「P addition」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A recording circuit 120 records overflowed coded data of the i-frames and motion vector data of p or b frames before difference data of the p or b frames in addition to the M-sets of the track.例文帳に追加

記録回路１２０はＭ個のトラック以外にｉフレームのあふれた符号化データとｐ又はｂフレームの動きベクトルデータを、ｐ又はｂフレームの差分データよりも先に記録する。 - 特許庁

The ferrite stainless steel contains C: below 0.1 mass%, N: below 0.1 mass%, Si: below 1.5 mass%, Mn: below 1.5 mass%, P: below 0.10 mass%, and S: below 0.01 mass%, in addition to the Cr.例文帳に追加

フェライト系ステンレス鋼は、Cr以外にC：0.1質量％以下，N：0.1質量％以下，Si：1.5質量％以下，Mn：1.5質量％以下，P：0.10質量％以下，S：0.01質量％以下を含んでいる。 - 特許庁

In addition, a protective cap 8 is disposed in contact with the tip of the plug P when an opening/closing cover 11 is closed is installed on the rear surface of the opening/closing cover 11 disposed forward of the plug P.例文帳に追加

さらに、プラグＰ前方に配置する開閉フタ１１において、その裏面に開閉フタ１１を閉じるとプラグＰ先端に当接して配置される保護キャップ８を設ける。 - 特許庁

In addition, a gene information recording device 18 records gene information acquired from a test subject sample on the human information memory piece P.例文帳に追加

さらに、遺伝子情報記録装置１８が、被験者サンプルから得られる遺伝子情報をヒト情報記憶ピースＰに記録する。 - 特許庁

In addition, the glossiness based on JIS P 8142 of the surface of the porous ink image receiving layer is preferably 15-60%.例文帳に追加

さらに前記多孔性インク受像層表面の、ＪＩＳ Ｐ ８１４２に基づく光沢度が１５〜６０％であることが好ましい。 - 特許庁

In addition, the maximum vertical ground reaction degree p adopted is equal to a value resulted from a predetermined level 2 earthquake.例文帳に追加

さらに、最大鉛直地盤反力度ｐは、予め定められるレベル２地震動に伴って生じる値が用いられている。 - 特許庁

In addition to the metal salt, a Bronsted acid, such as sulfuric acid, phosphoric acid or p-toluenesulfonic acid, may by used as a cocatalyst.例文帳に追加

該金属塩に加えて、ブレンステッド酸、例えば、硫酸、リン酸又はｐ−トルエンスルホン酸を共触媒として使用してもよい。 - 特許庁

In addition, the p-type cladding layer 26 is composed of at least two layers where the composition is mutually different in a layer thickness direction, and a first p-type cladding layer 20 positioned near the active layer 17 has a lower refractive index than a second p-type cladding layer 21.例文帳に追加

さらに、ｐ型クラッド層２６は層厚方向に互いに組成が異なる２層以上から構成され、活性層１７に近い第１のｐ型クラッド層２０が、より遠い第２のｐ型クラッド層２１に比べて低い屈折率を有する。 - 特許庁

In addition, an n-type diffusion layer 6 is provided on the layer 2, and an n-type diffusion layer 6' is provided in the p-type layer 3'.例文帳に追加

また、ｎ型埋め込み層２の上にはｎ型拡散層６が、ｐ型埋め込み層３´にはｎ型拡散層６´が設けられている。 - 特許庁

In addition, guide grooves 37 for guiding the receiving materials 40 in the advancing direction P are formed in the bottom of the packaging materials 32.例文帳に追加

また、包装材３２の底面には、進行方向Ｐに沿って各受け材４０を案内する案内溝３７が形成されている。 - 特許庁

In addition, it is preferable that the white-paper gloss of a gloss layer is 70% or more in 75-degree relative-specular glossiness based on JIS P-8142.例文帳に追加

また、光沢層の白紙光沢が、ＪＩＳ Ｐ−８１４２に準拠した７５度鏡面光沢度で７０％以上であると好ましい。 - 特許庁

R (reverse range) is displayed by lighting up difference segment groups SD (display segments S5 to S7) in addition to all display segments (S2, S9, S10, S12, S13) of P (parking range).例文帳に追加

