「"separation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To separate a cell in a cell separation region based on the judged result of an image obtained in a cell sorter cell-detection region to use a flow path formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成する流路を用いたセルソーター細胞検出領域で得られた画像の判断結果に基づき細胞分離領域で細胞の分離を行う。 - 特許庁

A pair of selection gates are arranged on the gate oxide layer and the separation region while the pair of selection gates are provided with shapes of stripes and are orthogonal to the stripe-shape active region.例文帳に追加

一対の選択ゲートはゲート酸化層と分離領域上に配置され、一対の選択ゲートはストライプ状で、ストライプ状アクティブ領域に対し垂直である。 - 特許庁

The recording body P is self stripped from a second intermediate transfer belt 31, when the recording body P is transported to a first separation region A by the second intermediate transfer belt 31.例文帳に追加

第２中間転写ベルト３１によって、第１分離領域Ａに記録体Ｐが搬送されると、記録体Ｐが第２中間転写ベルト３１から曲率分離する。 - 特許庁

The gate electrode 15 is extended onto the part 12a of an element separation region, and becomes a common electrode spreading from the upper part of the n^- well region 131 to that of the p^- well region 132.例文帳に追加

このゲート電極１５は、素子分離領域の部分１２ａ上に伸び、Ｎ^−well領域１３１上からＰ^−well領域１３２上に跨る共有電極となる。 - 特許庁

The source/drain regions of the first MIS transistor are not in contact with the element separation region 2 positioned at the edge in the lengthwise direction of the gate in the first active region 21a.例文帳に追加

第１のＭＩＳトランジスタのソース／ドレイン領域は、第１の活性領域２１ａにおけるゲート長方向の端部に位置する素子分離領域２に接していない。 - 特許庁

An element separation region 17, a gate insulating film 12, a gate electrode 13, a gate electrode insulating film, and a side wall spacer 14 are sequentially formed on the surface of a silicon substrate 11.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面に、素子分離領域１７,ゲート絶縁膜１２,ゲート電極１３,ゲート電極上絶縁膜およびサイドウォールスペーサ１４を順次形成する。 - 特許庁

Related to the method for manufacturing a semiconductor storage device having a self-align source structure, a process in which an almost linear element separation region, passing through the source region and the gate region, is formed on a silicon substrate, comprises a process in which the width of element separation region of the source region is formed narrower than that of the gate region.例文帳に追加

セルフアラインソース構造を有する半導体記憶装置の製造方法において、シリコン基板上にソース領域とゲート領域とを通る略直線状の素子分離領域を形成する分離領域形成工程が、ソース領域の素子分離領域の幅を、ゲート領域の素子分離領域の幅より狭く形成する工程を含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 50, a trench formed in a p-well 70 on the main surface of the semiconductor substrate 50, a separation region 40 which is formed in the trench and comprises a defective embedding point 41, and an assist gate electrode 12 whose one part is formed on the separation region 40 and comprises an end on the defective embedding point 41.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板５０と、半導体基板５０の主表面上のｐウエル７０に形成されたトレンチと、トレンチ内に形成され、埋込み不良箇所４１を有する分離領域４０と、その一部が分離領域４０上に形成され、埋込み不良箇所４１上に終端部を有するアシストゲート電極１２とを備える。 - 特許庁

In a MOSFET provided in an element region being divided by a trench element separation region 2 formed on a P-type silicon substrate 1, the center part of a channel region 10 is set to a P--channel region 11 of low Vt, and each of both end parts near the boundary to the trench element separation region 2 is set to a P+-channel region 12 of high Vt.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１に形成されたトレンチ素子分離領域２により区画された素子領域に設けられたＭＯＳＦＥＴにおいて、チャンネル領域１０の中央部をＶｔが低いＰ^- チャンネル領域１１にし、トレンチ素子分離領域２との境界近傍の両端部分をそれぞれＶｔが高いＰ^+ チャンネル領域１２にする。 - 特許庁

In addition, a precursor of a step absorption layer 22 for ground is separately formed to provide separation regions 23 and 24, and a precursor of a step absorption layer 32 is also separately formed to provide a separation region 33.例文帳に追加

