「P addition」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The RFID addition device 4 pastes the RFID tag T on the printing paper P and also performs the write of information in and the readout of the information from the pasted RFID tag T.例文帳に追加

ＲＦＩＤ付加装置４は、ＲＦＩＤタグＴを印刷用紙Ｐへ貼付すると共に、貼付したＲＦＩＤタグＴへの情報の書き込みと、貼付したＲＦＩＤタグＴからの情報の読み出しとを行う装置である。 - 特許庁

In addition, a punch blade entering hole 216 on the conveyance guide 205 is set to be a long hole opened obliquely with respect to the conveyance direction of the sheet P, and the sheet end energized and entering into the long hole is received by a sheet end pressing member 222.例文帳に追加

さらに、搬送ガイド２０５のパンチ刃進入孔２１６をシートＰの搬送方向に対して斜め方向に開いた長孔として、付勢されてその孔に入り込んだシート端をシート端押え部材２２２で受けるようにする。 - 特許庁

Sensitivity coefficients Sn(p) are calculated for individual phased array coils, Coils_n(n=1∼N, N≥2) using the addition image Ab=Σ|Cn| of the complex number image Cn obtained by the calibration scanning of all of FOVs (field of view) (steps V2 and V3).例文帳に追加

各フェーズド・アレイ・コイルＣｏｉｌ＿ｎ（ｎ＝１〜Ｎ，Ｎ≧２）について全ＦＯＶのキャリブレーション・スキャンを行って取得した複素数画像Ｃｎの加算画像Ａｂ＝Σ｜Ｃｎ｜を用いて感度係数Ｓｎ（ｐ）を計算する（ステップＶ２，Ｖ３）。 - 特許庁

In addition, a highly doped doping layer 8 is formed in the surface layer part of the electron diffusion layer 7 including the main surface on which an electrode 9 is formed, the concentration of the p-type dopant of the surface layer part being designed higher than that of the remainder part of the electron diffusion layer 7.例文帳に追加

また、電流拡散層７の電極９を形成する側の主表面を含む表層部に、ｐ型ドーパント濃度が電流拡散層７内の残余の部分よりも高くされた、高濃度ドーピング層８を形成する。 - 特許庁

This method for removing the alkali from the alkali-containing waste oil is characterized by bringing the alkali-containing waste oil P obtained by carrying out at least one of a saponification reaction and an addition reaction into contact with an acidic aqueous solution having an acid concentration of 5 to 50 mass% and maintaining the contact for a prescribed time.例文帳に追加

鹸化及び付加反応の少なくとも一方が行われたことによってアルカリ分を含有した廃油Ｐに、濃度５〜５０質量％の酸水溶液Ｃを接触し、この接触状態を所定時間保つ。 - 特許庁

In addition, at this time, moisture St is partially sprayed onto the head (more specifically, the entire face) of the passenger P in the cabin 32, thus preventing the moisture St from the humidifier 12 from spraying out in the cabin 32.例文帳に追加

また、このとき、加湿器１２から車室内の乗員Ｐの頭部（より具体的には、顔面全体）に居所的に湿気Ｓｔが噴射されて、加湿器１２からの湿気Ｓｔが車室３２内に飛散することが防止される。 - 特許庁

In addition, preferably, the RESURF structure has an undoped carrier scanning layer formed on the p-type semiconductor layer, and a carrier supplying layer formed on the carrier scanning layer and which has band gap energy different from that of the carrier scanning layer.例文帳に追加

また、好ましくは、前記リサーフ構造は、前記ｐ型半導体層上に形成されたアンドープのキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成され該キャリア走行層とはバンドギャップエネルギーが異なるキャリア供給層とを備える。 - 特許庁

In addition, a third insulator film 11 that is thinner and stable is formed as a result of thermal oxidation of a surface of the light receiving portion 5, a p-type impurity ion is injected in a surface portion of the light receiving portion 5 of an n-type semiconductor substrate 1 through this third insulator film 11 that is thin and stable, and a high-concentration surface p+ layer is formed.例文帳に追加

