「"separation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Contrarily, a separation region 36 is provided between the electrode pattern 43 for grounding and a precursor of the step absorption layer 34, and a separation region 26 is provided between the electrode pattern 43 for grounding and a precursor of a step absorption layer 24.例文帳に追加

その一方、接地用電極パターン４３と段差吸収層３４の前駆体との間に離間領域３６を設けると共に、接地用電極パターン４３と段差吸収層２４の前駆体との間に離間領域２６を設けている。 - 特許庁

A power supply voltage VCC is applied to the dummy island 18 and a ground potential GND is applied to a P+separation region 23.例文帳に追加

ダミーアイランド１８には電源電位ＶＣＣが印加され、Ｐ＋分離領域２３には接地電位ＧＮＤが印加される。 - 特許庁

The pixel separation region 121 is in contact with an end face of an insulator layer 117 adjacent to a lower face of the pixel electrode 119.例文帳に追加

画素分離領域１２１は、画素電極１１９の下面に隣接する絶縁体層１１７の端面と接している。 - 特許庁

So, with a prescribed design rule applied, an element separation region 36 is allowed to be away from the reading transistor 31.例文帳に追加

したがって、所定のデザインルールを適用した場合に、素子分離領域３６と読み出しトランジスタ３１との間を広くできる。 - 特許庁

An Si layer and an SiGe layer are formed on the n-type epitaxial layer 3 and the element separation region 4 by epitaxial growth.例文帳に追加

ｎ型エピタキシャル層３と素子分離領域４の上にＳｉ層とＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

The coating layer 13 in the adhesion region area has an inter-wiring separation region 13A between adjacent metallic wires 51.例文帳に追加

貼合領域において被覆層１３は、隣り合った金属配線５１の間に配線間分離領域１３Ａを有する。 - 特許庁

Quality is made different in a film of a trench-type element separation region 12 surrounding the side of an active region 11 of a p-channel type MIS transistor PTr, and that of trench-type element separation region 22 surrounding the side of an active region 21 of an n-channel type MIS transistor NTr.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタＰＴｒの活性領域１１の側方を囲むトレンチ型素子分離１２と、Ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタＮＴｒの活性領域２１の側方を囲むトレンチ型素子分離２２との膜質を異なるものとする。 - 特許庁

The void region is not disposed in the element separation region 104 adjacent to the NMOS region 105 in a channel width direction.例文帳に追加

チャネル幅方向においてＮＭＯＳ領域１０５と隣接する素子分離領域１０４には空洞領域は配置されていない。 - 特許庁

The CMOS sensor structure is equipped with a substrate, n- and n+ regions, a separation region, field injection region, and a silicon oxide external frame.例文帳に追加

ＣＭＯＳ検知構造は、基板、ｎ^−領域、ｎ^＋領域、分離領域、フィールド注入領域、そしてシリコン酸化物外枠を有する。 - 特許庁

A magnetic domain separation region (non-magnetic region) is provided in a zigzag at both sides in the radial direction of the magnetooptical disk of the recording track of data.例文帳に追加

データの記録トラックの光磁気ディスクの半径方向の両側には、磁区分離領域（非磁性領域）を蛇行させて設けておく。 - 特許庁

On a first surface of the device, respective source regions of the main element and the sub-element are formed while insulated through a separation region.例文帳に追加

本装置の第１の面に、メイン素子及びサブ素子の各ソース領域が、分離領域を介して絶縁されるように形成される。 - 特許庁

The channel region and high concentration body region are connected in a region under the source region and first separation region.例文帳に追加

そして、チャネル領域と高濃度ボディ領域とは、ソース領域及び第１分離領域の下側領域において接続されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for reducing the occurrence of crystal defects, or the like occurring from an element separation region.例文帳に追加

素子分離領域から発生する結晶欠陥等の発生を低減するための半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A protective film 4 having an opening in a predetermined region on a side containing the active region 2a is provided on the separation region 3.例文帳に追加

素子分離領域３の上には活性領域２ａを含む側の所定の領域に開口部を有する保護膜４を設ける。 - 特許庁

Heating sections 41c, 42c, 72c, 73c, 81c for heating the separation gas supplied to a separation gas supply means for forming the separation region D are provided.例文帳に追加

分離領域Ｄを形成するための分離ガス供給手段に供給される分離ガスを加熱する加熱部４１ｃ，４２ｃ，７２ｃ，７３ｃ，８１ｃを設ける。 - 特許庁

On a surface of an element separation region, a first oxide film 4, a nitride film 6 and a second oxide film 8 are formed, and a trench is formed.例文帳に追加

素子分離領域の表面に第１酸化膜４と窒化膜６と第２酸化膜８を順に形成し、トレンチを形成する。 - 特許庁

A void region 103 is disposed in the element separation region 102 adjacent to an NMOS region 105 in a channel length direction.例文帳に追加

チャネル長方向においてＮＭＯＳ領域１０５と隣接する素子分離領域１０２に空洞領域１０３が配置されている。 - 特許庁

A porous member 3 for dividing an internal space to an upper separation region 2a and a lower flow region 2b is disposed in a separation tank 2.例文帳に追加

