「"separation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Since the separation region 2B is electrically floated from the semiconductor substrate 1, the avalanche breakdown is suppressed between the guard ring 4 and the separation region 2B, and between the light receiving region 3 and the separation region 2B.例文帳に追加

分離領域２Ｂが半導体基板１に対しては電気的に浮いた状態となるため、ガードリング４及び受光領域３と分離領域２Ｂとの間のアバランシェ降伏が抑制される。 - 特許庁

The field injection region is formed at the lower part of the separation region.例文帳に追加

フィールド注入領域は、分離領域の下方に形成される。 - 特許庁

The semiconductor device has an element separation region 23 by an impurity region, and a mask 29 for obstructing ion implantation remains on the element separation region 23.例文帳に追加

不純物領域による素子分離領域２３を有し、素子分離領域２３上にイオン注入阻止用マスク２９が残存して成る。 - 特許庁

An element separation region 13 is arranged around the silicide layer 12.例文帳に追加

シリサイド層１２の周囲には素子分離領域１３が配されている。 - 特許庁

The separation region is formed on the substrate adjacent to the end of the n- region.例文帳に追加

分離領域は、ｎ^−領域の端に隣接する基板に形成される。 - 特許庁

To reduce a low flow area and a flow separation region of a nozzle.例文帳に追加

ノズルの低流量領域及び流れ剥離領域を低減すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing insulation capability of a separation region from being degraded due to projecting parts when two semiconductor element regions separated by a separation region have the projecting parts projecting toward the separation region on interfaces with the separation region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

分離領域によって分離される２つの半導体素子領域が、分離領域との界面に分離領域側に突出する凸部を有している場合、この凸部によって分離領域の絶縁能力が低下することを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicide layer 15 is formed at interval from the element separation region 13.例文帳に追加

シリサイド層１５は、素子分離領域１３と間隔をおいて形成されている。 - 特許庁

In an element separation region, a trench 31 reaching an embedded oxide film 24 is formed.例文帳に追加

素子分離領域に、埋め込み酸化膜２４に達するトレンチ３１を形成する。 - 特許庁

In the solid-state imaging device disclosed herein, the electric charge detection region and the inter-element separation region are arranged apart from each other, and a region with an impurity concentration lower than that of the inter-element separation region is inserted between the both.例文帳に追加

本発明では、電荷検出領域と素子間分離領域とを離し、両者間に素子間分離領域よりも不純物濃度が低い領域を挟む。 - 特許庁

Thereafter, a solar cell region Ace is defined by forming the second separation region 10.例文帳に追加

次に、第２分離領域１０を形成して太陽電池セル領域Ａｃｅを画定する。 - 特許庁

AN element region and an element separation region are formed in self-aligned manner on the substrate.例文帳に追加

次に、基板上に素子領域と素子分離領域を自己整合的に形成する。 - 特許庁

FINE PARTICLES LAYER STRUCTURE AND FORMING METHOD OF SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEPARATION REGION例文帳に追加

微粒子層構造体及びその形成方法、半導体装置、並びに、分離領域 - 特許庁

FORMING METHOD OF ELEMENT SEPARATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

素子分離領域形成方法及び半導体装置の製造方法並びに半導体装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SUBSTANTIALLY FLAT TRENCH SEPARATION REGION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

実質的に平坦なトレンチ分離領域を有する半導体デバイス及びその製造方法 - 特許庁

A separation region 30 is provided in a separation region R2 which extends in a Y direction among regions extending in a grating shape to partition off a plurality of lower light-shielding films 501.例文帳に追加

分離領域３０は、複数の下側遮光膜５０１を互いに隔てるように格子状に延びる領域のうちＹ方向に沿って延びる分離領域Ｒ２に設けられている。 - 特許庁

By this structure, the lateral diffusion width of a P-type diffusion layer 13 in the separation region 1 is suppressed, and the formation region of the separation region and the device size of the MOS transistor are reduced.例文帳に追加