さらに、受光部５の表面を熱酸化して膜厚が薄く安定した第３の絶縁膜１１を成膜し、この膜厚が薄く安定した第３の絶縁膜１１を通してｎ型半導体基板１の受光部５の表面部にｐ型不純物イオンの注入が為されて高濃度表面ｐ＋層を形成する。 - 特許庁

In addition, Section 13(p) requires the report to include a description of the products manufactured or contracted to be manufactured that are not “DRC conflict free,” the facilities used to process the conflict minerals, the country of origin of the conflict minerals, and the efforts to determine the mine or location of origin.例文帳に追加

さらに第13(p)条は、製造されている、または製造委託契約の結ばれている製品で「DRC コンフリクト・フリー」ではない製品、紛争鉱物を加工するために使用されている施設、紛争鉱物の原産国、および原産鉱山または原産地を判断するための努力についての記述を報告書に含めることをも義務付けている。 - 経済産業省

In the heat sensitive recording body having a heat sensitive recording layer including a leuco dye and a colorant, an N-p-toluenesulfonyl-N '-3-(p-toluenesulfonyloxy)phenylurea is employed as the colorant and, in addition, at least one kind selected from benzotriazole-based compounds having a melting point of 100 to 160°C is employed in the heat sensitive recording layer.例文帳に追加

支持体上に、ロイコ染料と呈色剤を含有する感熱記録層を有する感熱記録体において、呈色剤としてＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−３−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）フェニルウレアを用い、さらに融点が１００〜１６０℃のベンゾトリアゾール系化合物から選ばれる少なくとも一種を感熱記録層に用いるものである。 - 特許庁

A polyether polyol (P) for non-foamed urethane resin production is used, wherein the polyether polyol is a propylene oxide addition polymer or propylene oxide/ethylene oxide addition copolymer and has a ratio between a weight-average molecular weight (Mw) and a number-average molecular weight (Mn), that is, a molecular weight distribution (Mw/Mn) of 1.2-3.0 as measured by gel permeation chromatography.例文帳に追加

プロピレンオキサイド付加重合体、又はプロピレンオキサイド／エチレンオキサイド付加共重合体であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定される重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比、分子量分布（Ｍｗ/Ｍｎ）が１．２〜３．０であることを特徴とする非発泡ウレタン樹脂製造用ポリエーテルポリオール（Ｐ）を使用する。 - 特許庁

In addition, a guiding tapered part 10, 10', which is for the engaging projection 5 of the optical connector plug P, is formed at the front and/or the rear end of the inner surface 7a of a side wall 7 between the tip of the slot 9 and the opening 6 of the cap.例文帳に追加

さらに、該長孔９先端とキャップ開口部６間の側壁７内面部７ａにあって、その前端または後端あるいは前後両端に、光コネクタプラグＰの係合突起５用の案内テーパ部１０、１０´を形成して構成する。 - 特許庁

In addition, transistors in a p-type SRAM area PS and transistors in an n-type SRAM area NS are covered with a lamination film comprised of a film 50a having tensile stress and a film 55a having compression stress.例文帳に追加

そして、Ｐ型ＳＲＡＭ領域ＰＳにおけるトランジスタおよびＮ型ＳＲＡＭ領域ＮＳにおけるトランジスタは、引っ張り応力を有する膜５０ａおよび圧縮応力を有する膜５５ａからなる積層膜により覆われている。 - 特許庁

The point addition/subtraction part 107 adds points according to a difference between the current print number N(1) and a previous point number N(2) as a total print number until the previous month to points P meeting the received ID in a point management table 102.例文帳に追加

ポイント加減算部１０７は、ポイント管理テーブル１００２内の受信したＩＤに対応するポイントＰに対し、現印刷枚数Ｎ（１）と先月までの合計印刷枚数である前印刷枚数Ｎ（２）との差に応じて、ポイントを加算する。 - 特許庁

In the group III nitride-based semiconductor light-emitting device, an upper cladding layer 18 suppresses the amount of addition of p-type impurities to a prescribed region in which activation rate becomes relatively lower than that at one portion of the other region.例文帳に追加

