JPH068055B2 - Method of manufacturing thermal head - Google Patents
Method of manufacturing thermal headInfo
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- JPH068055B2 JPH068055B2 JP20400386A JP20400386A JPH068055B2 JP H068055 B2 JPH068055 B2 JP H068055B2 JP 20400386 A JP20400386 A JP 20400386A JP 20400386 A JP20400386 A JP 20400386A JP H068055 B2 JPH068055 B2 JP H068055B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は厚膜形サーマルヘッドの製造方法、特にその
発熱抵抗体の抵抗値の均一化に関するものである。The present invention relates to a method for manufacturing a thick film type thermal head, and more particularly to uniforming the resistance value of its heating resistor.
厚膜形のサーマルヘッドは、ペースト状の抵抗材料をス
クリーン印刷法等によって所定のパターンに印刷し、そ
の後焼成することで発熱抵抗体を形成している。そのた
め厚膜形のサーマルヘッドは比較的短い製造工程によっ
て安価に製造できる反面、発熱抵抗体の抵抗値のばらつ
きが大きくなる欠点を持ち合せている。この発熱抵抗体
の抵抗値のばらつきは印字等の質に直接影響を及ぼすも
のであるため、厚膜形のサーマルヘッドの製造において
は発熱抵抗体の抵抗値の均一化は極めて重要なファクタ
である。この発熱抵抗体の抵抗値の均一化としては、発
熱抵抗体形成後、各発熱抵抗体に個別に比較的高圧の電
圧パルスを印加するとその抵抗値が低下するという現象
を利用したトリミング処理がある。The thick film type thermal head forms a heating resistor by printing a paste-like resistance material in a predetermined pattern by a screen printing method or the like and then firing it. Therefore, the thick-film type thermal head can be manufactured at a low cost by a relatively short manufacturing process, but has a drawback that the resistance value of the heating resistor varies greatly. Since the variation in the resistance value of the heating resistor directly affects the quality of printing or the like, it is an extremely important factor to make the resistance value of the heating resistor uniform in the manufacture of the thick film type thermal head. . To make the resistance values of the heating resistors uniform, there is a trimming process utilizing the phenomenon that the resistance value decreases when a relatively high voltage pulse is individually applied to each heating resistor after the heating resistors are formed. .
第4図は例えば特開昭61−83053号公報に示され
た従来のサーマルヘッドの製造方法を示すフローチャー
トである。図において、ST1は初期設定のステップ、
ST2は前記ステップST1に続くプローバ及びスイッ
チングのステップ、ST3は前記スタップST2に続く
電圧パルス印加のステップ、ST4は前記ステップST
3に続く抵抗値測定のステップ、ST5は前記ステップ
ST4に続く前回データとの比較のステップ、ST6は
前記ステップST5に続く抵抗値減少検出のステップ、
ST7は前記ステップST6に続くトリミングの全ドッ
ト終了検出のステップ、ST8は前記ステップST5よ
り分岐したリプローブのステップ、ST9は前記ステッ
プST6より分岐した電圧パルスの電圧調整のステップ
であり、前記ステップST7の分岐からはステップST
2へ、ステップST8からはステップST4へ、ステッ
プST9からはステップST3へ、それぞれ処理が戻さ
れる。FIG. 4 is a flow chart showing a conventional method of manufacturing a thermal head disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-83053. In the figure, ST1 is an initial setting step,
ST2 is a step of prober and switching following the step ST1, ST3 is a step of applying a voltage pulse following the stap ST2, and ST4 is the step ST.
3 is a resistance value measuring step, ST5 is a step of comparing with previous data following step ST4, ST6 is a step of detecting a resistance value decreasing following step ST5,
ST7 is a step of detecting the end of all dots of trimming following step ST6, ST8 is a step of reprobing branched from step ST5, ST9 is a step of voltage adjustment of the voltage pulse branched from step ST6, and step ST7 Step ST from branch
The processing is returned to step 2, from step ST8 to step ST4, and from step ST9 to step ST3.