また、接地用段差吸収層２２の前駆体を離間形成して離間領域２３，２４を設け、段差吸収層３２の前駆体を離間形成して離間領域３３を設ける。 - 特許庁

An element separation region 17 is so formed as to separate an active region of a PMOS transistor formation region Tp from an active region of an NMOS transistor formation region Tn.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタ形成領域Ｔｐの活性領域とＮＭＯＳトランジスタ形成領域Ｔｎの活性領域とを区画するように素子分離領域１７が形成されている。 - 特許庁

To easily form a correction pattern effective for preventing the deformation of a gate size occurring in the level difference portion consisting of a boundary between the diffusion region and element separation region of a transistor(TR).例文帳に追加

トランジスタの拡散領域と素子分離領域との境界からなる段差部分に起因したゲート寸法の変形を防止する有効な補正パターンを簡便に生成できるようにする。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 12 is formed between a p-type diffusion layer 10 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１０とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１２が形成されている。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 14 is formed between a p-type diffusion layer 12 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１２とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

In short, even if the interval is narrowed among the light receiving regions 3A, 3B, and 3C, the avalanche breakdown is hard to occur with the separation region 2B, resulting in raising breakdown strength among them.例文帳に追加

すなわち、受光領域３Ａ，３Ｂ，３Ｃの間隔を狭くしても、分離領域２Ｂとの間にアバランシェ降伏が生じにくくなり、これらの間の耐圧が上昇する。 - 特許庁

The projection parts (9, 17) of the flank part pieces at extension parts in a separation region (7) of the frame (2) are each separated into an upper projection part (9) and a lower projection part (17) of an upper frame member (6).例文帳に追加

フレーム（２）の分離領域（７）の延長部における側面部片の突出部（９，１７）が上部フレーム部材（６）の上部突出部（９）と下部突出部（１７）に分離している。 - 特許庁

A semiconductor device 1000 comprises an element separation region 14 formed on an SOI substrate 10, an n-type field effect transistor 100, and an npn-type bipolar transistor 200.例文帳に追加

半導体装置１０００は、ＳＯＩ基板１０の上に形成された、素子分離領域１４と、ｎ型の電界効果型トランジスタ１００と、ｎｐｎ型のバイポーラトランジスタ２００とを有する。 - 特許庁

The passage is provided with passages branched for collecting by every characteristic the particles separated by every characteristic, and the branched passage is present on every separation region.例文帳に追加

さらに、前記流路において、特性毎に分離された前記粒子を特性毎に回収するための分岐された流路を有し、分岐された流路が分離領域毎に存在する。 - 特許庁

A tunnel oxide film 13 is formed on a semiconductor substrate of an element region defined by an element separation region, and a floating gate 14 is formed on the tunnel oxide film.例文帳に追加

素子分離領域１２により区画された素子領域の半導体基板１１上にトンネル酸化膜１３が形成され、トンネル酸化膜１３上に浮遊ゲート１４が形成される。 - 特許庁

On a p-type semiconductor substrate 1, an n-type impurity embedded region 2 that becomes a collector region, an n-type epitaxial layer 3, and an element separation region 4 using an insulating film are formed.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１上にコレクタ領域となるｎ型不純物埋込み領域２と、ｎ型エピタキシャル層３と、絶縁膜を用いた素子分離領域４を形成する。 - 特許庁

To provide the creation method of mask data, a mask, and a computer-readable record medium that are used when a dummy projection region is formed in a specific pattern within a trench element separation region.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域内に、ダミー凸部領域を所定のパターンで形成する際に使用する、マスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide the creation method of mask data, a mask, and a computer-readable record medium that are used when a dummy projection part region is formed in a specific pattern within a trench element separation region.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域内に、ダミー凸部領域を所定のパターンで形成する際に使用する、マスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁

Therefore, when a liquid crystal device 1 is manufactured or in operation, a crack generated in the separation area 30 is less propagated to the separation region R1 through the insulating film 91.例文帳に追加