この構造により、分離領域１のＰ型の拡散層１３の横方向拡散幅が抑制され、分離領域の形成領域及びＭＯＳトランジスタのデバイスサイズが低減される。 - 特許庁

Then, when seen from the lamination direction, each of the green sheets 50A and 50B is positioned so that the precursor of the step absorption layer 13 is located in the separation region 23, the precursor of the step absorption layer 43 is located in the separation region 33, and the precursor of the step absorption layer 44 is located in the separation region 24.例文帳に追加

そして、積層方向からみて、段差吸収層１３の前駆体が離間領域２３に、段差吸収層４３の前駆体が離間領域３３に、段差吸収層４４の前駆体が離間領域２４にそれぞれ位置するように各グリーンシート５０Ａ，５０Ｂを位置合わせする。 - 特許庁

A first conductive type deep well is arranged in the separation region at a place below the stripe-shape active region.例文帳に追加

第一導電型の深ウェルは、分離領域とストライプ状アクティブ領域の下に配置する。 - 特許庁

A treated water output part 8 for guiding out separated water is arranged at the upper separation region 2a.例文帳に追加

上部分離域２ａには分離水を導出する処理水取出部８が配置されている。 - 特許庁

A second element separation region 210 not extending to the insulating layer is formed on the third semiconductor layer.例文帳に追加

第３半導体層には絶縁層に到達しない第２素子分離領域２１０を形成する。 - 特許庁

The first region and the second region are separated from each other by an element separation region.例文帳に追加

上記第１領域と第２領域は素子分離領域により互いに分離されている。 - 特許庁

An element separation region 9 is formed in the border BS between the first region and the second region.例文帳に追加

第１及び第２領域間の境界部ＢＳ内に素子分離領域９が形成される。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which has a high-density impurity layer formed by ion injection at an element separation region end so that the element separation region does not come into contact with a depletion layer, pixel portions being downscaled.例文帳に追加

素子分離領域に空乏層が接しないように、イオン注入により高濃度不純物層を素子分離領域端に形成した固体撮像素子において、画素部の微細化を図る。 - 特許庁

To provide a reflective display device with which an excellent image is obtained by avoiding always getting dark of display on a pixel separation region, and further shielding the pixel separation region from light incident thereon.例文帳に追加

画素分離領域の表示が常に黒となることを避け、かつ、画素分離領域に入射する光を遮光し、良好な画像が得られるようにした反射型表示装置を提供する。 - 特許庁

The periphery of a transistor T is surrounded by a P-type element separation region 3, and the P-type element separation region 3 is included in the outer periphery of an N-type photodiode periphery cathode region 6 also in a PIN photodiode PD.例文帳に追加

トランジスタＴの周囲をＰ型の素子隔離領域３で囲み、ＰＩＮホトダイオードＰＤもＮ型のフォトダイオード周辺カソード領域６の外周にＰ型の素子隔離領域３を介在させる。 - 特許庁

A plurality of first conductors and a plurality of first via holes are provided in the circuit separation region 40.例文帳に追加

回路分離領域４０には複数の第１導体及び複数の第１ビアが設けられている。 - 特許庁

A circuit separation region 40 is located between a first circuit region 20 and a second circuit region 30.例文帳に追加

回路分離領域４０は第１回路領域２０と第２回路領域３０の間に位置している。 - 特許庁

The separation region 3 is formed by connecting a p-type embedded diffusion layer with the p-type diffusion layer.例文帳に追加

分離領域３は、Ｐ型の埋込拡散層とＰ型の拡散層とが連結して形成されている。 - 特許庁

Element active regions are formed on both sides of a field shield separation region including a field shield gate 44.例文帳に追加

フィールドシールドゲート４４を含むフィールドシールド分離領域の両側に素子活性領域が形成される。 - 特許庁

The active region R1' is surrounded by a separation region formed on the P-type semiconductor 52.例文帳に追加

