JPH0564709B2 - - Google Patents
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- JPH0564709B2 JPH0564709B2 JP8288888A JP8288888A JPH0564709B2 JP H0564709 B2 JPH0564709 B2 JP H0564709B2 JP 8288888 A JP8288888 A JP 8288888A JP 8288888 A JP8288888 A JP 8288888A JP H0564709 B2 JPH0564709 B2 JP H0564709B2
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Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、シリコンフタロシアニンポリマー薄
膜の製法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a method for producing silicon phthalocyanine polymer thin films.
従来の技術
従来よりシリコンフタロシアニンは一次元導電
体として注目され、フタロシアニナトシリコンジ
ハイドロオキサイドを真空条件下で加熱し脱水重
合することにより、一次元結晶構造を有するシリ
コンフタロシアニンポリマー粉末を形成する方法
が知られている（ジヤーナル オブ ザ アメリ
カン ケミカル ソサイテイ；J.Am.Chem.
Soc.1983、105、1539〜1567）。Conventional technology Silicon phthalocyanine has traditionally attracted attention as a one-dimensional conductor, and a method of forming silicon phthalocyanine polymer powder having a one-dimensional crystal structure by heating and dehydrating phthalocyaninato silicon dihydroxide under vacuum conditions has been proposed. (J.Am.Chem. Journal of the American Chemical Society; J.Am.Chem.
Soc.1983, 105 , 1539-1567).
発明が解決しようとする課題
しかしながら、一次元導電体としてのシリコン
フタロシアニンの機能を引き出すためには、配向
性をもつた薄膜の形成が必要であり、ポリマー粉
末をバインダー等に分散させて薄膜化する等の従
来の方法では配向性を制御することができない。Problems to be Solved by the Invention However, in order to bring out the function of silicon phthalocyanine as a one-dimensional conductor, it is necessary to form a thin film with orientation, and it is necessary to form a thin film by dispersing polymer powder in a binder etc. Orientation cannot be controlled using conventional methods such as .
本発明は、以上のような従来の課題に鑑み、良
好な配向性を有するシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜を形成することを目的とする。 In view of the above-mentioned conventional problems, the present invention aims to form a silicon phthalocyanine polymer thin film having good orientation.
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するもので、その技術
的な手段は、フタロシアニナトシリコンジクロラ
イドを真空蒸着等により薄膜化し、大気中または
−OH基を含むガス雰囲気中で加熱処理するシリ
コンフタロシアニンポリマー薄膜の製法にある。Means for Solving the Problems The present invention achieves the above object, and its technical means is to form a thin film of phthalocyaninatosilicon dichloride by vacuum evaporation or the like, and to deposit it in the air or in a gas atmosphere containing -OH groups. A method for producing a heat-treated silicon phthalocyanine polymer thin film.
また本発明の他の技術的な手段としては、−
OH基を含むガス雰囲気中でフタロシアニナトシ
リコンジクロライドを薄膜化するか、または−
OH基を有する物質とフタロシアニナトシリコン
ジクロライドとを同時に蒸着して薄膜化し、真空
中で加熱処理するシリコンフタロシアニンポリマ
ー薄膜の製法にある。 Further, as other technical means of the present invention, -
Form phthalocyaninatosilicon dichloride into a thin film in a gas atmosphere containing OH groups, or -
The present invention involves a method for producing a silicon phthalocyanine polymer thin film, in which a substance having an OH group and phthalocyaninatosilicon dichloride are simultaneously deposited to form a thin film, and then heat-treated in a vacuum.
更に本発明の他の技術的な手段としては、フタ
ロシアニナトシリコンジクロライドを蒸着後、−
OH基を有する物質を蒸着し、更に真空中で加熱
処理するシリコンフタロシアニンポリマー薄膜の
製法にある。 Further, as another technical means of the present invention, after depositing phthalocyaninatosilicon dichloride, -
The method involves depositing a substance having an OH group and then heat-treating it in a vacuum to produce a silicon phthalocyanine polymer thin film.
