「"separation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor device having a trench separation structure, at least a well region and a MOS type transistor are formed in the high power supply voltage circuit section, there is a carrier capture region for preventing latch-up near the edge of the well region, and the carrier capture region is deeper than a trench separation region.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とＭＯＳ型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部近傍にラッチアップを防止するためのキャリア捕獲領域を有し、キャリア捕獲領域の深さはトレンチ分離領域の深さよりも深くした。 - 特許庁

The distance W2 between the first projecting part 15 and the second projecting part 16 of which the distance from the first projecting part 15 is set the shortest is larger than a length obtained by subtracting the height h1 of the first projecting part 15 and the height h2 of the second projecting part from the width W1 of the separation region 20 from the first flat part 13 to the second flat part 14.例文帳に追加

第１凸部１５と、第１凸部１５との距離が最短となる第２凸部１６との距離Ｗ２が、第１平坦部１３から第２平坦部１４までの分離領域２０の幅Ｗ１から第１凸部１５の高さｈ１と第２凸部の高さｈ２とを減算した長さよりも長い。 - 特許庁

To provide a high productive organic EL display device capable of composing a plurality of display parts by providing a concavo-convex structure in a pixel separation region and appropriately dividing and separating an organic EL display element, formed on a lower electrode in order to appropriately paint for identification the organic EL display elements on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上の有機ＥＬ表示画素を良好に塗り分けるために、画素分離領域に凹凸構造を設け、下部電極上に形成された有機ＥＬ表示素子を良好に区画、分離し、複数の表示部を構成可能な生産性の高い有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

The film-forming device has a rotary table 2 for placing a plurality of substrates W along a rotary direction, and a separation region D is provided between processing regions P1, P2 to separate the atmosphere of the first processing region P1 from that of the second processing region P2 to which each reaction gas is supplied.例文帳に追加

成膜装置は回転方向に沿って複数の基板Ｗを載置する回転テーブル２を備え、分離領域Ｄは各反応ガスが供給される第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２との雰囲気を分離するために、これらの処理領域Ｐ１、Ｐ２の間に設けられている。 - 特許庁

The model parameter is expressed by a formula including a term on the width of an active region of the transistor, a term on the width of an element separation region between the active region of the transistor and an active region arranged at the periphery of the active region of the transistor and a term on the width of the active region disposed at the periphery.例文帳に追加

モデルパラメータは、トランジスタの活性領域の幅に関する項と、トランジスタの活性領域とトランジスタの活性領域の周辺に設けられた活性領域との間の素子分離領域の幅に関する項と、周辺に設けられた活性領域の幅に関する項とを含む式により表される。 - 特許庁

This semiconductor device including a selection gate S1 provided for a memory cell A1 has a Tri-gate structure, wherein the upper surface of a gate insulation film 9 formed on a channel of the selection gate S1 is higher than a part or the whole of the upper surface of an element separation region 10 of the selection gate S1.例文帳に追加

本発明の一態様において、メモリセルＡ１に対して設けられる選択ゲートＳ１を含む半導体装置は、選択ゲートＳ１のチャネル上に形成されているゲート絶縁膜９の上面が、選択ゲートＳ１の素子分離領域１０の上面の一部又は全部よりも高く、Tri-gate構造を持つ。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for protecting ESD having a shallow trench structure for element separation, the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD is arranged separately from the shallow trench separation region in a region adjacent to at least the gate electrode of the N-type MOS transistor for protecting ESD.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域は少なくとも前記ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極に近接する領域において、シャロートレンチ分離領域から離れて配置した。 - 特許庁

To provide a nozzle structure capable of easily controlling an attitude of a missile, though the missile performing injection to a side part, often largely changes its aerodynamic characteristic as a separation region of a boundary layer is generated in a wide range of a body surface from a front part to a side part of the nozzle in performing injection.例文帳に追加

側方への噴射を行う飛しょう体では、噴射を行う際に、ノズルの前方から側方にかけて胴体表面の広い範囲に境界層の剥離領域が発生するため、飛しょう体の空力特性が大きく変化しやすいが、飛しょう体の姿勢制御を容易にするノズル構造を得る。 - 特許庁

