「"connection wiring"」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The first board 1 is provided with a tuner 3 and a digital processing circuit 4, that digitally processes the signal received by the tuner 3, connection sections 5, 6, 7 respectively connected to the connection wiring bodies 11, 12, 13 are placed to one side edge 1a and used in common by the digital television receiver and the digital television-set-top box.例文帳に追加

第１の基板１は、チューナ３と、チューナ３で受信した信号をデジタル処理するデジタル処理回路４とが備えられ、接続配線体１１、１２、１３にそれぞれ接続される接続部５、６、７が一側縁部１ａに設けられていて、デジタルテレビとデジタルテレビ−セットトップボックスに共用される。 - 特許庁

The plurality of video signal lines 250 are arranged side by side in a peripheral area of the display area and the H switches 240 electrically connect connection wiring lines 260 connected to the video signal lines 250 through contact holes according to data output control signals to the corresponding data lines 14 between the video signal lines 250 and display area.例文帳に追加

複数のビデオ信号線２５０は表示領域の周辺領域に併設配置され、Ｈスイッチ２４０はビデオ信号線２５０と表示領域との間で、データ出力制御信号に応じコンタクトホールを介してビデオ信号線２５０に接続された接続配線２６０を、対応するデータライン１４に電気的に接続する。 - 特許庁

When the main wiring film 34 is exposed to the base of a via hole 22 by etching an insulating film 33 by etching gas plasma and forming the via hole 22 on the insulating film 33, the main wiring films 34 are connected through a connection wiring film 38 in advance, so that the respective main wiring films 34 are set to the same potential when etching.例文帳に追加

絶縁膜３３をエッチングガスプラズマによってエッチングして絶縁膜３３にヴィアホール２２を形成し、ヴィアホール２２底面に主配線膜３４を露出させる際に、予め主配線膜３４同士を接続配線膜３８によって接続し、エッチングの際に各主配線膜３４が同電位に置かれるようにする。 - 特許庁

The cross connection wiring structure is a wiring structure in which a plurality of multiple optical fibers 11 at one end edge 12a side of a sheet 12 are separated into single optical fibers 13 inside the sheet 12, and the separated single optical fibers 13 are assembled at the other end edge 12b side of the sheet 12 to form a plurality of multiple optical fibers 14 again.例文帳に追加

クロスコネクト配線構造は、シート１２の一端縁１２ａ側の複数の多心光ファイバ１１がシート１２内部で単心光ファイバ１３に分離し、この分離した単心光ファイバ１３がシート１２の他端縁１２ｂ側で集まって再び複数の多心光ファイバ１４を形成する配線構造である。 - 特許庁

A plating wiring pattern 11 indicates a wiring pattern for electrolytic plating conducted with the connecting electrode or the external electrode and by applying a voltage through an electrode 11a for plating while immersing the ceramic substrate 3 in an electrolytic liquid, metal plating of gold or aluminum can be applied to electrode portions or connection wiring portions.例文帳に追加

１１は接続電極や外部電極と導通している電解メッキ用配線パターンを示し、セラミック基板３を電解液中に浸してメッキ用電極１１ａを介して電圧を加えることによって、各電極部や接続配線部分に金又はアルミ等の金属メッキを施すことができる。 - 特許庁

The electronic device 10 of this invention comprises a substrate 11, insulating layers 12 and 22, a connection electrode 14, an external connection electrode 15, wiring layers 16a and 16b which are connection parts, a power supply bypass capacitor 18 and a DC cut capacitor 19 as an example of the electric circuit element, a circuit 20 and connection wiring 21.例文帳に追加

本発明の電子デバイス１０は、基板１１、絶縁層１２，２２、接続電極１４、外部接続電極１５、接続部である配線層１６ａ，１６ｂ、電気回路素子の一例としての電源バイパスコンデンサ１８およびＤＣカットコンデンサ１９、回路２０および接続配線２１から構成されている。 - 特許庁

The power supply wiring includes a power supply pad 510 arranged at a corner part out of an active area to face a counter electrode, common wiring 520 of common potential arranged between the active area 120 and a seal part 115, and connection wiring 530 crossing the seal part to connect the power supply pad and the common wiring.例文帳に追加

