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JPH0731316B2 - Optical shutter array - Google Patents
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JPH0731316B2 - Optical shutter array - Google Patents

Optical shutter array

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Publication number
JPH0731316B2
JPH0731316B2 JP31360686A JP31360686A JPH0731316B2 JP H0731316 B2 JPH0731316 B2 JP H0731316B2 JP 31360686 A JP31360686 A JP 31360686A JP 31360686 A JP31360686 A JP 31360686A JP H0731316 B2 JPH0731316 B2 JP H0731316B2
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JP
Japan
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groove
shutter
electrode
grooves
shutter array
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Inventor
博久 北野
格 齊藤
康一 新垣
兼 松原
朋彦 益田
Original Assignee
ミノルタ株式会社
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、電気光学効果を有する物質を用い、複数の
シャッタエレメントを1次元状に配列・形成した光シャ
ッタアレイに関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical shutter array in which a plurality of shutter elements are one-dimensionally arranged and formed using a substance having an electro-optical effect.

従来の技術 従来、この種の光シャッタアレイは、カー定数の大きい
PLZTを用い、そのウエハの表面に電極パターンを形成す
ることにより構成されていた(平面電極型)。しかし、
クロストークを惹起するストレー容量の存在や駆動電圧
が高いこと等の欠点のため、最近では、シャッタエレメ
ントとを立体にし、その対向面に電極を設けたいわゆる
平行電界型の構造が、例えば特開昭60−159722号公報や
特開昭60−170828号公報等で提案されている。
Conventional Technology Conventionally, this type of optical shutter array has a large Kerr constant.
It was configured by using PLZT and forming an electrode pattern on the surface of the wafer (planar electrode type). But,
Due to the drawbacks such as the presence of stray capacitance that causes crosstalk and the high driving voltage, recently, a so-called parallel electric field type structure in which a shutter element is made into a three-dimensional body and an electrode is provided on the opposite surface is disclosed in It is proposed in JP-A-60-159722 and JP-A-60-170828.

特開昭60−159722号公報の技術は、予め接続用の電極を
パターニングしたガラス基板の上に、対向電極を形成し
た棒状のPLZTを接着し、これをダイヤモンドカッターに
より一定のピッチで切断して光シャッタアレイとするも
のである。もう一つの特開昭60−170828号公報の技術
は、フォトリソグラフィー技術を用いるもので、平板状
のPLZTを化学エッチングして電極配設部の溝を形成し、
次いで全面に電極用の金属を蒸着し、その後所定の電極
パターン,構造となるように再度フォトリソグラフィー
技術によるエッチング工程を経て光シャッタアレイとす
るものである。
In the technology of JP-A-60-159722, a rod-shaped PLZT having a counter electrode formed thereon is bonded onto a glass substrate on which electrodes for connection are patterned in advance, and this is cut at a constant pitch with a diamond cutter. This is an optical shutter array. Another technique disclosed in JP-A-60-170828 uses a photolithography technique, in which a flat PLZT is chemically etched to form a groove in an electrode arrangement portion,
Next, a metal for electrodes is vapor-deposited on the entire surface, and thereafter, an optical shutter array is formed through an etching process by a photolithography technique again so as to have a predetermined electrode pattern and structure.

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記前者の技術は、極めて複雑な製作工
程を経るという問題があり、他方、後者の技術も、製作
工程が複雑であり、また化学エッチングによる溝形成で
あるのでこの溝の深さを深くできず(実施例では約2μ
m)、シャッタ駆動の観点から低電圧化が困難な問題が
ある。
Problems to be Solved by the Invention However, the former technique has a problem of undergoing an extremely complicated manufacturing process, while the latter technique also has a complicated manufacturing process and is a groove formation by chemical etching. Therefore, the depth of this groove cannot be increased (about 2 μm in the embodiment).
m), there is a problem that it is difficult to reduce the voltage from the viewpoint of driving the shutter.

また、シャッタ駆動において、望ましいシャッタ効果を
得るためには、立体のシャッタエレメントにかかる電界
を均一にする必要があるが、製作工程との兼ね合いで、
電界を形成する電極(立体電極)の構造をどのようにす
るかが問題となる。
Further, in order to obtain a desired shutter effect in shutter driving, it is necessary to make the electric field applied to the three-dimensional shutter element uniform, but in consideration of the manufacturing process,
The problem is how to structure the electrode (three-dimensional electrode) that forms the electric field.

この発明は、低電圧駆動可能で製作が容易、しかも望ま
しいシャッタ効果を有する光シャッタアレイを提供する
ことを目的とする。
An object of the present invention is to provide an optical shutter array that can be driven at a low voltage, is easy to manufacture, and has a desirable shutter effect.

