JPH0727890B2 - Dry etching method - Google Patents
Dry etching methodInfo
- Publication number
- JPH0727890B2 JPH0727890B2 JP61221092A JP22109286A JPH0727890B2 JP H0727890 B2 JPH0727890 B2 JP H0727890B2 JP 61221092 A JP61221092 A JP 61221092A JP 22109286 A JP22109286 A JP 22109286A JP H0727890 B2 JPH0727890 B2 JP H0727890B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- aluminum
- photoresist
- dry etching
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アルミニウムあるいは、アルミニウ合金膜の
エッチングに関し、特に、エッチングマスクとなるフォ
トレジストのパターン面積が、半導体基板上の20％以下
の場合に異方性エッチングを行うことのできるドライエ
ッチング方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to etching of aluminum or an aluminum alloy film, and particularly when the pattern area of a photoresist serving as an etching mask is 20% or less on a semiconductor substrate. The present invention relates to a dry etching method capable of anisotropically etching.
従来、アルミニウムあるいは、アルミニウム合金膜の異
方性エッチングは、BCl3,CCl4ガスにCl2を添加して行っ
ていた。Conventionally, anisotropic etching of an aluminum or aluminum alloy film has been performed by adding Cl 2 to BCl 3 and CCl 4 gases.
また、マスクとなるフォトレジストのパターン面積も20
％より多いものがほとんどであった。In addition, the pattern area of the mask photoresist is 20
Most were more than%.
上述した従来のフォトレジストのパターン面積が20％以
上のアルミニウムあるいはアルミニウム合金膜のエッチ
ングにおいて用いていたBCl3,CCl4を中心とし、Cl2など
を添加したガス系を用いて、フォトレジストのパターン
面積が20％以下のアルミニウムあるいはアルミニウム合
金膜の異方性エッチングを行おうとしても、フォトレジ
ストのパターンが少ないのでサイドエッチングを抑制す
作用を持つ側壁付着物が少なくなり、サイドエッチング
が進み、等方性エッチングになってしまうという欠点が
あった。The photoresist pattern is formed by using a gas system containing BCl 3 and CCl 4 as the center, which is used in the etching of aluminum or aluminum alloy film having the above-mentioned conventional photoresist pattern area of 20% or more, and adding Cl 2 or the like. Even if an anisotropic etching of aluminum or aluminum alloy film with an area of 20% or less is attempted, since the photoresist pattern is small, side wall deposits that have the effect of suppressing side etching are reduced, and side etching proceeds. There is a drawback that it becomes anisotropic etching.
上述した従来のエッチングガス系に対して、本発明は、
マスクとなるフォトレジストのパターン面積が20％以下
の場合にSiCl4ガスを添加するという独創的内容を有す
る。In contrast to the conventional etching gas system described above, the present invention is
It has an original content of adding SiCl 4 gas when the pattern area of the mask photoresist is 20% or less.
本発明のドライエッチング方法は、BCl3,CCl4あるいはC
l2ガスにSiCl4ガスを添加することを特徴とし、これに
より従来のガス系に比べ、マスクとなるフォトレジスト
の面積が20％以下の場合のアルミニウムあるいはアルミ
ニウム合金のエッチングにおいて、サイドエッチングを
抑制し、異方性エッチングを行うことができる。The dry etching method of the present invention uses BCl 3 , CCl 4 or C
The feature is that SiCl 4 gas is added to l 2 gas, which suppresses side etching when etching aluminum or aluminum alloy when the area of the photoresist as a mask is 20% or less compared to the conventional gas system. However, anisotropic etching can be performed.
次に、本発明について図面を参照にして説明する。 Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は、本発明の一実施例の縦断面図である。（ａ）
は、半導体基板上に、4molPSG2を１μｍ成長し、（ｂ）
で１μｍ厚のAl−Si（１％）合金３をスパッタ法により
成長した。（ｃ）で、フェノール樹脂系ポジ型フォトレ
ジストをパターニングする。このときの、フォトレジス
トパターン４の面積は20％以下である。（ｄ）でフォト
レジストパターン４をマスクに、BCl3＋Cl2ガスにSiCl4
ガスを100sccm程添加した混合ガス５によりAl合金３を
エッチングする。この時、SiCl4は、フォトレジストのA
l合金３への側壁付着を増大させる作用があるので、パ
ターン面積が20％以下の場合、フォトレジストの量が少
なくても、十分な側壁付着をAl合金３に付着させること
ができる。その結果、Al合金３がサイドエッチングされ
るのを抑制できるので、異方性エッチングを行うことが
できる。尚、このSiCl4は、上述したように側壁付着を
増大させる作用があるので、異方性エッチングが十分得
られているフォトレジストの面積比が20％より多いとき
に添加すると、側壁付着が必要以上に増大し、エッチン
グ自体ができにくくなるので好ましくない。FIG. 1 is a vertical sectional view of an embodiment of the present invention. (A)
Grows 4molPSG2 1μm on semiconductor substrate, (b)
1 μm thick Al—Si (1%) alloy 3 was grown by sputtering. In (c), the phenol resin-based positive photoresist is patterned. At this time, the area of the photoresist pattern 4 is 20% or less. In (d), with the photoresist pattern 4 as a mask, BCl 3 + Cl 2 gas is used to obtain SiCl 4
The Al alloy 3 is etched by the mixed gas 5 to which a gas of about 100 sccm is added. At this time, SiCl 4 is
Since it has the effect of increasing the sidewall adhesion to the alloy 3, the sufficient sidewall adhesion to the Al alloy 3 can be achieved even if the amount of photoresist is small when the pattern area is 20% or less. As a result, side etching of the Al alloy 3 can be suppressed, and anisotropic etching can be performed. Since SiCl 4 has the effect of increasing the side wall adhesion as described above, it is necessary to add the side wall adhesion when it is added when the area ratio of the photoresist with sufficient anisotropic etching is more than 20%. It is not preferable because it increases more than the above and etching becomes difficult.
