「P addition」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor layer 102 is formed as the p-type one with the addition of carbon (C).例文帳に追加

半導体層１０２は、Ｃの添加によりｐ型とされている。 - 特許庁

In addition, four photodiodes 13a to 13d in a width of (1/2)P are arranged at a pitch of (3/4)P (at an electrical angle of 270°).例文帳に追加

また、(１/２)Ｐの幅の４つのフォトダイオード１３a〜１３dを、(３/４)Ｐのピッチ(電気角２７０度)で配置する。 - 特許庁

In addition, a p-type latch-up preventing layer PL is provided between a p^+-type contact layer PC and the n-type hole barrier layer NHB.例文帳に追加

さらに、ｐ^＋型コンタクト層ＰＣとｎ型ホールバリア層ＮＨＢの間にｐ型ラッチアップ防止層ＰＬを設ける。 - 特許庁

p In addition, seriously incorrect code will result if you call a function with too many arguments. 例文帳に追加

pさらに、関数に対して多過ぎる引数をつけて呼び出すコードを書いた場合、これは深刻な誤ったコードを生成します。 - JM

In addition, a packet-specific encryption key PEK is used to encrypt a packet p.例文帳に追加

また、パケット固有暗号化キーＰＥＫがパケットｐを暗号化するのに使用される。 - 特許庁

In the surface section of the extension drain area 103, in addition, a p-type region 107 composed of a p--type impurity layer is formed.例文帳に追加

延長ドレイン領域１０３の表面部にはｐ^- 型の不純物層からなるｐ型領域１０７が形成されている。 - 特許庁

To reduce elliptic addition and subtraction in multiplying an element P on a Z module M by k (is element of Z).例文帳に追加

Ｚ加群Ｍ上の元Ｐをｋ（∈Ｚ）倍する際の楕円加減算を少くする。 - 特許庁

The brazing material 5 also includes preferably a very small amount of P in addition to Sb and Te.例文帳に追加

前記ろう材５には、Ｓｂ、Ｔｅの他に、Ｐを微量含んでいることが好ましい。 - 特許庁

In addition, the Ca element and the P element preferably mainly exist in the same position.例文帳に追加

また、Ｃａ元素とＰ元素とは主として同一箇所に存在しているのが好ましい。 - 特許庁

An addition unit 153 adds the point (k' mod r')×P and the point [k'/r']α×S.例文帳に追加

加算部１５３が、点（ｋ’ ｍｏｄ ｒ’）×Ｐと、点［ｋ’／ｒ’］α×Ｓを加算する。 - 特許庁

In addition, a hydraulic pump P, an oil filter 8 or the like are mounted on the rear side of the rear plate 2.例文帳に追加

更に、前記リヤプレート２の後側に油圧ポンプＰや、オイルフィルタ８等を取付ける。 - 特許庁

In addition, in the cord section, the ratio (P/L1) of the mean space P of the carcass cord to the major diameter L1 is ≥1.2, and the ratio (P/L2) of the mean space P to the minor diameter L2 is ≤2.5.例文帳に追加

またこのコード断面において、カーカスコードの平均間隔Ｐと前記長径Ｌ１との比（Ｐ／Ｌ１）が１．２以上であり、しかも前記平均間隔Ｐと前記短径Ｌ２との比（Ｐ／Ｌ２）が２．５以下である。 - 特許庁

In addition, the signal ground-pair transmission line 30 is connected to the source layer 4 of the transistor 10 and a P^+-type layer 8 in the P-type well 2.例文帳に追加

また、信号グランドペア伝送線路３０は、ドライバトランジスタ１０のソース層４、Ｐウエル２中のＰ^＋層８にそれぞれ接続される。 - 特許庁

In addition, a trench groove 16 is formed just above the p pillar layer 4, and a p^+ contact layer 7 is formed on the bottom of the trench groove 16.例文帳に追加

また、ｐピラー層４の直上域にトレンチ溝１６を形成し、トレンチ溝１６の底部にｐ^＋コンタクト層７を形成する。 - 特許庁

When i=n-1, P at that time is outputted (S4) as the difference probability DPf of addition.例文帳に追加

ｉ＝ｎ−１となればその時のＰを加算の差分確率ＤＰ_f として出力する（Ｓ４）。 - 特許庁

In addition, a second P-type conductive region 25 is disposed adjacently to the first N-type conductive region 2.例文帳に追加

また、第１Ｎ型導電領域２に隣接して第２Ｐ型導電領域２５を配置する。 - 特許庁

In addition to a specifying string literals, regular expressions can represent classes of strings. 例文帳に追加

p文字リテラルを指定するのに加え、正規表現は文字列のクラスを表現することができます。 - JM

In addition, a p-side metal electrode 8 is formed in a partial area on the ZnO substrate 7.例文帳に追加