このＩＩＩ族窒化物系半導体発光素子においては、上部クラッド層１８は、活性化率が相対的に他の領域の一部よりも低くなる所定領域へのｐ型不純物の添加量を、他の領域の一部よりも抑制している。 - 特許庁

In addition, an n^+-type drain region 18E and an n^--type expansion region 19E extending towards the layer 14 from the drain region 18E are formed in a region spaced out from the p-type base layer 14 in the region B.例文帳に追加

また、領域Ｂのｐ型ベース層１４から離間した領域には、ｎ＋型ドレイン領域１８Ｅと、このドレイン領域１８Ｅからｐ型ベース層１４の方向に向かって伸びるｎ−型拡張領域１９Ｅとが形成されている。 - 特許庁

In addition, it has a recessed surface 130a having a length of 1 pitch P or more of the screw blade 124, and formed along an outer circumferential surface of a screw shaft 123 in a perpendicular direction to the axial direction of the screw shaft 123.例文帳に追加

さらに、スクリューシャフト１２３の軸方向においては、スクリュー羽根１２４の１ピッチ（Ｐ）以上の長さを有し、スクリューシャフト１２３の軸方向に直交する方向においては、スクリューシャフト１２３の外周面に沿う凹面１３０ａを有している。 - 特許庁

The addition result is compared with a plurality of thresholds set beforehand by a determination means 30, and it is determined whether the number of the magnetic prints P in the article W is equal to the specified number, smaller than the specified number or larger than the specified number.例文帳に追加

この加算結果と予め設定されている複数のしきい値とが判定手段３０において比較され、物品Ｗ内の磁気印刷物Ｐが規定数か、規定数より少ないか、あるいは規定数より多いかを判定する。 - 特許庁

In addition, at least one of an adjustable characteristic of exposure light EL in the exposure of each of the shot regions and the width of the exposure light EL of the scanning direction on the substrate P is adjusted based on the set target integral exposure amount S.例文帳に追加

また、設定される目標積算露光量Ｓに基づいて、各ショット領域Ｓの露光時の調整可能な露光光ＥＬの特性および、基板Ｐ上での走査方向の露光光ＥＬの幅の少なくとも一方を調整する。 - 特許庁

A system to supply the working fluid through an aperture passage P is newly provided in addition to a system to supply the working fluid by collapsing an outer circumferential lip part 750, or a system to supply the working fluid through a through-hole 2302 penetrating a guide member 520.例文帳に追加

外周リップ部７５０を倒して作動液を補給する系、あるいはガイド部材５２０を貫通する貫通孔２３０２を通して作動液を補給する系のほかに、すき間通路Ｐを通して作動液を補給する系を新たに備える。 - 特許庁

In addition, the antenna device 110 comprises a wave director 112 placed along the direction of the axis S toward which the helical antenna 111 radiates a radio wave with a second space X substantially the same as the first space P from the helical antenna 111.例文帳に追加

また、アンテナ装置１１０は、ヘリカルアンテナ１１１によって電波が放射される軸Ｓの方向に沿って、ヘリカルアンテナ１１１に対して第１の間隔Ｐと略同一となる第２の間隔Ｘを空けて配置された導波器１１２を備えた。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetic recording medium having a liquid preparing step for preparing a magnetic layer liquid and an application step for applying the magnetic layer liquid on the non-magnetic support, dispersion of the ferromagnetic powder in the binder, addition and mixing of the organic compound containing phosphorus (P) and addition and mixing of a fatty acid ester are performed in this order in the liquid preparing step.例文帳に追加

非磁性支持体上に磁性層液を調液する調液工程と前記磁性層液を塗布する塗布工程とを有する磁気記録媒体の製造方法であって、前記調液工程が、前記強磁性粉末の結合剤中への分散、前記リン（Ｐ）含有有機化合物の添加・混合、脂肪酸エステルの添加・混合の順で行われる磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

In addition, a slit-shaped gap part 60 is formed along a virtual plane P that includes the center axis C of the core wire insertion hole 21, and the slit-shaped gap part 60 is a gap part that extends from the core wire insertion hole 21 to the outside surface of the body of the holder 20.例文帳に追加

