JPH0667635B2 - Method of manufacturing thermal head - Google Patents
Method of manufacturing thermal headInfo
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- JPH0667635B2 JPH0667635B2 JP27818787A JP27818787A JPH0667635B2 JP H0667635 B2 JPH0667635 B2 JP H0667635B2 JP 27818787 A JP27818787 A JP 27818787A JP 27818787 A JP27818787 A JP 27818787A JP H0667635 B2 JPH0667635 B2 JP H0667635B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は厚膜形サーマルンヘッドの製造方法、特にそ
の発熱抵抗体の抵抗値の均一化に関するものである。The present invention relates to a method for manufacturing a thick film type thermal head, and more particularly to uniforming the resistance value of its heating resistor.
厚膜形のサーマルヘッドは、ペースト状の抵抗材料をス
クリーン印刷法等によって所定のパターンに印刷し、そ
の後焼成するとで発熱抵抗体を形成している。そのた
め、厚膜形のサーマルヘッドは比較的短い製造工程によ
って安価に製造できる反面、発熱抵抗体の抵抗値のばら
つきが大きくなる欠点がある。The thick film type thermal head forms a heating resistor by printing a paste-like resistance material in a predetermined pattern by a screen printing method or the like and then firing it. Therefore, the thick-film type thermal head can be manufactured at a low cost by a relatively short manufacturing process, but has a drawback that the resistance value of the heating resistor varies greatly.
この発熱抵抗体の抵抗値のばらつきは印字等の質に直接
影響を及ぼすものであるため、厚膜形のサーマルヘッド
の製造においては発熱抵抗体の抵抗値の均一化は極めて
重要なファクタである。Since the variation in the resistance value of the heating resistor directly affects the quality of printing or the like, it is an extremely important factor to make the resistance value of the heating resistor uniform in the manufacture of the thick film type thermal head. .
この発熱抵抗体の抵抗値の均一化としては、発熱抵抗体
形成後、各発熱抵抗体に個別に比較的高圧の電圧パルス
を印加すると、その抵抗値が低下するという現象を利用
したトリミング処理がある。To make the resistance values of the heating resistors uniform, a trimming process using the phenomenon that when the heating resistors are formed and a relatively high voltage pulse is individually applied to each heating resistor, the resistance value decreases is used. is there.
第4図は例えば特開昭61−83053号公報に示された従来
のサーマルヘッドの製造方法を示すフローチャートであ
る。図において、ST1は初期設定のステップ、ST2は前記
ステップST1に続くプローバ及びスイッチングのステッ
プ、ST3は前記ステップ2に続く電圧パルス印加のステ
ップ、ST4は前記ステップST3に続く抵抗値測定のステッ
プ、ST5は前記ステップST4に続く前回データとの比較の
ステップ、ST6は前記ステップST5に続く抵抗値減少検出
のステップ、ST7は前記ステップST6に続くトリミングの
全ドット終了検出のステップ、ST8は前記ステップST5よ
り分岐したリプローブのステップ、ST9は前記ステップS
T6より分岐した電圧パルスの電圧調整のステップであ
り、前記ステップST7の分岐からはステップST2へ、ステ
ップST8からはステップST4へ、ステップST9からはステ
ップST3へ、それぞれ処理が戻される。FIG. 4 is a flow chart showing a conventional method of manufacturing a thermal head disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-83053. In the figure, ST1 is an initial setting step, ST2 is a prober and switching step following step ST1, ST3 is a voltage pulse applying step following step 2, ST4 is a resistance value measuring step following step ST3, and ST5. Is a step of comparing with previous data following step ST4, ST6 is a step of detecting resistance value decrease following step ST5, ST7 is a step of detecting all dots of trimming following step ST6, and ST8 is from step ST5. Step of branching reprobing, ST9 is step S
This is the step of adjusting the voltage of the voltage pulse branched from T6, and the processing is returned from the branch of step ST7 to step ST2, from step ST8 to step ST4, and from step ST9 to step ST3.
次に動作について説明する。まず、ステップST1におい
て、トリミングする発熱抵抗体に加える電圧パルスの初
期値、トリミングの目標値等の初期条件が設定される。
次に、ステップST2において、サーマルヘッドにプロー
ビングし、トリミングするドットを選択してその発熱抵
抗体を電圧パルス発生手段に接続し、ステップST3で前
記ステップ1で設定された初期値の電圧パルスを印加す
る。次にステップST4でその発熱抵抗体の抵抗値を測定
し、ステップST5において抵抗値が減少したか否かを識
別し、していなければプローブの接触不良とみなしてス
テップST8にてプロービングをやり直し、ステップST4に
戻って再度抵抗値の測定を行なう。抵抗値が減少してい
ればステップST6にてステップST1で設定されたトリミン
グの目標値と比較し、目標値より小さくなっていなけれ
ば、ステップST9にて電圧パルスの電圧値をΔVだけ上
昇させてステップSt3に戻り、電力パルスの再印加を行
なう。この処理はその発熱抵抗体の抵抗値が前記目標値
より小さくなるまで繰返され、目標値より小さくなれば
そのドットの発熱抵抗体のトリミングを終了してステッ
プST7へ移る。ステップST7では全ドットのトリミングが
終了したか否かを識別しており、全ドットのトリミング
が終了していなければ処理をステップST2へ戻す。ステ
ップST2では新たなドットが選択されてその発熱抵抗体
が電圧パルス発生手段に接続され、同様の処理が全ドッ
トのトリミング終了まで繰返される。Next, the operation will be described. First, in step ST1, initial conditions such as an initial value of a voltage pulse applied to a heating resistor to be trimmed and a trimming target value are set.