作 用
本発明は、フタロシアニナトシリコンジクロラ
イドを真空蒸着等により薄膜化し、この薄膜を大
気中または−OH基を含むガス雰囲気中で加熱処
理するか、若しくはこの薄膜上に−OH基を有す
る物質を蒸着後に真空中で加熱処理するか、又は
−OH基を含むガス雰囲気中でフタロシアニナト
シリコンジクロライドを薄膜化するか、若しくは
−OH基を有する物質とフタロシアニナトシリコ
ンジクロライドとを同時に蒸着して薄膜化し真空
中で加熱処理することにより、配向性を有するシ
リコンフタロシアニンポリマー薄膜を形成するこ
とができる。Function The present invention involves forming a thin film of phthalocyaninatosilicon dichloride by vacuum evaporation or the like, and heat-treating this thin film in the air or a gas atmosphere containing an -OH group, or applying a substance having an -OH group on this thin film. After vapor deposition, heat treatment is performed in a vacuum, or phthalocyaninatosilicon dichloride is formed into a thin film in a gas atmosphere containing -OH groups, or a substance having -OH groups and phthalocyaninatosilicon dichloride are simultaneously vapor-deposited. By forming the silicon phthalocyanine polymer into a thin film and heat-treating it in vacuum, it is possible to form an oriented silicon phthalocyanine polymer thin film.
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
フタロシアニナトシリコンジクロライドを石英
るつぼに入れ、10-5torr台の真空中において400
℃に加熱して真空蒸着することにより、Ge基板
上に膜厚約4000Åの薄膜を形成した。さらに、こ
の薄膜をガラス管内に入れ、油回転ポンプにより
10-2〜10-3torrの真空に保ちながら電気炉中に入
れ、360℃で１時間加熱処理を行なつた。このよ
うにして得られた薄膜のIRスペクトルを第１図
に、Ｘ線回折パターンを第２図に示す。IRスペ
クトルは、シリコンフタロシアニンポリマー粉末
のものと一致しており、この薄膜がシリコンフタ
ロシアニンポリマー薄膜であることが確認でき
た。また、Ｘ線回折パターンからこの薄膜は結晶
配向性を有していることがわかつた。 Phthalocyaninatosilicon dichloride was placed in a quartz crucible and heated to 400 ml in a vacuum of 10 -5 torr.
A thin film with a thickness of about 4000 Å was formed on the Ge substrate by heating to ℃ and performing vacuum deposition. Furthermore, this thin film is placed inside a glass tube and an oil rotary pump is used to
The sample was placed in an electric furnace while maintaining a vacuum of 10 -2 to 10 -3 torr, and heat treated at 360°C for 1 hour. The IR spectrum of the thin film thus obtained is shown in FIG. 1, and the X-ray diffraction pattern is shown in FIG. The IR spectrum matched that of silicon phthalocyanine polymer powder, confirming that this thin film was a silicon phthalocyanine polymer thin film. Furthermore, it was found from the X-ray diffraction pattern that this thin film had crystal orientation.
薄膜の加熱処理の雰囲気としては、大気中のほ
か−OH基を含むガス雰囲気中でも同様の結果が
得られた。 Similar results were obtained not only in the air but also in a gas atmosphere containing -OH groups as the atmosphere for the heat treatment of the thin film.
また他の実施例として、−OH基を含むガス雰
囲気中でフタロシアニナトシリコンジクロライド
をGe基板上に形成し、さらに真空中で加熱処理
しても同様の結果が得られた。この場合−OH基
を有する物質とフタロシアニナトシリコンジクロ
ライドとを上記の同様にして真空蒸着して薄膜化
しそれを真空中で加熱しても良い。 As another example, similar results were obtained when phthalocyaninatosilicon dichloride was formed on a Ge substrate in a gas atmosphere containing -OH groups, and then heat-treated in vacuum. In this case, a substance having an -OH group and phthalocyaninatosilicon dichloride may be vacuum-deposited to form a thin film in the same manner as described above, and the film may be heated in vacuum.
更に他の実施例としては、上述のようにフタロ
シアニナトシリコンジクロライドを石英るつぼに
入れ、10-5torr台の真空中において真空蒸着して
Ge基板上に薄膜を形成し、さらにこの上に−OH
基を有する物質を蒸着した後、真空中で加熱処理
を行つても同様の結果が得られた。 In yet another example, as described above, phthalocyaninatosilicon dichloride is placed in a quartz crucible and vacuum evaporated in a vacuum of about 10 -5 torr.
