JPH0731315B2 - Optical shutter array element - Google Patents
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- JPH0731315B2 JPH0731315B2 JP24820486A JP24820486A JPH0731315B2 JP H0731315 B2 JPH0731315 B2 JP H0731315B2 JP 24820486 A JP24820486 A JP 24820486A JP 24820486 A JP24820486 A JP 24820486A JP H0731315 B2 JPH0731315 B2 JP H0731315B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、電気光学効果を有する物質を利用した光シ
ャッタに関し、特に光応用機器への用途が期待されてい
る光シャッタアレイ素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical shutter that uses a substance having an electro-optical effect, and more particularly to an optical shutter array element that is expected to be used in an optical application device.
従来の技術 電気光学効果を有する物質、特にカー定数の大きいPLZT
を用いこの光シャッタ素子を一次元的に複数個配列して
光シャッタアレイ素子を形成し、これに偏光子と検光子
を組合わせて光シャッタが構成される。このような光シ
ャッタは応答速度が速く、高速プリンタとりわけ電子写
真式プリンタへの適用が期待されている。Conventional technology Materials with electro-optic effect, especially PLZT with large Kerr constant
A plurality of these optical shutter elements are arranged one-dimensionally to form an optical shutter array element, and a polarizer and an analyzer are combined with this to form an optical shutter. Such an optical shutter has a high response speed and is expected to be applied to a high-speed printer, especially an electrophotographic printer.
従来、この種の光シャッタアレイ素子は、ウエハ状のPL
ZTの表面に電極パターンを形成することで構成されてい
たが(平面電極型)、ストレー容量の存在や駆動電圧が
高いこと等の欠点のため、最近ではシャッタ素子を直方
体状の立体に形成し対向面に電極を形成したいわゆる平
行電極型の構造が、例えば特開昭60−159722号公報や特
開昭60−170828号公報等で提案されている。Conventionally, this type of optical shutter array element has been used for wafer-shaped PL
Although it was configured by forming an electrode pattern on the surface of ZT (planar electrode type), recently, due to drawbacks such as the presence of stray capacitance and high driving voltage, the shutter element has recently been formed into a rectangular solid shape. A so-called parallel electrode type structure in which electrodes are formed on opposite surfaces has been proposed, for example, in Japanese Patent Laid-Open Nos. 60-159722 and 60-170828.
特開昭60−159722号公報の技術は、予め接続用の電極を
パターニングしたガラス基板の上に、対向電極を形成し
た棒状のPLZTを接着し、これをダイヤモンドカッターに
より一定のピッチで切断して光シャッタアレイ素子とす
るものである。もう一つの特開昭60−170828号公報の技
術は、フォトリソグラフィー技術を用いるもので、平板
状のPLZTを化学エッチングして電極配設部の溝を形成
し、次いで全面に電極用の金属を蒸着し、その後所定の
電極パターン,構造となるように再度フォトリソグラフ
ィー技術によるエッチング工程を経て光シャッタアレイ
素子を完成するものである。In the technique of JP-A-60-159722, a rod-shaped PLZT on which a counter electrode is formed is adhered onto a glass substrate on which electrodes for connection are patterned in advance, and this is cut at a constant pitch with a diamond cutter. The optical shutter array element is used. Another technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 60-170828 uses a photolithography technique, in which flat plate-shaped PLZT is chemically etched to form a groove in an electrode arrangement portion, and then a metal for an electrode is formed on the entire surface. After vapor deposition, the optical shutter array element is completed through an etching process by a photolithography technique again so as to have a predetermined electrode pattern and structure.
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記前者の技術は、極めて複雑な製作工
程を経るという問題があり、他方、後者の技術も、製作
工程が複雑であり、また化学エッチングによる溝形成で
あるのでこの溝の深さを深くできず(実施例では約2μ
m)、シャッタ素子駆動の観点から低電圧化が困難な問
題がある。Problems to be Solved by the Invention However, the former technique has a problem of undergoing an extremely complicated manufacturing process, while the latter technique also has a complicated manufacturing process and is a groove formation by chemical etching. Therefore, the depth of this groove cannot be increased (about 2 μm in the embodiment).
m), it is difficult to reduce the voltage from the viewpoint of driving the shutter element.