Next, in step ST2, the thermal head is probed, the dot to be trimmed is selected, the heating resistor is connected to the voltage pulse generating means, and the voltage pulse of the initial value set in step 1 is applied in step ST3. To do. Next, measure the resistance value of the heating resistor in step ST4, identify whether or not the resistance value has decreased in step ST5, and if not, consider probe contact failure and redo probing in step ST8, Returning to step ST4, the resistance value is measured again. If the resistance value has decreased, it is compared with the trimming target value set in step ST1 in step ST6. If it is not smaller than the target value, the voltage value of the voltage pulse is increased by ΔV in step ST9. Returning to step St3, the power pulse is reapplied. This process is repeated until the resistance value of the heating resistor becomes smaller than the target value, and when it becomes smaller than the target value, trimming of the heating resistor of the dot is completed and the process proceeds to step ST7. In step ST7, it is identified whether or not trimming of all dots has been completed. If trimming of all dots has not been completed, the process returns to step ST2. In step ST2, a new dot is selected, its heating resistor is connected to the voltage pulse generating means, and the same processing is repeated until the trimming of all dots is completed.
第5図はこの発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す線図であ
り、トリミング前にはR1,R2,R3と大きくばらついていた
抵抗値が、目標値R0よりわずかに低い、狭い範囲内に均
一化される。FIG. 5 is a diagram showing a decrease in the resistance value of the heating resistor. The resistance value which was largely varied with R 1 , R 2 and R 3 before trimming is slightly lower than the target value R 0 , It is homogenized within a narrow range.
図において、Vsは前記電圧パルスの初期値であり、電圧
パルスの印加によって発熱抵抗体の抵抗値が減少をはじ
める境界電圧が通常25V近傍にあるため例えば25Vに設定
されている。In the figure, Vs is the initial value of the voltage pulse, and is set to, for example, 25V because the boundary voltage at which the resistance value of the heating resistor starts to decrease due to the application of the voltage pulse is usually around 25V.
また、ΔVはステップST9による電圧パルスの電圧値の
増し分であり、発熱抵抗体の抵抗値が減少し過ぎないよ
うに例えば2.5Vに設定して徐々に抵抗値を減少させてい
る。Further, ΔV is an increase in the voltage value of the voltage pulse in step ST9, and is set to, for example, 2.5 V so that the resistance value of the heating resistor does not decrease too much, and the resistance value is gradually decreased.
上記従来のサーマルヘッド製造方法は以上のように構成
されているので、1ドットの発熱抵抗体のトリミングに
は20〜30回の電圧パルスの印加、及び抵抗値の測定をし
なければならず、発熱抵抗体の抵抗値の均一化には多大
な時間を要するという問題点があった。Since the above-mentioned conventional thermal head manufacturing method is configured as described above, it is necessary to apply a voltage pulse 20 to 30 times and measure the resistance value in order to trim a 1-dot heating resistor. There is a problem that it takes a lot of time to make the resistance value of the heating resistor uniform.
そこで、本出願人は先に発熱抵抗体の抵抗値の均一化に
多大の時間を必要とすることのないサーマルヘッドの製
造方法を提案した。Therefore, the present applicant has previously proposed a method of manufacturing a thermal head that does not require a large amount of time to make the resistance values of the heating resistors uniform.
第6図はこのサーマルヘッドの製造方法を示すフローチ
ャートである。第6図において、ST11は初期設定のステ
ップ、ST12は前記ステップST11に続くサンプルの抵抗変
化測定のステップ、ST13は前記ステップST12に続くトリ
ミング定数α,β算出のステップ、ST14は前記ステップ
ST13に続くトリミング定数α,βの検出のステップ、ST
15は前記ステップST14に続く抵抗値降下曲線近似のステ
ップ、ST16は前記ステップST15に続く抵抗値測定のステ
ップ、ST17は前記ステップST16に続く印加電圧決定のス
テップ、ST18は前記ステップST17に続く電圧パルス印加
のステップ、ST19は前記ステップST18に続くトリミング
の全ドット終了検出のステップ、ST20は前記ステップST
14から分岐した別サンプルの選定のステップであり、前
記ステップST19の分岐からはステップST16へ、ステップ
ST20からはステップST12へ、それぞれ処理が戻される。FIG. 6 is a flowchart showing the method of manufacturing the thermal head. In FIG. 6, ST11 is an initial setting step, ST12 is a step of measuring the resistance change of the sample following step ST11, ST13 is a step of calculating trimming constants α and β following step ST12, and ST14 is the step described above.