問題点を解決するための手段 この発明の光シャッタアレイは、電気光学効果を有する
長尺の板状体に、その長手方向に沿って設けられ、底面
及び側面に断続的に電極薄膜を有する第1の溝と、この
第1の溝の底面に該第1の溝と平行に設けられ、底面及
び側面に連続的に電極薄膜を有する第2の溝と、前記第
1の溝から所定の距離をおいて該第1の溝と平行に設け
られ、底面及び側面に断続的に電極薄膜を有する第3の
溝と、前記板状体の幅にわたって所定のピッチで多数設
けられた第4の溝とを備えて前記第1,第3,第4の溝によ
り囲まれた凸部がシャッタエレメントを形成し、下記の
条件を満足することを特徴とするものである。
Means for Solving the Problems The optical shutter array of the present invention is a long plate-shaped body having an electro-optical effect, provided along the longitudinal direction thereof, and having electrode thin films intermittently provided on the bottom surface and side surfaces. A first groove, a second groove provided on the bottom surface of the first groove in parallel with the first groove, and having an electrode thin film continuously on the bottom surface and the side surface, and a predetermined distance from the first groove A third groove provided in parallel with the first groove and having an electrode thin film intermittently on the bottom surface and the side surface, and a fourth groove provided at a predetermined pitch over the width of the plate-like body. And a convex portion surrounded by the first, third, and fourth grooves forms a shutter element, and the following condition is satisfied.

d1+d2>d4>d3 d1=d3 但し、d1,d2,d3,d4は夫々第1,第2,第3,第4の溝の深さ
である。
d 1 + d 2 > d 4 > d 3 d 1 = d 3 However, d 1 , d 2 , d 3 and d 4 are the depths of the first, second, third and fourth grooves, respectively.

作用 前記第1,第2,第3,第4の溝の深さをd1+d2>d4>d3とす
ることにより、第4の溝を形成する際に、第2の溝に設
けられた電極薄膜を第1の溝の電極薄膜を介して各シャ
ッタエレメントに連続させる一方、第3の溝に設けられ
た電極薄膜を各シャッタエレメントごとに断続化させる
ことが可能となり、製作工程が非常に簡単化される。
Action By setting the depths of the first, second, third, and fourth grooves to be d 1 + d 2 > d 4 > d 3 , it is provided in the second groove when the fourth groove is formed. The electrode thin film provided in the third groove can be connected to each shutter element through the electrode thin film of the first groove, while the electrode thin film provided in the third groove can be intermittently provided for each shutter element. Greatly simplified.

また、第1,第3の溝の深さをd1=d3とすることにより、
シャッタエレメントを挾む電極の深さ方向の長さを等し
くでき、シャッタエレメントに均一平行な電界を形成で
きる。
Further, by setting the depths of the first and third grooves to be d 1 = d 3 ,
The lengths of the electrodes sandwiching the shutter element in the depth direction can be made equal, and an electric field that is uniformly parallel to the shutter element can be formed.

実施例 以下、この発明を添付図面に示す実施例によって具体的
に説明する。
Embodiment Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to an embodiment shown in the accompanying drawings.

第5図に一実施例に係る光シャッタアレイの部分平面図
を示す。PLZTからなる光シャッタアレイ(10)は、中央
部に、平行2列のシャッタアレイ(11A),(12A)を備
える。シャッタアレイ(11A)は、窓形状が方形状のシ
ャッタエレメント(11)からなり、シャッタアレイ(12
A)は、シャッタエレメント(11)の窓形状と同形のシ
ャッタエレメント(12)からなる。(13)は各列のシャ
ッタエレメント(11),(12)に共通な共通電極、(1
4)は各シャッタエレメント(11)の個別電極、(15)
は各シャッタエレメント(12)の個別電極で、個別電極
(14),(15)のそれぞれは、駆動回路と接続するため
の本体側縁まで延び出した電極リード部(14l),(15
l)を備えている。
FIG. 5 is a partial plan view of the optical shutter array according to the embodiment. The optical shutter array (10) made of PLZT is provided with parallel two rows of shutter arrays (11A) and (12A) in the central portion. The shutter array (11A) includes a shutter element (11) having a rectangular window shape.
A) comprises a shutter element (12) having the same shape as the window shape of the shutter element (11). (13) is a common electrode common to the shutter elements (11) and (12) in each column, (1
4) is the individual electrode of each shutter element (11), (15)
Is an individual electrode of each shutter element (12), and each of the individual electrodes (14) and (15) is an electrode lead portion (14l), (15) extending to a side edge of the main body for connecting with a drive circuit.
l).