したがって、液晶装置１の製造時又は動作時に分離領域３０に生じたクラックが絶縁膜９１を介して分離領域Ｒ１に伝播することを低減できる。 - 特許庁

To improve luminance and to obtain a seamless image (less in clearance gap), by making reflection light rays from a light-shielding layer existing directly below a pixel separation region contribute to the improvement of reflectance.例文帳に追加

画素分離領域の直下に存在する遮光層からの反射光を反射率向上に寄与させることで、輝度の向上や、シームレス(隙間の少ない)画像が得られるようにする。 - 特許庁

A buried dielectric stressor element 102 having a horizontally extending upper surface is arranged below one part of an active semiconductor region 104 separated by a trench separation region 106.例文帳に追加

トレンチ分離領域１０６により分離された活性半導体領域１０４の一部分の下に、水平に延びる上面を有する埋め込み誘電体ストレッサ要素１０２が配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of miniaturizing an element by eliminating a jutting of a floating gate electrode over the element separation region, and concurrently obtaining the predetermined coupling ratio.例文帳に追加

素子分離領域上へのフローティングゲート電極の張り出しを無くすことで素子の微細化を図ると共に、所望のカップリング比を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The element separation region 9 comprises a trench formed under the main surface and an insulating layer which comprises a part embedded in the trench and a part protruding above the main surface.例文帳に追加

素子分離領域９は、主表面内に形成されたトレンチと、トレンチ内に埋め込まれた部分及び主表面から上側に突出する部分を有する絶縁層と、を含む。 - 特許庁

Eight sheet pieces 13 are formed by setting seven mutually parallel half cuts (folding part) 11 so as to divide the separation region 7 of the base substance sheet 3 into eight equal parts in the lateral direction.例文帳に追加

基材シート３の分離領域７を横方向に８等分するように、互いに平行な７本のハーフカット（折り目）１１が入れられて８つのシート片１３を形成している。 - 特許庁

The light-emitting device manufacturing method comprises the steps of: irradiating laser beam to a separation region for separating a light-emitting device formed on a substrate (10), physically separating the substrate (10) in the separation region, and removing a surface layer of at least one side of the substrate that is exposed by the step of separating the substrate (10).例文帳に追加

本発明は、基板（１０）上に形成された発光素子を分離するための分離領域にレーザ光を照射する工程と、基板（１０）を分離領域で物理的に分離する工程と、基板（１０）を分離する工程により露出された基板の少なくとも１つの側面の表面層を除去する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法である。 - 特許庁

At least one of a shroud Sh and a hub HU of the impeller 4 is formed so as to form a surface between blades BL which are disposed adjacently to each other as an inclining surface, and thereby, it is constituted in a step shape so as to contract a separation region of air.例文帳に追加

インペラ(4) のシュラウド(SH)とハブ(HU)の少なくとも一方を、隣り合うブレード(BL)の間が傾斜面になるように形成して、階段状に構成することにより、空気の剥離領域を小さくする。 - 特許庁

A porous member 4 for dividing an internal space to an upper separation region 2a and a lower flocculation region 2b is disposed in a flocculating/separation tank 2 into which a liquid mixture composed of raw water and a flocculating agent is introduced.例文帳に追加

原水と凝集剤とが混和した混和液を導入する凝集分離槽２内には上部分離域２ａと下部凝集域２ｂとに区分する多孔部材４が配設されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device stably having high reliability by restraining contamination from a protective insulating film into which ions are implanted, without exerting a bad influence upon a boundary form between an active region and an element separation region.例文帳に追加

活性領域と素子分離領域の境界形状に悪影響を与えることなく、イオン注入された保護絶縁膜からの汚染を抑え、安定して高い信頼性を有する。 - 特許庁

The inter-wiring separation region 13A is so formed that the end edge thereof lies beyond the adhesion region 10A to reach the terminal region 10B but not to reach the end edge of the terminal region 10B.例文帳に追加

配線間分離領域１３Ａは、その端縁が、貼合領域１０Ａを超えて端子領域１０Ｂに達し、かつ、当該端子領域１０Ｂにおける端縁までは達しないように形成されている。 - 特許庁

A lamination separation region 11 for separating the contact region 8 and the lamination 7 (a junction intermediate layer 6) is formed by removing the second electrode 9 and the lamination 7 in a discontinuous line shape.例文帳に追加