Step of detecting trimming constants α and β following ST13, ST
15 is the step of resistance drop curve approximation following step ST14, ST16 is the step of resistance measurement following step ST15, ST17 is the step of determining the applied voltage following step ST16, and ST18 is the voltage pulse following step ST17. Application step, ST19 is the step of detecting the end of all dots of trimming following step ST18, and ST20 is the step ST
It is a step of selecting another sample branched from 14, and from the branch of step ST19 to step ST16,
The process is returned from ST20 to step ST12.
第7図はこのサーマルヘッドの製造方法を実施する装置
の一例を示すブロック図であり、図において、1はトリ
ミング処理が行なわれるサーマルヘッド、2はこのサー
マルヘッド1の各発熱抵抗体の端子にプローブを押し当
てるプロービング装置、3はプロービング装置2に接続
されて前記発熱抵抗体の選択を行なうリレー綱、4はリ
レー綱3に接続されて電圧パルスの印加と抵抗値の測定
とを切り換えるスイッチ、5はスイッチ4の一方に接続
されて指定された電圧値の電圧パルスを送出するパルス
発生器、6はスイッチ4の他方に接続された抵抗計、7
は入出力部8、中央処理装置(以下、CPUという)9、
メモリ10、キーボード11等を備えて、前記諸装置の制御
を行なうとともに所要の演算処理を行なう制御演算部、
12はこの制御演算部7に接続されたプリンタである。FIG. 7 is a block diagram showing an example of an apparatus for carrying out this method of manufacturing a thermal head. In the figure, 1 is a thermal head on which trimming processing is performed, and 2 is a terminal of each heating resistor of the thermal head 1. A probing device for pressing a probe, 3 is a relay cord connected to the probing device 2 for selecting the heating resistor, and 4 is a switch connected to the relay cord 3 for switching application of a voltage pulse and measurement of a resistance value, 5 is a pulse generator that is connected to one of the switches 4 and sends out a voltage pulse of a specified voltage value; 6 is an ohmmeter connected to the other of the switches 4;
Is an input / output unit 8, a central processing unit (hereinafter referred to as a CPU) 9,
A control arithmetic unit including a memory 10, a keyboard 11, etc., for controlling the above-mentioned devices and for performing required arithmetic processing,
Reference numeral 12 is a printer connected to the control calculation unit 7.
次に動作について説明する。第8図は前記抵抗値降下曲
線の一例を示す線図であり、図中の実線Yがその抵抗値
降下曲線で、横軸には電圧パルスによる印加電圧値V
が、縦軸には電圧パルス印加による発熱抵抗体の抵抗変
化率ΔRが目盛られている。Next, the operation will be described. FIG. 8 is a diagram showing an example of the resistance drop curve, and the solid line Y in the figure is the resistance drop curve, and the horizontal axis shows the applied voltage value V by the voltage pulse.
However, the vertical axis shows the resistance change rate ΔR of the heating resistor due to the voltage pulse application.
実験の結果、第5図の縦軸を抵抗変化率にして、初期の
抵抗値から何%降下したかをプロットすると、第8図に
破線で示す如く、初期の抵抗値には関係なくほぼ一定の
曲線Y上をたどり、その曲線Yは(1)式で近似できる
ことがかった。As a result of the experiment, when the vertical axis of FIG. 5 is taken as the resistance change rate and the% drop from the initial resistance value is plotted, as shown by the broken line in FIG. 8, it is almost constant regardless of the initial resistance value. It was difficult to trace the curve Y on the curve Y and to approximate the curve Y by the equation (1).
なお、(1)式中、R0は発熱抵抗体の初期の抵抗値、Vo
は抵抗値に変化が現われはじめる印加電圧の境界値、Δ
Vは印加電圧の変化ステップ、α,βはサーマルヘッド
の構造、ドット密度等で決まるトリミング定数である。 In equation (1), R 0 is the initial resistance value of the heating resistor, Vo
Is the boundary value of the applied voltage at which the resistance value begins to change, and Δ
V is the step of changing the applied voltage, and α and β are trimming constants determined by the structure of the thermal head, the dot density, and the like.
また、このトリミング定数α,βの相互の関係は、第9
図に示すように、横軸にα、縦軸にβを目盛ってプロッ
トすると、ほぼ一定の曲線Z上をたどり、その曲線Zは
(2)式で近似できる双曲線であることがわかった。Further, the mutual relationship between the trimming constants α and β is as follows.