問題点を解決するための手段 本発明は、シャッタ駆動の低電圧化を容易ならしめ製作
も極めて容易な光シャッタアレイ素子を提供することを
目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an optical shutter array element which facilitates lowering of shutter drive voltage and is extremely easy to manufacture.
本発明に係る光シャッタアレイ素子は、電気光学効果を
有する長尺の板状体に、その長手方向に沿って設けら
れ、底面及び側面に電極用金属薄膜を有する第1の溝
と、この第1の溝に沿って第1の溝から所定の距離をお
いて設けられ、底面及び側面に断続的に電極用金属薄膜
を有する第2の溝と、前記板状体の幅方向に所定のピッ
チで多数設けられた第3の溝と、これら第1,第2,第3の
溝により囲まれた板状体の突部からなる光シャッタ部と
を備え、下記の条件を満たすことを特徴とするものであ
る。The optical shutter array element according to the present invention is provided on a long plate-shaped body having an electro-optical effect along a longitudinal direction thereof, and has a first groove having a metal thin film for electrodes on a bottom surface and a side surface, and A second groove provided along the first groove at a predetermined distance from the first groove and having a metal thin film for electrodes intermittently on the bottom surface and side surfaces; and a predetermined pitch in the width direction of the plate-shaped body. And a plurality of third grooves, and an optical shutter portion composed of a protrusion of a plate-like body surrounded by these first, second and third grooves, and satisfy the following conditions. To do.
a>c>b 但し、a,b,cはそれぞれ第1,第2,第3の溝の深さであ
る。a>c> b where a, b, and c are the depths of the first, second, and third grooves, respectively.
作用 前記第1,第2,第3の溝の深さをa>c>bとすることに
より、第3の溝を形成する際に、第1の溝に設けられた
電極用の金属薄膜を各シャッタ部に共用させた状態で第
2の溝に設けられた電極用の金属薄膜を各シャッタ部ご
とに断続化させることが可能となる。このため、製作工
程が非常に簡単化される。By setting the depths of the first, second, and third grooves to be a>c> b, the metal thin film for the electrode provided in the first groove is formed when the third groove is formed. The metal thin film for the electrode provided in the second groove can be intermittently provided for each shutter portion while being shared by each shutter portion. Therefore, the manufacturing process is greatly simplified.
実施例 以下、添付図面に示す実施例によって具体的に説明す
る。Examples Hereinafter, specific examples will be described with reference to the accompanying drawings.
第4図に一実施例の光シャッタアレイ素子を示す。光シ
ャッタアレイ素子(10)は、中央部に、直方体状の光シ
ャッタ部(11),(11),…の素子アレイ(11A)と,
光シャッタ部(11)と同形の光シャッタ部(12),(1
2),…の素子アレイ(12A)の2列のアレイを備える。
(13),(13)は素子アレイ(11A),素子アレイ(12
A)にまたがるように設けられた共通電極、(14)は光
シャッタ部(11)の制御電極で外部の駆動回路と接続す
るためのリード部(14l)を備え、光シャッタ部(12)
の制御電極(15)も同様に外部の駆動回路と接続するた
めのリード部(15l)を備えている。FIG. 4 shows an optical shutter array element of one embodiment. The optical shutter array element (10) has a rectangular parallelepiped optical shutter section (11), (11), ...
Optical shutter parts (12), (1 having the same shape as the optical shutter part (11)
2) An array of two rows of element arrays (12A) of ...
(13) and (13) are the element array (11A) and the element array (12
A common electrode provided so as to straddle A), (14) is a control electrode of the optical shutter section (11) and is provided with a lead section (14l) for connecting to an external drive circuit.
The control electrode (15) is also provided with a lead portion (15l) for connecting to an external drive circuit.
共通電極(13),(13)が設られている溝(3)、制御
電極(14),(15)が設けられてる溝(4),(5)及
び素子アレイ(11A),(12A)の各素子を共通に分離さ
せている多数の溝(6),(6),…は、いずれもが切
削加工によって形成されている。第1図〜第4図によっ
て、この光シャッタアレイ素子(10)の製作工程を説明
する。Grooves (3) provided with common electrodes (13), (13), grooves (4), (5) provided with control electrodes (14), (15) and element arrays (11A), (12A) The numerous grooves (6), (6), ... Which separate the respective elements in common are formed by cutting. A manufacturing process of the optical shutter array element (10) will be described with reference to FIGS.