次に動作について説明する。まず、ステップST1にお
いて、トリミングする発熱抵抗体に加える電圧パルスの
初期値、トリミングの目標値等の初期条件が設定され
る。次に、ステップST2において、サーマルヘッドに
プロービングし、トリミングするドットを選択してその
発熱抵抗体を電圧パルス発生手段に接続し、ステップS
T3で前記ステップ1で設定された初期値の電圧パルス
を印加する。次にステップST4でその発熱抵抗体の抵
抗値を測定し、ステップST5において抵抗値が減少し
たか否かを識別し、していなければプローブの接触不良
とみなしてステップST8にてプロービングをやり直
し、ステップST4に戻つて再度抵抗値の測定を行な
う。抵抗値が減少していればステップST6にてステッ
プST1で設定されたトリミングの目標値と比較し、目
標値より小さくなつていなければ、ステップST9にて
電圧パルスの電圧値をΔVだけ上昇させてステップST
3に戻り、電圧パルスの再印加を行なう。この処理はそ
の発熱抵抗体の抵抗値が前記目標値より小さくなるまで
繰返され、目標値より小さくなればそのドットの発熱抵
抗体のトリミングを終了してステップST7へ移る。ス
テップST7では全ドットのトリミングが終了したか否
かを識別しており、全ドットのトリミングが終了してい
なければ処理をステップST2へ戻す。ステップST2
では新たなドットが選択されてその発熱抵抗体が電圧パ
ルス発生手段に接続され、同様の処理が全ドットのトリ
ミング終了まで繰返される。Next, the operation will be described. First, in step ST1, initial conditions such as an initial value of a voltage pulse applied to a heating resistor to be trimmed and a trimming target value are set. Next, in step ST2, the thermal head is probed, the dot to be trimmed is selected, and the heating resistor is connected to the voltage pulse generating means.
At T3, the voltage pulse having the initial value set in step 1 is applied. Next, in step ST4, the resistance value of the heating resistor is measured, and in step ST5, it is discriminated whether or not the resistance value has decreased. If not, it is considered that the probe has poor contact, and probing is repeated in step ST8. After returning to step ST4, the resistance value is measured again. If the resistance value has decreased, it is compared with the target value for trimming set in step ST1 in step ST6. If it is not smaller than the target value, the voltage value of the voltage pulse is increased by ΔV in step ST9. Step ST
Returning to step 3, the voltage pulse is reapplied. This process is repeated until the resistance value of the heating resistor becomes smaller than the target value, and when it becomes smaller than the target value, trimming of the heating resistor of the dot is completed and the process proceeds to step ST7. In step ST7, it is identified whether or not trimming of all dots has been completed. If trimming of all dots has not been completed, the process returns to step ST2. Step ST2
Then, a new dot is selected, the heating resistor is connected to the voltage pulse generating means, and the same processing is repeated until the trimming of all dots is completed.
第5図はこの発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す線図であ
り、トリミング前にはR1,R2,R3と大きくばらついていた
抵抗値が、目標値R0よりわずかに低い、狭い範囲内に均
一化される。図においてVsは前記電圧パルスの初期値で
あり、電圧パルスの印加によって発熱抵抗体の抵抗値が
減少をはじめる境界電圧が通常25V近傍にあるため例
えば25Vに設定されている。また、ΔVはステップS
T9による電圧パルスの電圧値の増し分であり、発熱抵
抗体の抵抗値が減少し過ぎないように例えば2.5Vに
設定して除々に抵抗値を減少させている。FIG. 5 is a diagram showing a decrease in the resistance value of the heating resistor. The resistance value which was largely varied with R 1 , R 2 and R 3 before trimming is slightly lower than the target value R 0 , It is homogenized within a narrow range. In the figure, V s is the initial value of the voltage pulse, and is set to, for example, 25 V because the boundary voltage at which the resistance value of the heating resistor begins to decrease due to the application of the voltage pulse is usually around 25 V. Also, ΔV is the step S
This is an increase in the voltage value of the voltage pulse due to T9, and is set to, for example, 2.5 V so that the resistance value of the heating resistor does not decrease too much, and the resistance value is gradually decreased.
従来のサーマルヘッド製造方法は以上のように構成され
ているので、1ドットの発熱抵抗体のトリミングには2
0〜30回の電圧パルスの印加、及び抵抗値の測定をし
なければならず、発熱抵抗体の抵抗値の均一化には多大
な時間を要するという問題点があつた。Since the conventional method of manufacturing a thermal head is configured as described above, it takes two steps to trim a 1-dot heating resistor.
