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JPH0778580B2 - Method for manufacturing electrode in PLZT display device - Google Patents
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JPH0778580B2 - Method for manufacturing electrode in PLZT display device - Google Patents

Method for manufacturing electrode in PLZT display device

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JPH0778580B2
JPH0778580B2 JP1284212A JP28421289A JPH0778580B2 JP H0778580 B2 JPH0778580 B2 JP H0778580B2 JP 1284212 A JP1284212 A JP 1284212A JP 28421289 A JP28421289 A JP 28421289A JP H0778580 B2 JPH0778580 B2 JP H0778580B2
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groove
electrode
metal film
patterns
plzt
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昌司 塚田
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Fujitsu General Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はPLZT(透明なセラミック)の複屈折を利用し
たPLZT表示装置における電極の製造方法に係り、更に詳
しくは溝型で、かつ、櫛型の駆動電極および共通電極の
形成に際し、微細な光シャッタアレーや平面ディスプレ
イの実現を可能とするPLZT表示装置における電極の製造
方法に関するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing an electrode in a PLZT display device using the birefringence of PLZT (transparent ceramic), and more particularly to a groove type and a comb type. The present invention relates to a method of manufacturing electrodes in a PLZT display device, which makes it possible to realize a fine optical shutter array or a flat display when forming a mold drive electrode and a common electrode.

[従来例] 近年、PZTにLaを添加した透明なセラミックのPLZT(Pb
O,LaO,ZrO2,TiO)が光シャッタやディスプレイに用いら
れようとしている。このPLZTを光シャッタアレーや平面
ディスプレイとして用いる場合、例えば第7図に示す表
面電極あるいは第8図に示す溝型電極が採られることに
なる。この第7図において、PLZT基板1の上にはスパッ
タ法等により駆動電極2および共通電極(GND)3が形
成されている。また、第8図において、PLZT基板1に
は、機械加工やエッチングによる溝に電極を埋め込み、
駆動電極4および共通電極(GND)5が形成されてい
る。
[Conventional example] In recent years, PLZT (Pb
O, LaO, ZrO 2 , TiO) are about to be used for optical shutters and displays. When this PLZT is used as an optical shutter array or a flat display, for example, the surface electrode shown in FIG. 7 or the groove type electrode shown in FIG. 8 is adopted. In FIG. 7, the drive electrode 2 and the common electrode (GND) 3 are formed on the PLZT substrate 1 by the sputtering method or the like. Further, in FIG. 8, the PLZT substrate 1 is filled with electrodes in grooves formed by machining or etching.
A drive electrode 4 and a common electrode (GND) 5 are formed.

この溝型の電極構造は、上記表面電極構造よりも、PLZT
基板1内の電界分布が良好になることから、駆動電圧を
低くすることができるという利点がある。また、上記溝
型の駆動電極4および共通電極5の幅が狭い程、開口率
が高くなる。そのため、溝型電極の形成に際しては、エ
ッチングよりも深く、かつ、狭い溝を切ることができる
ダイシングカッタ等の機械加工の方が有効である。すな
わち、上記エッチングにおいては、複雑なパターンを形
成することができるが、サイドエッチングであるため、
溝を深くすると、その溝の幅まで広くなってしまうから
である。
This groove-type electrode structure has a PLZT
Since the electric field distribution in the substrate 1 becomes good, there is an advantage that the driving voltage can be lowered. Further, the narrower the width of the groove-shaped drive electrode 4 and the common electrode 5, the higher the aperture ratio. Therefore, when forming the groove-type electrode, it is more effective to use a machining process such as a dicing cutter that can cut a groove that is deeper and narrower than etching. That is, in the above etching, a complicated pattern can be formed, but since it is side etching,
This is because when the groove is deepened, the width of the groove also becomes wide.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記ダイシングカッタ等の機械加工にお
いては、微細な加工(例えば短い溝の加工)や曲線加工
に不向きであるため、微小な光シャッタとする溝型電極
の溝を形成することが困難であった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the mechanical processing of the dicing cutter and the like, it is unsuitable for fine processing (for example, processing of a short groove) and curved processing, and therefore, a groove type electrode for a minute optical shutter is used. It was difficult to form the groove.