The method for generating the exposure data has a process of generating irradiation position data on the block mask of the first transmission beams so that the edges in the Y or the X direction of the first transmission beams are positioned at a common separation region in the X or Y direction of the plurality of discrete patterns of the block mask.例文帳に追加

この露光データの生成方法では、ブロックマスクの複数の離散パターンのＸ方向またはＹ方向の共通離間領域に前記第１の透過ビームのＹ方向またはＸ方向のエッジが位置するように、前記第１の透過ビームの前記ブロックマスク上での照射位置データを生成する工程を有する。 - 特許庁

Each pixel includes a second conductive electric charge storage region (photoelectric conversion section); an amplifier including a second conduction type electric charge detection region to which electric charges are transferred from the electric charge storage region, and providing an output of a pixel signal in response to the transferred electric charge amount; and a first conduction type inter-element separation region.例文帳に追加

各画素は、第２導電型の電荷蓄積領域（光電変換部）と、電荷蓄積領域から電荷が転送される第２導電型の電荷検出領域を含むと共に転送された電荷量に応じた画素信号を出力する増幅部と、第１導電型の素子間分離領域とを有する。 - 特許庁

When solid-state imaging devices 10, 10A, or 10B having pixel portions separated by an element area region 13 is manufactured, a part to become an active region is patterned and ion injection using the active pattern as a mask 19 is performed on a semiconductor substrate 11 to form a part or the whole of the ion injection region as the element separation region 13.例文帳に追加

素子分離領域１３により画素部間が分離された固体撮像装置１０、１０Ａまたは１０Ｂを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク１９として半導体基板１１上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域１３とする。 - 特許庁

This nitride semiconductor device is constituted by laminating a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer on a substrate, and an element separation region is packed with a third nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer with a microcrystal structure grown in a low temperature.例文帳に追加

基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とが積層した窒化物半導体装置であって、素子分離領域を、低温で成長させた微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第３の窒化物半導体層で充填する構造とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a protective element region 13 and a memory cell region 12 which are formed separately across an element separation region 14 on a first conductive region 1, a MONOS memory cell formed on the memory cell region 12, a MOS transistor formed on the protective element region 13, and a first conductive diffusion layer 5 formed in the protective element region 13.例文帳に追加

第１導電型領域１上に素子分離領域１４で分離形成された保護素子領域１３およびメモリセル領域１２と、メモリセル領域上に形成されたＭＯＮＯＳ型メモリセルと、保護素子領域上に形成されたＭＯＳ型トランジスタと、保護素子領域に形成された第１導電型拡散層５とを備える。 - 特許庁

At the lower part of a silicon nitride film 3 that becomes a mask when a substrate 1 of an element separation region is etched for forming a groove 5a, an amorphous silicon film (buffer film) 16 is provided.例文帳に追加

素子分離領域の基板１をエッチングして溝５ａを形成する際のマスクとなる窒化シリコン膜３の下部にアモルファスシリコン膜（バッファ膜）１６を設け、素子分離溝の形成後に窒化シリコン膜３およびアモルファスシリコン膜１６を除去した際、素子分離溝に埋め込まれた酸化シリコン膜７の表面を窒化シリコン膜３およびアモルファスシリコン膜１６の膜厚に相当する分だけ高くする。 - 特許庁

The resistance portion 220 has a first resistance region 90 connected to the capacitor portion 210, a peripheral resistance region 91 arranged in parallel to the first resistance region 90, and a resistance separation region 92 having a resistance value equal to or larger than the resistance value of the first resistance region 90 between the first resistance region 90 and peripheral resistance region 91.例文帳に追加

抵抗部２２０が、キャパシタ部２１０に接続された第１抵抗領域９０、第１抵抗領域９０に並列に配置された周辺抵抗領域９１、第１抵抗領域９０及び周辺抵抗領域９１の間に第１抵抗領域９０の抵抗値以上の抵抗値を有する抵抗分離領域９２を有する。 - 特許庁

In the auxiliary space, a separation region B which generates downward swirl flows from the spherical valve holding part 506 to the conduit when the spherical valve holding part 506 and the conduit 503 are separated and the spherical valve 505 is in open state while the sewage in the auxiliary space is not discharged by the check valve 509.例文帳に追加

