「"separation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A porous member 4 for dividing an internal space to an upper separation region 2a and a lower flocculation region 2b is disposed in a flocculating/separation tank 2 into which a liquid mixture composed of raw water and a flocculating agent is introduced.例文帳に追加

原水と凝集剤とが混和した混和液を導入する凝集分離タンク２内には内部空間を上部分離域２ａと下部凝集域２ｂとに分割する多孔部材４が配設されている。 - 特許庁

The slot 8 is buried by, for example, an NSG film 10 of a CVD method, and a trench 12 constituting a separation region is buried by, for example, an HTO film 13 and polycrystal silicon film 14 of a CVD method.例文帳に追加

更に、溝部８を、例えば、ＣＶＤ法によるＮＳＧ膜１０で埋設し、分離領域を構成するトレンチ１２は、例えば、ＣＶＤ法によるＨＴＯ膜１３及び多結晶シリコン膜１４で埋設する。 - 特許庁

An Si layer of an SOI substrate forms a trench on a region separating an element, and forms an element separation region by burying SiN larger than a thermal expansion coefficient of Si as an insulation material in the trench.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のＳｉ層において、素子分離する領域にトレンチを形成し、このトレンチ内に絶縁材料としてＳｉより熱膨張係数の大きいＳｉＮを埋め込んで素子分離領域を形成する。 - 特許庁

The separation region 3 has a discharge port 32 to discharge the settled and concentrated catalyst, and the lower end in another division is provided with a circulation port 33 connected to the reaction region 2.例文帳に追加

この分離領域３の下部には、沈降濃縮された浮遊触媒を排出するための排出口３２が設けられ、別に区画された下端部には、反応領域２に連通した循環口３３が設けられている。 - 特許庁

The conductor 38 is connected to a ground wiring through a contact hole 21, and connected to the element separation region 11 through a contact part 40 (40a and 40b) at a prescribed position of the element formation region 11.例文帳に追加

導電体３８は、コンタクトホール２１を介して接地配線に接続してあるとともに、素子形成領域１１の予め定めた位置において、コンタクト部４０（４０ａ、４０ｂ）を介して素子形成領域１１に接続してある。 - 特許庁

In the plane view from the side of an object F, the light shielding layer BM and the insulation layer 28 overlap with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加

対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭと絶縁層２８は第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 - 特許庁

For solving the problem, a CCD image sensor is composed, where the sensor includes one photodiode region segmented by an element separation region (4) and a CCD register (3) connected one photodiode region through a transfer gate (2).例文帳に追加

上記の課題を解決するために、素子分離領域（４）で区画された１つのフォトダイオード領域と、転送ゲート（２）を介して１つのフォトダイオード領域に接続するＣＣＤレジスタ（３）とを具備するＣＣＤイメージセンサを構成する。 - 特許庁

The n pieces of light emission pixels arrayed in the same row in the separation region R10 include both of light emission pixels corresponding to the first signal line SL1 and light emission pixels corresponding to the second signal line SL2.例文帳に追加

分離領域Ｒ１０内において同一行に配列されたｎ個の発光画素には、第１信号線ＳＬ１に対応づけられる発光画素と、第２信号線ＳＬ２に対応づけられる発光画素との双方が含まれる。 - 特許庁

A modulation frequency component according to the zigzag of the magnetic domain separation region is detected from a reproduction signal RF, and the amplitude level of the modulation frequency component is detected from a band-pass filter 211 by a detection circuit 212.例文帳に追加

バンドパスフィルタ２１１により、再生信号ＲＦから磁区分離領域の蛇行に応じた変調周波数成分を検出し、検波回路２１２によりバンドパスフィルタ２１１からの変調周波数成分の振幅レベルを検出する。 - 特許庁

Consequently, the separation region 7 of the first island region 8, in which the horizontal PNP transistor 2 is formed becomes lower in potential than that of the separation regions of the other island regions, and the flowing of free carriers (electrons) into the separating region 7 can be prevented.例文帳に追加

そのことで、横型ＰＮＰトランジスタ２が形成される第１の島領域８の分離領域７は、その他の島領域の分離領域より低電位となり、自由キャリア（電子）が流れ込むのを防ぐことができる。 - 特許庁

At the upper portion of the p-type pixel separation region 306, a connection electrode 308 to which a positive charge is applied at driving and a connection electrode 309 to which no positive charges are applied at driving are formed via a gate insulation film 307.例文帳に追加