また、上記溝型電極を形成するに際し、機械加工あるい
はエッチングにより形成した溝に金属を成膜し、ホトリ
ソ工程によるパターンニングを行なう必要があるが、そ
の溝が深く、狭くなる程、そのパターンニングが困難に
なる。すなわち、第9図に示されるように、ホトリソ工
程におけるレジスト塗布において、溝6にレジスト膜7
が均一形成されればよいが、第10図に示されるように、
そのレジスト膜7が均一とならず、むらが生じる。しか
も、そのレジスト膜7としてポジタイプのものを用いた
場合、パターンニングに際し、溝6の縁6aにおいてパタ
ーン切れを生じることがある。さらに、第11図に示され
るように、レジスト膜7が厚すぎると、溝の底6bのパタ
ーンニングが切断できなくなり(溝6の内部における切
断ができなくなり)、溝型電極が形成されないこともあ
る。この結果、溝6から配線を引き出すことができず、
微細な光シャッタアレーや平面ディスプレイの実現の妨
げになっていた。
Further, when forming the above-mentioned groove type electrode, it is necessary to form a metal film in the groove formed by machining or etching and perform patterning by a photolithography process, but as the groove becomes deeper and narrower, the patterning becomes more difficult. Becomes difficult. That is, as shown in FIG. 9, in the resist coating in the photolithography process, the resist film 7 is formed in the groove 6.
However, as shown in FIG. 10, as shown in FIG.
The resist film 7 is not uniform and uneven. Moreover, when a positive type resist film 7 is used, pattern breakage may occur at the edge 6a of the groove 6 during patterning. Furthermore, as shown in FIG. 11, if the resist film 7 is too thick, the patterning of the bottom 6b of the groove cannot be cut (the cutting inside the groove 6 cannot be done), and the groove-type electrode may not be formed. is there. As a result, the wiring cannot be pulled out from the groove 6,
It has been an obstacle to the realization of fine optical shutter arrays and flat displays.

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目
的は、配線パターンの切断をなくし、微細な光シャッタ
アレーやディスプレイパネルを得ることができる溝型電
極が得られるようにしたPLZT表示装置における電極の製
造方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to eliminate a disconnection of a wiring pattern and obtain a groove type electrode capable of obtaining a fine optical shutter array or a display panel in a PLZT display device. It is to provide a manufacturing method of an electrode.

[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため、この発明は、PLZTウェハ上に
所定の間隔をもって互いに平行となる複数の溝を形成す
る第1の工程と、上記各溝内に難半田性金属膜を形成す
るとともに、同難半田性金属膜にて上記PLZTウェハ上
に、上記各溝と1:1の関係で対応する凹凸を有し、か
つ、その各溝内の難半田性金属膜と電気的に導通する第
1および第2のパターンを互いにその凹部と凸部とが対
向するように形成する第2の工程と、上記第1および第
2のパターンの上記難半田性金属膜上に易半田性金属膜
を形成する第3の工程と、上記溝と直交する方向に沿っ
て上記第1および第2のパターンの各凸部の先端部およ
びその凸部間の上記溝内の難半田性金属膜を切り離すよ
うに上記溝よりも深い切断溝を連続的に形成する第4の
工程と、同切断溝にて切り離された上記凸部の先端部と
その凸部の基部側とを電気的に接続する第5の工程とを
有し、上記第1および第2のパターンの内、その一方を
共通電極、他方を駆動電極としたことを特徴としてい
る。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides a first step of forming a plurality of grooves that are parallel to each other on a PLZT wafer at a predetermined interval, and it is difficult to form a groove in each groove. A solder metal film is formed, and the same hard solder metal film has irregularities corresponding to the above grooves on the PLZT wafer in a 1: 1 relationship, and the solder resistance in each groove is low. A second step of forming first and second patterns electrically connected to the metal film such that the concave portions and the convex portions face each other; and the hardly solderable metal of the first and second patterns. A third step of forming a solderable metal film on the film, and a tip portion of each convex portion of the first and second patterns along the direction orthogonal to the groove, and inside the groove between the convex portions. A continuous cutting groove deeper than the above groove is formed so as to separate the difficult-to-solder metal film. And a fifth step of electrically connecting the tip end portion of the convex portion and the base portion side of the convex portion, which are separated by the cutting groove, of the first and second patterns. One of them is a common electrode and the other is a drive electrode.