補助空間には、球体弁保持部５０６から流路５０３までを離間させ、逆止弁５０９により補助空間内の汚水が排出されない状態で球体弁５０５が開状態である場合に球体弁保持部５０６から流路までに下降旋回流を生じさせるための離間領域Ｂが設けられている。 - 特許庁

A protective film 14 has a film thickness so that the reflectivity of the medium varies depending on the film 13 records information or not in the recording region, in which information is recorded, and the reflectively is practically made equal regardless of the film 13 records information or not in the separation region which separates a recording region and an adjacent recording region.例文帳に追加

保護膜１４は、情報記録媒体の反射率が、情報を記録する記録領域では、記録膜１３が情報を記録しているか否かによって異なり、記録領域と隣接する記録領域とを分離する分離領域では、記録膜１３が情報を記録しているか否かに関わらず実質的に等しくなるような膜厚を有する。 - 特許庁

A plurality of local select oxide films 4 are formed in a region surrounded by a select oxide film 2 for element isolation serving as an element separation region, and also there is formed the capacitance element configured by sequentially laminating a lower electrode 5, a dielectric film 6 and an upper electrode 7 which are curved along a rugged shape of the local select oxide films 4.例文帳に追加

素子分離領域であって素子分離用選択酸化膜２に囲まれた領域に、複数の局所的選択酸化膜４を有するとともに、局所的選択酸化膜４の凹凸形状に沿って湾曲する下部電極５、誘電体膜６、及び、上部電極７を順次積層した構造の容量素子を設ける。 - 特許庁

The optical material having a phase separation region is obtained by arranging a photomask 21 having an aperture of a width 1 to 50 μm on a polymeric film 20 which contains at least the two polymeric compounds having molecule compatibility and at least one of which has a photosensitive area and by subjecting the film to photoirradiation 22.例文帳に追加

分子相溶性を有する少なくとも２種類の高分子化合物を含み、このうち、少なくとも１種類は光感応性部位を有している高分子フィルム２０に対して、１μｍ以上５０μｍ以下の幅の開口部を有するフォトマスク２１を配置して、光照射２２を行って相分離領域を有する光学材料を得る。 - 特許庁

There are formed a first high withstand voltage transistor 100P in the first semiconductor layer, a second high withstand voltage transistor 100N in the second semiconductor layer, and a first low withstand voltage transistor 200P in the third semiconductor layer and further a second low withstand voltage transistor 200N adjoining the first low withstand voltage transistor via the second element separation region.例文帳に追加

第１半導体層内に第１高耐圧トランジスタ１００Ｐを、第２半導体層内に第２高耐圧トランジスタ１００Ｎを、第３半導体層内には第１低耐圧トランジスタ２００Ｐと、第３半導体層内において、第１低耐圧トランジスタと前記第２素子分離領域を介して隣り合う第２低耐圧トランジスタ２００Ｎを形成する。 - 特許庁

Impurity concentration in an n-type region 121 located just under a separation region IMS1 held between a first end E1 of the first base region 112 and a second end E2 of the second base region 113 is made higher than that in an n-type layer 111 located just under the same region 121, in a first principal surface MS1 of one chip.例文帳に追加

１チップの第１主表面ＭＳ１の内で、第１ベース領域１１２の第１端部Ｅ１と第２ベース領域１１３の第２端部Ｅ２とで挟まれた分離領域ＩＭＳ１直下に位置するＮ型領域１２１の不純物濃度は、同領域１２１直下のＮ型層１１１のそれよりも高く設定されている。 - 特許庁

When stress affected by the element separation region is considered, the distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where fluctuation of logical threshold voltage is to be suppressed so that fluctuation of current between the drain and the source by stress is balanced between a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

また、素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる論理閾値電圧の変動を抑制すべき回路には、そのようなストレスによるドレイン・ソース間電流の変動がｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタとｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタとの間でバランスするようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁

(a) On a semiconductor substrate 2, a polysilicon film 10a for a floating gate 10 is formed via a LOCOS oxide film 20 and a gate oxide film 8 on which a silicon nitride film 38 is formed as an antioxidation film, and the silicon nitride film 38 and the polysilicon film 10a in a floating gate separation region 26, are removed to form a band-like groove pattern 28.例文帳に追加