また、芯線挿入孔２１の中心軸Ｃを含む仮想平面Ｐに沿うスリット状の間隙部６０が形成されており、このスリット状間隙部６０は、芯線挿入孔２１からホルダ２０の本体の外側面にまで至る間隙部となっている。 - 特許庁

In addition to the basic constitution, the high-voltage output circuit 21 has a P channel type LDMOS 26 connected in parallel to the LDMOS 22 and an N channel type LDMOS 27 connected between the high-voltage power terminal VDDH and ground terminal.例文帳に追加

高電圧出力回路２１にあっては、上記基本構成に加えて、ＬＤＭＯＳ２２と並列にＰチャネル型ＬＤＭＯＳ２６を接続し、高電圧電源端子ＶDDH とグランド端子との間にＮチャネル型ＬＤＭＯＳ２７を接続した構成となっている。 - 特許庁

In addition, since not only the position information P and the velocity information V but the base station information B and the field intensity information E are further used, determination is properly made for the terminal which performs the radio communication.例文帳に追加

また、位置情報Ｐおよび速度情報Ｖのみならず、基地局情報Ｂおよび電界強度情報Ｅを更に用いるため、判断および制御の対象物が無線通信を行う端末である場合ならではの適切な判断を行うことができる。 - 特許庁

In addition, the apparatus 10A is constituted to uniformly heat and control all components provided on a substrate by interposing a heat shielding member 40 between the upper far infrared heaters 151a and substrate P to cover components which have relatively small heat capacities and/or are high in heat conduction.例文帳に追加

また、上方遠赤外線ヒータ１５１Ａと被処理基板Ｐとの間に比較的小さい熱容量及び又は熱伝導が高い部品を覆う熱遮蔽部材４０を介在させて基板上の全部品が一様に加熱、制御されるように構成されている。 - 特許庁

In addition, on the side surface of the semiconductor element portion 8, a voltage drop by the internal resistance of the electrode pattern 11 is utilized, to make the electric potential of each electric-potential control portion 9 reduce in a stepwise fashion, in a direction from the n^+-type cathode region 6 toward the p^+-type anode region 7.例文帳に追加

また、半導体素子部８の側面においても、電極パターン１１の内部抵抗による電圧降下を利用して、ｎ^+型カソード領域６からｐ^+型アノード領域７に向かう方向において、各電位制御部９の電位を段階的に低下させる。 - 特許庁

In this case, the base restart time Tbrs is set so as to be shorter for a longer time that elapses after arrival at the entrance of the intersection area, and the priority-based addition time Tp is set so as to be shorter for a higher priority P.例文帳に追加

ここで、ベース再発進時間Ｔｂｒｓは交差点エリアの入口に到達してからの経過時間が長いほど短い時間となる傾向に設定し、優先度別追加時間Ｔｐは優先度Ｐが高いほど短い時間となる傾向に設定する。 - 特許庁

In addition, if polysilicon is used in the thin film resistors, fluctuation in the resistance values is suppressed and temperature dependence of the resistance value is eliminated by making a film thickness of the polysilicon thin film resistor thin, and making an impurity introduced into the polysilicon thin film resistor p-type.例文帳に追加

および、薄膜抵抗体にポリシリコンを用いる場合、ポリシリコン薄膜抵抗体の膜厚を薄くし、ポリシリコン薄膜抵抗体に導入した不純物をＰ型にしたことにより抵抗値バラツキを抑え、かつ抵抗値の温度依存性をなくしたことを特徴とする。 - 特許庁

In addition, by detecting the occurrence of separation abnormality of the recording paper P at the separation part α, the occurrence of a jamming can be predicted; a maintenance, such as, component replacement or repair can be carried out before the occurrence of jam; and loss of time of a user can be reduced.例文帳に追加

そして、分離部αでの記録紙Ｐの分離異常の発生を検知することにより、ジャムの発生を予測し、ジャムが発生する前にあらかじめ部品交換、修理等のメンテナンスを行い、使用者の時間のロスの低減を果たすことが出来る。 - 特許庁

An intermediate position addition MF that is necessary for viewing an intermediate working distance is provided at a position P of an intermediate in set ML that is set based on the intermediate interpupillary distance MPD other than the refractive powers set in the part 1 for far and the part 2 for near respectively.例文帳に追加