[作用] 上記構成としたので、上記第1および第2のパターンの
凸部には各々独立の溝型電極が一つ置きに交互に接続さ
れ、この接続により溝型で、かつ、櫛型の共通電極およ
び駆動電極が形成される。しかも、それら電極が相手側
電極の櫛間に入り込む形になっている。
[Operation] With the above configuration, every other independent groove-type electrode is alternately connected to the convex portions of the first and second patterns, and by this connection, the groove-shaped and comb-shaped electrodes are formed. A common electrode and a drive electrode are formed. In addition, these electrodes are formed so as to enter between the combs of the counterpart electrodes.

そこで、PLZTウェハ上に複数本の溝による溝型電極を形
成し、かつ、上記第1のパターンに対して第2のパター
ンを複数個形成すれば、複数の光シャッタを形成するこ
とができる。しかも、溝型で、かつ、櫛型の電極により
その光シャッタが形成されることから、微細な光シャッ
タアレーやディスプレイパネルを得、しかもその光シャ
ッタの開口率を大きくし、駆動電圧を低下することがで
きる。
Therefore, a plurality of optical shutters can be formed by forming a groove-type electrode having a plurality of grooves on the PLZT wafer and forming a plurality of second patterns for the first pattern. Moreover, since the optical shutter is formed by the groove-shaped and comb-shaped electrodes, a fine optical shutter array or display panel is obtained, and the aperture ratio of the optical shutter is increased and the driving voltage is lowered. be able to.

[実施例] 以下、この発明の実施例を第1図乃至第6図に基づいて
説明する。
[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 6.

第1図において、PLZT表示装置としてのPLZTウェハ1上
には、ダイシングカッタ等の機械加工により所定間隔で
溝が切られ、これら溝に金属が成膜され、溝型電極8が
形成されるとともに、それら溝型電極8に対して直角方
向に、しかも側辺に凹部9a,凸部9bの形状を有する第1
のパターン9およびその凸部9b,凹部9aに対向して凹部1
0a,凸部10bの形状を有する第2のパターン10に金属が成
膜され、電極部が形成されている。また、溝型電極8と
直交する方向に沿って各凸部9bおよび各凸部10bに渡っ
て切り込まれる溝にて各溝型電極8が切断されている。
これにより、第1および第2のパターン9,10の凸部9b,1
0bの金属膜には互いに一つおきの溝型電極8が割り当て
られるため、この溝型電極8、第1および第2のパター
ン9,10による電極部により櫛型の電極が形成される。す
なわち、同図の破線に示されているように、上記櫛型
で、かつ溝型の電極を共通電極および駆動電極とする
と、一つの光シャッタ11が形成される。
In FIG. 1, on a PLZT wafer 1 as a PLZT display device, grooves are cut at predetermined intervals by mechanical processing such as a dicing cutter, a metal film is formed in these grooves, and a groove type electrode 8 is formed. A first portion having a shape of a concave portion 9a and a convex portion 9b in the direction perpendicular to the groove type electrodes 8 and on the side.
Of the concave portion 1 facing the pattern 9 and the convex portion 9b and the concave portion 9a thereof.
A metal film is formed on the second pattern 10 having the shape of 0a and the convex portion 10b to form an electrode portion. Further, each groove-type electrode 8 is cut by a groove cut across each convex portion 9b and each convex portion 10b along a direction orthogonal to the groove-shaped electrode 8.
Thereby, the convex portions 9b, 1 of the first and second patterns 9,10 are formed.
Since every other groove-shaped electrode 8 is assigned to the metal film of 0b, a comb-shaped electrode is formed by the groove-shaped electrode 8 and the electrode portions formed by the first and second patterns 9 and 10. That is, as shown by the broken line in the figure, if the comb-shaped and groove-shaped electrodes are used as the common electrode and the drive electrode, one optical shutter 11 is formed.

次に、上記PLZT表示装置における溝型で、かつ、櫛型電
極の製造工程を第2図乃至第6図を参照して説明する。
Next, a manufacturing process of the groove-shaped and comb-shaped electrodes in the PLZT display device will be described with reference to FIGS. 2 to 6.