（ａ）半導体基板２上に、ＬＯＣＯＳ酸化膜２０、ゲート酸化膜８を介して、フローティングゲート１０用のポリシリコン膜を１０ａ形成し、さらにその上に耐酸化性膜としてシリコン窒化膜３８を形成し、フローティングゲート分離領域２６におけるポリシリコン膜１０ａ及びシリコン窒化膜３８を除去して、帯状の溝パターン２８形成する。 - 特許庁

A formation region R of a cavity section of an element separation insulation film 4 is provided in an opposed region between a floating gate electrode FGa and an active region Sa positioned directly at a lower portion of floating gate electrodes FGc, FGd, thus reducing coupling capacitance between the floating gate electrode FGa and an active region Sa that opposes while sandwiching the element separation region Sb.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４の空洞部の形成領域Ｒが、浮遊ゲート電極ＦＧａと、浮遊ゲート電極ＦＧｃ、ＦＧｄの直下方に位置する活性領域Ｓａとの間に対向した領域内に設けられるため、当該浮遊ゲート電極ＦＧａと素子分離領域Ｓｂを挟んで対向する活性領域Ｓａとの間の結合容量を低減できる。 - 特許庁

To effectively improve the problem of wavelength chirping which occurs by change of longitudinal axial direction distribution of a photo carrier caused in a separation region, in accordance with backward bias voltage applied to an optical modulator region without a specially troublesome process such as new use of a circuit element component, and to improve a transmission characteristic of an optical modulator integration light source.例文帳に追加

分離領域で発生するフォトキャリアの長手軸方向分布が光変調器領域に印加される逆方向バイアス電圧に応じて変化することで生じる前述した波長チャーピングの問題が、別途回路素子部品を新たに用いるなどの特別に煩雑なプロセスを伴うことなく効果的に改善され、光変調器集積光源の伝送特性が改善されるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device includes second conductive high density regions 21a, 21b which are embedded in a surface of a second conductive element forming region 12 formed on a first conductive semiconductor layer 11, surround a semiconductor element formed on the second conductive element forming region 12, and are formed by separating from the first conductive element separation region 23 for separating the semiconductor element.例文帳に追加

第１導電型半導体層１１上に形成された第２導電型素子形成領域１２の表面に埋め込まれるとともに、第２導電型素子形成領域１２に形成された半導体素子を囲み且つ半導体素子を分離する第１導電型素子分離領域２３から離間して形成された第２導電型高濃度領域２１ａ、２１ｂを有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor region 12 formed on a semiconductor substrate 11; an element separation region 13 for separating the semiconductor region 12 from another region; a diffusion layer 14 formed in the upper part of the semiconductor region 12 and forming PN junction on a boundary with the semiconductor region 12; and a silicide layer 15 formed in the upper part of the diffusion layer 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１に形成された半導体領域１２と、半導体領域１２を他の領域から分離する素子分離領域１３と、半導体領域１２の上部に形成され、半導体領域１２との界面においてＰＮ接合を形成する拡散層１４と、拡散層１４の上部に形成されたシリサイド層１５とを備えている。 - 特許庁

The oligomer probe array includes a substrate, a large number of probe cell actives, formed on the substrate or in the substrate and having three-dimensional surfaces, coupled with oligomer probes of mutually different orders by the probe cell active, and a probe cell separation region which separates a large number of the probe cell actives and has a surface that does not contain a functional group coupled with the oligomer probes.例文帳に追加

基板と、基板上または基板内に形成され、３次元表面を有する多数のプローブセルアクティブであって、各プローブセルアクティブ別に互いに異なる序列のオリゴマープローブがカップリングされた多数のプローブセルアクティブと、多数のプローブセルアクティブを分離するプローブセル分離領域であって、表面がオリゴマープローブとカップリングされる作用基を含まないプローブセル分離領域とを含むオリゴマープローブアレイ。 - 特許庁

The balloon 16 includes a bonded region 58 bonded to the distal end 32 of a distal shaft 13 on the proximal end side from the proximal end side cone region 54 constituting a part of an inflation/contraction region, and a separation region 59 provided between the bonded region 58 and the base end cone region 54 to separate the bonded region 58 from the base end cone region 54.例文帳に追加