The voltage pulse must be applied 0 to 30 times and the resistance value must be measured, which requires a great deal of time to equalize the resistance value of the heating resistor.
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、発熱抵抗体の抵抗値の均一化に多大の時間を
必要とすることのないサーマルヘッドの製造方法を得る
ことを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to obtain a method of manufacturing a thermal head that does not require a great deal of time to equalize the resistance values of the heating resistors. To do.
この発明に係るサーマルヘッドの製造方法は、サーマル
ヘッドの発熱抵抗体の初期の抵抗値の平均及びその標準
偏差を測定するとともに、ドット中よりいくつかのサン
プルを選定してそれに電圧値の異なるいくつかの電圧パ
ルスを低いものから順に印加し、その都度発熱抵抗体の
抵抗変化を測定して抵抗値降下曲線を近似し、各ドット
のトリミングに際しては、まずその発熱抵抗体の抵抗値
を測定して、それが前記平均値と標準偏差とで与えられ
る所定の範囲内にあるか否かを識別し、さらに、必要な
抵抗値の降下量から前記抵抗値降下曲線に基づいて印加
する電圧パルスの電圧値を決定するものである。The method of manufacturing a thermal head according to the present invention measures the average initial resistance value of the heating resistor of the thermal head and its standard deviation, and selects some samples from the dots and determines the number of different voltage values. These voltage pulses are applied in order from the lowest one, and the resistance change curve of each heating resistor is measured each time to approximate the resistance drop curve.When trimming each dot, first measure the resistance value of that heating resistor. Then, it discriminates whether or not it is within a predetermined range given by the average value and the standard deviation, and further, based on the resistance drop curve, the voltage pulse to be applied based on the resistance drop curve from the required resistance drop amount. It determines the voltage value.
この発明におけるサーマルヘッドの製造方法は、当該サ
ーマルヘッド内のサンプルドットの測定によって抵抗値
降下曲線を近似し、トリミングに際してこの抵抗値降下
曲線を用いて、測定したそのドットの発熱抵抗体の抵抗
値より印加する電圧パルスの電圧値を決定して、1回の
電圧パルスの印加で発熱抵抗体の抵抗値を目標値に近い
ものとするとともに、当該発熱抵抗体の初期の抵抗値が
所定の範囲内にあるか否かを識別してプローブの接触状
態を判断し、プローブの接触ミス等による誤トリミング
を防止する。The method of manufacturing a thermal head according to the present invention approximates a resistance drop curve by measuring sample dots in the thermal head, and uses this resistance drop curve during trimming to measure the resistance value of the heating resistor of the dot. The voltage value of the voltage pulse to be applied is determined so that the resistance value of the heating resistor is close to the target value with one application of the voltage pulse, and the initial resistance value of the heating resistor is within the predetermined range. Whether the probe is in contact or not is determined by determining whether or not the probe is inside, and erroneous trimming due to probe contact error or the like is prevented.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、ST11は初期設定のステップ、ST12
は前記ステップST11に続く平均値、標準偏差測定の
ステップ、ST13は前記ステップST12に続くサン
プルの抵抗変化測定のステップ、ST14は前記ステッ
プST13に続く抵抗値降下曲線近似のステップ、ST
15は前記ステップST14に続く抵抗値測定のステッ
プ、ST17は前記ステップST16に続く印加電圧決
定のステップ、ST18は前記ステップST17に続く
電圧パルス印加のステップ、ST19は前記ステップS
T18に続くトリミングの全ドット終了検出のステッ
プ、ST20は前記ステップST16より分岐したプロ
ーブのステップであり、前記ステップST19の分岐か
らはステップST15へ、ステップST20からもステ
ップST15へそれぞれ処理が戻される。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First
In the figure, ST11 is an initial setting step, ST12
Is an average value following step ST11, a standard deviation measurement step, ST13 is a sample resistance change measurement step following step ST12, ST14 is a resistance drop curve approximation step following step ST13, and ST
Reference numeral 15 is a step of measuring a resistance value following the step ST14, ST17 is a step of determining an applied voltage following the step ST16, ST18 is a step of applying a voltage pulse following the step ST17, and ST19 is a step of the step S.