まず、第2図に示されているように、PLZTウェハ1上に
は機械加工により所定間隔で溝6が切られる。この場
合、ダイシングカッタ等を用いると、深さ150μmま
で、幅30μm〜40μmの溝6を切ることができる。
First, as shown in FIG. 2, grooves 6 are cut on the PLZT wafer 1 at predetermined intervals by machining. In this case, if a dicing cutter or the like is used, the groove 6 having a width of 30 μm to 40 μm can be cut up to a depth of 150 μm.

その後、第3図に示されているように、そのPLZTウェハ
1上には、難半田性金属(例えばNiCr等)をスパッタ法
により成膜するとともに、通常のホトリソ工程により溝
6の内部およびPLZTウェハ1の表面の一部に所定パター
ン(上記第1および第2のパターン9,10)がパターンニ
ングされる。このとき、ポジタイプのレジストを第11図
で示した膜厚分布となるように、つまりパターンニング
によりPLZTウェハ1上の第1および第2のパターン9,10
の金属膜(電極部)と溝6内の金属膜(溝型電極)とが
確実に接続されるように、レジスト塗布が厚く行われ
る。すなわち、溝6の内部においてパターンを切る必要
がないことからである。続いて、PLZTウェハ1上に易半
田性金属(例えばAu等)が成膜されるとともに、通常の
ホトリソ工程によりNiCr膜の上記第1および第2のパタ
ーン9,10に重ねて易半田性金属膜(Au膜)の同パターン
が形成される。このとき、そのAu成膜はPLZTウェハ1表
面に形成した第1および第2のパターン9,10のNiCr膜に
のみ行なえばよく、溝6の内部にする必要がないため、
ポジタイプのレジストを第10図で示した膜厚分布となる
ように、つまりパターンニングにより第1および第2の
パターン9,10のみにAu膜が形成されるように、レジスト
塗布が薄く行われる。
Then, as shown in FIG. 3, on the PLZT wafer 1, a difficult-to-solder metal (for example, NiCr) is formed by the sputtering method, and the inside of the groove 6 and the PLZT wafer are formed by a normal photolithography process. A predetermined pattern (the first and second patterns 9 and 10) is patterned on a part of the surface of the wafer 1. At this time, the positive type resist has the film thickness distribution shown in FIG. 11, that is, the first and second patterns 9 and 10 on the PLZT wafer 1 are patterned by patterning.
The resist coating is performed thickly so that the metal film (electrode portion) and the metal film in the groove 6 (groove type electrode) are reliably connected. That is, it is not necessary to cut the pattern inside the groove 6. Then, a solderable metal (for example, Au) is formed on the PLZT wafer 1, and the solderable metal is overlaid on the first and second patterns 9 and 10 of the NiCr film by a normal photolithography process. The same pattern of the film (Au film) is formed. At this time, the Au film formation may be performed only on the NiCr films of the first and second patterns 9 and 10 formed on the surface of the PLZT wafer 1, and it is not necessary to form the inside of the groove 6,
The resist is thinly applied so that the positive type resist has the film thickness distribution shown in FIG. 10, that is, the Au film is formed only on the first and second patterns 9 and 10 by patterning.

続いて、第4図に示されているように、ダイシングカッ
タにより溝型電極8に対して直角方向にその溝より深い
溝12が切られ、各々独立の溝型電極8が形成される。す
なわち、第5図に示されているように、その溝12によ
り、第1および第2のパターン9,10の凸部9b,10bの先端
が切断され、またそれら第1のおよび第2のパターン9,
10の他側辺の近くで溝型電極8が切断されるからであ
る。
Then, as shown in FIG. 4, a groove 12 deeper than the groove is cut in a direction perpendicular to the groove electrode 8 by a dicing cutter to form an independent groove electrode 8. That is, as shown in FIG. 5, the groove 12 cuts the tips of the convex portions 9b and 10b of the first and second patterns 9 and 10, and the first and second patterns thereof are cut. 9,
This is because the groove electrode 8 is cut near the other side of the groove 10.