第1図(a)に示すように、平板状長尺のPLZT(1)を
準備する。PLZT(1)の表裏両面は予め光学研磨されて
いる。PLZT(1)は例えば組成が9/65/35のもので、そ
の形状は長さ100mm,幅5mm,厚さ0.5mmである。As shown in FIG. 1 (a), a long flat plate-shaped PLZT (1) is prepared. Both front and back sides of PLZT (1) are optically polished in advance. PLZT (1) has a composition of 9/65/35, for example, and its shape is 100 mm in length, 5 mm in width, and 0.5 mm in thickness.
第1図(b)に示すように、このPLZT(1)の表面のほ
ぼ中央部に、帯状のレジストパターン(2)を形成す
る。レジストパターン(2)の幅は、300μmとし、通
常一般のフォトリソグラフィーの技術を利用した。この
レジストパターン(2)は、後述するように、蒸着金属
の除去に用いられる。なお、PLZT(1)の長手方向をX
軸方向,幅方向でX軸線方向に直交する方向をY軸方向
として、II−II線に沿う断面図を第2図に示す。レジス
トパターン(2)の厚みは1μm程度でよい。As shown in FIG. 1 (b), a strip-shaped resist pattern (2) is formed on the surface of the PLZT (1) almost at the center. The width of the resist pattern (2) was set to 300 μm, and the general photolithography technique was used. This resist pattern (2) is used for removing the vapor-deposited metal, as described later. In addition, the longitudinal direction of PLZT (1) is X
A cross-sectional view taken along line II-II is shown in FIG. 2 with the direction orthogonal to the X-axis direction in the axial direction and the width direction as the Y-axis direction. The thickness of the resist pattern (2) may be about 1 μm.
次に、このレジストパターン(2)を形成したPLZT
(1)の当該レジストパターン(2)の中央をX軸方向
にPLZT(1)の全長にわたって切削し、第3図に示す共
通電極用の溝(3)を形成する。切削は、送り精度5μ
mのダンシングソーで行い、刃厚が25μmのダイヤモン
ドカッターを用いた。溝(3)の形状は、幅80μm,深さ
a=150μmである。なお、深さはPLZT(1)の表面を
基準とする。Next, PLZT on which this resist pattern (2) was formed
The center of the resist pattern (2) in (1) is cut in the X-axis direction over the entire length of PLZT (1) to form a common electrode groove (3) shown in FIG. Cutting accuracy is 5μ
m, and a diamond cutter with a blade thickness of 25 μm was used. The groove (3) has a width of 80 μm and a depth of a = 150 μm. The depth is based on the surface of PLZT (1).
さらに、上記切削工程と同様の態様で、前記溝(3)の
両側縁から一定の間隔をおいて溝(3)と平行に、すな
わちX軸方向にPLZT(1)の全長にわたって切削し、第
3図に示すように、アレイ素子用の溝(4),溝(5)
を順に形成する。溝(4),(5)の形状は等しく、幅
80μm,深さb=110μmである。溝(3)と溝(4),
(5)の間隔すなわち光シャッタ部のシャッタ窓の長さ
は80μmとした。なお、このシャッタ窓の長さ80μm及
び溝(3),溝(4)(5)の深さa,bは、光シャッタ
に要求される性能に応じてかつ切削加工の精度の範囲内
において自在に選択可能である。ただし、a>bを条件
とする。Further, in a manner similar to the above-mentioned cutting step, cutting is performed at a constant interval from both side edges of the groove (3) in parallel with the groove (3), that is, in the X-axis direction over the entire length of the PLZT (1). As shown in FIG. 3, the groove (4) and the groove (5) for the array element
Are sequentially formed. Grooves (4) and (5) have the same shape and width
80 μm and depth b = 110 μm. Groove (3) and groove (4),
The interval of (5), that is, the length of the shutter window of the optical shutter unit was 80 μm. The length of the shutter window 80 μm and the depths a, b of the grooves (3), (4) and (5) can be freely adjusted according to the performance required for the optical shutter and within the range of cutting accuracy. Can be selected. However, the condition is a> b.