A thin film is formed on the Ge substrate, and -OH
Similar results were obtained even when heat treatment was performed in a vacuum after vapor-depositing the substance having the group.
発明の効果
以上のように本発明は、フタロシアニナトシリ
コンジクロライドを蒸着原料として用い、蒸着雰
囲気やその後の加熱処理条件を考慮することによ
り、よい配向性を有するシリコンフタロシアニン
ポリマー薄膜を形成することができ、その効果は
大なるものがある。Effects of the Invention As described above, the present invention makes it possible to form a silicon phthalocyanine polymer thin film with good orientation by using phthalocyaninatosilicon dichloride as a vapor deposition raw material and by considering the vapor deposition atmosphere and subsequent heat treatment conditions. It can be done, and the effects are great.
第１図は本発明の一実施例における、シリコン
フタロシアニンポリマー薄膜のIRスペクトル図、
第２図はシリコンフタロシアニンポリマー薄膜の
Ｘ線回折パターンである。
FIG. 1 is an IR spectrum diagram of a silicon phthalocyanine polymer thin film in one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an X-ray diffraction pattern of a silicon phthalocyanine polymer thin film.
Claims (1)
膜化し、その薄膜を加熱処理することを特徴とす
るシリコンフタロシアニンポリマー薄膜の製法。 ２ 真空蒸着によりフタロシアニナトシリコンジ
クロライドを薄膜することを特徴とする請求項１
記載のシリコンフタロシアニンポリマー薄膜の製
法。 ３ 大気中で加熱処理することを特徴とする請求
項１記載のシリコンフタロシアニンポリマー薄膜
の製法。 ４ −OH基を含むガス雰囲気中で加熱処理する
ことを特徴とする請求項１記載のシリコンフタロ
シアニンポリマー薄膜の製法。 ５ −OH基を含むガス雰囲気中でフタロシアニ
ナトシリコンジクロライドを薄膜化し、真空中で
加熱処理することを特徴とする請求項１記載のシ
リコンフタロシアニンポリマー薄膜の製法。 ６ 請求項１記載のフタロシアニナトシリコンジ
クロライドと、−OH基を有する物質とを同時に
蒸着して薄膜化し、真空中で加熱処理することを
特徴とするシリコンフタロシアニンポリマー薄膜
の製法。 ７ フタロシアニナトシリコンジクロライドを蒸
着により薄膜化した後、−OH基を有する物質を
蒸着し、更に真空中で加熱処理することを特徴と
する請求項１記載のシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜の製法。[Claims] 1. A method for producing a silicon phthalocyanine polymer thin film, which comprises forming a phthalocyaninato silicon dichloride into a thin film and heat-treating the thin film. 2. Claim 1, characterized in that the thin film of phthalocyaninatosilicon dichloride is formed by vacuum deposition.
A method for producing the silicon phthalocyanine polymer thin film described. 3. The method for producing a silicon phthalocyanine polymer thin film according to claim 1, characterized in that the heat treatment is carried out in the atmosphere. 4. The method for producing a silicon phthalocyanine polymer thin film according to claim 1, wherein the heat treatment is performed in a gas atmosphere containing 4-OH groups. 5. The method for producing a silicon phthalocyanine polymer thin film according to claim 1, characterized in that the phthalocyaninato silicon dichloride is formed into a thin film in a gas atmosphere containing a 5-OH group, and then heat-treated in a vacuum. 6. A method for producing a silicon phthalocyanine polymer thin film, which comprises simultaneously depositing the phthalocyaninatosilicon dichloride according to claim 1 and a substance having an -OH group to form a thin film, and heat-treating the film in vacuum. 7. The method for producing a silicon phthalocyanine polymer thin film according to claim 1, characterized in that after forming the phthalocyaninatosilicon dichloride into a thin film by vapor deposition, a substance having an -OH group is vapor-deposited, and further heat treatment is performed in a vacuum.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP8288888A JPH01255658A (en) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | Manufacture of thin silicon phthalocyanine polymer film |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255658A JPH01255658A (en) | 1989-10-12 |
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Family
ID=13786810
Family Applications (1)
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| Country | Link |
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| JP (1) | JPH01255658A (en) |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP8288888A patent/JPH01255658A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01255658A (en) | 1989-10-12 |
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