Ｐ型画素分離領域３０６の上方には、駆動時に正電荷が印加される接続電極３０８と、駆動時に正電荷が印加されない接続電極３０９がゲート絶縁膜３０７を介して形成される。 - 特許庁

To provide a structure for adding an effective stress without influencing the arrangement of an element separation region to improve characteristics of a field effect transistor having a channel region, a source region, and a drain region which are arranged in an active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域の中に配置されたチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタの特性向上のため、素子分離領域の配置に影響を与えずに効果的な応力を付加する構造の提供。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus that reduces a noise caused by a dark current generated in an element separation region for separating a reset transistor or an amplifying transistor from a photoelectric conversion part, and that is advantageous to miniaturization of pixels.例文帳に追加

本発明は、リセットトランジスタまたは増幅トランジスタと光電変換部とを分離するための素子分離領域で発生する暗電流によるノイズを低減するとともに、画素の微細化に有利な固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes: a plurality of element separation regions formed in a substrate; and a first impurity doping region which is formed between the plurality of element separation regions with a specified space from a side surface of the element separation region.例文帳に追加

基板内に形成される複数の素子分離領域と、前記複数の素子分離領域の間に形成され、前記素子分離領域の側面と所定間隔離隔されて形成される第１不純物ドーピング領域とを含むＣＭＯＳイメージセンサ。 - 特許庁

The edge on a source diffusion layer 8 side of the trench element separation region 16 almost agrees with that of the charge accumulation layer 20 and control gate 24, with the source diffusion layer 8 formed flat without bending in the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

そして、トレンチ素子分離領域１６のソース拡散層８側のエッジは、電荷蓄積層２０及び制御ゲート２４のエッジとほぼ一致しており、ソース拡散層８は半導体基板２内に屈曲することなく平面状に形成される。 - 特許庁

When stress affected by the element separation region is considered, a distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where drop of current driving performance is to be suppressed so that drop of currentis is suppressed between a drain and a source.例文帳に追加

素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる電流駆動能力の低下を抑制すべき回路にはドレイン・ソース間電流の低下が抑制されるようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁

Gates FG1 to FG4 in a square or circular annular shape in plan view are formed so that the center section of the diffusion layers L1 and L2 surrounded by the element separation region is exposed, and at the same time the edge sections at both sides of the diffusion layers L1 and L2 are covered.例文帳に追加

平面視で角形又は円形の環状を呈するゲートＦＧ１〜ＦＧ４を、素子分離領域によって囲まれた拡散層Ｌ１，Ｌ２の中央部を露出させ、かつこの拡散層Ｌ１，Ｌ２の両側のエッジ部を覆うように形成する。 - 特許庁

Related to the region 31 where the conductor is embedded in the element separation region, a plurality of element formation regions 11 (11a-11d) compromising a single crystal silicon and the like are enclosed with integral conductor 38 through an insulating film 37, to be a block.例文帳に追加

素子分離領域の中に導電体が埋め込まれた領域３１は、単結晶シリコンなどからなる複数の素子形成領域１１（１１ａ〜１１ｄ）が絶縁膜３７を介して一体の導電体３８に囲まれて、ブロック化されている。 - 特許庁

A position Ps of the three-dimensional distortion sensor block 1 installed in the structure K is set in a duplicate region ZZ such as an external force separation region ZFz obtained by using a stress function as the function of a position and an angle obtained from stress distribution by angle conversion.例文帳に追加

構造体Ｋへの３次元歪センサブロック１の設置位置Ｐｓを、応力分布から角度変換で得られる位置と角度の関数である応力関数を用いて得られる外力分離領域ＺＦｚなどの重複領域ＺＺとする。 - 特許庁

To manufacture a memory cell and a transistor(Tr) of the peripheral circuit of the memory cell in parallel without forming an MOS structure on the surface opposed to an element separation region 107 in the element region of the Tr, with no increase in the pattern area of the Tr.例文帳に追加

メモリセルの周辺回路のトランジスタ（Ｔｒ）のパターン面積を増大させずに、このＴｒの素子領域の素子分離領域１０７と対向する面にＭＯＳ構造を形成させること無く、メモリセルとこのＴｒを並行して製造する。 - 特許庁