次の工程は、電極用の導電性金属を設ける工程である。
実施例ではスパッタリング法を用い、切削加工したPLZT
(1)の加工面を含む表面の全体にアルミを蒸着した。The next step is to provide a conductive metal for the electrodes.
In the example, the PLZT was cut using the sputtering method.
Aluminum was vapor-deposited on the entire surface including the processed surface of (1).
次にこのアルミ加工面全体に蒸着したPLZT(1)に対
し、ダイシングソーを用いてX軸方向とは直交するY軸
方向に一定のピッチで全長にわたって切削し、第4図に
示すように、素子分離用の多数の溝(6),(6),…
を形成する。ダイヤモンドカッターは刃厚が15μmのも
のを用いた。溝(6)の幅は20μm、深さc=130μ
m、ピッチは80μmとした。深さcは、a>c>bの条
件を満足する。即ち、溝(3),溝(4)(5)に対し
溝(6)の深さcをこのように設定すると、溝(4),
(5)のアルミ蒸着膜の一部を削り取って各シャッタ素
子の制御電極及び電極リード部を分離形成できる一方、
溝(3)のアルミ蒸着膜のうち底面部のものを削り取ら
ずに済み、面状の共通電極を形成すると同時に制御電極
とほぼ同形の対向電極を形成できる。従来例における電
極形成が大変複雑な工程をとっていたことに比べると、
本例は単なる溝入れ加工のみでよく電極形成のための工
程が大幅に簡略化される。Next, the PLZT (1) vapor-deposited on the entire aluminum processed surface was cut over the entire length at a constant pitch in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction using a dicing saw, and as shown in FIG. Many grooves (6) for element isolation, (6), ...
To form. The diamond cutter used had a blade thickness of 15 μm. The width of the groove (6) is 20 μm and the depth c is 130 μm.
m and the pitch was 80 μm. The depth c satisfies the condition of a>c> b. That is, when the depth c of the groove (6) is set in this way with respect to the grooves (3), (4), (5), the grooves (4),
While the control electrode and the electrode lead portion of each shutter element can be separately formed by scraping off a part of the aluminum vapor deposition film of (5),
It is not necessary to scrape off the aluminum vapor deposition film of the groove (3) on the bottom surface portion, and it is possible to form a planar common electrode and simultaneously form a counter electrode having substantially the same shape as the control electrode. Compared to the electrode formation in the conventional example, which took a very complicated process,
In this example, only grooving is required, and the process for forming electrodes is greatly simplified.
最後に、シャッタ素子(11),(12)の上面に形成され
ているアルミ蒸着膜を除去する。アルミ蒸着膜はレジス
ト(2)上に形成されており、レジスト剥離液によって
レジスト(2)をアルミ蒸着膜とともに剥離する(リフ
トオフ法)。なお、蒸着膜の除去方法は、レジストを用
いる方法のほか、レジストを使用せず(レジスト形成工
程の省略)、PLZT表面に直接蒸着された金属薄膜を光学
研磨と同等の手法で削り取るようにしてもよい。Finally, the aluminum vapor deposition film formed on the upper surfaces of the shutter elements (11) and (12) is removed. The aluminum vapor deposition film is formed on the resist (2), and the resist (2) is stripped together with the aluminum vapor deposition film by a resist stripping solution (lift-off method). In addition to the method of using a resist, the method of removing the deposited film does not use a resist (the resist forming step is omitted), and the metal thin film directly deposited on the PLZT surface is scraped off by a method similar to optical polishing. Good.
以上のようにして第4図に示される光シャッタアレイ素
子(10)を得る。光シャッタアレイ素子(10)は、光シ
ャッタ部(11),(11),…からなる素子アレイ(11
A)と光シャッタ部(12),(12),…からなる素子ア
レイ(12A)の2列から構成される。第5図に等価な回
路図を示す。図中、(20)は素子アレイ(11A)のシャ
ッタ素子(11)に駆動パルスを与える駆動回路(半導体
チップ状の回路を含む)、(21)は素子アレイ(12A)
のシャッタ素子(12)を駆動する駆動回路である。As described above, the optical shutter array element (10) shown in FIG. 4 is obtained. The optical shutter array element (10) includes an element array (11) including optical shutter sections (11), (11) ,.