As shown in the figure, when plotting α on the horizontal axis and β on the vertical axis, it was found that the curve Z follows a substantially constant curve Z, and the curve Z is a hyperbola that can be approximated by the equation (2).
β=l・α-m ……(2) なお、(2)式中、l,mはドット密度に関係なく一定の
値をとる定数である。β = 1 / α - m (2) In the formula (2), l and m are constants that take constant values regardless of the dot density.
さらに、別の実験の結果、所定の電圧値の電圧パルスを
1回だけ印加た場合の抵抗減少率は、第8図の如く電圧
値を暫増させなら何回も電圧パルスを印加した場合の同
一電圧値のそれと同等の値を示すこともわかった。Further, as a result of another experiment, the resistance decrease rate when the voltage pulse having the predetermined voltage value is applied only once is as shown in FIG. 8 when the voltage pulse is applied many times if the voltage value is temporarily increased. It was also found to show a value equivalent to that of the same voltage value.
まず、ステップ11で初期設定が行なわれ、次いでステッ
プ12でサンプルの抵抗変化測定が行なわれる。即ち、リ
レー網3を制御してサーマルヘッド1のサンプルとして
指定されたドットの発熱抵抗体を選択し、スイッチ4を
切り換えて抵抗計6へ接続して抵抗値を測定し、その測
定値を制御演算部7へ送り、制御演算部7のCPU9はこれ
をメモリ10へ格納する。First, in step 11, initial setting is performed, and then in step 12, resistance change measurement of the sample is performed. That is, the relay network 3 is controlled to select the heating resistor of the designated dot as the sample of the thermal head 1, the switch 4 is switched to connect to the resistance meter 6, the resistance value is measured, and the measured value is controlled. The data is sent to the calculation unit 7, and the CPU 9 of the control calculation unit 7 stores it in the memory 10.
次にスイッチ4を切り換えてパルス発生器5より所定の
電圧値の電圧パルスを前記抵抗発熱体に印加する。ここ
で、この電圧パルスは例えば幅が2μsecのパルスが15
個周期50μsecで連続するパルス列である。Next, the switch 4 is switched to apply a voltage pulse of a predetermined voltage value from the pulse generator 5 to the resistance heating element. Here, this voltage pulse is, for example, a pulse having a width of 2 μsec.
It is a pulse train that is continuous with an individual period of 50 μsec.
次に、再度スイッチ4を切り換えて、この電圧パルスが
印加された発熱抵抗体を抵抗計6に接続して抵抗値を測
定し、制御演算部7へ送る。制御演算部7のCPU9はそれ
を印加した電圧パルスの電圧値とともにメモリ10に格納
する。Next, the switch 4 is switched again, the heating resistor to which the voltage pulse is applied is connected to the resistance meter 6, the resistance value is measured, and the measured value is sent to the control calculation unit 7. The CPU 9 of the control calculation unit 7 stores it in the memory 10 together with the voltage value of the applied voltage pulse.
以下、同様にして、電圧パルスの電圧値を適宜上昇させ
ながらこれらの処理を繰返す。この処理は少くとも3回
繰返して実行され、リレー網3を切り換えていくつかの
サンプルについて実行される。Thereafter, similarly, these processes are repeated while appropriately increasing the voltage value of the voltage pulse. This process is repeated at least three times, switching the relay network 3 and executing for some samples.
次に、ステップST13において、このようにして測定され
た抵抗変化に基づいて抵抗値降下曲線の近似のためのト
リミング定数α,βの算出が行なわれる。即ち、制御演
算部7のCPU9はメモリ10に格納しておいた抵抗変化か
ら、電圧パルスによる各印加電圧における抵抗変化率Δ
R=(R−R0)/R0を止め、これを前記(1)式に代入
する。これによって各サンプル毎にそれぞれα,β,V0
を未知数とする方程式を作成してこれを解く。ここで、
三つの未知数に対して四つ以上の方程式がある場合には
これを統計的に処理して解を得る。得られた解はさらに
各サンプル間で統計的に処理されて、印加電圧の境界値
V0とともに所望のトリミング定数をα,βが得られる。Next, in step ST13, the trimming constants α and β for approximation of the resistance drop curve are calculated based on the resistance change measured in this way. That is, the CPU 9 of the control calculation unit 7 uses the resistance change stored in the memory 10 to calculate the resistance change rate Δ at each applied voltage due to the voltage pulse.
R = (R−R 0 ) / R 0 is stopped and this is substituted into the equation (1). As a result, α, β, V 0
Create an equation with unknown and solve it. here,
When there are four or more equations for three unknowns, this is statistically processed to obtain a solution. The obtained solution is further statistically processed between each sample to obtain the boundary value of the applied voltage.
The desired trimming constants α and β can be obtained together with V 0 .
