例文 (290件) |
P additionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 290件
One or two selected from diiodemethyl-p-tolylsulfone and 2-(4-thiocyanomethylthio)benzothiazole can be mixed in the resin in addition to the zinc oxide.例文帳に追加
酸化亜鉛とともにジヨードメチル−p−トリルスルホンおよび2−(4−チオシアノメチルチオ)ベンゾチアゾールの1種または2種を樹脂中に混合することができる。 - 特許庁
In addition, scattering of toners to the paper P can be prevented, and in fixing a toner image by the fixing device 51, the occurrence of image blurring can be prevented.例文帳に追加
また、用紙Pのトナーの飛び散りを防ぐことができ、定着装置51でトナー像が定着される際に、画像ブレが発生するのを防止できる。 - 特許庁
In addition to a surface P+ pinning layer 7 on a photodiode surface and a surface P- region 12 directly below a transfer gate electrode 10, a surface p- region 11 is formed therebetween on an overlapping region of the photoelectric conversion and accumulation section 4 to form an electric field directed from the surface P- region 11 on an overlapping region surface to a drain region through the surface P- region 12.例文帳に追加
フォトダイオード表面の表面P+ピンニング層7と、転送ゲート電極10下の表面P−領域12に加えて、これらの間で光電変換蓄積部4のオーバーラップ領域上に表面P−領域11を形成することにより、このオーバーラップ領域表面の表面P−領域11から表面P−領域12を介してドレイン領域に向かう電界を形成している。 - 特許庁
After a film containing a Diels-Alder addition product produced by Diels-Alder reaction between an organic compound to be a p-type semiconductor and fullerene is formed, the film is heated to separate the Diels-Alder addition product into the organic compound to be the p-type semiconductor and the fullerene to form the semiconductor hetero-junction film.例文帳に追加
p型半導体となる有機化合物とフラーレン類とのディールスアルダー反応によって生成するディールスアルダー付加物を含有する膜を形成後、前記膜を加熱することによって前記ディールスアルダー付加物を前記p型半導体となる有機化合物と前記フラーレン類とに分離してなる半導体ヘテロ接合膜とする。 - 特許庁
In addition to the separating walls (p-type diffusion layers 14a, 14b) for partitioning electrically a magnetism sensor (hall plate) HP, electrodes ED1, ED2 comprising p-type diffusion layers are provided in a substrate as a portion of the Hall element.例文帳に追加
磁気検出部(ホールプレート)HPを電気的に区画する分離壁(P型の拡散層14aおよび14b)とは別に、基板内に当該ホール素子の一部として、P型の拡散層からなる電極ED1およびED2を設ける。 - 特許庁
A standby tray roller 28 also performs the operation of contacting with paper sheets P loaded on a standby tray 10 to convey the paper sheets in the direction of a sheet delivery tray in addition to the operation of contacting with the paper sheets P loaded on the standby tray 10 to align the paper sheets.例文帳に追加
待機トレイローラ28は、待機トレイ10上に載置した用紙Pに接触して整合を行う動作に加えて、待機トレイ10上に載置した用紙Pに接触して、排紙トレイ方向に搬送する動作もする。 - 特許庁
In addition, the apparatus further includes a head position information calculating part 93 for calculating head position information showing a positional shifting condition regarding the position where the head units 10 and 20 print a paper P behind one sheet to the paper P, when a position where the head units 10 and 20 print the paper P is made as an appropriate position.例文帳に追加
そして、ヘッドユニット10,20が1枚の用紙Pに印刷したときの位置を適正位置とした場合に、ヘッドユニット10,20が当該1枚の用紙Pより後の用紙Pに印刷したときの位置についての位置ずれ状態を示すヘッド位置情報を算出するヘッド位置情報算出部93を備える。 - 特許庁
In addition, contact uniformity in a surface direction of the p-type metal electrode p and the p-type gallium-nitride ohmic-contact layer are reinforced, thereby local light-emitting caused by unevenness of the second contact spreading metal layer in the third contact spreading metal layer is effectively prevented, and driving voltage is reduced, thereby making outer quantum efficiency improved.例文帳に追加
且つ、効果的に、p型金属電極とp型窒化ガリウムオーム接触層の面方向の接触均一性を強化して、第二接触分布金属層の第三分布接触金属層中での分布が不均一のために生じる局部発光の現象を防止し、動作電圧を低下させて、外部量子効率を向上させる。 - 特許庁