アクティブ領域Ｒ１’は、Ｐ型の半導体５２に形成された分離領域によって囲まれたものである。 - 特許庁

However, since the etching of the trench separation region 8 is stopped at the position of the step 4A, the depth of a slit being formed by the etching of the trench separation region 8 will not be deeper than that of the first trench 4.例文帳に追加

しかしながら、トレンチ分離領域８のエッチングは段差４Ａの位置で止まるため、トレンチ分離領域８のエッチングにより形成されるスリットの深さは第１のトレンチ４の深さよりも深くなることはない。 - 特許庁

A drain connecting portion on an element separation region connects ends of the drain ohmic contacting portions, on the same side to each other.例文帳に追加

素子分離領域上のドレイン連結部が、ドレインオーミック接触部の同じ側の端部同士を接続する。 - 特許庁

An element separation region 11, a gate insulating film 12, and a polycrystalline silicon film 13 are formed in a silicon substrate 100.例文帳に追加

シリコン基板１００に素子分離領域１１、ゲート絶縁膜１２及び多結晶シリコン膜１３を形成する。 - 特許庁

The substrate 6 and the epitaxial layer 8 are divided into a plurality of element formation regions by a separation region 3.例文帳に追加

基板６及びエピタキシャル層８は、分離領域３により複数の素子形成領域に区画されている。 - 特許庁

The horizontal IGBT13 and horizontal FWD14 are encircled by a trench separation region 19, which is an insulation region.例文帳に追加

横型ＩＧＢＴ１３および横型ＦＷＤ１４を、絶縁領域であるトレンチ分離領域１９で囲む。 - 特許庁

To obtain stable electric characteristics of a semiconductor device having an element separation region with a shallow trench separation structure.例文帳に追加

シャロウトレンチ分離構造の素子分離領域を有する半導体装置において、安定した電気的特性を得る。 - 特許庁

A first electrode 2 is laminated on an insulating substrate 1 and is separated to a plurality by a first separation region 3.例文帳に追加

絶縁性基板１の上に第１電極２を積層し、第１分離領域３により複数に分離する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING TRENCH ELEMENT SEPARATION REGION, METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM LINER, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

トレンチ素子分離領域の形成方法、窒化シリコン膜ライナーの形成方法、半導体装置の製造方法 - 特許庁

To solve the problem that image quality is deteriorated by an increase in the resistance of a pixel separation region, variations in a read voltage, and the generation of hot electrons when a positive charge is applied to an electrode provided on the pixel separation region in a solid-state image pickup device.例文帳に追加

固体撮像装置において、画素分離領域上に設けられる電極に正電荷が印加されると、画素分離領域の抵抗増加や、読み出し電圧の変動、ホットエレクトロンの発生による画質劣化に繋がる。 - 特許庁

To enable easy reduction of stresses caused by trench element separation region formed in a semiconductor substrate or layer consisting of silicon, and improvement in heat dissipation by the trench element separation region simultaneously.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板又は半導体層に形成されるトレンチ素子分離領域に起因する応力を容易に低減できるようにすると共に、該トレンチ素子分離領域による放熱性をも向上させることができるようにする。 - 特許庁

A semiconductor device 30 of an SOI structure comprises a region 31 where a conductor is embedded in an element separation region.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の半導体装置３０は、素子分離領域の中に導電体が埋め込まれた領域３１を有する。 - 特許庁

At an ordinary temperature, tensile directional stress is generated on the element region by contracting the element separation region.例文帳に追加

常温状態において、素子分離領域が収縮することで、素子領域に引っ張り方向の応力が発生させる。 - 特許庁

The liquid discharging head is constituted by forming an element separation region 22 for insulating and separating semiconductor elements 23 and 24, by a trench structure.例文帳に追加

本発明は、半導体素子２３、２４を絶縁分離する素子分離領域２２をトレンチ構造により形成する。 - 特許庁

To suppress characteristic dispersion caused by stress from an element separation region of a transistor in a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路内のトランジスタの素子分離領域からの応力による特性バラツキを抑制することにある。 - 特許庁