このようにして得られたトリミング定数α,βは、次に
ステップST14において、(2)式の関係からのずれが検
出される。即ち、第9図に点Aで示す如く、ずれが一定
の範囲、例えば同図にハッチングを施した±5%の領域
をはずれた場合には誤測定とみなして、ステップST12に
よる抵抗値変化の測定をやり直す。その場合、ステップ
ST20によって以前に電圧パルスが印加されたことのない
ドットが新しいサンプルとして選択される。Deviations of the trimming constants α and β thus obtained from the relationship of the expression (2) are detected in step ST14. That is, as shown by point A in FIG. 9, if the deviation deviates from a certain range, for example, the ± 5% area hatched in FIG. Repeat the measurement. If so, step
The ST20 selects a dot for which no voltage pulse was previously applied as the new sample.
第9図に点Bで示す如く、ずれが一定の範囲内である場
合には、当該トリミング定数α,βはステップST15にて
印加電圧の境界値V0とともに(1)式に代入されて、抵
抗変化率ΔRと印加電圧Vとの関係を示す抵抗値降下曲
線が近似される。As shown by point B in FIG. 9, when the deviation is within a certain range, the trimming constants α and β are substituted into the equation (1) together with the boundary value V 0 of the applied voltage in step ST15, A resistance value drop curve showing the relationship between the resistance change rate ΔR and the applied voltage V is approximated.
これで準備段階を終了してステップST16よりトリミング
の処理に入る。まず、ステップST16において、リレー網
3でトリミングを実施するドットを選択し、スイッチに
よってこれを抵抗計6に接続してその抵抗値を測定す
る。This completes the preparation stage and the trimming process starts from step ST16. First, in step ST16, a dot to be trimmed is selected by the relay network 3, and this is connected to the resistance meter 6 by a switch to measure the resistance value.
次に、ステップST17ではCPU9によって、得られた抵抗値
を目標値まで降下させるための抵抗変化率ΔRnが算出さ
れ、さらに前述の抵抗値降下曲線Yを用いて電圧パルス
の印加電圧Vnを決定する。Next, in step ST17, the CPU 9 calculates the resistance change rate ΔRn for lowering the obtained resistance value to the target value, and further determines the applied voltage Vn of the voltage pulse using the resistance value decrease curve Y described above. .
その様子は第8図に示され、具体的には前記α,β,V0
が代入された関係式に前記抵抗変化率ΔRnを代入して印
加電圧Vnを算出する。得られた印加電圧Vnは制御演算部
7よりパルス発生器5へ送られる。The situation is shown in FIG. 8, and specifically, the above α, β, V 0
The applied voltage Vn is calculated by substituting the resistance change rate ΔRn into the relational expression in which is substituted. The obtained applied voltage Vn is sent from the control calculation unit 7 to the pulse generator 5.
ステップST18でスイッチ4が切り換えられると、パルス
発生器5からは電圧Vnの電圧パルスが送出され、トリミ
ングを実施するドットの発熱抵抗体に印加される。これ
によって当該発熱抵抗体の抵抗値は目標値に近い値に降
下する。以下ステップST19が全ドットのトリミングの終
了を検出するまで、ステップST16以後の処理が繰返され
る。When the switch 4 is switched in step ST18, the voltage pulse of the voltage Vn is sent from the pulse generator 5 and is applied to the heating resistor of the dot to be trimmed. As a result, the resistance value of the heating resistor drops to a value close to the target value. Thereafter, the processes from step ST16 are repeated until step ST19 detects the end of trimming of all dots.
従来のサーマルヘッド製造方法は以上のように行なわれ
ているので、抵抗体の物理的な違いによって、前記
(1)式で決定された電圧値の電圧パルス印加によって
降下する抵抗値が目標値とずれるという場合が起こって
いた。Since the conventional thermal head manufacturing method is performed as described above, the resistance value that drops by the voltage pulse application of the voltage value determined by the equation (1) becomes the target value due to the physical difference of the resistors. There was a case of slippage.
また、1台のサーマルヘッド内でも抵抗体の場所によっ
て降下曲線に差がみられる場合があり、1台中も場所に
よって得られた抵抗値が目標とずれるという問題点があ
った。Further, even in one thermal head, there may be a difference in the descending curve depending on the location of the resistor, and there is a problem in that the resistance value obtained depending on the location of one resistor deviates from the target.
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、抵抗体の物性等による違いに左右されること
なく、発熱抵抗体の抵抗値を高速かつ正確に目標値にト
リミングし、均一化するサーマルヘッドの製造方法を得
ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, the resistance value of the heating resistor is trimmed to the target value at high speed and accurately, without being affected by the difference in the physical properties of the resistor. It is an object of the present invention to obtain a method of manufacturing a thermal head that is uniform.
