例文 (115件) |
"ion beam irradiation"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 115件
OPERATION METHOD FOR ION BEAM IRRADIATION APPARATUS, AND THE ION BEAM IRRADIATION APPARATUS例文帳に追加
イオンビーム照射装置の運転方法およびイオンビーム照射装置 - 特許庁
POLYVALENT ION BEAM IRRADIATION METHOD AND DEVICE例文帳に追加
多価イオンビーム照射方法及び装置 - 特許庁
ION MILLING DEVICE, ION MILLING METHOD, ION BEAM IRRADIATION DEVICE AND ION BEAM IRRADIATION METHOD例文帳に追加
イオンミリング装置、イオンミリング方法、イオンビーム照射装置並びにイオンビーム照射方法 - 特許庁
DEFLECTION ELECTROMAGNET AND ION BEAM IRRADIATION DEVICE例文帳に追加
偏向電磁石およびイオンビーム照射装置 - 特許庁
ION BEAM IRRADIATION EQUIPMENT AND HOLDER DRIVING GEAR例文帳に追加
イオンビーム照射装置およびホルダ駆動装置 - 特許庁
ION ACCELERATION METHOD, ION ACCELERATION DEVICE, ION BEAM IRRADIATION DEVICE AND MEDICAL ION BEAM IRRADIATION DEVICE例文帳に追加
イオン加速方法、イオン加速装置、及び、イオンビーム照射装置、医療用イオンビーム照射装置 - 特許庁
ION BEAM IRRADIATION APPARATUS, AND ION BEAM MEASURING METHOD例文帳に追加
イオンビーム照射装置及びイオンビーム測定方法 - 特許庁
ION BEAM IRRADIATION APPARATUS AND INSULATING SPACER FOR THE SAME例文帳に追加
イオンビーム照射装置及び当該装置用絶縁スペーサ - 特許庁
ION BEAM IRRADIATION DEVICE AND ION BEAM DIVERGENCE SUPPRESSION METHOD例文帳に追加
イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF ION BEAM IRRADIATION DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
イオンビーム照射装置および半導体デバイスの製造方法 - 特許庁
CERAMIC NANOWIRE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME BY ION BEAM IRRADIATION例文帳に追加
セラミックナノワイヤー及びイオンビーム照射によるその製造法 - 特許庁
A window 2a for ion beam irradiation is provided in the case 2.例文帳に追加
ケース2には集束イオンビーム照射用の窓2aを設ける。 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR MEASURING ION BEAM, AND ION BEAM IRRADIATION DEVICE例文帳に追加
イオンビーム測定装置、測定方法およびイオンビーム照射装置 - 特許庁
THERMOELECTRON GENERATING SOURCE AND ION BEAM IRRADIATION DEVICE HAVING IT例文帳に追加
熱電子発生源およびそれを備えるイオンビーム照射装置 - 特許庁
CHARGED VOLTAGE MEASURING DEVICE FOR SUBSTRATE AND ION BEAM IRRADIATION DEVICE例文帳に追加
基板の帯電電圧計測装置およびイオンビーム照射装置 - 特許庁
METHOD FOR CREATING FILAMENTOUS FUNGUS VARIANT USING ION BEAM IRRADIATION例文帳に追加
イオンビーム照射を用いた糸状菌の変異株作出方法 - 特許庁
MUTATION BREEDING METHOD FOR ASTERACEOUS PLANT INDIVIDUAL BY ION BEAM IRRADIATION例文帳に追加
イオンビーム照射によるキク科植物の突然変異育種法 - 特許庁
To suppress charging of a substrate surface at ion beam irradiation.例文帳に追加
イオンビーム照射の際の基板表面の帯電をより小さく抑制する。 - 特許庁
To provide ion beam irradiation equipment with which uniform alignment treatment is conducted in alignment treatment with ion beam irradiation.例文帳に追加
本発明の目的は、イオンビーム照射により配向処理をおこなう際に、均一な配向処理ができるイオンビーム照射装置を提供することにある。 - 特許庁
To provide an ion beam irradiation apparatus capable of controlling the diameter and intensity of an ion beam.例文帳に追加
イオンビームの径と強度を制御できるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁
To provide an ion beam irradiation method for applying favorable uniform ion beam irradiation to the whole surface of a large substrate while reducing the size of a device and eliminating the need for a divided zone to exist on the substrate, and to provide the ion beam irradiation device.例文帳に追加
大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、かつ装置をコンパクトなものにすることができ、しかも基板が分割帯を有していなくても良いイオンビーム照射方法および装置を提供する。 - 特許庁
DEVICE FOR DISCHARGING LIQUID METAL ION, ION BEAM IRRADIATION DEVICE, PROCESSING UNIT PROVIDED WITH THE ION BEAM IRRADIATION DEVICE, ANALYZER AND MANUFACTURING METHOD FOR THE DEVICE FOR DISCHARGING LIQUID METAL ION例文帳に追加
液体金属イオン放出用装置、イオンビーム照射装置、該イオンビーム照射装置を備えた加工装置、分析装置、および液体金属イオン放出用装置の製造方法 - 特許庁
To provide an ion beam irradiation device and an ion beam irradiation method which can remove an entire damaged layer while suppressing loss of a sample other than the damaged layer.例文帳に追加
ダメージ層以外の試料の消失を抑制してダメージ層を全て除去することができるイオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法を提供する。 - 特許庁
An ion beam irradiation system 1 and a gas inlet mechanism 21 are attached to an irradiated material chamber 2.例文帳に追加
被照射物チャンバー2にイオンビーム照射系1と、ガス導入機構21を取り付ける。 - 特許庁