In the addition, an electroless plated gold film 16, having a thickness of 0.05-0.5 μm, is provided as an oxidation preventing film that covers the surface of the low-concentration Ni-P film 32.例文帳に追加
無電界低濃度Ni−Pメッキ膜32の表面を覆う酸化防止膜として、0.05〜0.5μmの膜厚を有する無電界金メッキ膜16を設ける。 - 特許庁
In addition to the above steel components, ≤0.15% P can be incorporated, and one or two kinds selected from 0.02 to 0.40% Sn and 0.1 to 1.0% Cu can be incorporated as well.例文帳に追加
前記の鋼含有成分に加えP:0.15%以下を含有し、更にまたSn:0.02〜0.40%、Cu:0.1〜1.0%の1種または2種を含有させてもよい。 - 特許庁
In the potential generating device, the source of an n-type MIS transistor 54 and the source of a p-type MIS transistor 56 are connected to each other and, in addition, to an output terminal 55.例文帳に追加
電位発生装置において、N型MISトランジスタ54のソースとP型MISトランジスタ56のソースとが互いに接続され、かつ、出力端子55に接続されている。 - 特許庁
Calculation of Σ^m-1_i0ϕ^iP is constituted of, for example, a ϕ-fold P computing device, and an elliptic adder is as shown in Figure 2, and the number of times of elliptic addition is reduced in comparison with conventional calculation.例文帳に追加
Σ_i=0^m-1φ^i Pの計算は例えば図2に示すように、Pのφ倍演算器と楕円加算器とにより構成し、楕円加算の回数を従来より削減する。 - 特許庁
In addition, the image recording device 1 is equipped with a recording head 16, and records an image in the recording medium P to which the coating liquid is applied, by discharging an ink from the recording head 16.例文帳に追加
また、画像記録装置1は、記録ヘッド16を備えており、記録ヘッド16によりインクを吐出して、塗布液が塗布された記録媒体Pに画像を記録する。 - 特許庁
A sensitivity mapping Sn is carried out by the curve fitting using the least square method weighted by the square of the pixel value Ab(p) of the absolute addition image Ab (step V4).例文帳に追加
また、絶対値加算画像Abの画素値Ab(p)の自乗で重み付けした最小自乗法によりカーブ・フィッティングを行って感度マップSnを作成する(ステップV4)。 - 特許庁
In addition, the GaN layer 5 is formed, by laterally growing the portions of the GaN layer 3 exposed through the pinholes P as nucleus for growth, until the grown portions join to each other and the surfaces of the joints are planarized.例文帳に追加
また、GaN層5は、ピンホールPから露出するGaN膜3を成長の核とする横方向の成長により合体し表面が平坦化されるまで成長させる。 - 特許庁
The thick steel plate may include a specified amount of C, Mn, Cu, Ni, P, S, Al and N, or further Cr, Mo, Nb, V, Ti, B, Ca, Mg and REM, in addition to Si.例文帳に追加
Siのほかに、C、Mn、Cu、Ni、P、S、Al、N、あるいはさらに、Cr、Mo、Nb、V、Ti、B、Ca、Mg、REMの含有量を規定してもよい。 - 特許庁
In addition, simultaneously as the drain/source regions 40, 41 of the P-MOS transistor, an emitter region 49 and an electrode extraction part 48 of a collector region of the bipolar transistor are formed.例文帳に追加
また、P−MOSトランジスタのドレイン/ソース領域40,41と同時に、バイポーラトランジスタのエミッタ領域49及びコレクタ領域の電極取り出し部48が形成される。 - 特許庁
In addition, a second phototube 29 is installed to the lower sprocket wheel 5 so that the phototube 29 may be positioned above the upper surface of a pallet P on a cage 9 by the limit trim T1.例文帳に追加
下部スプロケットホイール5に第2光電管29をケージ9上のパレットP上面から車高限界寸法T1分だけ上方に位置するように設置する。 - 特許庁
In addition, since the Ni-P is non-magnetic, and further, no magnetic metals are purged from an external electrode 3, the entire external electrode 3 can be made completely non-magnetic.例文帳に追加
また、Ni−Pは非磁性体であり、加えて外部電極3から一切の磁性金属層を廃したため、外部電極3の全体を完全に非磁性化できる。 - 特許庁
The method for stabilizing p-hydroxybenzoate hydroxylase comprises the addition of at least one kind of α-cyclodextrin, inositol, sucrose, sorbitose, citric acid, sodium gluconate, BSA, arabitol and trisodium EDTA as a stabilizer.例文帳に追加