バルーン１６は、膨張・収縮領域の一部を構成する基端側コーン領域５４よりも基端側に、ディスタールシャフト１３の先端部３２に接合される接合領域５８を備えているとともに、当該接合領域５８と基端側コーン領域５４との間には、接合領域５８を基端側コーン領域５４から離間させるための離間領域５９を備えている。 - 特許庁

The cell transistors 18 are arranged in matrix shape where the adjacent cell transistors 18 are arranged in a first direction X so as to share the drain region 16 and the source region 17, and the adjacent cell transistors 18 sandwiching element separation region 27 are arranged in a second direction Y so that the drain region 16 and the source region 17 face each other.例文帳に追加

セルトランジスタ１８がマトリックス状に配置され、第１の方向Ｘには、隣接するセルトランジスタ１８同士でドレイン領域１６およびソース領域１７を共用するように配列され、第２の方向Ｙには、素子分離領域２７を挟んで隣り合うセルトランジスタ１８がドレイン領域１６とソース領域１７とが互いに対向するように配列されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a gate electrode 32 provided on a semiconductor layer 12, a source electrode 34 and a drain electrode 30 with the gate electrode 32 in-between, a field plate 42 provided on a region between the drain electrode 30 and an element separation region 36 located on extension of direction of finger as an elongated direction of the drain electrode 30.例文帳に追加

半導体層１２上に設けられたゲート電極３２と、ゲート電極３２を挟んで設けられたソース電極３４およびドレイン電極３０と、ドレイン電極３０の長手方向であるフィンガ方向の延長上に位置する素子分離領域３６とドレイン電極３０との間の領域上に設けられた第１フィールドプレート４２と、を具備することを特徴とする半導体装置およびその製造方法である。 - 特許庁

The methods includes: providing a first flow having a plurality of blood components and a second flow; contacting the first flow with the second flow to provide a first separation region; and differentially sedimenting a first blood cellular component of the plurality of blood components into the second flow while concurrently maintaining a second blood cellular component of the plurality of blood components in the first flow.例文帳に追加

複数の血液成分を有する第１の流れと第２の流れを提供し、第１の流れを第２の流れと接触させ、それにより第１の分離領域を提供し、接触させ、及び、複数の血液成分の第１の血液細胞成分を第２の流れ中に差別沈降させ、一方で同時に、複数の血液成分の第２の血液細胞成分を第１の流れ中に留め、差別沈降させることを含む。 - 特許庁

An N-type island shaped region 14 surrounded by a separation region 13 comprises a collector region 16 extending from the upper surface of the epitaxial layer EL to the second buried layer 12, island shaped base regions 15, 17 surrounded by the second buried layer 12 and the collector region 16, and an emitter region 18 whose periphery keeps an approximately constant distance away from the collector region 16.例文帳に追加

分離領域１３に囲まれたＮ型の島状領域１４の中に、エピ層ＥＬの上面から第２の埋め込み層１２まで延びるコレクタ領域１６と、第２の埋め込み層１２とコレクタ領域１６に囲まれて島状を呈するベース領域１５、１７と、内側の窓部分よりベース電極を取り出せるようにしたリング状で、その外周がコレクタ領域１６とほぼ一定の距離だけ離れているエミッタ領域１８と、を形成する。 - 特許庁

One of the exemplary methods includes: providing a first flow having a plurality of blood components; providing a second flow; contacting the first flow with the second flow to provide a first separation region; and differentially sedimenting a first blood cellular component of the plurality of blood components into the second flow while concurrently maintaining a second blood cellular component of the plurality of blood components in the first flow.例文帳に追加

１つの例示的な方法は、複数の血液成分を有する第１の流れを提供すること、第２の流れを提供すること、第１の流れを第２の流れと接触させることであって、それにより第１の分離領域を提供する、接触させること、及び、複数の血液成分の第１の血液細胞成分を第２の流れ中に差別沈降させ、一方で同時に、複数の血液成分の第２の血液細胞成分を第１の流れ中に留める、差別沈降させることを含む。 - 特許庁