この発明に係るサーマルヘッドの製造方法は、サンプル
の抵抗変化測定により求めた抵抗値降下曲線の近似式を
用いて、実際に適当な数の発熱抵抗体に電圧パルスを印
加し、この電圧パルスの印加による発熱抵抗体の抵抗値
降下が規定領域から外れているときは、その降下した抵
抗値によって前記抵抗値降下曲線の近似式を補正する
か、あるいは別のサンプルで検定を繰り返すことにより
更新するようにしたものである。The method of manufacturing a thermal head according to the present invention uses an approximate expression of a resistance drop curve obtained by measuring a resistance change of a sample, and actually applies a voltage pulse to an appropriate number of heating resistors, When the resistance drop of the heating resistor due to the application is out of the specified range, it is updated by correcting the approximate expression of the resistance drop curve by the dropped resistance value or by repeating the test with another sample. It was done like this.
この発明におけるサーマルヘッドの製造方法は、サンプ
ルの抵抗変化測定により求めた抵抗値降下曲線の近似式
を、実際のトリミング結果により適時補正し更新してい
くことにより、1回ずつのパルス印加で全ドットの抵抗
値を目標値近傍に正確に降下させることを可能とする。The method of manufacturing a thermal head according to the present invention is such that the approximate expression of the resistance drop curve obtained by measuring the resistance change of the sample is corrected and updated according to the actual trimming result in a timely manner so that the pulse is applied once every time. It is possible to accurately drop the resistance value of the dot near the target value.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。前記
第6図と同一部分に同一符合を付した第1図において、
ST21はステップST12に続く抵抗値降下曲線近似のステッ
プ、ST22はステップST21に続く近似式を用いて実際に数
ドットのテストトリミングを行なうテストパルス印加の
ステップ、ST23はステップST22に続く近似式検定のステ
ップ、ST24はステップST23に続く近似式補正のステップ
であり、このステップST24からはステップST16へ、ステ
ップST19からはステップST16へ、それぞれ処理が移行す
る。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1 in which the same parts as those in FIG.
ST21 is a step of resistance drop curve approximation following step ST12, ST22 is a step of applying a test pulse for actually performing test trimming of several dots using the approximation formula following step ST21, and ST23 is an approximation formula test following step ST22. Steps ST24 are steps of the approximate expression correction following step ST23, and the processing shifts from step ST24 to step ST16 and from step ST19 to step ST16.
次の動作について説明する。まず、ステップST11で初期
設定が行なわれ、次いでステップST12でサンプルの抵抗
変化測定が行なわれる。これにより、低い電圧から順に
適当なΔVずつ電圧を上げて印加していき、ステップST
21で第8図のような抵抗値の降下曲線を得る。そして、
前記(1)式のα,βを算出し、近似式を求める。これ
が前記第8図におけるYで示した曲線である。The following operation will be described. First, initialization is performed in step ST11, and then resistance change measurement of the sample is performed in step ST12. As a result, the voltage is increased by an appropriate ΔV in order from the lowest voltage and applied.
At 21, the resistance drop curve as shown in FIG. 8 is obtained. And
Approximate expressions are obtained by calculating α and β in the expression (1). This is the curve indicated by Y in FIG.
次にステップST22で数ドットの抵抗体に対してテスト的
にトリミングを行なう。つまり、各ドットの初期抵抗値
を測定し、これにより近似式を用いて、抵抗値を目標値
に降下させるのに適した印加電圧値を算出し、この算出
された電圧値のパルスを1回だけ印加し、そのパルス印
加後の抵抗値を測定する。Next, in step ST22, trimming is performed on a resistor having several dots in a test manner. That is, the initial resistance value of each dot is measured, the applied voltage value suitable for lowering the resistance value to the target value is calculated by using the approximate expression, and the pulse of the calculated voltage value is generated once. Then, the resistance value after the pulse is applied is measured.
次にステップST23ではステップST22で得られた抵抗値か
ら近似式(1)の検定を行なう。第8図に示すように近
似式に対して適当な許容範囲を定め(製品スペック等か
ら決定する。ここでは±10%とする)、その領域Aに入
っていれば近似式は適切であると判断し、ステップST16
へ移り、移行従来例同様全ドットのトリミングを行なっ
ていく。Next, in step ST23, the approximation formula (1) is verified from the resistance value obtained in step ST22. As shown in FIG. 8, an appropriate allowable range is set for the approximate expression (determined from product specifications, etc., here ± 10%), and if it is within the area A, the approximate expression is appropriate. Judge, step ST16
Then, the transition is performed and all dots are trimmed as in the conventional example.
もし、ステップST22で得られたデータが領域Aに入って
いなければ、近似式と実際の1回のパルス印加でトリミ
ングする場合とではずれがあると判断し、ステップST24
へ移り近似式の補正を行なう。If the data obtained in step ST22 is not in the area A, it is determined that there is a difference between the approximate expression and the case where trimming is performed by one actual pulse application, and step ST24
Move to and correct the approximate expression.