The step of detecting the end of all dots of trimming following T18, ST20 is the step of the probe branched from step ST16, and the process is returned from step ST19 to step ST15 and from step ST20 to step ST15.
第2図はこの発明のサーマルヘッドの製造方法を実施す
る装置の一例を示すブロック図であり、図において、1
はトリミング処理が行なわれるサーマルヘッド、2はこ
のサーマルヘッド1の各発熱抵抗体の端子にプローブを
押し当てるプロービング装置、3はプロービング装置2
に接続されて前記発熱抵抗体の選択を行なうリレー網、
4はリレー網3に接続されて電圧パルスの印加と抵抗値
の測定とを切り換えるスイッチ、5はスイッチ4の一方
に接続されて指定された電圧値の電圧パルスを送出する
パルス発生器、6はスイッチ4の他方に接続された抵抗
計、7は入出力部8、中央処理装置(以下、CPUとい
う)9、メモリ10、キーボード11等を備えて、前記
諸装置の制御を行なうとともに所要の演算処理を行なう
制御演算部、12はこの制御演算部7に接続されたプリ
ンタである。FIG. 2 is a block diagram showing an example of an apparatus for carrying out the method for manufacturing a thermal head according to the present invention.
Is a thermal head on which a trimming process is performed, 2 is a probing device for pressing a probe against the terminals of each heating resistor of the thermal head 1, and 3 is a probing device 2.
A relay network which is connected to and selects the heating resistor,
A switch 4 is connected to the relay network 3 to switch between application of a voltage pulse and measurement of a resistance value. Reference numeral 5 is a pulse generator connected to one of the switches 4 for sending a voltage pulse of a designated voltage value. An ohmmeter connected to the other side of the switch 4, an input / output unit 8, a central processing unit (hereinafter referred to as a CPU) 9, a memory 10, a keyboard 11 and the like are provided to control the above-mentioned devices and perform required arithmetic operations. A control calculation unit 12 for performing processing is a printer connected to the control calculation unit 7.
次に動作について説明する。第3図は前記抵抗値降下曲
線の一例を示す線図であり、図中の実線Yがその抵抗値
降下曲線で、縦軸には電圧パルスによる印加電圧値が、
縦軸には電圧パルス印加による発熱抵抗体の抵抗変化率
が目盛られている。実験の結果、第5図の縦軸を抵抗変
化率にして、初期の抵抗値から何%降下したかをプロッ
トすると、第3図に破線で示す如く、初期の抵抗値には
関係なくほぼ一定の曲線Y上をたどり、その曲線Yは
(1)式で近似できることがわかった。Next, the operation will be described. FIG. 3 is a diagram showing an example of the resistance drop curve, in which the solid line Y is the resistance drop curve, and the vertical axis shows the applied voltage value by the voltage pulse.
The vertical axis shows the resistance change rate of the heating resistor due to the voltage pulse application. As a result of the experiment, when the vertical axis of FIG. 5 is taken as the resistance change rate and the% drop from the initial resistance value is plotted, as shown by the broken line in FIG. 3, it is almost constant regardless of the initial resistance value. Follow the curve Y of
It was found that it can be approximated by Eq. (1).
なお、(1)式中、R0は発熱抵抗体の初期の抵抗値、V0は
抵抗値に変化が現われはじめる印加電圧の境界値、ΔV
は印加電圧の変化ステップ、α,βはサーマルヘッドの
構造、ドット密度等で決まる定数である。 In equation (1), R 0 is the initial resistance value of the heating resistor, V 0 is the boundary value of the applied voltage at which the resistance value begins to change, and ΔV
Is the step of changing the applied voltage, and α and β are constants determined by the thermal head structure, dot density, and the like.