また、ＺｎＯ基板７上の一部領域にｐ側金属電極８が形成されている。 - 特許庁

Meanwhile, a (p) electrode 6 is provided on the p-type GaN contact layer 5, and a plurality of ridge portions 8 are formed in dots by crystal growth in addition to the (p) electrode 6.例文帳に追加

一方、ｐ型ＧａＮコンタクト層５の上にｐ電極６が設けられており、ｐ電極６以外に、複数のリッジ部８が点散するよう結晶成長により形成されている。 - 特許庁

In addition, a p-type GaAs contact layer 10 and a p-type electrode 11 are successively formed on the second clad layer 8 and current blocking layers 9.例文帳に追加

第二のクラッド層８上及び電流ブロック層９上にｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０、Ｐ型電極１１を順次有している。 - 特許庁

When the correlation point P is not within the predetermined range R, HC quantity added from an exhaust fuel addition valve is changed (step 110).例文帳に追加

相関地点Pが所定範囲R内に含まれない場合には、排気燃料添加弁から添加されるＨＣ量を変更する（ステップ１１０）。 - 特許庁

In addition, a p-type channel 6 is formed at the intermediate depth of the p-type well 5b by implanting B+ ions into the epitaxial layer 2 by using the resist 4 as a mask.例文帳に追加

更に、レジスト４をマスクとしてＢ^+をイオン注入することにより、ｐ型ウェル５ｂの中間深さにｐ型チャネル６を形成する。 - 特許庁

And then, a caustification rection is carried out under a given addition rate of the green solution and temperature while stirring the stirrer with the stirring power of 0.1 kw/m^3 or more of P/V value during the reaction.例文帳に追加

つづいて反応中のP/V値が0.1 kw/m^3以上となる攪拌力で攪拌しながら所定の緑液添加速度、温度で苛性化反応を行う。 - 特許庁

In addition, pluralities of n^+-type diffusion regions 13 (cathodes) and p^+-type diffusion regions 14 (base electrodes) are alternately arranged on the surface of the p-type well 7.例文帳に追加

また、Ｐウエル７の表面に夫々複数個のＮ^＋拡散領域１３（カソード）及びＰ^＋拡散領域１４（ベース電極）を交互に配列する。 - 特許庁

In addition, the resistance of the n-well 16 and p-well 18 can be lowered by the second layers 15 and 21.例文帳に追加

さらに第２の層１５、２１により、ｎウェル１６及びｐウェル１８の抵抗を下げることができる。 - 特許庁

In addition, the nitride semiconductor layer formed on the group III nitride substrate has at least the active layer, an n-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記半導体素子は、前記活性層はアルミニウム含有窒化物半導体を具える。 - 特許庁

In addition to n-type impurities, p-type impurities of low concentration are contained in the n^+-type semiconductor area 5.例文帳に追加

Ｎ^＋型半導体領域５にＮ型不純物の他にＰ型不純物を低濃度に含める。 - 特許庁

To solve the problem that it is inconvenient for a user to possess a coupon ticket in addition to a contactless medium P.例文帳に追加

非接触媒体Ｐ以外に回数券を所持しなければならず、利用者にとって不便である。 - 特許庁

In addition to silicon and nickel, n-type impurities and p-type impurities are contained in the 1st silicide layer 11.例文帳に追加

第１のシリサイド層１１にシリコンとニッケルの他にＮ型不純物とＰ型不純物を含める。 - 特許庁

In addition, the semiconductor laser device is provided with the same double hetero-junction structure, a second p-type clad layer, a p-type contact layer, and a p-side electrode, and the cleavage end face of the double hetero-junction structure has a disordered layer structure.例文帳に追加

または、同様のダブルヘテロ接合構造、第２のｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層と、ｐ側電極を具備し、ダブルへテロ接合構造のへき開端面が、無秩序化された層構造である。 - 特許庁

An h-ary operation section 35 calculates k-multiplication of the point P in h-ary system wherein the h-multiplication of the point P by an h-multiplication operation section 36 and the addition of integral multiple points equal to or less than (h-1)-folds with respect to the point P by an addition operation section 38 are combined.例文帳に追加

ｈ進法演算部３５は、ｈ倍算演算部３６による点Ｐのｈ倍算と、加算演算部３８による点Ｐの（ｈ−１）倍以下の整数倍点の加算を組み合わせたｈ進法により、点Ｐのｋ倍算を計算する。 - 特許庁

In the formula, R is H or a 1-3C alkyl; p, q, x and y are each an average addition molar number of each unit; p is 1-50; q is 0-20; x is 1-400; y is 1-40; and the polymerization form may be random addition or block addition.例文帳に追加