中間瞳孔間距離ＭＰＤに基づいて設定された中間内寄せ量ＭＬの位置Ｐに、中間作業距離を見るために必要な中間位置加入度ＭＦを遠用部１と近用部２とにそれぞれ設定される屈折力以外に付与する。 - 特許庁

Besides, a sequence P of the numbers of communicating pulses consisting of the numbers Pn of the number of times of addition performed until the sum of the numbers M becomes an integer when the numbers M are added successively, on the basis of the numbers M of pulses per communication section, is formed beforehand.例文帳に追加

また予め、一転流区間あたりのパルス数である区間パルス数Ｍに基づき、この区間パルス数Ｍを順次加算したときにその和が整数となるまでの加算回数個の転流間信号数Ｐｎからなる転流パルス数列Ｐを生成しておく。 - 特許庁

In addition, it is constructed in such a manner that, even if the surface temperature of the opposing member 31 is above the prescribed target temperature, the opposing member heating means 33 is heated up under a prescribed condition in which at least a recording medium P is not present in the fixing nip N.例文帳に追加

さらに、対向部材３１の表面温度が所定の目標温度を超えている場合であっても、少なくとも定着ニップＮに記録媒体Ｐが存在しない所定の条件下で、対向部材加熱手段３３を発熱させるように構成した。 - 特許庁

In addition, as for a gate electrode of a P channel type MOS transistor, a thin oxide film 3 used in the step for forming the field oxide film is used as a gate oxide film, and the first poly-silicon layer 4 and the second poly-silicon layer 8 are laminated and used as the gate electrode 9.例文帳に追加

また、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲート電極については、フィールド酸化膜形成工程で用いた薄い酸化膜３をゲート酸化膜として用い、且つ第１のポリシリコン層４と第２のポリシリコン層８を積層してゲート電極９としている。 - 特許庁

The reading apparatus has a third light source for applying light crossing a sub-scanning direction in addition to first and second light sources 110, 120 for irradiating an irradiation position P with light along the sub-scanning direction (left direction in the figure).例文帳に追加

本発明に係る読取装置は、副走査方向（図において左方向）に沿った光を照射位置Ｐに照射する第１光源１１０及び第２光源１２０に加え、副走査方向に対して交差するような光を照射する第３光源を備える。 - 特許庁

In addition, the first picture in a GOP through the last picture within a transcode range are at least decoded in the last GOP, decoded image data from the last I picture or P picture in the transcode range to the last picture within the transcode range are encoded in an interframe encoding mode or the like.例文帳に追加

また、末尾ＧＯＰ内において、ＧＯＰ内最初のピクチャからトランスコード範囲内末尾ピクチャまでを少なくとも復号化し、トランスコード範囲内最後のＩピクチャ又はＰピクチャからトランスコード範囲内末尾ピクチャまでの復号画像データをフレーム内符号化モード等で符号化する。 - 特許庁

An adjustment mechanism 20 adjustable so that an addition result of the impedance and a resistor R3 becomes a resistance value R1 even when the manufacture dispersion occurs in a penetration current suppressing P channel type MOS transistor TR1 set up in a division resistor circuit 2 is provided.例文帳に追加

分割抵抗回路２内に設置した貫通電流の抑止用Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＴＲ１に製造バラツキが生じたとしても、そのインピーダンスと抵抗Ｒ３の加算結果が抵抗値Ｒ１となるように調整可能な調整機構２０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In addition, a base 7 mounted across the left wall 4 and the right wall 5, a lengthwise cushioning material 8 to be mounted on the base 7 and the bottom tray 1, and a breadthwise cushioning material 9 mounted on the front wall 2 and the rear wall 3 are provided inside the box P.例文帳に追加

また、この梱包箱Ｐ内には、その左壁４と右壁５に跨るように取り付けられる受け台７と、この受け台７や底側トレー１に取り付けられる長手部用緩衝材８と、前壁２や後壁３に取り付けられる短手部用緩衝材９とが設けられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a p-type semiconductor element with which the surface of a polysilicon layer can be oxidized selectively and, in addition, can suppress the threshold voltage fluctuation of a semiconductor element caused by post-oxidation as much as possible, when the post- oxidation is performed on a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加