A) and the optical shutter section (12), (12) ,. An equivalent circuit diagram is shown in FIG. In the figure, (20) is a drive circuit (including a semiconductor chip-shaped circuit) for applying a drive pulse to the shutter element (11) of the element array (11A), and (21) is an element array (12A).
Is a drive circuit for driving the shutter element (12).
駆動回路(20)と素子アレイ(11A)とは、素子アレイ
(11A)の奇数番目の光シャッタ部(11)とリード線を
介して電気的に個別に接続し、他方、駆動回路(21)と
素子アレイ(12A)とは、素子アレイ(12A)の偶数番目
の光シャッタ部(12)と同様にリード線を介し個別に接
続する。駆動回路(20),(21)と接続しない光シャッ
タ部は利用されない。駆動回路(20),(21)は時分割
で作動され、2列のシャッタアレイ(11A),(12A)の
シャッタ作用で画像のドット状ライン1本を形成する。
時間差は、画像形成部たとえば感光体ドラムの回転によ
り調整する。これにより、実施例の光シャッタで80μm
ピッチすなわち12ビット/mmの高解像度が達成できる。The drive circuit (20) and the element array (11A) are electrically and individually connected to the odd-numbered optical shutter sections (11) of the element array (11A) via lead wires, while the drive circuit (21) is connected. The element array (12A) and the element array (12A) are individually connected via lead wires similarly to the even-numbered optical shutter section (12) of the element array (12A). The optical shutter part that is not connected to the drive circuits (20) and (21) is not used. The drive circuits (20) and (21) are operated in a time division manner, and one dot line of an image is formed by the shutter action of the two rows of shutter arrays (11A) and (12A).
The time difference is adjusted by rotating the image forming unit, for example, the photosensitive drum. As a result, the optical shutter of the embodiment has a thickness of 80 μm.
High resolution of pitch or 12 bits / mm can be achieved.
上記実施例に示すように、シャッタ列を2列設けるの
は、その高解像度を達成できるように光シャッタアレイ
素子と駆動回路間のリード線接続の困難さを回避するた
めである。すなわち、第6図の、シャッタ素子(12)の
制御電極に連なる電極リード部(15l)の部分平面拡大
図に示すように、電極リード部(15l)は80μmのピッ
チでしかもその幅は60μmしかない。現状のリード線ワ
イヤーボンダーでは、ピッチ80μmの精度をもちハンダ
等の接続平均径が60μm以内で充分な接続強度が得られ
るものは見出し難い。As shown in the above embodiment, the two shutter rows are provided in order to avoid the difficulty of connecting the lead wires between the optical shutter array element and the drive circuit so that the high resolution can be achieved. That is, as shown in the partially enlarged plan view of the electrode lead portion (15l) connected to the control electrode of the shutter element (12) in FIG. 6, the electrode lead portion (15l) has a pitch of 80 μm and its width is only 60 μm. Absent. In the current lead wire bonder, it is difficult to find a lead wire bonder having an accuracy of a pitch of 80 μm and having a connection average diameter of solder of 60 μm or less and sufficient connection strength.
そこで、ワイヤーボンダーの現状に適するように、電極
リード部(15l),(14l)を1つおきに、すなわち160
μmピッチでリード線と接続するようにしたものであ
る。したがって、このようにすれば、容易に自動化ライ
ンに乗せることが可能となり、生産性の利益が大きい。Therefore, every other electrode lead part (15l), (14l), ie 160
It is designed to be connected to a lead wire at a pitch of μm. Therefore, by doing so, it is possible to easily put the robot on the automation line, and the profit of productivity is large.
第7図は、シャッタ列2列の他の実施例を示している。
第4図の光シャッタアレイ素子(10)にリード線接続の
観点から改良を加えたものである。すなわち、動作させ
ない光シャッタ部(11′),(12′)の電極リード部
(14l),(15l)の端部を削り取って削除部(34),
(35)とし、動作させるべき光シャッタ部の電極リード
部(14l),(15l)の端部にリード線をハンダ等で接続
する際、この削除部(34),(35)により、接続点(接
続強度を確保するために平均径100μm以上必要)が隣
接の電極リード部と接続されるものを有効に防止する。
なお、この削除部(34),(35)も溝の加工と同様にダ
イヤモンドカッターを用いて形成することができる。FIG. 7 shows another embodiment of the two shutter rows.