以上説明したように本発明は、BCl3,CCl4とCl2の混合ガ
スに、SiCl4ガスを添加することにより、エッチングの
マスクとなるフォトレジストのパターン面積が20％以下
でもサイドエッチングのない異方性エッチングできると
いう効果がある。As described above, according to the present invention, by adding SiCl 4 gas to a mixed gas of BCl 3 , CCl 4 and Cl 2 , there is no side etching even if the pattern area of the photoresist serving as an etching mask is 20% or less. There is an effect that anisotropic etching can be performed.
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の工程を示す縦断面図
である。 １……半導体基板、２……PSG膜、３……Al−Si（１
％）合金膜、４……ポジ型フォトレジスト、５……BCl3
＋Cl2＋SiCl4ガス、６……再付着物。1A to 1D are vertical cross-sectional views showing the steps of the present invention. 1 ... Semiconductor substrate, 2 ... PSG film, 3 ... Al-Si (1
%) Alloy film, 4 …… Positive photoresist, 5 …… BCl 3
+ Cl 2 + SiCl 4 gas, 6 …… Reattachment.
Claims (1)
あるいはアルミニウムとSi,Ti,Cuなどとの合金膜を、半
導体基板上に面積比で20％以下しか存在しないフォトレ
ジストパターンをマスクに、該アルミニウムあるいはア
ルミニウム合金膜をドライエッチングする際、エッチン
グガスとして、SiCl4を添加することを特徴とするドラ
イエッチング方法。1. Aluminum grown on a semiconductor substrate,
Alternatively, an alloy film of aluminum and Si, Ti, Cu, or the like is used as an etching gas when dry etching the aluminum or aluminum alloy film using a photoresist pattern whose area ratio is 20% or less on the semiconductor substrate as a mask. , A dry etching method characterized by adding SiCl 4 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221092A JPH0727890B2 (en) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | Dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221092A JPH0727890B2 (en) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | Dry etching method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376437A JPS6376437A (en) | 1988-04-06 |
| JPH0727890B2 true JPH0727890B2 (en) | 1995-03-29 |
Family
ID=16761364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221092A Expired - Lifetime JPH0727890B2 (en) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | Dry etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727890B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034092A (en) * | 1990-10-09 | 1991-07-23 | Motorola, Inc. | Plasma etching of semiconductor substrates |
| DE10237249B4 (en) | 2002-08-14 | 2014-12-18 | Excelitas Technologies Singapore Pte Ltd | Method for the selective removal of material from the surface of a substrate |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2087315B (en) * | 1980-10-14 | 1984-07-18 | Branson Int Plasma | Plasma etching of aluminum |
| JPH061770B2 (en) * | 1984-01-30 | 1994-01-05 | 株式会社日立製作所 | Dry etching method |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61221092A patent/JPH0727890B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6376437A (en) | 1988-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1235264A3 (en) | Direct etch for thin film resistor using a hard mask | |
| JPH0612767B2 (en) | Groove and etching method thereof | |
| JPH0727890B2 (en) | Dry etching method | |
| KR960015762A (en) | Plasma Etching Method | |
| JPH07307333A (en) | Pattern formation method | |
| JPH0336302B2 (en) | ||
| JPS59141222A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0680189B2 (en) | Dry etching method | |
| JP2815860B2 (en) | Electrode formation method | |
| JP3482069B2 (en) | Organic film etching method | |
| JPH07321091A (en) | Etching and wiring forming method | |
| JPS62120051A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS63136548A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP2559768B2 (en) | Tapered etching method for chrome film | |
| JPH0785508B2 (en) | Method for forming protective film on semiconductor substrate | |
| JP3075245B2 (en) | Method for manufacturing compound semiconductor | |
| JPH0666337B2 (en) | Method for manufacturing T-type gate | |
| JPH0738386B2 (en) | Etching method | |
| JP3478991B2 (en) | Method for forming element isolation region of semiconductor device | |
| JPH0513409A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH05217883A (en) | Multi-layer resist etching method | |
| JPH06140600A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0451050B2 (en) | ||
| JPS5994844A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP2911321B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device |