また、別の実験の結果、所定の電圧値の電圧パルスを1
回だけ印加した場合の抵抗減少率は、第3図の如く電圧
値を暫増させながら何回も電圧パルスを印加した場合の
同一電圧値のそれと同等の値を示すこともわかった。こ
の発明はこれらの実験結果に基づくものである。In addition, as a result of another experiment, a voltage pulse of a predetermined voltage value is set to 1
It was also found that the resistance reduction rate when applied only once showed the same value as that of the same voltage value when the voltage pulse was applied many times while temporarily increasing the voltage value as shown in FIG. The present invention is based on the results of these experiments.
この実施例では、まず、ステップ11で初期設定が行な
われ、次いでステップ12で平均値と標準偏差σの測
定が行なわれる。即ち、スイッチ4の切り換えによって
リレー網3に抵抗計6が接続され、そのリレー網3の制
御によってサーマルベッド1の各ドットの発熱抵抗体が
逐次抵抗計6に接続されてその初期の抵抗値が計測さ
れ、その計測値が制御演算部7に送られそのメモリ10
内にストアされる。CPU9はこのメモリ10内にスト
アされた計測値より、(2)式及び(3)式によってその平均
値、及び標準偏差σを算出する。In this embodiment, first, in step 11, initialization is performed, and then in step 12, the average value and the standard deviation σ are measured. That is, the resistance meter 6 is connected to the relay network 3 by switching the switch 4, and the heating resistor of each dot of the thermal bed 1 is sequentially connected to the resistance meter 6 by the control of the relay network 3 and its initial resistance value is changed. It is measured, and the measured value is sent to the control arithmetic unit 7 and the memory 10
Stored in. The CPU 9 calculates the average value and the standard deviation σ of the measured values stored in the memory 10 according to the equations (2) and (3).
なお、(2),(3)式中、Riはi番中のドットの発熱抵抗
体の初期の抵抗値、nはサーマルヘッド1のドット数で
ある。 In the equations (2) and (3), Ri is the initial resistance value of the heating resistor of the dot number i, and n is the number of dots of the thermal head 1.
これに引き続き、ステップST13にてサンプルの抵抗
変化測定が行なわれる。即ち、リレー網3を制御してサ
ーマルヘッド1のサンプルとして指定されたドットの発
熱抵抗体を選択し、スイッチ4を介してこれを抵抗計6
へ接続して抵抗値を測定し、その測定値を制御演算部7
へ送り、制御演算部7のCPU9はこれをメモリ10へ
格納する。次にスイッチ4を切り換えてパルス発生器5
より所定の電圧値の電圧パルスを前記発熱抵抗体に印加
する。ここで、この電圧パルスは例えば幅が2μsecの
パルスが15個周期50μsecで連続するパルス列であ
る。次に、再度スイッチ4を切り換えて、この電圧パル
スが印加された発熱抵抗体を抵抗計6に接続して抵抗値
を測定し、制御演算部7へ送る。制御演算部7のCPU
9はそれを印加した電圧パルスの電圧値とともにメモリ
10に格納する。以下、同様にして、電圧パルスの電圧
値を適宜上昇させながらこれらの処理を繰返す。この処
理は少くとも3回繰返して実行され、リレー網3を切り
換えていくつかのサンプルについて実行される。Subsequent to this, the resistance change measurement of the sample is performed in step ST13. That is, the relay network 3 is controlled to select the heating resistor of the dot designated as the sample of the thermal head 1, and this is selected via the switch 4 for the resistance meter 6
And the resistance value is measured, and the measured value is controlled by the calculation unit 7
Then, the CPU 9 of the control calculation unit 7 stores it in the memory 10. Next, switch the switch 4 to change the pulse generator 5
A voltage pulse having a predetermined voltage value is applied to the heating resistor. Here, this voltage pulse is, for example, a pulse train in which 15 pulses having a width of 2 μsec are continuous with a period of 50 μsec. Next, the switch 4 is switched again, the heating resistor to which the voltage pulse is applied is connected to the resistance meter 6, the resistance value is measured, and the measured value is sent to the control calculation unit 7. CPU of control calculation unit 7
9 stores it in the memory 10 together with the voltage value of the applied voltage pulse. Thereafter, similarly, these processes are repeated while appropriately increasing the voltage value of the voltage pulse. This process is repeated at least three times, switching the relay network 3 and executing for some samples.
