JPH0564710B2 - - Google Patents
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- JPH0564710B2 JPH0564710B2 JP8288988A JP8288988A JPH0564710B2 JP H0564710 B2 JPH0564710 B2 JP H0564710B2 JP 8288988 A JP8288988 A JP 8288988A JP 8288988 A JP8288988 A JP 8288988A JP H0564710 B2 JPH0564710 B2 JP H0564710B2
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- thin film
- silicon phthalocyanine
- forming
- polymer thin
- silicon
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子部品の分野でスイツチング素子
などに利用されるシリコンフタロシアニンポリマ
ー薄膜の形成法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a method for forming a silicon phthalocyanine polymer thin film used in switching elements and the like in the field of electronic components.
従来の技術
従来よりシリコンフタロシアニンは一次元導電
体として注目され、フタロシアニナトシリコンジ
ハイドロオキサイドを真空条件下で加熱し脱水重
合することにより、一次元結晶構造を有するシリ
コンフタロシアニンポリマー粉末を形成する方法
が知られている（ジヤーナル オブ ザ アメリ
カン ケミカル ソサイエテイ；J.Am.Chem.
Soc.1983、105、1539〜1567）。Conventional technology Silicon phthalocyanine has traditionally attracted attention as a one-dimensional conductor, and a method of forming silicon phthalocyanine polymer powder having a one-dimensional crystal structure by heating and dehydrating phthalocyaninato silicon dihydroxide under vacuum conditions has been proposed. is known (Journal of the American Chemical Society; J.Am.Chem.
Soc.1983, 105 , 1539-1567).
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このようにして得られるのはポ
リマー粉末であり、一次元導電体としてのシリコ
ンフタロシアンの機能を引き出すためには、配向
性をもつた薄膜が必要である。これらのポリマー
粉末をバインダー等に分散させて薄膜化する等の
方法が考えられるが、この方法では配向性を制御
することができない。Problems to be Solved by the Invention However, what is obtained in this way is a polymer powder, and in order to bring out the function of silicon phthalocyanine as a one-dimensional conductor, a thin film with orientation is required. A possible method is to disperse these polymer powders in a binder or the like to form a thin film, but the orientation cannot be controlled with this method.
本発明は、以上のような従来の課題に鑑み、配
向性を有するシリコンフタロシアニンポリマー薄
膜を形成することを目的とするものである。 In view of the above-mentioned conventional problems, the present invention aims to form a silicon phthalocyanine polymer thin film having orientation.
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するもので、その技術
的手段は、フタロシアニナトシリコンジクロライ
ドをアルカリ処理して得られた生成物を蒸着原料
として使用し、真空蒸着法によりシリコンフタロ
シアニンポリマー薄膜を形成するものである。Means for Solving the Problems The present invention achieves the above object, and its technical means is to use a product obtained by alkali treatment of phthalocyaninatosilicon dichloride as a vapor deposition raw material, and to perform a vacuum vapor deposition method. This method forms a silicon phthalocyanine polymer thin film.
作 用
本発明は、フタロシアニナトシリコンジクロラ
イドをアルカリ処理したものを蒸着原料として真
空蒸着することにより、今まで実現されていなか
つた配向性を有するシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜を形成することができる。Effects The present invention makes it possible to form a silicon phthalocyanine polymer thin film having a hitherto unrealized orientation by vacuum evaporating phthalocyaninatosilicon dichloride treated with an alkali as a deposition raw material.
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
フタロシアニナトシリコンジクロライドをピリ
ジン、水酸化ナトリウムとともに還流させて加水
分解することによつて中間生成物としてフタロシ
アニナトシリコンジハイドロオキサイドを合成し
た。還流させる時間によつて、合成したフタロシ
アニナトシリコンジハイドロオキサイドの性質は
異なり真空中での加熱によつて昇華するものとし
ないものがあり、真空蒸着原料として適したもの
と適さないものができる。これらの中で還流を約
１時間行なつて合成したものが真空蒸着原料とし
て適しており、この原料を石英るつぼに入れ、
10-5torr台の真空中で400℃に加熱して真空蒸着
薄膜を形成した。さらにこの薄膜を真空条件下で
360℃、１時間加熱処理することによつて脱水重
合させポリマー化した。このようにして得られた
薄膜のIRスペクトルを図に示す。IRスペクトル
は、シリコンフタロシアニンポリマー粉末のIR
スペクトル（図示せず）と一致しており、ポリマ
ー薄膜になつていることが確認できた。また、Ｘ
線回折パターンからこの薄膜は結晶配向性を有し
ていることがわかつた。 Phthalocyaninatosilicon dihydroxide was synthesized as an intermediate product by hydrolyzing phthalocyaninatosilicon dichloride under reflux with pyridine and sodium hydroxide. Depending on the reflux time, the properties of the synthesized phthalocyaninatosilicon dihydroxide vary, with some sublimating when heated in vacuum and others not, making some suitable as raw materials for vacuum evaporation and others unsuitable. . Among these, the one synthesized by refluxing for about 1 hour is suitable as a raw material for vacuum evaporation, and this raw material is placed in a quartz crucible.