「Ｒ」は、「Ｐ」の全表示セグメント（Ｓ２，Ｓ９，Ｓ１０，Ｓ１２，Ｓ１３）に加え、差セグメント群ＳＤ（表示セグメントＳ５〜Ｓ７）が点灯することで表示される。 - 特許庁

In addition, a non- injection layer 5 is inserted between the diffraction gratings 13 and 14 and the p-side electrode 10.例文帳に追加

また、第１の回折格子１３、第２の回折格子１４と、ｐ側電極１０との間には、非注入層５が挿入されている。 - 特許庁

In addition, formation of a silane coupling agent layer on the reinforcing bar having an oxide layer containing Fe, P and V on its surface is recommended.例文帳に追加

表面にＦｅとＰとＶとを含む酸化物層を有する鉄筋に、さらにシランカップリング剤層が積層されていることが好ましい。 - 特許庁

In addition, if the X server exports a PseudoColoror StaticColor visual on framebuffer level 0, a color index visual isalso required on that level. 例文帳に追加

.Pさらに、X サーバが \\f3PseudoColor\\fP ビジュアルか \\f3StaticColor\\fP ビジュアルをフレームバッファ 0 でエクスポートしている場合、カラーインデックス型のビジュアルもこのレベルで必要とされる。 - XFree86

In addition, scribe lines 13 disposed on the semiconductor wafer 11 in a matrix shape is set to scribe in a <110> direction, and the channel direction of the p-channel type MOS transistors P is the <100> direction.例文帳に追加

また、半導体ウエハ１１上にマトリクス状に配置されたスクライブライン１３は、スクライブ方向が＜１１０＞方向に設定され、ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＰにおけるチャネル方向は、＜１００＞方向である。 - 特許庁

In a part of the first operations repeated while one sheet of recording paper P is conveyed, the recording paper P is conveyed at least a predetermined set amount in addition to the unit feed amount.例文帳に追加

１枚の記録用紙Ｐが搬送される間に繰り返される複数回の第１動作の一部では、単位送り量に加えて少なくとも所定の設定量を記録用紙Ｐが搬送される。 - 特許庁

In addition, it is not necessary to prepare/transmit codes when the keys are continuously depressed (Ctrl+1, Ctrl+2) for every key by using codes to discriminate when any key has been continuously depressed (Ctrl+P)/released (Ctrl+L).例文帳に追加

加えて、いずれかのキーが押され続けたとき（Ctrl+P）／離したとき（Ctrl+L）を判別するコードを用いることにより、キーを押し続けたとき（Ctrl+1、Ctrl+2）のコードをキー毎に作成・送信し続ける必要が無い。 - 特許庁

To provide a method for growing an n-type silicon single crystal of P-dope comprising only performing the addition at a primary stage prior to the crystal growing without the additional addition of a secondary dopant during the crystal growth to uniformalize the resistivity distribution in the crystal axial direction.例文帳に追加

Ｐドープのｎ型シリコン単結晶において、副ドーパントを結晶育成中に追加添加せず、結晶育成前の初期添加のみで、結晶軸方向の抵抗率分布を均一化する。 - 特許庁

The rate of weighting in the main scanning direction and weighting in the subscanning direction are decided by the addition/subtraction of the numerator (m) and the denominator (n) of a magnification m/n in the main scanning direction and the addition/substation of the numerator (p) and the denominator (q) of the magnification p/q in the subscanning direction.例文帳に追加

そして、主走査方向に対しては、倍率ｍ／ｎの分子ｍと分母ｎとの加減算によって、副走査方向に対しては、倍率ｐ／ｑの分子ｐと分母ｑとの加減算によって、それぞれ主走査方向の加重と副走査方向の加重との割合を決定する。 - 特許庁

This exposure method, which transfers the pattern of a mask M onto the substrate P, includes a register process for registering the mask M and the substrate P and an addition process for adding the information of the register result in the register process onto the substrate P.例文帳に追加