上記共通電極(13)は、溝(3−1),溝(3−1)の
底面に設けた溝(3−2)に設けられている。個別電極
(14),(15)はそれぞれ溝(4),(5)の側壁に設
けられている。シャッタアレイ(11A),(12A)のシャ
ッタエレメント,個別電極及び電極リード部は、それぞ
れ、溝(3−1),(3−2),(4),(5)に直交
する一定ピッチの平行な溝(6)によって相互に分離さ
れている。共通電極用の溝(3−1),(3−2)、個
別電極用の溝(4),(5)及びエレメント分離用の多
数の溝(6)はいずれもが精密切削加工によって形成さ
れている。第1図〜第5図及び第7図により、この光シ
ャッタアレイ(10)の製作工程を説明する。
The common electrode (13) is provided in the groove (3-1) and the groove (3-2) provided on the bottom surface of the groove (3-1). The individual electrodes (14) and (15) are provided on the side walls of the grooves (4) and (5), respectively. The shutter elements, individual electrodes and electrode lead portions of the shutter arrays (11A) and (12A) are parallel to each other at a constant pitch perpendicular to the grooves (3-1), (3-2), (4) and (5), respectively. Separated from each other by a groove (6). The common electrode grooves (3-1) and (3-2), the individual electrode grooves (4) and (5), and the multiple element separation grooves (6) are all formed by precision cutting. ing. A manufacturing process of the optical shutter array (10) will be described with reference to FIGS. 1 to 5 and 7.

第1図(a)に示すように、平板状長尺のPLZT(1)を
準備する。PLZT(1)の表裏両面は予め光学研磨されて
いる。PLZT(1)は具体的には、組成が9/65/35、形状
は長さ100mm,幅5.0mm,厚さ0.5mmのものである。
As shown in FIG. 1 (a), a long flat plate-shaped PLZT (1) is prepared. Both front and back sides of PLZT (1) are optically polished in advance. Specifically, PLZT (1) has a composition of 9/65/35 and a shape of 100 mm in length, 5.0 mm in width, and 0.5 mm in thickness.

第1図(b)に示すように、このPLZT(1)の表面のほ
ぼ中央部に、レジストパターン(2)を帯状に形成す
る。レジストパターン(2)の幅は300μmで、通常一
般のフォトリソグラフィーの技術を用いた。このレジス
トパターン(2)は、後述するように、リフトオフ法に
よる蒸着膜の除去に用いられる。なお、PLZT(1)の長
手方向をX軸,幅方向すなわちX軸に直交する方向をY
軸とし、II−II線に沿う断面図を第2図に示す。レジス
トパターン(2)の厚みは1μm程度としている。
As shown in FIG. 1 (b), a resist pattern (2) is formed in a strip shape at the substantially central portion of the surface of this PLZT (1). The width of the resist pattern (2) was 300 μm, and a general photolithography technique was generally used. This resist pattern (2) is used for removing the deposited film by the lift-off method, as will be described later. The longitudinal direction of PLZT (1) is the X-axis, and the width direction, that is, the direction orthogonal to the X-axis is Y
A sectional view taken along the line II-II is shown in FIG. The thickness of the resist pattern (2) is about 1 μm.

次にこのレジストパターン(2)を形成したPLZT(1)
の当該レジストパターン(2)の中央をX軸方向にPLZT
(1)の全長にわたり精密切削し、第3図に示す共通電
極用の溝(3−1)を形成する。そして、さらに溝(3
−1)の底面からPLZT(1)の厚み方向に溝(3−1)
と平行な共通電極用の溝(3−2)を形成する。切削加
工は、送りが高精度なダイシングソーで行い、カッター
は刃厚25μmのダイヤモンドカッターを用いた。溝(3
−1)の形状は、幅100μm,PLZT(1)の表面からの深
さd1=120μmである。また、溝(3−2)は、幅50μ
mで溝(3−1)の底面からの深さd2=130μmであ
る。
Next, PLZT (1) on which this resist pattern (2) was formed
PLZT the center of the resist pattern (2) of the
Precision cutting is performed over the entire length of (1) to form a common electrode groove (3-1) shown in FIG. And further groove (3
Groove (3-1) from the bottom surface of -1) in the thickness direction of PLZT (1)
Forming a groove (3-2) for the common electrode parallel to. The cutting process was performed with a dicing saw with a high feed rate, and the cutter used was a diamond cutter with a blade thickness of 25 μm. Groove (3
The shape of -1) has a width of 100 μm and a depth d 1 = 120 μm from the surface of PLZT (1). The groove (3-2) has a width of 50μ.
The depth d 2 from the bottom surface of the groove (3-1) is m 2 = 130 μm.