この給電配線は、アクティブエリア外の角部に配置され対向電極と対向する給電パッド５１０と、アクティブエリア１２０とシール部１１５との間に配置されたコモン電位のコモン配線５２０と、シール部と交差し給電パッドとコモン配線とを接続する接続配線５３０と、を有している。 - 特許庁

At the pixel electrode 27, a connection region to which a connection wiring is connected in order to electrically connect the pixel electrode 27 and a power supply are installed, and an arrangement region where a functional layer in which at least one part of a region aside from the region of the connection region is constituted of the electrooptical element is installed.例文帳に追加

画素電極２７には画素電極２７と電源電位とを電気的に接続するための接続配線が接続された接続領域が設けられるとともに、接続領域以外の領域のうち少なくとも一部の領域が電気光学素子を構成する機能層が配置される配置領域が設けられている。 - 特許庁

To provide a multi-stage coupling type SAW filter where an area a connection wiring structure of input output terminals is simplified to prevent an area of a each SAW filter itself from being increased while preventing interference between IDTs of each SAW filter of the multi-stage coupling type SAW filter.例文帳に追加

多段結合型ＳＡＷフィルタ１の各々のＳＡＷフィルタ１０，２０におけるＩＤＴ間の干渉を防止しつつ、入出力端子の接続配線構造を簡略化して、ＳＡＷフィルタ自体の面積が大きくなるのを抑えることができる多段結合型ＳＡＷフィルタ１を提供する。 - 特許庁

A switch switching signal SD generated and outputted by a switch driving part SWD is supplied to both end sides of each internally arranged switching control signal line TL through connection wiring branched to two signal paths and signal input contacts NL and NR provided in both end parts of a transfer switch circuit 140.例文帳に追加

スイッチ駆動部ＳＷＤにより生成、出力されたスイッチ切換信号ＳＤは、２つの信号経路に分岐された接続配線、及び、トランスファスイッチ回路１４０の両端部に設けられた信号入力接点ＮＬ、ＮＲを介して、内部に配設された各切換制御信号ラインＴＬの両端側に供給される。 - 特許庁

The optoelectrical hybrid connector 400 is composed to be stacked by mutually fitting an optical transmission line integral connector 100 having an optical transmission member 110 provided with a connection wiring pattern 114 incorporated by bending an optical path in an orthogonal direction by an optical path conversion member, and a female connector 300 provided with an optical element and a control circuit in a recess.例文帳に追加

光路変換部材で直交方向に光路が曲げられて内蔵された接続配線パターン１１４を備えた光伝送部材１１０を有する光伝送路一体型オス型コネクタ１００と光素子と制御回路とを凹部に備えたメス型コネクタ３００を互いに嵌め合わせることにより、積層して光電気混載コネクタ４００を構成する。 - 特許庁

To provide a game machine provided with a power supply means capable of omitting connection wiring for power supply to a rotated display body and enabling continuous rotating operation of the display body in a display device for rotating the display body where a light emitting body is disposed by a driving motor and performing display lighting of the light emitting body during the rotation of the display body.例文帳に追加

発光体を配設した表示体を駆動モータにより回転し、表示体の回転中に発光体の点灯により表示を行う表示装置において、回転される表示体への電源供給用の接続配線を省略でき、表示体の連続回転動作を可能とする電源供給手段を備えた遊技機を提供する。 - 特許庁

A connection wiring 53 for connecting the bias electrode 24 in this container 60 to the power supply electrode 51 outside the container is provided via a bypass wiring 53c provided on the backside of the substrate 10 so as to make a detour around one side wall 60a of the container, and the entire periphery of the shielding container 60 is bonded on the substrate 10 without any gap.例文帳に追加

この容器６０内のバイアス電極２４と容器の外にある電源用端子５１とを接続する接続配線５３が、基板１０の裏面側に容器の一側壁６０ａを迂回するように設けられるバイパス配線５３ｃを介して設けられることにより、遮蔽用容器６０は全周に亘って隙間なく基板１０に接着されている。 - 特許庁