次に、ステップST14において、このようにして測定
された抵抗変化に基づく抵抗値降下曲線の近似が行なわ
れる。即ち、制御演算部7のCPU9はメモリ10に格
納しておいた抵抗変化から、電圧パルスによる各印加電
圧における抵抗変化率ΔR=(R-R0/R0を求め、これを前
記(1)式に代入する。これによって各サンプル毎にそれ
ぞれα,β,V0を未知数とする方程式を作成してこれを
解く。ここで、三つの未知数に対して四つ以上の方程式
がある場合にはこれを統計的に処理して解を得る。得ら
れた解はさらに各サンプル間で統計的に処理され、得ら
れた定数α,β、境界電圧値V0が(1)式に代入されて、
抵抗変化率ΔRと印加電圧Vとの関係を示す抵抗値降下
曲線が近似される。Next, in step ST14, the approximation of the resistance drop curve based on the resistance change thus measured is performed. That is, the CPU 9 of the control calculation unit 7 obtains the resistance change rate ΔR = (RR 0 / R 0 at each applied voltage due to the voltage pulse from the resistance change stored in the memory 10, and this is expressed by the equation (1). This creates an equation with unknowns α, β, and V 0 for each sample and solves it, where if there are four or more equations for three unknowns, The solution is statistically processed to obtain a solution. The obtained solution is further statistically processed between each sample, and the obtained constants α and β and the boundary voltage value V 0 are substituted into the equation (1),
A resistance value drop curve showing the relationship between the resistance change rate ΔR and the applied voltage V is approximated.
これで準備段階を終了してステップST15よりトリミ
ングの処理に入る。まず、ステップST15において、
リレー網3でトリミングを実施するドットを選択し、ス
イッチによってこれを抵抗計6に接続してその抵抗値R
を測定する。次にステップST16においてその抵抗値
Rが例えば平均値の±2σの範囲に入っているか否か
を識別して、プロービング装置2によるプローブの接触
状態を判断する。即ち、抵抗値がR+2σの上限値を越
えた場合にはプローブの接触不良と判断し、−2σの
下限値を越えた場合にはプローブによって隣接するパタ
ーン間が短絡されたものと判断し、ステップST20に
てプロービングをやり直し、ステップST15に戻つて
再度抵抗値Rの測定を行なう。抵抗値Rが±2σの範
囲に入っていれば処理をステップST17に移す。This completes the preparatory stage and starts the trimming process from step ST15. First, in step ST15,
Select a dot to be trimmed with the relay network 3, connect it to the ohmmeter 6 with a switch, and set its resistance value R
To measure. Next, in step ST16, it is determined whether or not the resistance value R is within the range of ± 2σ of the average value, and the contact state of the probe by the probing device 2 is determined. That is, when the resistance value exceeds the upper limit value of R + 2σ, it is determined that the probe has a poor contact, and when it exceeds the lower limit value of −2σ, it is determined that the probe short-circuits the adjacent patterns. Probing is performed again in ST20, and the process returns to step ST15 to measure the resistance value R again. If the resistance value R is within the range of ± 2σ, the process proceeds to step ST17.
ステップST17では、当該抵抗値Rを目標値まで降下
させる場合の抵抗変化率ΔRがCPU9によって算出さ
れ、さらに前述の抵抗値降下曲線Yを用いて電圧パルス
の印加電圧Vnを決定される。その様子は第3図に示さ
れ、具体的には前記α,β,V0が代入された関係式に前
記ΔRnを代入して印加電圧Vnを算出する。得られた
印加電圧Vnは制御演算部7よりパルス発生器5へ送ら
れる。ステップST18でスイッチ4が切り換えられる
と、パルス発生器5からは電圧がVnの電圧パルスが送
出され、トリミングを実施するドットの発熱抵抗体に印
加される。これによって当該発熱抵抗体の抵抗値は目標
値に近い値に降下する。以下ステップST19が全ドッ
トのトリミングの終了を検出するまで、ステップST1
5以後の処理が繰返される。In step ST17, the resistance change rate ΔR when the resistance value R is lowered to the target value is calculated by the CPU 9, and the applied voltage Vn of the voltage pulse is determined using the resistance value decrease curve Y described above. The state is shown in FIG. 3, and specifically, the applied voltage Vn is calculated by substituting the ΔRn into the relational expression in which the α, β and V 0 are substituted. The obtained applied voltage Vn is sent from the control calculation unit 7 to the pulse generator 5. When the switch 4 is switched in step ST18, a voltage pulse having a voltage of Vn is sent from the pulse generator 5 and applied to the heating resistors of the dots to be trimmed. As a result, the resistance value of the heating resistor drops to a value close to the target value. Thereafter, until step ST19 detects the end of trimming of all dots, step ST1
The processes after 5 are repeated.