第２電極９および積層体７を不連続なライン状に除去してコンタクト領域８と積層体７（接合中間層６）とを分離する積層体分離領域１１を形成する。 - 特許庁

To provide a high-integration and high-density semiconductor device and a method of manufacturing the same whereby active regions can be insulation isolated, without the need for providing a margin between a contact electrode and an electrode separation region.例文帳に追加

コンタクト電極と素子分離領域との間に余裕をとる必要がなく、各活性領域を絶縁分離でき、高集積・高密度化された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Trench element separation region 16 is so formed as to define an active region on a semiconductor substrate 2, and a drain diffusion layer is so formed as to be sandwiched between the trench element separation regions 16.例文帳に追加

半導体基板２上の活性領域を画定するようにトレンチ素子分離領域１６が形成され、トレンチ素子分離領域１６に挟まれるようにドレイン拡散層が形成される。 - 特許庁

Insulation layers 13 made of oxidized silicon films are formed in a stripe manner such that they cover surfaces of the polycrystalline silicon layer 3, an insulation separation region 9, and a conductive region 8 respectively.例文帳に追加

多結晶シリコン層３および絶縁分離領域９および導電性領域８それぞれの表面を覆うようにシリコン酸化膜よりなる絶縁層１３がストライプ状に形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high junction breakdown voltage by preventing reduction in the junction breakdown voltage in a boundary between an element region and an element separation region; and its manufacturing method.例文帳に追加

素子領域と素子分離領域との境界部における接合耐圧の低下を防止することにより高い接合耐圧を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The upper block members 46A, 46B are disposed such that space S through which the separation gasses can be circulated is formed on the upper stream side of a rotation direction of the rotation table 2 in the separation region.例文帳に追加

上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂは、前記分離領域における回転テーブル２の回転方向上流側に、前記分離ガスが流通可能な空間Ｓが形成されるように配置される。 - 特許庁

Furthermore, the device is constituted of a plurality of pixel regions partitioned in a free driving independently between the lower electrode 102 and the upper electrode 107 and a pixel separation region for partitioning the pixel regions.例文帳に追加

また、下部電極１０２と上部電極１０７間に独立して駆動可能に区画された複数の画素領域と該画素領域を区画する画素分離領域とから構成されている。 - 特許庁

The p^+ diffusion layer 10a is provided to cover the protective film 4 on the element separation region 3, and a spacer-like sidewall film n^+ diffusion layer 10b is provided on a step 4a' thus caused.例文帳に追加

このｐ＋拡散層１０ａは素子分離領域３上の保護膜４を被覆するように設けられ、これにより生じた段差部４ａ’にはスペーサ状の側壁膜ｎ＋拡散層１０ｂが設けられる。 - 特許庁

In the element separation region 17, a base insulating film 15 is formed on a semiconductor substrate 11 which becomes a bottom surface and a side surface within a trench 14 formed at the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域１７には、半導体基板１１に形成されたトレンチ１４内における底面及び側面となる半導体基板１１上に下地絶縁膜１５が形成されている。 - 特許庁

In the plane view from the side of the object F, the light shielding layer BM overlaps with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加

対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭは第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 - 特許庁

The second impurity diffusion layer 31A and the third impurity diffusion layer 21B are formed adjacently to each other with an element separation region 15 provided across a boundary between the first well and the second well, therebetween.例文帳に追加

第２不純物拡散層３１Ａと第３不純物拡散層２１Ｂとは、第１ウェルと第２ウェルとの境界上に跨って設けられた素子分離領域１５を挟んで隣接して形成されている。 - 特許庁

A vertical NPN transistor 24 and a horizontal PNP transistor 25, allocated beside the vertical NPN transistor with an element separation region 5 in between, are provided on the same SOI substrate I.例文帳に追加

本半導体装置は、縦型ＮＰＮトランジスタ２４と、素子分離領域５を介して縦型ＮＰＮトランジスタ横に配置された横型ＰＮＰトランジスタ２５とを同一ＳＯＩ基板１上に有する半導体装置である。 - 特許庁