In this case, upper layer connection wiring 49, 52, 55 and 58 for connecting the bottom gate electrode 9, source/drain electrodes 10 and top gate electrode 8 of the thin-film transistor 3 to the source/drain electrodes of the thin-film transistors 21 and 22 which are connected to conductive layers 35 and 36 are provided on the interlayer insulating film 40 covering the top gate electrode 8.例文帳に追加

この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 - 特許庁

When all of refrigerant pipes 31, ventilation ducts 32 and a connection wiring line 33 are lead out from the vicinity of one end part of both side end parts of the main casing 10 of the indoor unit 1, a heat exchanger 16, a ventilation fan 17 and an electric equipment box 18 are disposed such that at most two of them pass through the duct space 21.例文帳に追加

室内機１の本体筐体１０の両側端部のいずれか一方の端部近傍から冷媒配管３１，換気ダクト３２及び接続配線３３の全てが導出される場合に，これらの多くともいずれか二つが，ダクトスペース２１を通るように，前記熱交換器１６，前記換気ファン１７及び前記電装ボックス１８が配置される。 - 特許庁

The RF shield wiring is provided by simultaneously forming copper electroformed wirings and a connection wiring connecting them on an integrated wiring base formed by electrically short-circuiting between a stripe part 06 of a unit duct 02 and a stripe part 05 of a unit duct 01, as well as a ring part of the unit duct 02 and the stripe part 06 of the unit duct 02.例文帳に追加

単位ダクト０１のストライプ部０５と単位ダクト０２のストライプ部０６との間、並びに単位ダクト０２のストライプ部０６と単位ダクト０２のリング部との間を電気的に短絡させて、形成された一体の配線下地の上に銅電鋳被覆配線とこれらを繋ぐ接続配線を同時に形成させてＲＦシールド配線とする。 - 特許庁

A plurality of switch circuits 19 for turning on/off ultrasonic signals exchanged with a plurality of ultrasonic vibrators 17 formed by using a semiconductor substrate 21 are formed on the semiconductor substrate 21 on which the ultrasonic vibrators 17 are formed, and connection wiring between the switch circuits 19 and the ultrasonic vibrators 17b are patterned by semiconductor production technology.例文帳に追加

半導体基板２１を用いて形成された複数の超音波振動子１７との間で送受する超音波信号をオン・オフする複数のスイッチ回路１９を、超音波振動子１７が形成された半導体基板２１上に形成し、スイッチ回路１９と超音波振動子１７の接続配線を半導体製造技術によってパターン形成することを特徴とする。 - 特許庁

Wiring is carried out in a semiconductor chip and between semiconductor chips without increasing the number of layers in a wiring board more than required by forming via connection wiring 17d, 17e and 17f of relatively long distance for connecting a second via electrode existing in a second region 21b with a second via electrode existing in a third region 21c on the wiring board 15.例文帳に追加

配線基板１５上において、第２の領域２１ｂに存在する第２のビア電極と、第３の領域２１ｃに存在する第２のビア電極とを接続する比較的長距離のビア接続配線１７ｄ、１７ｅ、１７ｆを形成することによって、配線基板を必要以上に多層化せずに、半導体チップ内及び半導体チップ間の配線を行う。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

Connection wiring of the output circuit has a contact hole formed to be opened in the floating diffusion part including an end part of the gate electrode and a metallic silicide film which is formed to creep up from the floating diffusion part to the gate electrode and electrically connects the gate electrode and the floating diffusion part.例文帳に追加

信号電荷を蓄積するフローティングディフュージョン部と、前記フローティングディフュージョン部にゲート電極が電気的に接続されるトランジスタを含み、前記フローティングディフュージョン部の電位変化に応じた信号を出力する出力回路とを備え、前記出力回路の接続配線が、前記ゲート電極の端部を含み前記フローティングディフュージョン部に開口するように形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール内で、前記フローティングディフュージョン部から前記ゲート電極に這い上がるように形成され、前記ゲート電極と前記フローティングディフュージョン部とを電気的に接続する金属シリサイド膜を備えたことを特徴とする。 - 特許庁