次に上記溝入れ工程と同様にして、共通電極用の第1の
溝(3−1)の両側縁から一定の距離をおきこの溝(3
−1)と平行に(X軸方向に)、PLZT(1)の全長にわ
たり切削し、第3図に示す個別電極用の溝(4)と溝
(5)とを形成する。溝(4),(5)の形状は相等し
く、幅80μm,深さd3は120μmである。溝(3−1)と
溝(4),(5)の間隔すなわちシャッタとなる凸部の
幅の長さは60μmとした。なお、このシャッタ凸部の幅
長及び溝(3−1),溝(4)(5)の深さd1,d3は、
光シャッタアレイに要求される性能に応じかつ精密切削
加工の精度の範囲内において任意に選択されることが可
能である。ただし、平行電界の均一性を確保するように
d1=d3を条件とする。
Next, in the same manner as the above grooving step, a certain distance is set from both side edges of the first groove (3-1) for the common electrode, and this groove (3
-1) (in the X-axis direction) is cut over the entire length of PLZT (1) to form grooves (4) and grooves (5) for individual electrodes shown in FIG. The grooves (4) and (5) have the same shape, and the width is 80 μm and the depth d 3 is 120 μm. The distance between the groove (3-1) and the grooves (4) and (5), that is, the width of the convex portion serving as the shutter was set to 60 μm. The width of the convex portion of the shutter and the depths d 1 and d 3 of the grooves (3-1) and the grooves (4) and (5) are
It can be arbitrarily selected according to the performance required for the optical shutter array and within the precision of precision cutting. However, to ensure the uniformity of the parallel electric field
The condition is d 1 = d 3 .

次の工程は、電極用の薄膜を設ける工程である。実施例
では、スパッタリング法によって、このPLZT(1)の加
工面を含む表面全体にアルミニウムを蒸着し、2μm程
度のアルミ蒸着膜(7)を形成した(第4図)。
The next step is to provide a thin film for electrodes. In the example, aluminum was vapor-deposited on the entire surface including the processed surface of the PLZT (1) by a sputtering method to form an aluminum vapor-deposited film (7) of about 2 μm (FIG. 4).

次にこのアルミ蒸着膜(7)を設けたPLZT(1)に対
し、ダイシングソーを用い、今度は溝(3−1)が延び
る方向(X軸方向)とは直交する矢印6A方向(Y軸方
向)に、PLZT(1)の幅にわたって一定の深さ,一定の
ピッチでエレメント分離用の多数の溝(6)を切削す
る。溝(6)の深さd4は230μmとし、ピッチは80μm
で、溝幅は20μmである。切削に供したダイヤモンドカ
ッターは刃厚15μmのものと交換されている。
Next, using a dicing saw for the PLZT (1) provided with this aluminum vapor deposition film (7), this time the direction of the arrow 6A (Y-axis) orthogonal to the direction in which the groove (3-1) extends (X-axis direction). Direction), a large number of grooves (6) for element separation are cut at a constant depth and a constant pitch over the width of the PLZT (1). The depth d 4 of the groove (6) is 230 μm and the pitch is 80 μm
The groove width is 20 μm. The diamond cutter used for cutting is replaced with a blade thickness of 15 μm.

この溝(6)の切削の深さd4は、第7図の断面から分か
るように、d1+d2>d4>d3の関係を満足する。即ち溝
(6),(6),(6),……を切削すると、各列のシ
ャッタエレメント及びその個別電極さらには電極リード
部を相互に分離する一方で、共通電極用の第2の溝(3
−2)の底面に設けたアルミ蒸着膜(7)は削り取らな
い。溝(3−2)の底面及び側壁のほぼ全部のアルミ蒸
着膜(7)は分断されずに連続する。そして、この側壁
のアルミ蒸着膜は第1の溝(3−1)の底面及び側壁の
アルミ蒸着膜と連続する。従って、これら溝(3−
1),(3−2)の連続するアルミ蒸着膜(7)がシャ
ッタエレメント(11)群,シャッタエレメント(12)群
の共通電極を形成する。
The cutting depth d 4 of the groove (6) satisfies the relationship of d 1 + d 2 > d 4 > d 3 as can be seen from the cross section of FIG. 7. That is, when the grooves (6), (6), (6), ... Are cut, the shutter elements in each row, the individual electrodes thereof, and the electrode lead portions are separated from each other, while the second grooves for the common electrode are formed. (3
The aluminum vapor deposition film (7) provided on the bottom surface of -2) is not scraped off. Almost all of the aluminum vapor deposition film (7) on the bottom surface and side wall of the groove (3-2) is continuous without being divided. Then, the aluminum vapor deposition film on the side wall is continuous with the bottom surface of the first groove (3-1) and the aluminum vapor deposition film on the side wall. Therefore, these grooves (3-
The continuous aluminum vapor deposition film (7) of 1) and (3-2) forms a common electrode of the shutter element (11) group and the shutter element (12) group.