ポリメタル構造を有するゲート電極に対する後酸化を行うとき、ポリシリコン層の表面を選択的に酸化することができ、しかも、後酸化に起因した半導体素子の閾値電圧の変動を出来る限り抑制し得るｐ形半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, it is preferable to decide the final supply amount P(s) of the fuel, taking into consideration both the supply amount PPID (s) of the fuel calculated based on the temperature T1 of the power generation part 10 and the supply amount PE (s) of the fuel calculated based on a utilization rate of the fuel.例文帳に追加

なお、発電部１０の温度Ｔ１に基づいて算出された燃料供給量Ｐ_ＰＩＤ（ｓ）と、燃料の利用率に基づいて算出された燃料供給量Ｐ_Ｅ（ｓ）との両方を考慮して、最終的な燃料供給量Ｐ（ｓ）を決定するようにするのが好ましい。 - 特許庁

In addition, a gate electrode 21 for reading is provided on the surface of the p-type substrate 11 in a manner that at least a part thereof may be close to the periphery of an image formation area 13b is constant wherein a distance from the central part 13a of the embedded photodiode 13.例文帳に追加

また、Ｐ型基板１１の表面上には、少なくとも一部が、埋め込みフォトダイオード１３の中心部１３ａからの距離が一定とされる結像領域１３ｂの外周部に近接するようにして配置された読み出し用ゲート電極２１が設けられている。 - 特許庁

The cement admixture comprises: as essential constituents, a polymer (P) containing, as an essential constitutive unit, a constitutive unit (I) originating in polyoxyalkylene-based monomer (I-M) having an average addition mole number of oxyalkylene group of 1-300; an ascorbic acid-based compound (AsA-D); and sulfate ion (SO_4^2-).例文帳に追加

オキシアルキレン基の平均付加モル数が１〜３００のポリオキシアルキレン系単量体（I−Ｍ）由来の構成単位（I）を必須の構成単位として含む重合体（Ｐ）、アスコルビン酸系化合物（ＡｓＡ−Ｄ）、及び硫酸イオン（ＳＯ_４^２−）を必須の構成要素としてなるセメント混和剤。 - 特許庁

This method includes a step of calculating deformation resistance of a material to determine a rolling load of cold rolling on the basis of a deformation resistance calculation formula including a term of each of content values including at least Al and B in addition to the content values of C, Si, Mn, P, Mo, Ti and Nb in steel and a term of a coiling temperature CT.例文帳に追加

本発明は、冷間圧延の圧延荷重を決定する材料の変形抵抗を、鋼中のＣ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｐ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｎｂの成分値の他に少なくともＡｌ、Ｂを含む各成分値の項と、巻取り温度ＣＴの項とを含む変形抵抗計算式により算出する。 - 特許庁

An object sensor 12 to detect the position of the highest surface of an object P2 on the downstream side of a paper sheet sensor 11 in the paper feed direction is provided in addition to the paper sheet sensor 11 to detect the highest surface of paper sheets P to be fed place on a stacking plate 21 in the vicinity of a front end in the paper feed direction.例文帳に追加

給紙方向の前端部近傍で積載板２１に載置された給紙すべき用紙Ｐの最上面を検出する用紙センサ１１に加えて、給紙方向における用紙センサ１１の下流側で物体Ｐ２の最上面の位置を検出する物体センサ１２を備えた。 - 特許庁

In addition, p- and n-type blocking layers 8 and 9 are arranged between the partial lower part of the buffer layer 2 and the spacer layer 5 by making the widths of the upper part of the spacer layer 2, active layer 3, and spacer layer 4 in the direction perpendicular to the emitting direction of laser light narrower than that of the substrate 1.例文帳に追加

また、ｎ−バッファ層２の上部と、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３とｐ−スペーサ層４は、レーザ光出射方向に対して垂直方向の幅がｎ−基板１よりも狭くしてｐ−ブロッキング層８、ｎ−ブロッキング層９とが配置されている。 - 特許庁