A vacuum-deposited thin film was formed by heating to 400°C in a vacuum of 10 -5 torr. Furthermore, this thin film was processed under vacuum conditions.
By heating at 360°C for 1 hour, the mixture was dehydrated and polymerized. The figure shows the IR spectrum of the thin film thus obtained. IR spectrum of silicon phthalocyanine polymer powder
It matched the spectrum (not shown), and it was confirmed that it was a thin polymer film. Also, X
The line diffraction pattern revealed that this thin film had crystal orientation.
この場合、真空蒸着後の加熱処理は必らずしも
必要ではなく、真空蒸着時に基板を例えば360℃
程度に加熱しておくことにより同様にポリマー薄
膜が得られる。 In this case, heat treatment after vacuum evaporation is not necessarily necessary;
By heating to a certain degree, a polymer thin film can be obtained in the same manner.
発明の効果
以上のように本発明はフタロシアニナトシリコ
ンジクロライドをアルカリ処理して得られる中間
生成物を蒸着原料として真空蒸着法により薄膜を
形成することにより、配向性を有するシリコンフ
タロシアニンポリマー薄膜を形成することができ
るため、その効果は大なるものがある。Effects of the Invention As described above, the present invention forms an oriented silicon phthalocyanine polymer thin film by forming a thin film by vacuum evaporation using an intermediate product obtained by alkali treatment of phthalocyaninatosilicon dichloride as a vapor deposition raw material. Because it can be done, the effect is great.
図は本発明の一実施例における、シリコンフタ
ロシアニンポリマー薄膜のIRスペクトルである。
The figure shows an IR spectrum of a silicon phthalocyanine polymer thin film in one embodiment of the present invention.
Claims (1)
ルカリ処理して得られた生成物を蒸着原料として
薄膜を形成することを特徴とするシリコンフタロ
シアニンポリマー薄膜の形成法。 ２ アルカリ処理がピリジン及び水酸化ナトリウ
ム水溶液で加熱還流されることである請求項１記
載のシリコンフタロシアニンポリマー薄膜の形成
法。 ３ アルカリ処理して得られた生成物が、フタロ
シアニナトシリコンジハイドロオキサイドである
請求項１記載のシリコンフタロシアニンポリマー
薄膜の形成法。[Scope of Claims] 1. A method for forming a silicon phthalocyanine polymer thin film, which comprises forming a thin film using a product obtained by alkali treatment of phthalocyaninatosilicon dichloride as a vapor deposition raw material. 2. The method for forming a silicon phthalocyanine polymer thin film according to claim 1, wherein the alkali treatment is heating and refluxing with an aqueous solution of pyridine and sodium hydroxide. 3. The method for forming a silicon phthalocyanine polymer thin film according to claim 1, wherein the product obtained by the alkali treatment is phthalocyaninato silicon dihydroxide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8288988A JPH01255659A (en) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | Formation of thin silicon phthalocyanine polymer film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8288988A JPH01255659A (en) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | Formation of thin silicon phthalocyanine polymer film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255659A JPH01255659A (en) | 1989-10-12 |
| JPH0564710B2 true JPH0564710B2 (en) | 1993-09-16 |
Family
ID=13786838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8288988A Granted JPH01255659A (en) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | Formation of thin silicon phthalocyanine polymer film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01255659A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4841734B2 (en) * | 2001-03-07 | 2011-12-21 | 株式会社Ａｄｅｋａ | Complex |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP8288988A patent/JPH01255659A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01255659A (en) | 1989-10-12 |
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