The optical shutter array element (10) of FIG. 4 is improved from the viewpoint of lead wire connection. That is, the end portions of the electrode lead portions (14l) and (15l) of the optical shutter portions (11 ') and (12') that are not operated are scraped off to remove the deletion portion (34),
(35), when connecting the lead wires to the ends of the electrode lead parts (14l) and (15l) of the optical shutter part to be operated by soldering or the like, the connection points are made by the deletion parts (34) and (35). (An average diameter of 100 μm or more is required to secure the connection strength) effectively prevents the connection with the adjacent electrode lead portion.
The deleted portions (34) and (35) can also be formed by using a diamond cutter as in the groove processing.
また、このような切削加工に替え、第4図に示す例にお
いて、隣接の電極リード部に接続点部が接続されてしま
っても、シャッタ実動作上は何ら支障がないように、動
作させないシャッタ素子のシャッタ窓を予めマスクして
おくようにしてもよい。Further, in place of such cutting work, in the example shown in FIG. 4, even if the connection point part is connected to the adjacent electrode lead part, the shutter is not operated so that it does not hinder the actual operation of the shutter. The shutter window of the device may be masked in advance.
上記の実施例はいずれも、外部の駆動回路との接続を考
慮して2列のシャッタ列を設けたものであるが、特にこ
の接続に配慮する必要がない、もしくは別段の精密接続
技術が存するなら、基本的には、第8図(a),(b)
に示されるようなシャッタ列1列のものでもよい。これ
ら実施例でも、2列のものと同様に機能し、均等である
ことは言うまででもない。すべての光シャッタ部を動作
可能としてもよく、また1つおきに動作可能としてもよ
い。先に示した実施例の寸法形状に限定されることな
く、またカッターの精度が許容する範囲の切削加工を行
うことができる。そして、溝をより深くすると、駆動電
圧をより低くすることができ、シャッタ窓の幅をより大
きくしても駆動電圧の低下を図ることができる。In each of the above-mentioned embodiments, two rows of shutter rows are provided in consideration of connection with an external drive circuit, but it is not necessary to pay particular attention to this connection, or there is another precision connection technology. Then, basically, Fig. 8 (a), (b)
The shutter row may be one row as shown in FIG. It goes without saying that these embodiments also function similarly to those of the two rows and are equivalent. All the optical shutter sections may be operable, or every other optical shutter section may be operable. The cutting process is not limited to the size and shape of the above-described embodiment, and cutting can be performed within a range that the accuracy of the cutter allows. Further, if the groove is made deeper, the drive voltage can be made lower, and even if the width of the shutter window is made larger, the drive voltage can be lowered.
なお、第8図(a)は溝(6)を溝(3)まで設けた
例、同図(b)は溝(6)をPLZT(1)の幅方向いっぱ
いに切削した例であり、加工の容易さでは後者が秀れる
が、ベースバイアスを与える共通電極(13)の面積の広
い前者は電気的特性で有利である。8 (a) is an example in which the groove (6) is provided up to the groove (3), and FIG. 8 (b) is an example in which the groove (6) is cut to fill the width direction of the PLZT (1). The latter is superior in terms of ease of use, but the former having a large area of the common electrode (13) for providing the base bias is advantageous in electrical characteristics.
尚、以上の実施例において、リード部(14l),(15l)
は、リード線が接続されためのものであり、特に溝
(4),(5)の底面に対して突出している必要はな
く、溝(4),(5)の底面と同一平面内に設けられて
もよい。In the above example, the lead parts (14l), (15l)
Is for connecting lead wires, and does not need to particularly project from the bottom surfaces of the grooves (4) and (5), and is provided in the same plane as the bottom surfaces of the grooves (4) and (5). You may be asked.