The MOSFET device has a semiconductor substrate 11; an SiGe layer 12 placed on the substrate 11; an Si layer 13 placed on the layer 12; and an element separation region 16 for separating the Si layer 13 into a core region 14 and an I/O region 15.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴデバイスは、半導体基板１１と、この上に備えられたＳｉＧｅ層１２と、この上に備えられたＳｉ層１３と、このＳｉ層１３をコア領域１４とＩ／Ｏ領域１５とに分離する素子分離領域１６とを有する。 - 特許庁

The centrifuge 10 is constituted to have a main body of a bowl 14 which is made to have a disc shape to perform a centrifugal separation of blood into a hemocyte ingredient and a plasma ingredient and a separation ring 15 which separates the inside of the main body of the bowl 14 into a separation region 17 and a collection region 16.例文帳に追加

遠心分離器１０では、血液を血球成分と血漿成分とに遠心分離するためのボウル本体１４を円盤形状とし、ボウル本体１４内を分離領域１７と収集領域１６とに区画するセパレートリング１５を設ける。 - 特許庁

The outer edge of the dielectric layer 22 is located directly under the inner edge of a separation region 23c between the divided electrode films 23b and 23d or on the outside thereof, and the divided electrode films 23b and 23d are insulated from each other against a high frequency.例文帳に追加

ここで、前記誘電体層２２の外縁は、分割された電極膜２３ｂ、２３ｄ間の離間領域２３ｃの内縁の真下またはそれよりも外側に位置し、分割された電極膜２３ｂ、２３ｄは互いに高周波に対して絶縁されている。 - 特許庁

The light shielding layer BM is an insulator which is provided on a position corresponding to a separation region between the second and third electrodes 24 of a surface on the side of the light emitting layer 26 of the first electrode 22, shields the irradiation light IL and the reflected light RL, and has an opening.例文帳に追加

遮光層ＢＭは、第１電極２２の発光層２６側の表面のうち第２，第３電極２４間の離間領域に対応する位置に設けられ、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に開口部が形成された絶縁体である。 - 特許庁

To suppress electric field concentration generated at the edge part of an STI region (groove type element separation region) even when the MOS transistor of multiple power sources is formed in a peripheral circuit and to eliminate the kink characteristics of the MOS transistor in a semiconductor device loaded with an MONOS type nonvolatile memory.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリ搭載半導体装置で、周辺回路に多電源のＭＯＳトランジスタを形成してもＳＴＩ領域（溝型素子分離領域）のエッジ部に生じる電界集中を抑制し、ＭＯＳトランジスタのキンク特性をなくす。 - 特許庁

The step absorption layers are positively formed on each internal electrode, and the separation regions are provided at places opposite to the step absorption layers from the first, thus achieving absorption in the separation region even if the step absorption layer deviates to some extent at formation.例文帳に追加

各内部電極上に積極的に段差吸収層を形成し、その段差吸収層に対向する箇所に離間領域を当初から設けているため、段差吸収層が多少ずれて形成されたとしても、離間領域で吸収することができる。 - 特許庁

On the other hand, active width Lc of the gate end at the side of a capacitor for information accumulation of the MISFET for memory cell selection is set narrower than the minimum machining dimensions, thus increasing the influence of the boron segregation to the insulating film for composing the element separation region (a).例文帳に追加

一方、メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴの情報蓄積用容量素子側のゲート端の活性幅Ｌｃを最小加工寸法よりも狭くすることにより、素子分離領域ａを構成する絶縁膜へのボロン偏析の影響を大きくする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, where in forming an element separation region by an STI method, the exposure of a semiconductor substrate at a trench top part is surely prevented, for simplifying the manufacturing process and coping with a finer element.例文帳に追加

ＳＴＩ法によって素子分離領域を形成する際に、トレンチ上端部の半導体基板の露出を確実に防止しながら、製造工程の簡略化、素子の微細化に対応することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A separation region 95 separated from a region of the FPC 6 opposite to the actuator unit 21, a projection section 89c fixed to the top face 9a and a projection section 93 projected from the region opposite to a drawing section 6b of the FPC 6 are formed on the plate 14.例文帳に追加

プレート１４には、ＦＰＣ６のアクチュエータユニット２１と対向する領域と離隔した離隔領域９５と、上面９ａに固定された突出部８９ｃと、ＦＰＣ６の引出部分６ｂと対向する領域から突出した突出部９３とが形成されている。 - 特許庁

There are provided a trench 3 formed in an element separation region which is so formed as to enclose an element formation region on a semiconductor substrate 1, and insulating films 4 and 5 which, formed with the same width as a trench width on the trench 3, form a void 50 in the trench 3.例文帳に追加