To provide an ion beam irradiation device capable of realizing various ion beam irradiation characteristics and suppressing increase in the device size, deterioration of through-put, and adhesion of particles on a substrate.例文帳に追加
多様なイオンビーム照射特性を実現することができ、しかも装置の大型化、スループットの低下および基板へのパーティクル付着を抑えることができるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁
To provide an ion beam irradiation device which restrains the density of an ion beam from becoming uneven on a surface of a base plate even when the base plate is scanned in a state of slanted against ion beam irradiation direction.例文帳に追加
イオンビームの照射方向に対して傾斜した状態で基板を走査した場合であっても、イオンビームの濃度が基板の表面内において不均一となることを抑制する。 - 特許庁
The present invention controls a substrate rotation mechanism 70 after one round trip of ion beam irradiation processing, inputs a substrate 2 into an ion beam irradiation device 100 again after rotating the substrate by 180 degrees, and irradiates a range where ion beam irradiation processing has not yet been completed with ion beams to irradiate the whole surface of the substrate with ion beams.例文帳に追加
イオンビーム照射処理を1往復行った後、基板回転機構70を制御し、基板2を180度回転させた後、イオンビーム照射装置100に再投入し、イオンビーム照射処理未完了の範囲をイオンビーム照射し、基板の全面にイオンビーム照射させることを特徴としたイオンビーム照射方法。 - 特許庁
To attain trapping of electrons inside a magnet without causing any trouble on productivity of an ion beam irradiation apparatus.例文帳に追加
イオンビーム照射装置の生産性に支障をきたすことなく、磁石内部での電子の閉じ込めを達成する。 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVING ELECTROCONDUCTIVITY AND MECHANICAL PROPERTY OF POLYMER SURFACE BY LOW- ENERGY ION BEAM IRRADIATION例文帳に追加
低エネルギーイオンビーム照射によるポリマー表面の電気伝導性及び機械的物性の向上方法とその装置 - 特許庁
This ion beam irradiation device is equipped with a plasma generation device 14 as an example of an electron supply source for supplying electrons to a substrate 4 held to a holder 6 to restrain charge up of the substrate 4 caused by ion beam irradiation.例文帳に追加
このイオンビーム照射装置は、ホルダ6に保持された基板4に電子を供給してイオンビーム照射に伴う基板4のチャージアップを抑制する電子供給源の一例として、プラズマ発生装置14を備えている。 - 特許庁
The ion beam irradiation device includes ion sources 2a, 2b, analysis electromagnets 6a, 6b, and a substrate driving device 14.例文帳に追加
このイオンビーム照射装置は、イオン源2a、2b、分析電磁石6a、6bおよび基板駆動装置14を備えている。 - 特許庁
To provide an ion beam irradiation positioning device capable of nondestructively and highly accurately positioning the irradiation position of an ion beam.例文帳に追加
非破壊で且つ高精度にイオンビームの照射位置の位置決めが可能なイオンビーム照射位置決め装置を提供する。 - 特許庁
The sample piece 15 is molded by clipping the original sample 5 at a desired position by using a focused ion beam irradiation optics 2.例文帳に追加
集束イオンビーム照射光学系2により元試料5の所望位置において試料片15の切り出しの成形を行なう。 - 特許庁
To carry out in short time and efficiently replacement of the shading material M of the mask in the etching process of the sample S by ion beam irradiation.例文帳に追加
イオンビーム照射による試料Sのエッチング加工において、マスクとなる遮蔽材Mの交換を短時間で効率良く行う。 - 特許庁
To provide an ion beam irradiation device enabling to easily convey a substrate in a horizontal state, while avoiding jumboization of the device.例文帳に追加
装置の大形化を回避しつつ、水平状態にされた基板を容易に搬送可能とするイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁
The ion beam irradiation device has an electrode 20a installed at a position opposed to the side on X direction side of the ion beams 2.例文帳に追加
このイオンビーム照射装置は、イオンビーム2のX方向側の側面に対向する位置に設けられた電極20aを備えている。 - 特許庁
This ion beam irradiation device is provided with the plasma generating device 10 provided on the upstream side of a holder 6 holding a substrate 4 to generate plasma 18 to be supplied to a route of an ion beam 2, so that electrification of the substrate surface following ion beam irradiation is restricted.例文帳に追加
このイオンビーム照射装置は、基板4を保持するホルダ6の上流側に設けられていて、プラズマ18を発生させてそれをイオンビーム2の経路に供給して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を抑制するプラズマ発生装置10を備えている。 - 特許庁
To provide a method of performing processing independent of a material and an ion beam irradiation angle in view of the problems.例文帳に追加
本発明は、上記の問題点を鑑み、材料やイオンビーム照射角度に依存しない加工をする手法を提供することを目的としている。 - 特許庁
例文 (115件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|