JPH0564710B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子部品の分野でスイツチング素子
などに利用されるシリコンフタロシアニンポリマ
ー薄膜の形成法に関するものである。

従来の技術 従来よりシリコンフタロシアニンは一次元導電
体として注目され、フタロシアニナトシリコンジ
ハイドロオキサイドを真空条件下で加熱し脱水重
合することにより、一次元結晶構造を有するシリ
コンフタロシアニンポリマー粉末を形成する方法
が知られている（ジヤーナル オブ ザ アメリ
カン ケミカル ソサイエテイ；J.Am.Chem.
Soc.1983、105、1539〜1567）。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、このようにして得られるのはポ
リマー粉末であり、一次元導電体としてのシリコ
ンフタロシアンの機能を引き出すためには、配向
性をもつた薄膜が必要である。これらのポリマー
粉末をバインダー等に分散させて薄膜化する等の
方法が考えられるが、この方法では配向性を制御
することができない。

本発明は、以上のような従来の課題に鑑み、配
向性を有するシリコンフタロシアニンポリマー薄
膜を形成することを目的とするものである。

課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するもので、その技術
的手段は、フタロシアニナトシリコンジクロライ
ドをアルカリ処理して得られた生成物を蒸着原料
として使用し、真空蒸着法によりシリコンフタロ
シアニンポリマー薄膜を形成するものである。

作 用 本発明は、フタロシアニナトシリコンジクロラ
イドをアルカリ処理したものを蒸着原料として真
空蒸着することにより、今まで実現されていなか
つた配向性を有するシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜を形成することができる。

実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。

フタロシアニナトシリコンジクロライドをピリ
ジン、水酸化ナトリウムとともに還流させて加水
分解することによつて中間生成物としてフタロシ
アニナトシリコンジハイドロオキサイドを合成し
た。還流させる時間によつて、合成したフタロシ
アニナトシリコンジハイドロオキサイドの性質は
異なり真空中での加熱によつて昇華するものとし
ないものがあり、真空蒸着原料として適したもの
と適さないものができる。これらの中で還流を約
１時間行なつて合成したものが真空蒸着原料とし
て適しており、この原料を石英るつぼに入れ、
10^-5torr台の真空中で400℃に加熱して真空蒸着
薄膜を形成した。さらにこの薄膜を真空条件下で
360℃、１時間加熱処理することによつて脱水重
合させポリマー化した。このようにして得られた
薄膜のIRスペクトルを図に示す。IRスペクトル
は、シリコンフタロシアニンポリマー粉末のIR
スペクトル（図示せず）と一致しており、ポリマ
ー薄膜になつていることが確認できた。また、Ｘ
線回折パターンからこの薄膜は結晶配向性を有し
ていることがわかつた。

この場合、真空蒸着後の加熱処理は必らずしも
必要ではなく、真空蒸着時に基板を例えば360℃
程度に加熱しておくことにより同様にポリマー薄
膜が得られる。

発明の効果 以上のように本発明はフタロシアニナトシリコ
ンジクロライドをアルカリ処理して得られる中間
生成物を蒸着原料として真空蒸着法により薄膜を
形成することにより、配向性を有するシリコンフ
タロシアニンポリマー薄膜を形成することができ
るため、その効果は大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例における、シリコンフタ
ロシアニンポリマー薄膜のIRスペクトルである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ フタロシアニナトシリコンジクロライドをア
   ルカリ処理して得られた生成物を蒸着原料として
   薄膜を形成することを特徴とするシリコンフタロ
   シアニンポリマー薄膜の形成法。 ２ アルカリ処理がピリジン及び水酸化ナトリウ
   ム水溶液で加熱還流されることである請求項１記
   載のシリコンフタロシアニンポリマー薄膜の形成
   法。 ３ アルカリ処理して得られた生成物が、フタロ
   シアニナトシリコンジハイドロオキサイドである
   請求項１記載のシリコンフタロシアニンポリマー
   薄膜の形成法。