分離槽２内には内部空間を上部分離域２ａと下部流動域２ｂとに分割する多孔部材３が配設されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a transistor formed by a diffusion layer 103 and gate polysilicon 104 that becomes a gate electrode, an element separation region using a LOCOS oxide film 102, net-like gate polysilicon wiring 101 formed at the element separation region, and metal film wiring 105 arranged on the upper layer.例文帳に追加

拡散層１０３とゲート電極となるゲートポリシリ１０４により形成されたトランジスタと、ＬＯＣＯＳ酸化膜１０２を用いた素子分離領域と、素子分離領域に形成された、網目状のゲートポリシリ配線１０１と、この上層に配置された金属膜の配線１０５とを備える。 - 特許庁

When viewed from a lamination direction, respective green sheets 40A, 40B are aligned such that the precursors of the step absorption layer 22 for grounding and the step absorption layer 32 for grounding are positioned in a separation region 13, and the precursor of the step absorption layer 24 for grounding is positioned in a separation region 35.例文帳に追加

そして、積層方向からみて、接地用段差吸収層２２及び接地用段差吸収層３２の前駆体が離間領域１３に、接地用段差吸収層２４の前駆体が離間領域３５にそれぞれ位置するように各グリーンシート４０Ａ，４０Ｂを位置合わせする。 - 特許庁

To provide a device structure, together with a manufacturing method, for defining an element forming region and its dimensions capable of preventing dislocation generated when an element separation region is formed on a silicon substrate in a thermal oxidation method in a semiconductor device having the element separation region.例文帳に追加

素子分離領域を有する半導体装置において該素子分離領域をシリコン基板の熱酸化で作製する場合の転位発生を防止する半導体装置内部の素子形成領域及び素子分離領域の寸法を規定した装置構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Lead-out wires 241a and 242a are formed extending in the Y direction on an insulating film 91 and arrayed in an X direction in plane view so that a separation region R1 partitioning off the shield-films may not overlap the separation region R2.例文帳に追加

引き出し配線２４１ａ及び２４２ａは、絶縁膜９１上においてＹ方向に沿って延在するように夫々形成されており、且つ互いを隔てる分離領域Ｒ１が分離領域Ｒ２に重ならないように平面的に見てＸ方向に沿って配列された配列されている。 - 特許庁

An element separation region 20 consisting of element isolation regions 20a-20d is formed around an element region 10 made of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板からなる素子領域１０の周りには、素子分離領域２０ａ〜２０ｄからなる素子分離領域２０が形成されている。 - 特許庁

By extending an element separation region 4 along the gate electrode 2, occurrence of failure is prevented at a gate insulating film by the gettering effect.例文帳に追加

また、ゲート電極２に沿って素子分離領域４を延在させることで、ゲッタリング効果によりゲート絶縁膜における欠陥の発生を防ぐ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses horizontal diffusion in a p-type diffusion layer for composing a separation region, and reduces the size of the device.例文帳に追加

分離領域を構成するＰ型の拡散層の横方向への拡散を抑制し、デバイスサイズを縮小した半導体装置の提供。 - 特許庁

The structure prevents the base region and the separation region from being short-circuited easily, thus improving the breakdown voltage characteristics of the npn transistor 1.例文帳に追加

この構造により、ベース領域−分離領域間がショートし難くなり、ＮＰＮトランジスタ１の耐圧特性を向上させることができる。 - 特許庁

To solve a problem of optical loss without giving large influence on propagation of optical mode and also provide a stable electrical separation region structure with excellent controlability.例文帳に追加

光モードの伝搬に大きな影響を与えることがなく、光ロスの問題を解決し、また、制御性よく安定に電気分離領域構造を有すること。 - 特許庁

A gate-feed wiring on the element separation region connects gate fingers to one another at ends on the opposite side from the side where the drain connection portion is disposed.例文帳に追加

素子分離領域上のゲート給電配線が、ゲートフィンガ同士を、ドレイ連結部が配置された側とは反対側の端部において接続する。 - 特許庁

Each of n lines of signal lines SL is separated into a first signal line SL1 and a second signal line SL2 in a separation region R10.例文帳に追加

ｎ本の信号線ＳＬの各々は、分離領域Ｒ１０内において第１信号線ＳＬ１および第２信号線ＳＬ２に分離されている。 - 特許庁

To provide a CMOS type semiconductor device comprising an element separation region with excellent punch-through resistance by preventing dropping in concentration of a channel stop region.例文帳に追加

チャネルストップ領域の低濃度化を防ぎ、優れたパンチスルー耐性を有する素子分離領域を有するＣＭＯＳ型半導体装置を提供する。 - 特許庁

A break 9, as a cuttable line for separating an oblong substantially rectangular shaped separation region 7 from the other region is set.例文帳に追加

基材シート３には、横長の略長方形状の分離領域７をその他の領域から切り離すための切断可能線として切れ目９が入れられている。 - 特許庁

STI 60 is formed on a semiconductor substrate 10 first to enclose element formation regions D1 to D4 respectively (element separation region forming process).例文帳に追加