以下に補正の一例について述べる。まず、ステップST22
で得られたトリミング後の抵抗値の平均を求める(平
均の信頼性が得られるように、テストトリミングのドッ
ト数を決定する)。An example of the correction will be described below. First, step ST22
Obtain the average of the resistance values after trimming obtained in (the number of dots for test trimming is determined so that the reliability of the average is obtained).
近似式が適切でないということは、抵抗値の平均と目
標値R0に誤差が生じているということである。つまり、
各ドットのトリミング後の抵抗値が−R0分だけ更に低
く(高く)なればよいわけであり、これは、目標値を
−R0だけ低く(高く)することと等価である。The fact that the approximate expression is not appropriate means that there is an error between the average resistance value and the target value R 0 . That is,
Resistance after trimming of each dot is not it if only even lower (higher) 0 min -R, which is equivalent to the target value by -R 0 lower (higher).
つまりR0−(−R0)=2R0−を目標値と考えること
により、実際の抵抗値の平均をR0近傍に補正すること
が可能である。That is, by considering R 0 − (− R 0 ) = 2R 0 − as the target value, it is possible to correct the average of the actual resistance values to the vicinity of R 0 .
従って、前記近似式(1)は以下のように補正できる。Therefore, the approximate expression (1) can be corrected as follows.
この補正を行なった後、ステップST16へ移り以降前述同
様全ドットのトリミングを行なう。この補正は近似的な
補正であるが、もともと各ドットのトリミングのバラツ
キ等もあり実用上問題なく、また、演算処理も簡単であ
る。 After performing this correction, the process proceeds to step ST16 and thereafter, all dots are trimmed in the same manner as described above. Although this correction is an approximate correction, there is no practical problem due to variations in trimming of each dot, and the arithmetic processing is simple.
なお、上記実施例では近似式の補正を実際の全ドットの
トリミングを行なう前に行なったものを示したが、第2
図は最良モードとしてこの補正を適時行なう場合のこの
発明の第2実施例を示す。例えばサーマルヘッド1台の
全ドットを適当な数のブロックに分け、ステップST25で
各ブロックの終了毎に抵抗値の平均を求め、初期の抵
抗値R0とずれがあるなら、ステップST26で前記近似式
(1)の補正を行ない、常に目標値との誤差を補正す
る。In the above embodiment, the correction of the approximate expression is shown before the actual trimming of all dots.
The drawing shows the second embodiment of the present invention in the case where this correction is performed as the best mode in a timely manner. For example, all dots of one thermal head are divided into an appropriate number of blocks, the average of resistance values is calculated at the end of each block in step ST25, and if there is a deviation from the initial resistance value R 0 , the approximation is made in step ST26. The equation (1) is corrected to always correct the error from the target value.
また、第3図はこの発明の第3の実施例を示すフローチ
ャートであり、この実施例ではステップST22で近似式の
検定を行ない、近似式が適切でないと判断されたら、ス
テップST20で補正ではなく別のサンプルを選択し、再度
ステップST12へ戻り、ステップST12からの動作を繰り返
してサンプルの抵抗変化測定を行ない、新たに近似式を
求める。適切な近似式が来るまでこの処理を繰り返す。FIG. 3 is a flow chart showing a third embodiment of the present invention. In this embodiment, the approximation formula is tested in step ST22, and if it is determined that the approximation formula is not appropriate, the correction is not made in step ST20. Another sample is selected, the process returns to step ST12 again, the operation from step ST12 is repeated, the resistance change of the sample is measured, and a new approximate expression is obtained. This process is repeated until an appropriate approximate expression comes.
以上のように、この発明によれば、発熱抵抗体の抵抗値
を目標値に降下させるために印加すべき電圧を決定する
近似式をテスト的なトリミングで検定し補正するように
したので、発熱抵抗体の物性的なバラツキ等に影響され
ず、該発熱抵抗体の抵抗値を高速かつ正確に目標値にト
リミングすることができる。また、1台中の場所によっ
て発熱抵抗体の特性が違っていても、この発熱抵抗体の
抵抗値を正確かつ均一に目標値にトリミングすることが
できるという効果がある。As described above, according to the present invention, since the approximate expression for determining the voltage to be applied in order to lower the resistance value of the heating resistor to the target value is tested and corrected by the trial trimming, the heat generation is reduced. The resistance value of the heating resistor can be trimmed to the target value at high speed and accurately without being affected by the physical properties of the resistor. Further, even if the characteristics of the heating resistor differ depending on the location in one unit, there is an effect that the resistance value of the heating resistor can be trimmed accurately and uniformly to the target value.