なお、上記実施例では平均値Rと標準偏差σを得るた
めにサーマルヘッド1の全ドットの発熱抵抗体の抵抗の
初期値を測定するものについて示したが、適宜サンプル
ドットを選定してその初期の抵抗値より平均値及び標
準偏差σを求めるようにしてもよく、この平均値及び
標準偏差σ得るための測定を抵抗値降下曲線を近似する
際の測定と同時に行なっても、また、抵抗値降下曲線の
近似のための測定データをそのままこの平均値R、標準
偏差σ算出のためのデータとして利用してもよい。In the above embodiment, the initial values of the resistances of the heating resistors of all the dots of the thermal head 1 are measured to obtain the average value R and the standard deviation σ. The average value and standard deviation σ may be obtained from the resistance value of, and the measurement for obtaining the average value and standard deviation σ may be performed simultaneously with the measurement when approximating the resistance drop curve. The measurement data for approximating the descent curve may be used as it is as the data for calculating the average value R and the standard deviation σ.
さらに、上記実施例では抵抗降下曲線を近似に、1つの
サンプルに対して3回以上の電圧パルス印加を行なうも
のについて示したが、抵抗値に変化が現われはじめる印
加電圧の境界値V0を25Vとして固定的に与えてしまえ
ば、2回の電圧パルス印加で抵抗値降下曲線を近似する
ことも可能となる。Further, in the above embodiment, the resistance drop curve is approximated to the case where the voltage pulse is applied three times or more to one sample, but the boundary value V 0 of the applied voltage at which the resistance value starts to change is 25 V. If fixedly applied, the resistance drop curve can be approximated by applying the voltage pulse twice.
また、上記実施例では電圧パルスに所定数連続したパル
ス列を用いたが単パルスであってもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。Further, in the above-mentioned embodiment, the pulse train in which the predetermined number is continuous is used for the voltage pulse, but a single pulse may be used, and the same effect as that in the above-mentioned embodiment is obtained.
以上のように、この発明によれば、少ないサンプルの抵
抗変化を測定して抵抗値降下曲線を近似し、トリミング
に際しては、そのドットの発熱抵抗体の抵抗値を測定し
て、前記抵抗値降下曲線を用いて電圧パルスの電圧値を
決定するように構成したので、各ドット毎に1回の電圧
パルスの印加によってトリミングが完了するため、発熱
抵抗体の抵抗値の均一化に要する時間を大幅に削減する
ことができ、さらに、トリミングに際して、発熱抵抗体
の初期の抵抗値が所定の範囲内に入っているか否かを識
別してプローブの接触状態を判断しているため、プロー
ブの接触不良によって初期抵抗の測定値が過大に現われ
た場合の過剰トリミングあるいは発熱抵抗体の破壊、及
びプローブによるパターン間シヨートによつて初期抵抗
の測定値が過小に現われた場合のトリミング不足、ある
いは未トリミングが防止できるなどの効果がある。As described above, according to the present invention, the resistance change curve of a small number of samples is measured to approximate the resistance drop curve, and at the time of trimming, the resistance value of the heating resistor of the dot is measured to reduce the resistance drop. Since the voltage value of the voltage pulse is determined using a curve, trimming is completed by applying the voltage pulse once for each dot, so the time required to equalize the resistance value of the heating resistor is greatly increased. In addition, when trimming, the contact state of the probe is judged by identifying whether or not the initial resistance value of the heating resistor is within the predetermined range. When the measured initial resistance value is excessive, the trimmed resistance or the heating resistor is destroyed, and the measured pattern of the initial resistance causes the measured initial resistance value to be too small. Such an effect trimming insufficient when we, or non-crop can be prevented.