（式中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基、ｐ、ｑ、ｘ、ｙは各ユニットの平均付加モル数を表わし、ｐは１〜５０、ｑは０〜２０、ｘは１〜４００、ｙは１〜４０の範囲の数であり、重合形態はランダム付加、ブロック付加どちらでもよい。） - 特許庁

The resin molding matter includes addition particles P incorporated in a thermoplastic resin 11 as the substrate, wherein the addition particles P comprise large particles P2 on the surface of which inorganic or organic fine particles P1 is carried to have a smaller particle size than the large particles.例文帳に追加

粗大粒子Ｐ２の表面に、無機又は有機の粗大粒子よりも粒径が小さい微細粒子Ｐ１を担持した添加粒子Ｐを、基材となる熱可塑性樹脂１１中に配合した樹脂成型部材。 - 特許庁

In addition, a monocrystal silicon diode 201 is mounted on the p-type well region 11 through an oxide film 15.例文帳に追加

ついで、ｐ型ウェル領域１１の上に、酸化膜１５を介して単結晶シリコンダイオード２０１を積載する。 - 特許庁

In addition, the output part of the delay element 4 is connected to an input part of a delay element 5 through points P, Q, R.例文帳に追加

また、遅延素子４の出力部は点Ｐ，Ｑ，Ｒを通り遅延素子５の入力部へ接続される。 - 特許庁

* In addition to the above, ¥15.00 billion was allocated to support power-saving building improvements under the third fiscal 2011 supplementary budget. (Continuation) (See p. 217.) 例文帳に追加

※このほか、23 年度3 次補正予算において、建築物節電改修支援事業150.0 億円を措置した。（継続） - 経済産業省

Since carbon which functions with respect to the isoelectronics is diffused in the P-N junction, in addition, the luminous efficacy of the P-N junction is improved.例文帳に追加

また、少なくとも上記ＰＮ接合部には、アイソエレクトロニクス中心として機能する炭素が拡散されており、これにより、ＰＮ接合部での発光効率が高められている。 - 特許庁

As for the diode, it is possible to use, in addition to a typical p-n diode shown in Fig. 1, an equivalent diode shorted between a transistor base and collector as shown in Fig. 2. 例文帳に追加

このダイオードとしては、図に示す通常のp-nダイオードの他に、図に示されるようなトランジスタのベースとコレクタを短絡した等価ダイオードを用いることもできる。 - 特許庁

To provide a steel in which P therein is made harmless to a level which has not been achieved heretofore by dispersing the segregation of P inside the steel only by the addition of Nd.例文帳に追加

Ｎｄの添加のみでＰの偏析を鋼の内部に分散させることにより、鋼中のＰを従来にない水準まで無害化させた鋼を提供する。 - 特許庁

In addition, the image forming apparatus adjusts image forming conditions on the medium P, based on the determination result of the kind of the medium P determined by the determination section 3.例文帳に追加

また、この判断部３で判断した媒体Ｐの種類の判断結果に基づき媒体Ｐへの画像形成条件を調整する画像形成装置でもある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing P-PTC thermistor composition by which the rate of conductive particles contained in a P-PTC thermistor composition can be suppressed sufficiently and, in addition, the specific resistance value of the finally obtained P-PTC thermistor can be lowered sufficiently.例文帳に追加

導電性粒子の含有割合を十分に抑制し、しかも最終的に得られるＰ−ＰＴＣサーミスタの比抵抗値を十分に低下可能なＰ−ＰＴＣサーミスタ組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the circumferential interval P of the roller member 4 is formed smaller than twice the width B dimension of the roller member 4.例文帳に追加

さらに、ローラ部材４の、円周方向の間隔Ｐを、ローラ部材４における幅Ｂ寸法の２倍より小とする。 - 特許庁

A conditional modulus addition shift part 15 adds P' to α and makes the values of (A) and α halves when α is odd.例文帳に追加

条件付法加算・シフト部１５は，αが奇数である場合にαにＰ’を加算し，Ａおよびαの値を１／２する。 - 特許庁

In addition, the divided body 34 has a nozzle 13 for sending out game medium P to the outside from the put-out device body 21.例文帳に追加

さらに、分割体３４には、払出機本体２１から外部に遊技媒体Ｐを送出するノズル１３を備えた。 - 特許庁

In addition, feedback connection of the output part of the delay element 4 is performed to the input part 3 of the adder 3 through the points P, Q, R.例文帳に追加

また、遅延素子４の出力部は点Ｐ，Ｑ，Ｒを通り加算器３の入力部へフィードバック接続される。 - 特許庁