第1図はこの発明の一実施例によるサーマルヘッドの製
造方法を示すフローチャート、第2図はこの発明の第2
の実施例(最良モード)を示すフローチャート、第3図
はこの発明の第3の実施例を示すフローチャート、第4
図は従来のサーマルヘッドの製造方法を示すフローチャ
ート、第5図はその発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す説
明図、第6図は本出願人が先に提案したサーマルヘッド
の製造方法を示すフローチャート、第7図はその製造方
法を実施するための装置の一例を示すブロック図、第8
図は抵抗値降下曲線の一例を示す説明図、第9図はトリ
ミング定数αとβの相互の関係を示す説明図である。 1はサーマルヘッド、2はプロービング装置、3はリレ
ー網、4はスイッチ、5はパルス発生器、6は抵抗計、
7は制御演算部。 なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。FIG. 1 is a flow chart showing a method of manufacturing a thermal head according to an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a flowchart showing an embodiment (best mode) of FIG. 3, FIG. 3 is a flowchart showing a third embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 5 is a flow chart showing a conventional method for manufacturing a thermal head, FIG. 5 is an explanatory view showing a decrease in the resistance value of the heating resistor, and FIG. 6 is a method for manufacturing the thermal head previously proposed by the applicant. Flowchart, FIG. 7 is a block diagram showing an example of an apparatus for carrying out the manufacturing method, and FIG.
FIG. 9 is an explanatory diagram showing an example of the resistance drop curve, and FIG. 9 is an explanatory diagram showing the mutual relationship between the trimming constants α and β. 1 is a thermal head, 2 is a probing device, 3 is a relay network, 4 is a switch, 5 is a pulse generator, 6 is an ohmmeter,
7 is a control calculation unit. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B41J 3/20 114 G 8906−2C 113 A ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI technical display location B41J 3/20 114 G 8906-2C 113 A
Claims (2)
の前記発熱抵抗体の各々に電圧パルスを印加し、その抵
抗値を降下させて均一化するサーマルヘッドの製造方法
において、前記発熱抵抗体中からサンプルを選び、電圧
値の異なる電圧パルスを低圧のものから順次、前記サン
プルとして選ばれた発熱抵抗体に印加して、印加電圧と
抵抗変化の関係を示す抵抗値降下曲線の近似式を求め、
この近似式により前記各発熱抵抗体へ印加するテストパ
ルスの電圧値を当該発熱抵抗体の初期の抵抗値に基づい
て決定し、この決定された電圧値のテストパルスを前記
発熱抵抗体に印加し、このテストパルスの印加により降
下した前記発熱抵抗体の抵抗値で前記近似式の良否を検
定し、この近似式が良であれば該近似式で前記発熱抵抗
体に印加すべき電圧パルスの電圧値を決定し、前記近似
式が否であれば前記テストパルス印加で降下した抵抗値
で該近似式を補正するか若しくは前記発熱抵抗体中から
別のサンプルを選択して前記検定を繰返すことを特徴と
するサーマルヘッドの製造方法。1. A method for manufacturing a thermal head, wherein a voltage pulse is applied to each of the heating resistors of a thermal head having a plurality of heating resistors, and the resistance value thereof is lowered to make the resistance uniform. A sample is selected from the inside, voltage pulses with different voltage values are sequentially applied from the low voltage one to the heating resistor selected as the sample, and an approximate expression of the resistance drop curve showing the relationship between the applied voltage and the resistance change is calculated. Seeking,
The voltage value of the test pulse applied to each of the heating resistors is determined based on the initial resistance value of the heating resistor by this approximate expression, and the test pulse of the determined voltage value is applied to the heating resistor. , The resistance value of the heating resistor dropped by the application of this test pulse is used to test the quality of the approximation formula, and if this approximation formula is good, the voltage of the voltage pulse to be applied to the heating resistor by the approximation formula. A value is determined, and if the approximate expression is not correct, the approximate expression is corrected by the resistance value dropped by the application of the test pulse, or another sample is selected from the heating resistors and the test is repeated. A method of manufacturing a characteristic thermal head.
な数のブロックに分け、その各ブロックごとに近似式の
補正を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第(1)
項記載のサーマルヘッドの製造方法2. The heating head of the thermal head is divided into an appropriate number of blocks, and an approximate expression is corrected for each block.
Method of manufacturing thermal head
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27818787A JPH0667635B2 (en) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | Method of manufacturing thermal head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27818787A JPH0667635B2 (en) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | Method of manufacturing thermal head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120363A JPH01120363A (en) | 1989-05-12 |
| JPH0667635B2 true JPH0667635B2 (en) | 1994-08-31 |
Family
ID=17593802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27818787A Expired - Lifetime JPH0667635B2 (en) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | Method of manufacturing thermal head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0667635B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2818489B2 (en) * | 1990-12-29 | 1998-10-30 | 京セラ株式会社 | Resistor trimming method for thin film thermal head |
| JPH06191079A (en) * | 1993-05-01 | 1994-07-12 | Sato:Kk | Heating circuit defect detector of thermal printing head |
-
1987
- 1987-11-05 JP JP27818787A patent/JPH0667635B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01120363A (en) | 1989-05-12 |
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