第1図はこの発明の一実施例によるサーマルヘッドの製
造方法を示すフローチャート、第2図はそれを実施する
ための装置の一例を示すブロック図、第3図はその抵抗
値降下曲線の一例を示す線図、第4図は従来のサーマル
ヘッドの製造方法を示すフローチャート、第5図はその
発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す線図である。 1はサーマルヘッド、2はプロービング装置、3はリレ
ー網、4はスイッチ、5はパルス発生器、6は抵抗計、
7は制御演算部。FIG. 1 is a flow chart showing a method of manufacturing a thermal head according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing an example of an apparatus for carrying out the method, and FIG. 3 is an example of a resistance drop curve. FIG. 4 is a flow chart showing a conventional method of manufacturing a thermal head, and FIG. 5 is a diagram showing decrease in resistance value of the heating resistor. 1 is a thermal head, 2 is a probing device, 3 is a relay network, 4 is a switch, 5 is a pulse generator, 6 is an ohmmeter,
7 is a control calculation unit.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾崎 裕 兵庫県尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三 菱電機株式会社通信機製作所内 (72)発明者 高瀬 弥平 兵庫県尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三 菱電機株式会社通信機製作所内 (56)参考文献 特開 昭61−131404(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yu Ozaki 8-1-1 Tsukaguchi Honcho, Amagasaki City, Hyogo Prefecture Sanryo Electric Co., Ltd. Communication Machinery Works (72) Inventor Yahei Takase 8-chome, Tsukaguchi Honcho, Amagasaki City, Hyogo Prefecture No. 1-1 Sanryo Electric Co., Ltd. Communication Equipment Factory (56) Reference JP-A-61-131404 (JP, A)
Claims (1)
ルヘッドの前記ドットの発熱抵抗体の各々に電圧パルス
を印加し、そのドットの発熱抵抗体の抵抗値を降下させ
て均一化するサーマルヘッドの製造方法において、前記
ドットの発熱抵抗体の初期の抵抗値の平均値および標準
偏差を測定するとともに、前記ドットの発熱抵抗体中か
らサンプルドットを選び、電圧値の異なる電圧パルスを
低圧のものから順次、前記サンプルドットとして選ばれ
た発熱抵抗体に印加して、印加電圧と抵抗値変化の関係
を示す抵抗値降下曲線を近似し、前記ドットの発熱抵抗
体の各々に前記電圧パルスを印加するに際して、当該ド
ットの発熱抵抗体の初期の抵抗値が前記平均値と標準偏
差とで与えられる所定の範囲に入つていることを識別し
てプローブの接触状態を判断するとともに、当該初期の
抵抗値に基づいて前記抵抗値降下曲線より前記印加する
電圧パルスの電圧値を決定することを特徴とするサーマ
ルヘッドの製造方法。1. A thermal head for applying a voltage pulse to each of the dot heating resistors of a thermal head having a plurality of dot heating resistors to lower and equalize the resistance value of the dot heating resistors. In the manufacturing method of the head, while measuring the average value and the standard deviation of the initial resistance value of the heating resistor of the dot, select the sample dot from the heating resistor of the dot, the voltage pulse of different voltage values of low voltage Sequentially from the one applied to the heating resistor selected as the sample dot, the resistance value drop curve showing the relationship between the applied voltage and the resistance value is approximated, and the voltage pulse is applied to each of the heating resistors of the dot. When applying, it is identified that the initial resistance value of the heating resistor of the dot is within the predetermined range given by the average value and the standard deviation, and the probe contact is made. With determining condition, manufacturing method for a thermal head and determines a voltage value of the voltage pulse to the application than the resistance value drops curve based on the resistance value of the initial.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20400386A JPH068055B2 (en) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | Method of manufacturing thermal head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20400386A JPH068055B2 (en) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | Method of manufacturing thermal head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6359550A JPS6359550A (en) | 1988-03-15 |
| JPH068055B2 true JPH068055B2 (en) | 1994-02-02 |
Family
ID=16483164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20400386A Expired - Lifetime JPH068055B2 (en) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | Method of manufacturing thermal head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068055B2 (en) |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20400386A patent/JPH068055B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6359550A (en) | 1988-03-15 |
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