半導体基板１上の素子形成領域を囲むように形成される素子分離領域に形成されたトレンチ３と、トレンチ３上にトレンチ幅と略同一幅にて形成され、トレンチ３内に空隙５０を形成する絶縁膜４、５とを備えたものである。 - 特許庁

A high resistance region 111 where a valid conduction rate of an upper clad layer 106 is partially dropped (valid resistance rate is improved) by using ion implantation technology is arranged in the upper clad layer 106 in a side of a laser region (light emitting region) 107 of the separation region 110.例文帳に追加

分離領域１１０のレーザ領域（発光領域）１０７の側における上部クラッド層１０６には、例えばイオン注入技術を用いて部分的に上部クラッド層１０６の実効的な導電率を下げた（実効的な抵抗率を上げた）高抵抗領域１１１を備える。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate 301 at the lower portion of the connection electrode 308, p-type impurities are introduced selectively, thus forming a high-concentration p-type impurity region 310 having a p-type impurity concentration that is higher than that of the pixel separation region 306.例文帳に追加

また、接続電極３０８の下方における半導体基板３０１の表面には、Ｐ型不純物を選択的に導入することによって、画素分離領域３０６よりＰ型不純物濃度が高い高濃度Ｐ型不純物領域３１０が形成されている。 - 特許庁

The solid state image sensor 1 has a concentration distribution where the horizontal concentration distribution of the pixel separation region 25a between photosensors 3a, 3b adjoining vertically to each other has higher concentration at portions corresponding to opposite ends of the photosensor than that at a portion corresponding to the center of the photosensor.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子１は、垂直方向に隣接するフォトセンサ３ａ及び３ｂ間の画素分離領域２５ａの水平方向の濃度分布が、フォトセンサ両端に対応する部分をフォトセンサ中央に対応する部分より高濃度にした濃度分布を有することを特徴とする。 - 特許庁

On a semiconductor substrate, an element active region, where an insulated gate field effect transistor is formed, is enclosed with a channel element isolation region, with the gate electrode pattern being thicker in the region striding the channel element separation region of the gate electrode of the insulating gate field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板上であって絶縁ゲート電界効果トランジスタの形成される素子活性領域が溝素子分離領域で囲繞され、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の溝素子分離領域を跨る領域で上記ゲート電極パターンの寸法が太くなっている。 - 特許庁

A first gate oxide film 106, which is relatively the thickest, is formed on an input/output MOSFET active region, a first internal MOSFET active region and a second internal MOSFET active region which are mutually separated by a trench separation region 105.例文帳に追加

トレンチ分離領域１０５によって互いに分離されている入出力ＭＯＳＦＥＴ活性領域、第１の内部ＭＯＳＦＥＴ活性領域及び第２の内部ＭＯＳＦＥＴ活性領域のそれぞれの上に、相対的に最も厚い第１のゲート酸化膜１０６を形成する。 - 特許庁

The LSI device has an SOI substrate 11 and an element separation region 18 for separating an SOI layer 14 of the SOI substrate 11 into the core region 1 and the I/O region 2, and the thickness of an SOI layer 14a in the core region 1 is formed thinner than the thickness of an SOI layer 14b of the I/O region 2.例文帳に追加

ＬＳＩデバイスは、ＳＯＩ基板１１と、ＳＯＩ基板１１のＳＯＩ層１４をコア領域１とＩ／Ｏ領域２とに分離する素子分離領域１８とを有し、コア領域１のＳＯＩ層１４ａの厚さをＩ／Ｏ領域２のＳＯＩ層１４ｂの厚さより薄くしている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which can restrain stress applied to a semiconductor substrate in the upper part of a trench groove sidewall without forming a recess in the end of a trench embedding insulation film in forming a trench groove separation region separating an active region.例文帳に追加

活性領域を分離するトレンチ溝分離領域の形成にあたり、トレンチ埋め込み絶縁膜の端部にくぼみを発生させること無く、トレンチ溝側壁上部の半導体基板にかかる応力を抑えることが出来る半導体装置及びその製造方法を実現する。 - 特許庁

For each separation region after the redefinition, an interpolation filter coefficient switching unit 14 selects and switches to interpolation filter coefficients that minimize a rate-distortion cost, and a reference image interpolation unit 151 interpolates fractional precision pixels for a reference image using an optimized interpolation filter.例文帳に追加