尚、アルミ蒸着膜を連続させて共通電極とするには、特
に溝(3−1)より深い溝(3−2)を形成しなくと
も、第6図に示されるように、溝(3′)の深さd1をd1
>d4>d3の関係にすればよいと考えられる。しかし、こ
のようにすると、シャッタエレメント(11′),(1
2′)の対向電極の一方、すなわち共通電極側のほうが
長くなって図示のように電界が不均一なものとなり、シ
ャッタ作用を受ける光(L)に悪影響を及ぼす。本発明
は、この悪影響を解消するように、共通電極用の溝(3
−1)の深さd1を個別電極用の溝(4),(5)の深さ
d3と等しくして電極の長さを同じにする一方で、溝
(6)の切削によっても共通電極用のアルミ蒸着膜が残
存するように、溝(3−1)より深い第2の溝(3−
2)を設けたものである。溝(6)の切削は極めて簡単
な工程であり、それにもかかわらずシャッタエレメント
とその電極形成が同時にできる。従来例は、エレメント
と電極形成とが別工程で、しかも夫々において大変複雑
な工程を経ていた。これに比べると、本例の手法は性能
のよい光シャッタアレイの製作工程の大幅な簡略化をも
たらす。
In order to make the aluminum vapor-deposited film continuous to form a common electrode, as shown in FIG. 6, even if the groove (3-2) deeper than the groove (3-1) is not formed, as shown in FIG. ) Depth d 1 to d 1
It is considered that the relation of> d 4 > d 3 should be satisfied. However, in this case, the shutter elements (11 '), (1
One of the counter electrodes of 2 '), that is, the one on the common electrode side becomes longer, and the electric field becomes non-uniform as shown in the figure, which adversely affects the light (L) subjected to the shutter action. According to the present invention, in order to eliminate this adverse effect, the common electrode groove (3
-1) Depth d 1 is the depth of grooves (4), (5) for individual electrodes
While making the electrode length the same as d 3 , the second groove deeper than the groove (3-1) is formed so that the aluminum vapor deposition film for the common electrode remains even when the groove (6) is cut. (3-
2) is provided. Cutting the groove (6) is a very simple process, nevertheless the shutter element and its electrodes can be formed simultaneously. In the conventional example, the element and the electrode formation are separate steps, and each step is very complicated. In comparison with this, the method of the present example brings about a great simplification of the manufacturing process of a high-performance optical shutter array.

製作工程の最後は、シャッタエレメント(11),(12)
の上面窓部に形成されているアルミ蒸着膜(7)を除去
する工程である。アルミ蒸着膜(7)はレジスト(2)
上に形成されており、これをレジスト剥離液によりレジ
スト(2)とともに剥離する(リフトオフ法)。
The final step of the manufacturing process is the shutter element (11), (12)
This is a step of removing the aluminum vapor-deposited film (7) formed on the upper surface window part. Aluminum vapor deposition film (7) is resist (2)
It is formed on the upper surface and is stripped together with the resist (2) by a resist stripping solution (lift-off method).

以上のようにして第5図,第7図(a)に示される光シ
ャッタアレイ(10)を得る。光シャッタアレイ(10)
は、個別に外縁まで延びた電極リード部(14l)をもっ
たシャッタエレメント(11)からなるシャッタアレイ
(11A)と、反対側の外縁まで延びた電極リード部(15
l)をもったシャッタエレメント(12)からなるシャッ
タアレイ(12A)の2列から構成される。なお、第7図
(b)に示すように、シャッタアレイ(11A)の1列の
みからなる光シャッタアレイであってもよい。溝(5)
の工程を除き、上記製作工程と同様して作成される。
As described above, the optical shutter array (10) shown in FIGS. 5 and 7 (a) is obtained. Optical shutter array (10)
Is a shutter array (11A) including a shutter element (11) having electrode lead portions (14l) individually extending to the outer edge, and an electrode lead portion (15) extending to the opposite outer edge.
It is composed of two rows of shutter arrays (12A) which are composed of shutter elements (12) each having the above l). Note that, as shown in FIG. 7 (b), an optical shutter array including only one row of the shutter array (11A) may be used. Groove (5)
It is created in the same manner as the above manufacturing process except for the above process.

第8図には2列の光シャッタアレイ(10)の外部回路と
の接続図を示す。
FIG. 8 shows a connection diagram of the two-row optical shutter array (10) with an external circuit.