上記溝12を形成した後、第6図に示されているように、
PLZTウェハ1にはハンダディップあるいはハンダフロー
が施され、第1および第2のパターン9,10の切断された
凸部9b,10bの先端のみが溝12を越えてそれらの基部側に
接続されるが、同図の矢印Aの部分、つまり溝型電極8
のみが切断されている部分は接続されない。すなわち、
溝12の幅はせいぜい40μmと狭く、その凸部9b,10bの切
断部分は半田により容易にディップされるからであり、
また溝6内にはAu膜でなく、NiCr膜が形成されており、
その半田を弾いてしまい、上記矢印A部分には半田膜が
形成されないからである。すると、溝型電極8は各々独
立になり、しかも第1および第2のパターン9,10には凸
部9b,10bを介して一つ置きの溝型電極8が交互に接続さ
れ、この接続によりそれぞれが溝型で、かつ、櫛型の電
極となる。
After forming the groove 12, as shown in FIG.
The PLZT wafer 1 is subjected to solder dipping or solder flow, and only the tips of the cut convex portions 9b and 10b of the first and second patterns 9 and 10 cross the groove 12 and are connected to their base side. Is the portion indicated by the arrow A in FIG.
The parts that are only disconnected are not connected. That is,
This is because the width of the groove 12 is as narrow as 40 μm at the most, and the cut portions of the convex portions 9b and 10b are easily dip by solder,
Moreover, not the Au film but the NiCr film is formed in the groove 6,
This is because the solder is repelled, and the solder film is not formed on the portion indicated by the arrow A. Then, the groove-shaped electrodes 8 are independent of each other, and every other groove-shaped electrode 8 is alternately connected to the first and second patterns 9 and 10 via the convex portions 9b and 10b. Each is a groove-shaped and comb-shaped electrode.

そこで、第2図乃至第6図に示されているように、第1
のパターン9に対して第2のパターン10を複数個とし、
また第1のパターン9を共通電極(CND)とし、かつ、
第2のパターン10を駆動電極とすれば、第6図の破線で
囲まれている光シャッタ11を複数個形成することがで
き、しかもその複数の光シャッタ11の共通電極および駆
動電極が溝型で、かつ、櫛型にできる。これにより、そ
のシャッタの開口率を大きくし、かつ、その駆動電圧の
低下が図れることができ、微細な光シャッタアレーやデ
ィスプレイパネルが実現可能になる。
Therefore, as shown in FIGS. 2 to 6, the first
The second pattern 10 is plural for the pattern 9 of
The first pattern 9 is used as a common electrode (CND), and
If the second pattern 10 is used as a drive electrode, a plurality of optical shutters 11 surrounded by a broken line in FIG. 6 can be formed, and the common electrodes and drive electrodes of the plurality of optical shutters 11 are groove type. And it can be comb-shaped. As a result, the aperture ratio of the shutter can be increased and the drive voltage can be reduced, and a fine optical shutter array or display panel can be realized.