α−シクロデキストリン、イノシトール、スクロース、ソルビトース、クエン酸、グルコン酸ナトリウム、BSA、アラビトール、EDTA・3ナトリウムのうち少なくとも1種を安定化剤として添加する。 - 特許庁
(ii) A polyaddition product P containing an average of one group having reactivity to the isocyanate and an average of more than two isocyanate groups is formed by an intermolecular addition product.例文帳に追加
(ii)Aの分子間付加反応により、イソシアネートに対し反応性のある基を平均1個及びイソシアネート基を平均2個以上含む重付加生成物Pを形成する。 - 特許庁
To provide a poly(p-phenylene vinylene) resin composition efficiently improved in mechanical characteristics, dimensional stability and thermal characteristics by whichever addition of a large amount or a small amount.例文帳に追加
少量あるいは多量の添加であっても効率よく機械特性、寸法安定性および熱特性を向上させたポリ(p−フェニレンビニレン)系樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
In addition, a band n showing the range of the depth of the field at the peak point T of the focal point evaluation value and an index P showing the present focused position are displayed.例文帳に追加
また、現在のフォーカス位置を示す指標Pが表示されると共に、焦点評価値のピーク点Tにおける被写界深度の範囲を示す帯nが表示される。 - 特許庁
The authenticity determination of the passbook is performed by collation of a seal image of the passbook P and a seal image registered in a center in addition to collation between a password read out from a magnetic tape 32 of the passbook P and a password directly inputted by the person himself.例文帳に追加
通帳Pの磁気テープ32から読み出したパスワードと本人が直接入力したパスワードとの照合に加えて、通帳Pの印影イメージとセンターに登録済みの印影イメージとの照合によって、通帳の真贋判定を行う。 - 特許庁
In addition, the output from the proper logical operation circuits (36a-p) is selected according to loads of a transmission line by providing a function for mitigating synchronization determination criteria when the synchronization establishment in all the synchronization detection circuits (37a-p) is not detected.例文帳に追加
また全同期検出回路(37a〜p)での同期確立が検出されない場合に、同期判定条件を緩和する機能を設け、伝送路中の負荷に応じて適正な論理演算回路(36a〜p)からの出力を選択できるようにする。 - 特許庁
In addition, a primary differential coefficient (slant α of tangent M1) at the bonded section (point P) on the chamfered plane side in the optical plane 2b and a primary differential coefficient (slant α of tangent M2) at the bonded section (point P) on the optical plane side in the chamfered plane 3 are matched.例文帳に追加
また、光学面2bにおける面取り面側接合部(点P)での一次微分係数(接線M_1 の傾きα)と、面取り面3における光学面側接合部(点P)での一次微分係数(接線M_2 の傾きα)は、一致している。 - 特許庁
In addition, a source driver 14 sets the potentials V_s(P, n), V_s(N, n) so determined as to satisfy equation: C=(V_s(P, n)+V_s(N, n))/2-ΔV_gd(n) in source wiring, according to gradation n, and positive pole driving or negative pole driving.例文帳に追加
また、ソースドライバ14は、C=(V_s(P,n)+V_s(N,n))/2−ΔV_gd(n)を満足するようにして定められた電位V_s(P,n),V_s(N,n)を階調nおよび正極性駆動か負極性駆動かに応じてソース配線に設定する。 - 特許庁
The p-type clad layer of a GaN semiconductor laser is constituted of two or more semiconductor layers having different band gaps and, in addition, the part of the p-type clad layer near the active layer-side interface of the layer is constituted of a semiconductor layer having a larger band gap than the other part has.例文帳に追加
GaN系半導体レーザのp型クラッド層を互いにバンドギャップの異なる2以上の半導体層により構成し、かつ、p型クラッド層の活性層側の界面近傍の部分を他の部分に比べてバンドギャップの大きい半導体層により構成する。 - 特許庁
In addition, an insulator 9 blocks in advance the recondensation of vapor on the circumferential surface of the thermoelectric power generation elements N and P that is generated from melted low-melting-point metal layers 8A and 8B, thereby keeping appropriate insulation on the circumferential surface of the thermoelectric power generation elements N and P.例文帳に追加