図中、(20)はシャッタアレイ(11A)のシャッタエレ
メント(11)群に駆動パルスを与える駆動回路(半導体
チップ状の回路を含む)、(21)はシャッタアレイ(12
A)のシャッタエレメント(12)群を駆動する駆動回路
である。駆動回路(20)とシャッタアレイ(11A)と
は、シャッタアレイ(11A)奇数番目のシャッタエレメ
ント(11)の個々の電極リード部(14l)と接続する一
方、駆動回路(21)とシャッタアレイ(12A)とは、シ
ャッタアレイ(12A)の偶数番目のシャッタエレメント
(12)の個別の電極リード部(15l)と接続する。駆動
回路(20),(21)と接続されないシャッタエレメント
は利用されない。
In the figure, (20) is a drive circuit (including a semiconductor chip-shaped circuit) for applying a drive pulse to the shutter element (11) group of the shutter array (11A), and (21) is the shutter array (12
It is a drive circuit for driving the shutter element (12) group of A). The drive circuit (20) and the shutter array (11A) are connected to the individual electrode lead parts (14l) of the shutter array (11A) odd-numbered shutter elements (11), while the drive circuit (21) and the shutter array (11A) are connected. 12A) is connected to individual electrode lead portions (15l) of even-numbered shutter elements (12) of the shutter array (12A). Shutter elements that are not connected to the drive circuits (20) and (21) are not used.

駆動回路(20),(21)は時分割で作動され、画像情報
に基づく2列のシャッタアレイ(11A),(12A)のシャ
ッタ作用(第9図(a))で、画像のドット状ライン1
本を形成する(第9図(b))。時間差は、画像形成部
たとえば感光体ドラムの回転速度と同期して整合され
る。これにより、実施例の光シャッタアレイで80μmピ
ッチすなわち12ビット/mmの高解像度を達成する。
The drive circuits (20) and (21) are operated in a time-division manner, and the shutter action (Fig. 9 (a)) of the two rows of shutter arrays (11A) and (12A) based on the image information causes the dot-shaped lines of the image. 1
A book is formed (Fig. 9 (b)). The time difference is adjusted in synchronization with the rotation speed of the image forming unit, for example, the photosensitive drum. As a result, the optical shutter array of the embodiment achieves a high resolution of 80 μm pitch, that is, 12 bits / mm.

上記実施例に示すように、シャッタアレイを2列設ける
のは、この高解像度を達成できるように光シャッタアレ
イと駆動回路間のリード線接続の困難さを回避するため
である。すなわち、第10図のシャッタエレメントと(1
2)の個別電極に連なる電極リード部(15l)の部分平面
拡大図に示すように、電極リード部(15l)は80μmの
ピッチでしかもその幅は60μmしかない。現状のリード
線ワイヤーボンダーでは、ピッチ80μmの精度をもち接
続平均径が60μm以内で充分な接続強度が得られるもの
は見出し難い。そこで、ワイヤーボンダーの現状に適す
るように、電極リード部(15l),(14l)を1つおき
に、すなわち160μmピッチでリード線と接続するよう
にしたものである。したがって、このようにすれば、容
易に自動化ラインに乗せることが可能となり、生産性の
利益が大きい。
As shown in the above embodiment, two rows of shutter arrays are provided in order to avoid the difficulty of connecting the lead wires between the optical shutter array and the drive circuit so that this high resolution can be achieved. That is, the shutter element and (1
As shown in the partially enlarged plan view of the electrode lead portion (15l) connected to the individual electrode in 2), the electrode lead portion (15l) has a pitch of 80 μm and its width is only 60 μm. In the current lead wire bonder, it is difficult to find a wire bonder having a pitch of 80 μm and a connection average diameter of 60 μm or less and sufficient connection strength. Therefore, in order to suit the current state of the wire bonder, every other electrode lead portion (15l), (14l) is connected to the lead wire at a pitch of 160 μm. Therefore, by doing so, it is possible to easily put the robot on the automation line, and the profit of productivity is large.

第11図は他の実施例を示した部分平面図である。第5図
における参照符号と同一のものは同一ないし相当のもの
を示し詳細な説明を略す。この実施例では、シャッタエ
レメント(11),(12)の窓形状を台形とした。エレメ
ント分離用の溝(6)を始端を一致させてジグザグ状に
溝(6a)と溝(6b)により形成した。溝(6a)はX軸方
向に対し切込みの角度(8)が例えば89゜、溝(6b)の
角度(9)は91゜として、PLZT(1)の幅にわたってそ
れぞれ一定ピッチ(例えば160μm)で、刃厚15μmの
ダイヤモンドカッターにより切削加工されている。VII
−VII線に沿う断面は、第7図(a)と同様である。
FIG. 11 is a partial plan view showing another embodiment. The same reference numerals as those in FIG. 5 denote the same or corresponding ones, and a detailed description thereof will be omitted. In this embodiment, the window shapes of the shutter elements (11) and (12) are trapezoidal. A groove (6) for element separation was formed by a groove (6a) and a groove (6b) in a zigzag shape with their starting ends aligned. The groove (6a) has an incision angle (8) with respect to the X-axis direction of, for example, 89 °, and the groove (6b) has an angle (9) of 91 ° at a constant pitch (for example, 160 μm) over the width of the PLZT (1). It is cut with a diamond cutter with a blade thickness of 15 μm. VII
The cross section taken along the line -VII is the same as in Fig. 7 (a).