まず、素子形成領域Ｄ１〜Ｄ４のそれぞれを包囲するように、ＳＴＩ６０を半導体基板１０に形成する（素子分離領域形成工程）。 - 特許庁

An n-type MIS transistor Q_1 or p-type MIS transistor Q_2 is formed on an active region separated by the element separation region 2 of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の素子分離領域２で分離された活性領域上にｎ型ＭＩＳトランジスタＱ_1またはｐ型ＭＩＳトランジスタＱ_2を形成する。 - 特許庁

When patterning the light emitting cells, a lower substrate in a separation region between the respective light emitting cells is partially removed to form a recess region.例文帳に追加

前記発光セルをパターニングするとき、前記発光セル間の分離領域の下方の基板が部分的に除去されてリセス領域が形成される。 - 特許庁

Even when the step absorption layer is shifted and formed to a certain degree, the separation regions 23, 24 and 33 are provided from the beginning, thereby the shift can be absorbed by the separation region.例文帳に追加

離間領域２３，２４，３３を当初から設けているため、段差吸収層が多少ずれて形成されたとしても、離間領域で吸収できる。 - 特許庁

To provide a method of forming a trench element separation region capable of easily and precisely removing a nitride silicon film liner at the upper part of a trench side wall.例文帳に追加

簡易かつ精度よく、トレンチ側壁上部の窒化シリコン膜ライナーの除去を行うことができる、トレンチ素子分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the control gate electrode 1, width D1 in a first direction on the element separation region is wider than width D2 in the first direction on an element region.例文帳に追加

制御ゲート電極１は、素子分離領域上の第１の方向の幅Ｄ１が素子領域上の第１の方向の幅Ｄ２よりも広い。 - 特許庁

Even if the connection electrode 308 is applied, the Hall concentration of the pixel separation region 306 is ensured by the high-concentration p-type impurity region 310.例文帳に追加

接続電極３０８が印加されても、高濃度Ｐ型不純物領域３１０によって、画素分離領域３０６のホール濃度が確保される。 - 特許庁

The source region and high concentration body region are insulated by a first separation region 23 that is provided to have a depth not reaching the insulating layer.例文帳に追加

これらソース領域及び高濃度ボディ領域は、絶縁層に達しない深さで設けられた第１分離領域２３によって絶縁されている。 - 特許庁

To improve the driving capability of a transistor by improving the mobility of a carrier in an active region of the transistor surrounded by an element separation region.例文帳に追加

素子分離領域により囲まれたトランジスタの活性領域においてキャリアの移動度を向上させ、それによってトランジスタの駆動能力を向上させる。 - 特許庁

To prevent an insulating film buried in a trench separation region from being dug down, and to prevent a substrate leak accompanied by the silicide formation of an active region edge sidewall.例文帳に追加

トレンチ分離領域内に埋め込まれた絶縁膜の掘れ下がりを防止し、活性領域端部側壁のシリサイド形成に伴う基板リークを防止する。 - 特許庁

To expose respective gate electrode formation films and gate wiring formation films formed on an active region and an element separation region with high accuracy, without being affected by the level difference between the active region and the element separation region, in a method for manufacturing a semiconductor device having a full-silicified gate electrode.例文帳に追加

フルシリサイド化されたゲート電極を有する半導体装置の製造方法において、活性領域と素子分離領域との段差による影響を受けることなく、活性領域上と素子分離領域上とに形成されたそれぞれのゲート電極形成膜及びゲート配線形成膜の露出を精度良う。 - 特許庁

Unlike conventional techniques wherein ion injection is performed using a resist mask provided at a predetermined distance d from an element separation region end, the resist mask is not misaligned and the distance d from the end of the element separation region 13 is made stable to stably form a p-type impurity region 133.例文帳に追加

素子分離領域端から所定の距離ｄだけ離れるように設けられたレジストマスクを用いてイオン注入ろ行う従来技術のようにレジストマスクの合わせずれが生じることなく、素子分離領域１３の端からの距離ｄを安定化させて、ｐ型不純物領域１３３を安定化して形成することができる。 - 特許庁

The traveling control device includes a vehicle traveling position control means for controlling a vehicle traveling position so as to substantially house a vehicle 10 in an estimated separation region estimated based on a parameter for determining the range of the separation region W of an air flow behind the other vehicle 20.例文帳に追加

本発明の走行制御装置は、他車２０の後方空気流の剥離域Ｗの範囲を決定するパラメータに基づいて推定される推定剥離域内に自車１０が実質的に収容されるよう自車の走行位置を制御する自車走行位置制御手段を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a third semiconductor layer are formed by forming a first element separation region 110a extending to an insulating layer, and a third element separation region 110b on a substrate 10 on which there are formed in order a support substrate 10a, the insulating layer 10b, and a semiconductor layer 10c.例文帳に追加

支持基板１０ａと絶縁層１０ｂと半導体層１０ｃとが順に形成された基板１０に、絶縁層に到達する第１素子分離領域１１０ａおよび第３素子分離領域１１０ｂを形成することで第１半導体層、第２半導体層および第３半導体層を形成する。 - 特許庁