発明の効果 以上のように、本発明によれば、クロストークがなく,
低電圧で駆動可能な光シャッタアレイ素子を実質的に溝
入れ加工のみで得られ、製作工程を極めて簡易なものと
できる効果がある。EFFECTS OF THE INVENTION As described above, according to the present invention, there is no crosstalk,
An optical shutter array element that can be driven at a low voltage can be obtained substantially only by grooving, and the manufacturing process can be extremely simplified.
第1図(a),(b)、第2図、第3図、第4図は本発
明の一実施例に係る光シャッタアレイ素子の製作工程の
説明図であり特に第4図は一実施例の光シャッタアレイ
素子を模式的に示した図、第5図は駆動回路との接続を
示す等価回路図、第6図は電極リード部の部分拡大平面
図、第7図は他の実施例を示す図、第8図(a),
(b)はシャッタ列が1列の実施例を示す図である。 1……PLZT、3……共通電極用の溝、4,5……制御電極
用の溝、6……素子分離用の溝、11,12……光シャッタ
部、13……共通電極、14,15……制御電極。1 (a), (b), FIG. 2, FIG. 3, and FIG. 4 are explanatory views of the manufacturing process of the optical shutter array element according to one embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram schematically showing an example optical shutter array element, FIG. 5 is an equivalent circuit diagram showing connection with a drive circuit, FIG. 6 is a partially enlarged plan view of an electrode lead portion, and FIG. 7 is another embodiment. Showing FIG. 8 (a),
(B) is a diagram showing an embodiment in which there is one shutter row. 1 ... PLZT, 3 ... groove for common electrode, 4,5 ... groove for control electrode, 6 ... groove for element isolation, 11,12 ... optical shutter part, 13 ... common electrode, 14 , 15 …… Control electrode.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 吉野 公夫 (56)参考文献 特開 昭60−159723(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page Examiner Kimio Yoshino (56) References JP-A-60-159723 (JP, A)
Claims (1)
の長手方向に沿って設けられ、底面及び側面に電極用金
属薄膜を有する第1の溝と、 この第1の溝に沿って第1の溝から所定の距離をおいて
設けられ、底面及び側面に断続的に電極用金属薄膜を有
する第2の溝と、 前記板状体の幅方向に所定のピッチで多数設けられた第
3の溝と、 これら第1,第2,第3の溝により囲まれた板状体の突部か
らなる光シャッタ部とを備え、下記の条件を満たすこと
を特徴とする光シャッタアレイ素子。 a>c>b 但し、a,b,cは第1,第2,第3の溝の深さである。1. A long plate-like body having an electro-optical effect, which is provided along the longitudinal direction thereof, and has a first groove having a metal thin film for electrodes on a bottom surface and a side surface, and along the first groove. And a second groove having a predetermined distance from the first groove and intermittently having a metal thin film for electrodes on the bottom surface and side surfaces, and a large number of grooves are provided at a predetermined pitch in the width direction of the plate body. An optical shutter array element comprising: a third groove; and an optical shutter portion including a protrusion of a plate-like body surrounded by the first, second and third grooves, and satisfying the following conditions. . a>c> b where a, b, and c are the depths of the first, second, and third grooves.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24820486A JPH0731315B2 (en) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Optical shutter array element |
| US07/108,588 US4854678A (en) | 1986-10-17 | 1987-10-14 | Electro-optical light shutter device |
| DE3734849A DE3734849C2 (en) | 1986-10-17 | 1987-10-14 | Electro-optical dimming device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24820486A JPH0731315B2 (en) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Optical shutter array element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63101817A JPS63101817A (en) | 1988-05-06 |
| JPH0731315B2 true JPH0731315B2 (en) | 1995-04-10 |
Family
ID=17174740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24820486A Expired - Lifetime JPH0731315B2 (en) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Optical shutter array element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731315B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4802741A (en) * | 1987-10-09 | 1989-02-07 | Eastman Kodak Company | In-depth electrode light valve array devices and improved fabrication method therefor |
| JPH08211345A (en) * | 1995-11-09 | 1996-08-20 | Minolta Co Ltd | Manufacture of optical shutter array |
| JPH10121333A (en) * | 1996-06-28 | 1998-05-12 | Minolta Co Ltd | Production of fiber |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP24820486A patent/JPH0731315B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63101817A (en) | 1988-05-06 |
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