このようにシャッタエレメントの窓形状を台形にする
と、外部回路との接続及び画像形成の2点において先の
実施例より有利である。即ち、利用に供するシャッタエ
レメント(14),(15)(いずれも斜線で区別して示し
ている)の電極リード部(14l),(15l)はPLZT(1)
の端縁で下底が幅広の台形となり、その下底の長さは14
0μm,リード部相互の中心間ピッチは160μmで、これに
よりリード線等との接触の容易さ及び接触の強度を充分
に確保することができる。
The trapezoidal window shape of the shutter element is more advantageous than the previous embodiment in two points of connection with an external circuit and image formation. That is, the electrode lead portions (14l) and (15l) of the shutter elements (14) and (15) (both are shown by hatching) to be used are PLZT (1).
At the edge of, the lower base becomes a wide trapezoid, and the length of the lower base is 14
The center-to-center pitch between the lead portions is 0 μm and 160 μm, which makes it possible to secure sufficient easiness of contact with the lead wire and the strength of contact.

シャッタ駆動は、第9図(a)と同様に、第12図(a)
のようにシャッタアレイ(11A),(12A)を時分割で駆
動する。同図(b)にこれにより形成されるドット状ラ
インを示す。もっとも、実線で示されるドット状ライン
は、シャッタアレイ(11A),(12A)を瞬間的に駆動し
たとしてその瞬時の投影像を図解して示したものであ
る。実際には、シャッタによる像投影時、例えば感光体
ドラムは回転しており、シャッタエレメント(11),
(12)の投影像はこの感光体ドラム上で軌跡を描き、ド
ットしては台形の下底の軌跡に相等する破線で示される
方形状のドット(11d),(12d)となる。これら隣接す
るドット(11d),(12d)は、隣接する箇所で重なり合
って、エレメント分離用の溝(6a),(6b)によるシャ
ッタエレメント間に存する物理的なギャップに基づくド
ット間ギャップ(6g)を埋める。従って、シャッタエレ
メントの窓形状をこのように台形にすることで、ドット
の連続性が密なラインを形成でき、画像形成の場合には
品質のよい画像を得ることができる。また、第9図
(b)に示すように、切削加工によりエレメント間ギャ
ップを形成する場合にはカッターの刃厚の問題もあっ
て、ギャップ(6g)は比較的大きくなるが、窓形状を台
形とすることによりギャップの存在をカバーすることが
できる。
The shutter is driven in the same manner as in FIG. 9 (a), as shown in FIG. 12 (a).
The shutter arrays (11A) and (12A) are driven in a time division manner as described above. The dot-shaped line formed by this is shown in the figure (b). However, the dot-shaped line shown by the solid line is an illustration of the instantaneous projected image assuming that the shutter arrays (11A) and (12A) are instantaneously driven. Actually, when the image is projected by the shutter, for example, the photosensitive drum is rotating, and the shutter element (11),
The projected image of (12) draws a locus on this photoconductor drum, and becomes dots (11d) and (12d) of a rectangular shape shown by a broken line which is equivalent to the locus of the lower base of the trapezoid. These adjacent dots (11d) and (12d) overlap each other at adjacent positions, and the inter-dot gap (6g) is based on the physical gap existing between the shutter elements due to the element separation grooves (6a) and (6b). Fill in. Therefore, by forming the window shape of the shutter element into such a trapezoidal shape, it is possible to form a line having a high dot continuity, and it is possible to obtain a high quality image in the case of image formation. Further, as shown in FIG. 9 (b), when forming the inter-element gap by cutting, the gap (6g) becomes relatively large due to the problem of the blade thickness of the cutter, but the window shape is trapezoidal. The presence of the gap can be covered by

もっとも、上記実施例はPLZT(1)に形成する溝をすべ
て切削加工によるものとしたが、フォトリグラフィー技
術(液相もしくは気相の化学エッチング)によって又は
精密切削加工と組合せてこれらの溝を形成するようにし
てもよい。
However, in the above embodiment, all the grooves formed in the PLZT (1) were formed by cutting, but these grooves are formed by photolithography technology (liquid phase or vapor phase chemical etching) or in combination with precision cutting. You may do it.