[発明の効果] 以上説明したように、この発明によれば、PLZTウェハ上
に所定の間隔をもって互いに平行となる複数の溝を形成
し、その各溝内に難半田性金属膜を形成するとともに、
それと同じ難半田性金属膜にて上記PLZTウェハ上に、上
記各溝と1:1の関係で対応する凹凸を有し、かつ、その
各溝内の難半田性金属膜と電気的に導通する第1および
第2のパターンを互いにその凹部と凸部とが対向するよ
うに形成した後、上記第1および第2のパターンの上記
難半田性金属膜上に易半田性金属膜を形成し、次いで上
記溝と直交する方向に沿って上記第1および第2のパタ
ーンの各凸部の先端部およびその凸部間の上記溝内の難
半田性金属膜を切り離すように上記溝よりも深い切断溝
を連続的に形成し、しかる後同切断溝にて切り離された
上記凸部の先端部とその凸部の基部側とを電気的に接続
して、上記第1および第2のパターンの内、その一方を
共通電極、他方を駆動電極としたことにより、通常のダ
イシングカッターおよびホトリソ技術を用いて、微小で
ありながら開口率の大きな光シャッタを形成することが
可能となり、また、その駆動電圧も低くて済む溝型かつ
櫛型のPLZT表示装置用電極が得られる、という効果が奏
される。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a plurality of grooves that are parallel to each other are formed on a PLZT wafer at a predetermined interval, and a difficult-to-solder metal film is formed in each groove. ,
On the PLZT wafer with the same difficult-to-solder metal film, there are irregularities corresponding to the above-mentioned grooves in a 1: 1 relationship, and there is electrical conduction with the difficult-to-solder metal film in each groove. After forming the first and second patterns so that the concave portions and the convex portions thereof face each other, a solderable metal film is formed on the hardly solderable metal film of the first and second patterns, Then, a deeper cut than the groove is cut along the direction orthogonal to the groove so as to separate the tip of each convex portion of the first and second patterns and the solder-resistant metal film in the groove between the convex portions. A groove is continuously formed, and thereafter, the tip end of the convex portion and the base side of the convex portion, which are separated by the cutting groove, are electrically connected to each other to form one of the first and second patterns. By using one of them as a common electrode and the other as a drive electrode, a normal dicing cutter and And photolithography technology, it is possible to form an optical shutter with a small aperture but a large aperture ratio, and it is possible to obtain a groove-shaped and comb-shaped electrode for a PLZT display device that requires a low driving voltage. The effect is played.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例を示すPLZT表示装置の電極
構造の概略的正面図、第2図乃至第6図は上記PLZT表示
装置の電極の製作プロセスを説明するための図、第7図
および第8図は従来の表面電極および溝型電極の構造を
説明するための概略的断面図、第9図乃至第11図は従来
の溝型電極の製作プロセスの一部分を説明するための図
である。 図中、1はPLZTウェハ、6,12は溝、8は溝型電極、9は
第1のパターン、9aは凹部(第1のパターンの)、9bは
凸部(第1のパターン9の)、10は第2のパターン、10
aは凹部(第2のパターンの)、10bは凸部(第2のパタ
ーン10の)、11は光シャッタである。
FIG. 1 is a schematic front view of an electrode structure of a PLZT display device showing an embodiment of the present invention, FIGS. 2 to 6 are views for explaining a process of manufacturing electrodes of the PLZT display device, and FIG. 8 and 9 are schematic cross-sectional views for explaining the structures of conventional surface electrodes and groove-type electrodes, and FIGS. 9 to 11 are views for explaining a part of the conventional groove-type electrode manufacturing process. Is. In the figure, 1 is a PLZT wafer, 6 and 12 are grooves, 8 is a groove type electrode, 9 is a first pattern, 9a is a concave portion (of the first pattern), 9b is a convex portion (of the first pattern 9). , 10 is the second pattern, 10
Reference numeral a is a concave portion (of the second pattern), 10b is a convex portion (of the second pattern 10), and 11 is an optical shutter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】PLZTウェハ上に所定の間隔をもって互いに
平行となる複数の溝を形成する第1の工程と、上記各溝
内に難半田性金属膜を形成するとともに、同難半田性金
属膜にて上記PLZTウェハ上に、上記各溝と1:1の関係で
対応する凹凸を有し、かつ、その各溝内の難半田性金属
膜と電気的に導通する第1および第2のパターンを互い
にその凹部と凸部とが対向するように形成する第2の工
程と、上記第1および第2のパターンの上記難半田性金
属膜上に易半田性金属膜を形成する第3の工程と、上記
溝と直交する方向に沿って上記第1および第2のパター
ンの各凸部の先端部およびその凸部間の上記溝内の難半
田性金属膜を切り離すように上記溝よりも深い切断溝を
連続的に形成する第4の工程と、同切断溝にて切り離さ
れた上記凸部の先端部とその凸部の基部側とを電気的に
接続する第5の工程とを有し、上記第1および第2のパ
ターンの内、その一方を共通電極、他方を駆動電極とし
たことを特徴とするPLZT表示装置における電極の製造方
法。
1. A first step of forming a plurality of grooves on a PLZT wafer that are parallel to each other with a predetermined interval, and a difficult-to-solder metal film is formed in each of the grooves, and the difficult-to-solder metal film is formed. In the PLZT wafer, there are first and second patterns which have irregularities corresponding to the above-mentioned grooves in a 1: 1 relationship and which are electrically connected to the hard-to-solder metal film in each groove. And a third step of forming a solderable metal film on the hard-to-solder metal film of the first and second patterns. And deeper than the groove so as to separate the tip of each convex portion of the first and second patterns and the difficult-to-solder metal film in the groove between the convex portions along a direction orthogonal to the groove. A fourth step of continuously forming the cutting groove and the tip of the convex portion separated by the cutting groove A fifth step of electrically connecting the convex side to the base side, and one of the first and second patterns is a common electrode and the other is a drive electrode. PLZT display device electrode manufacturing method.
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