また、溶融した低融点金属層8A,8Bから蒸気が発生して各熱電発電素子N,Pの周面に再凝結するのが絶縁体9により未然に阻止されるため、各熱電発電素子N,Pの周面の絶縁性が良好に保たれる。 - 特許庁
The PI control value Vpi generated in the PI control part 43 and the P control value Vp generated in the P control part 44 are added in an adder part 45, and the value obtained by this addition is given to a PWM control part 46 as motor control value Vc.例文帳に追加
PI制御部43において生成されたPI制御値VpiとP制御部44において生成されたP制御値Vpとは、加算部45において加算され、この加算により得られる値がモータ制御値VcとしてPWM制御部46に与えられる。 - 特許庁
Temperature of the waste oil P, which contains the alkali components occurring by at least one of saponification and an addition reaction, is set to a predetermined temperature (60-100°C), the waste oil P is brought into contact with an acid aqueous solution C with concentration of 5-50 mass%, and this contact condition is kept for a predetermined period.例文帳に追加
鹸化及び付加反応の少なくとも一方が行われたことによってアルカリ分を含有した廃油Pを、所定温度(60℃〜100℃)とし、これに濃度5〜50質量%の酸水溶液Cを接触し、この接触状態を所定時間保つ。 - 特許庁
When a new window addition button provided to an electronic blackboard is pressed, the reference coordinates of a new window are set to (0, 0) (S62) and the display order N and the number P of pages are increased each by one (S64), and a new window addition flag is set (S66) and a return to the main routine is made.例文帳に追加
電子黒板に設けられた新規ウインドウ追加ボタンを押すと、新規ウインドウの基準座標を(0,0)に設定し(S62)、表示順位Nおよびページ数Pにそれぞれ1をインクリメントし(S64)、新規ウインドウ追加フラグを立て(S66)、メインルーチンへ戻る(S68)。 - 特許庁
In addition, when the performance points P displayed being accumulated on the indicator reach the prescribed achievement upper limit (10 points), a character performance is displayed in an accumulation special favor mode (S34287).例文帳に追加
それと共に、インジケータにおいて蓄積表示される演出ポイントPが所定の達成上限(10ポイント)に至ると、蓄積特典態様としてキャラクタ演出が表示される(S34287)。 - 特許庁
In addition, respective concentrations of type p impurity and type n impurity are set to 5×10^17/cm^3 or less at the area near the junction region of the base region and the emitter region.例文帳に追加
そして、ベース領域とエミッタ領域との接合領域近傍において、p型不純物とn型不純物のそれぞれの濃度を5×10^17/cm^3以下にする。 - 特許庁
In addition, information that the optimal combination is selected at what degree of probability P in the permissible weight range A established at this moment is represented on a display 34.例文帳に追加
併せて、今現在設定されている許容重量範囲Aについてどれくらいの確率Pで最適組合せが選択されるのかを表す情報を、ディスプレイ34に表示する。 - 特許庁
In addition, the irradiation device 3 is a thin type having a length short in the direction of a rotation-axial line P and the portion with the maximum width of the irradiation device 3 is arranged along the maximum width of the installation space 8.例文帳に追加
そして、照射装置3は、回転軸P線方向での長さが短い薄型とし、照射装置3の最大幅となる部分を設置スペース8の最大幅に沿って配置する。 - 特許庁
A data processing method to calculate the multiple k of a data item P which uses a left-to-right "double and addition" type algorithm of a repetitive binary notation with a window size of 2 is provided.例文帳に追加
ウィンドウサイズが2である、反復的二進法の左から右への「倍加および加算」タイプアルゴリズムを用いる、データアイテムPの倍数kを計算する、データ処理方法が提供される。 - 特許庁
To an incidental end surface 10 of a fiber 1, in addition to an incidental point P, to a position P1 rotated by 180° around an optical axis A, another line of an incidental light flux 20 is applied.例文帳に追加
ファイバ1の入射端面10に対し、入射点Pと共に、光軸Aを中心に180度回転させた位置P1に、他の一条の入射光束20を入射させる。 - 特許庁
An addition means finds Σ_wP(Xw, Yw, Xk, Yk)×Pm(Xw, Yw), or a sum of the own plane shoot-down probability when the enemy plate selects the behavior (k) based on the P(Xw, Yw, Xk, Yk)×Pm(Xw, Yw) (32).例文帳に追加
加算手段が、上記P(Xw,Yw,Xk,Yk)・Pm(Xw,Yw)から、敵機が行動kを選択した場合の自機撃墜確率の和Σ_wP(Xw,Yw,Xk,Yk)・Pm(Xw,Yw)を求める(32)。 - 特許庁