この再定義後の分割領域ごとに，補間フィルタ係数切り替え部１４は，レート歪みコストが最小となる補間フィルタ係数を選択して切り替え，参照画像補間部１５１は，最適化された補間フィルタを用いて参照画像に対する小数精度画素の補間を行う。 - 特許庁

The direction of ion implantation is applied selectively according to the characteristics and the roles of impurity layers (12, 13, 20), which are formed such that overflow barrier layers (12, 13) are formed by skew ion implantation and a predetermined pixel separation region (20) is formed by ion implantation from a perpendicular direction.例文帳に追加

オーバーフローバリア層（１２，１３）は斜めイオン注入により形成し、所定の画素間分離領域（２０）は垂直方向からのイオン注入により形成するというふうに、形成する不純物層（１２，１３，２０）の性質や役割に応じて、イオン注入の方向を使い分ける。 - 特許庁

The paper dust removal apparatus 1 is provided with a continuous air discharge part 2 for continuously discharging air and an air purging discharge part 3 adjacent to the continuous air discharge part 2 and capable of intermittently discharging air in a separation region 5 where the continuous paper is parted from the downstream side end part 11 of the guide means 10.例文帳に追加

紙粉除去装置１は、ガイド手段１０の下流側端部１１から連続紙が離脱する離脱領域５に、連続的にエアを吐出する連続エア吐出部２と、その連続エア吐出部２に隣接し、間欠的なエアを吐出するエアパージ吐出部３とを備える。 - 特許庁

In a gate electrode 5 of a pair of transistors consisting of an n-channel-type MISFETQn and a p-channel MISFETQp, gate length in a boundary from an active region B to an element separation region A is relatively increased as compared with that in the active region B.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐからなるペアトランンジスタのゲート電極５において、活性領域Ｂから素子分離領域Ａにかけての境界部分におけるゲート長を、活性領域Ｂにおけるゲート長よりも相対的に長くする。 - 特許庁

When a reverse bias is applied; depletion layers DP4, DP3A, DP3B, and DP3C extending from a guard ring 4 and a light receiving region 3 overlap each other (pinch off state), and a separation region 2B interposed between the guard ring 4 and the light receiving region 3 is isolated from a semiconductor substrate 1 to which a bias potential is applied.例文帳に追加

逆バイアスの印加時には、ガードリング４及び受光領域３から延びた空乏層ＤＰ４，ＤＰ３Ａ，ＤＰ３Ｂ，ＤＰ３Ｃが重なり（ピンチオフ状態）、ガードリング４と受光領域３との間に介在する分離領域２Ｂが、バイアス電位の与えられる半導体基板１から隔離される。 - 特許庁

To restrain the formation of a recess in a device separation region and to restrain the deterioration of the accuracy of dimension due to undercut of an oxide film mask, by enabling to remove a part of an oxide film existing on side walls of stepped parts by only anisotropic etching, with respect to a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、段差部側壁に在る酸化膜を異方性エッチングのみで除去することを可能にして、素子分離領域に沈み込みが発生することを抑止し、また、酸化膜マスクのアンダーカットに依る寸法制度の劣化を抑止できるようにする。 - 特許庁

A p-well 3 and an n-well 4 separated by an element separation region 2 are formed on the main face of a semiconductor substrate 1, and a gate insulating film 5, a titanium nitride film 6, and a first polysilicon film 7 are laminated, and the polysilicon film 7 and a titanium nitride film 6 on the well 4 are removed.例文帳に追加

半導体基板１の主面に素子分離領域２で分離したｐウェル３及びｎウェル４形成し、その上にゲート絶縁膜５、チタンナイトライド膜６、及び第一のポリシリコン膜７を積層形成した後、ウェル４上のポリシリコン膜７及びチタンナイトライド膜６を除去する。 - 特許庁

The SiCMOS structure is formed by the steps which include a step where a relaxing SiGe layer is formed on a substrate surface, a step where a separation region and a well implanting region are formed in the relaxing SiGe layer, and a step where a strain Si layer is formed on the relaxing SiGe layer.例文帳に追加

基板表面上に緩和ＳｉＧｅ層を形成するステップと、前記緩和ＳｉＧｅ層内に分離領域およびウェル打込み領域を形成するステップと、前記緩和ＳｉＧｅ層上に歪みＳｉ層を形成するステップとを含むステップで、歪みＳｉＣＭＯＳ構造が形成される。 - 特許庁