前記
スペクトル線の光強度のピーク高さからＳの検
知・定量を行う方法。 ２ 炉またはヒータ付容器の光の進行方向に窓部
を設け、一方の窓部に波長263nm、265.5nm、
268nm、270.5nm、273nm、276nm、279nm、
282nmの山ピークを有する第群ピークのうちの
少なくとも１つ及び波長264.5nm、267nm、
269.5nm、272nm、275nm、278nm、281nmの谷
ピークを有する第群ピークのうちの少なくとも
１つのスペクトル線発光部、他方の窓にはヒータ
付容器内のガス状Ｓを通過した前記スペクトル線
の光強度のピーク高さからＳを検知定量する受
光、測光部を接続してなる、Ｓモニター。 ３ 光強度のピーク高さからＳを検知・定量し、
それによりＳ投入量コントロール・Ｓ圧コントロ
ールを実時間で制御する特許請求の範囲第２項記
載のＳモニター。 ４ 発光部がホロカソードランプからなる特許請
求の範囲第２項記載のＳモニター。 ５ 発光部または受光部が第群ピークおよび第
群ピークを中心とするフイルタを有する特許請
求の範囲第２項記載のＳモニター。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP94585A JPS61160045A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | Ｓの検知・定量法およびｓモニタ− |
| US06/816,843 US4733084A (en) | 1985-01-09 | 1986-01-07 | Method of detection and quantitative determination of sulfur and sulfur monitor using the method |
| DE8686100248T DE3682592D1 (de) | 1985-01-09 | 1986-01-09 | Verfahren zum nachweis und zur quantativen bestimmung von schwefel und schwefelmonitor, der dieses verfahren anwendet. |
| EP86100248A EP0187675B1 (en) | 1985-01-09 | 1986-01-09 | Method of detection and quantitative determination of sulfur and sulfur monitor using the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP94585A JPS61160045A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | Ｓの検知・定量法およびｓモニタ− |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11515790A Division JPH0315739A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | Ｓの検知・定量法およびｓモニター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160045A JPS61160045A (ja) | 1986-07-19 |
| JPH0414742B2 true JPH0414742B2 (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=11487810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP94585A Granted JPS61160045A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | Ｓの検知・定量法およびｓモニタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160045A (ja) |
-
1985
- 1985-01-09 JP JP94585A patent/JPS61160045A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61160045A (ja) | 1986-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2847899A (en) | Method of and apparatus for spectrochemical analysis | |
| US4499378A (en) | Infrared radiation gas analyzer | |
| US3692415A (en) | Photometric analyzer employing fiber optic light transmitting means | |
| EP0121404B1 (en) | A photometric light absorption measuring apparatus | |
| US3897155A (en) | Atomic fluorescence spectrometer | |
| US4733084A (en) | Method of detection and quantitative determination of sulfur and sulfur monitor using the method | |
| JPH0414742B2 (ja) | ||
| CN108693155B (zh) | 基于dmd的原子荧光多通道检测光源杂质干扰校正方法 | |
| EP4276444A1 (en) | Optical co2 concentration meter based on ir light absorption in gas | |
| Edel et al. | Simultaneous multielement determination in complex matrices using frequency-modulated electrothermal atomic absorption spectrometry | |
| JPH0415412B2 (ja) | ||
| JPH0226181B2 (ja) | ||
| JP6530669B2 (ja) | ガス濃度測定装置 | |
| US4499379A (en) | Infrared radiation gas analyzer | |
| JPS6361143A (ja) | ガス濃度分布測定システム | |
| JPS62278436A (ja) | 蛍光測定法及び装置 | |
| JPH0226180B2 (ja) | ||
| US4731334A (en) | Method and apparatus for detecting and quantitatively determining selenium | |
| GB2116316A (en) | Infrared radiation gas analyzer | |
| JP6506124B2 (ja) | ガス濃度測定装置 | |
| JP2512423B2 (ja) | 気体の濃度および分圧測定方法およびその装置 | |
| JPS63127127A (ja) | 光パワ−測定器 | |
| JPS59107223A (ja) | 分光分析装置 | |
| JP2755418B2 (ja) | 光センサの分光感度測定方法 | |
| Alvarado et al. | Determination of trace levels of calcium in steels by carbon-furnace atomic-absorption and atomic-emission spectrometry |