発明の効果 以上のように、本発明に係る光シャッタアレイによれ
ば、均一な電界がかかることから光学的に望ましいシャ
ッタ効果が期待できるとともに、製作工程が複雑化しな
いという優れた効果がある。
EFFECTS OF THE INVENTION As described above, according to the optical shutter array of the present invention, since a uniform electric field is applied, an optically desirable shutter effect can be expected, and the manufacturing process is not complicated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図(a),(b)、第2図、第3図、第4図は本発
明の一実施例に係る光シャッタアレイの製作工程の説明
図、第5図は完成品の部分平面図、第6図は背景例の断
面図、第7図(a)は第5図及び第11図のVII−VII線に
沿う断面図、第7図(b)はシャッタアレイが1列の他
の実施例の断面図、第8図は光シャッタアレイと駆動回
路との接続図、第9図(a),(b)はシャッタ駆動の
説明図、第10図は電極リード部の部分拡大図、第11図は
別の実施例の部分平面図、第12図(a),(b)は第11
図の実施例のシャッタ駆動の説明図である。 1……長尺板状のPLZT、3−1,3−2……共通電極用の
溝、4,5……個別電極用の溝、6,6a,6b……エレメント分
離用の溝、7……電極としてのアルミ蒸着膜、10……光
シャッタアレイ、11,12……シャッタエレメント、13…
…共通電極、14,15……個別電極、11A,12A……シャッタ
アレイ。
1 (a), (b), FIG. 2, FIG. 3, and FIG. 4 are explanatory views of a manufacturing process of an optical shutter array according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a partial plan view of a finished product. Fig. 6 is a sectional view of a background example, Fig. 7 (a) is a sectional view taken along the line VII-VII of Figs. 5 and 11, and Fig. 7 (b) is one row of shutter arrays. FIG. 8 is a connection diagram between the optical shutter array and the drive circuit, FIGS. 9 (a) and 9 (b) are explanatory views of the shutter drive, and FIG. 10 is a partially enlarged view of the electrode lead portion. , FIG. 11 is a partial plan view of another embodiment, and FIGS.
It is explanatory drawing of the shutter drive of the Example of the figure. 1 ... Long-plate PLZT, 3-1,3-2 ... groove for common electrode, 4,5 ... groove for individual electrode, 6,6a, 6b ... groove for element separation, 7 ...... Aluminum vapor deposition film as electrode, 10 ...... Optical shutter array, 11,12 ...... Shutter element, 13 ・ ・ ・
… Common electrodes, 14,15 …… Individual electrodes, 11A, 12A …… Shutter array.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 益田 朋彦 大阪府大阪市東区安土町2丁目30番地 大 阪国際ビル ミノルタカメラ株式会社内 審査官 吉野 公夫 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tomohiko Masuda 2-30 Azuchi-cho, Higashi-ku, Osaka City, Osaka Prefecture Osaka Osaka Building Minota Camera Co., Ltd. Examiner Kimio Yoshino

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電気光学効果を有する長尺の板状体に、そ
の長手方向に沿って設けられ、底面及び側面に断続的に
電極薄膜を有する第1の溝と、 この第1の溝の底面に該第1の溝と平行に設けられ、底
面及び側面に連続的に電極薄膜を有する第2の溝と、 前記第1の溝から所定の距離をおいて該第1の溝と平行
に設けられ、底面及び側面に断続的に電極薄膜を有する
第3の溝と、 前記板状体の幅にわたって所定のピッチで多数設けられ
た第4の溝とを備えて前記第1,第3,第4の溝により囲ま
れた凸部がシャッタエレメントを形成し、下記の条件を
満足することを特徴とする光シャッタアレイ。 d1+d2>d4>d3 d1=d3 但し、d1,d2,d3,d4は夫々第1,第2,第3,第4の溝の深さ
である。
1. A long plate-like body having an electro-optical effect, which is provided along the longitudinal direction thereof and has a first groove having electrode thin films intermittently formed on the bottom surface and side surfaces thereof, and the first groove of the first groove. A second groove provided on the bottom surface in parallel with the first groove and having an electrode thin film continuously on the bottom surface and the side surface, and in parallel with the first groove with a predetermined distance from the first groove. The third groove provided on the bottom surface and the side surface having the electrode thin film intermittently, and the fourth groove provided in large numbers at a predetermined pitch over the width of the plate-like body are provided. An optical shutter array characterized in that the convex portion surrounded by the fourth groove forms a shutter element and satisfies the following conditions. d 1 + d 2 > d 4 > d 3 d 1 = d 3 However, d 1 , d 2 , d 3 and d 4 are the depths of the first, second, third and fourth grooves, respectively.
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