In addition, the wire-like heating bodies are made into pipes so as to run a cooling gas in the pipe-like heating bodies after the fusion bonding of the clip seat and the P-molding through energizing.例文帳に追加
更に、前記ワイヤ発熱体をパイプ状にし、前記通電による前記クリップ座と前記Pモールとの溶着後に前記パイプ状発熱体内に冷却用気体を通すこと。 - 特許庁
In addition, winding detection of a recording paper P to the fixing belt 102 is performed, by setting a standard value to pulse width of the pulse signal and comparing the standard value with the actually measured pulse width.例文帳に追加
また、パルス信号のパルス幅に規格値を設定して、この規格値と実測されるパルス幅とを比較することで、定着ベルト102への記録用紙Pの巻き付き検知が行われる。 - 特許庁
In addition, a second NMOS transistor is formed on the second surface area of the P type semiconductor substrate in the peripheral circuit area, and a PMOS transistor is formed on the second N well 12.例文帳に追加
また、第2NMOSトランジスタは周辺回路領域内のP形半導体基板10の第2表面部分に形成され、PMOSトランジスタは第2Nウェル12上に形成される。 - 特許庁
In addition, a speed control region V, in which the robot arm is turned at an angular speed proportional to the tilt angle of the control stick 3, is provided outside a position control region P with respect to the origin O.例文帳に追加
また、原点Oに対し位置制御領域Pの外側に、ロボットアームを操作桿3の傾倒角度に比例した速度で作動させる速度制御領域Vを設定する。 - 特許庁
In addition, the formation of the tracking pattern p is effective not only in a secondary transfer system in fixing, but also in all fixing systems which are low in resolution and perform selective heating.例文帳に追加
またそれだけでなく、このような追跡パターンpの形成は、定着上二次転写方式だけでなく、解像度の低い選択的な加熱を行う定着方式全般に有効である。 - 特許庁
In addition, by satisfying 35kPa≤P≤100kPa, an optimum condition for realizing 1.3≤μ≤3.0 can be provided, and the thickness of the glass substrate can be reduced.例文帳に追加
さらに、35kPa≦P≦100kPaとすることによって、1.3≦μ≦3.0を実現する最適条件を得ることができると共に、ガラス基板の厚さを薄くすることが可能となる。 - 特許庁
In addition, a p-type base region 16 is formed in so that the central part of the region 16 has a thickness, which is sufficient to withstand high voltage and the end sections of the region 16 have smaller thicknesses, and the region 16 is joined to the emitter region 15a and 15b.例文帳に追加
さらに、pベース領域16を所定耐圧に対応する厚さにして、その端部はより薄く形成し、n^+ エミッタ領域15a,15bと接合させる。 - 特許庁
In addition to an ordinary gate electrode, an n-channel transistor or a p-channel transistor provided with a second gate electrode for controlling threshold voltage is used in a complementary logic circuit.例文帳に追加
通常のゲート電極の他に、閾値電圧を制御するための第2のゲート電極が備えられたnチャネル型トランジスタ、或いはpチャネル型トランジスタを、相補型の論理回路に用いる。 - 特許庁
In addition, the speaker system is provided with a phase matching means (P and A) for matching phases of sound signals outputted from the left and right speakers (S_1 and S_2) and the sub woofer (S_3).例文帳に追加
そして、このスピーカシステムは、さらに、上記左右のスピーカ(S_1,S_2) およびサブウーハ(S_3)から出力される音声信号の位相を整合させる位相整合手段(P,A)を備える。 - 特許庁
In addition, the units 13 are arranged so that the interval L between the poles 13c and 13a at the end sections of adjacent units 13 are different from the layout pitch (interval) P of the poles 13a-13c.例文帳に追加
また、ユニット13間の間隔は、隣接する各ユニット13の端部に位置する極13c,13aの間隔Lがユニット13内の極13a〜13cのピッチ(間隔)Pと異なるように配置されている。 - 特許庁
In addition, a P-type thermoelectric element 30' or an N-type thermoelectric element 40' which is placed from the inside to the outside of the fuel gas channel is electrically connected to the fuel cell unit 20 in series.例文帳に追加
さらに燃料ガス流路内部から外部にかけて位置づけられたP型熱電素子30’またはN型熱電素子40’を燃料電池セル20に電気的に直列接続する。 - 特許庁
例文 (290件) |
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