マスクＭのパターンを基板Ｐ上に転写する露光方法において、前記マスクＭと前記基板Ｐとを位置合わせする位置合わせ工程と、前記位置合わせ工程における位置合わせ結果の情報を前記基板Ｐ上に付ける付加工程とを有する。 - 特許庁

In addition, when d is not specified, the optical beam for irradiating the annealing object 2 is defined as the p-polarized beam and α is defined as Brewster angle.例文帳に追加

また、ｄを規定しないときには、アニール対象物２に照射する光ビームをｐ偏光とするとともに、αをブリュースター角とする。 - 特許庁

This wire W has a high electric resistance value due to P addition and a spark can form FAB stabilized with a low current and a short time.例文帳に追加

このワイヤＷは、Ｐの添加によって電気抵抗値が高くなり、スパークが低電流・短時間で安定したＦＡＢを形成できる。 - 特許庁

In addition, wiring legth from an input terminal P to an output terminal N in the circuit is equally set in each capacitor group.例文帳に追加

そして、上記回路における入力端子Ｐから出力端子Ｎまでの配線長が、各コンデンサ群において同じになるように構成する。 - 特許庁

In addition, all conveying amounts Pf capable of existing in each mode are conformed to an integer multiple of the basic minimum conveying amount pitch P (Pf=mP, m is integer).例文帳に追加

さらに、各モードで存在しうる全ての搬送量Ｐｆは基本最小搬送ピッチＰの整数倍と一致する（Ｐｆ＝ｍＰ、ｍは整数）。 - 特許庁

In a specific repetition of the algorithm, the multiple of P required for the repetition to be used in a part of the "addition" of the algorithm is decided.例文帳に追加

アルゴリズムの特定の反復において、アルゴリズムの「加算」部分において用いられるための、その反復に必要なＰの倍数が決定される。 - 特許庁

In addition, recording paper P is fed between the intermediate transfer belt 21 and the press roll 23 at the carrying timing of the heat-melted toner image T.例文帳に追加

また、加熱溶融されたトナー像Ｔの搬送タイミングに合わせて、記録紙Ｐを中間転写ベルト２１と加圧ローラ２３との間に送り込む。 - 特許庁

In addition, the Vthn and Vthp are respective threshold voltages of an n channel transistor and a p channel transistor of gate circuits constituting circuits 3 and 10.例文帳に追加

尚、Ｖｔｈｎ，Ｖｔｈｐは、回路３，１０を構成するゲート回路のｎチャネルトランジスタとｐチャネルトランジスタとの各スレッシュホールド電圧である。 - 特許庁

In addition, the air exhausted from the exhaust openings 640 and 650 of the guide 600 and the exhaust hole 220 of the gate 200 is blown to a recording paper sheet P, to cool the recording paper sheet P having a full color toner image fixed on one surface.例文帳に追加

また、案内ガイド６００の排気口６４０，６５０、及びゲート２００の排気孔２２０から排気した空気を記録用紙Ｐに吹付け、一方の面にフルカラートナー像が定着した記録用紙Ｐを冷却する。 - 特許庁

In addition, an insulation layer or a high resistance layer is provided between the p-side contact layer 43 and a p-side electrode 52, corresponding to other areas excluding both ends of the active layer 30 in the direction A of the resonator.例文帳に追加

または、ｐ側コンタクト層４３とｐ側電極５２との間に、絶縁層または高抵抗層が、共振器方向Ａにおける活性層３０の両端部を除く他の領域に対応して設けられている。 - 特許庁

In addition, the magnetic disk substrate P is rotated at a rotational speed greatly higher than the surface grinding tool 12, with the one entire surface of the substrate P ground simultaneously; hence, the grinding efficiency is fully obtained.例文帳に追加

また、磁気ディスク基板Ｐが平面研磨工具１２よりも大幅に高い回転速度で回転させられて磁気ディスク基板Ｐの一面の全体が同時に研磨されるので、研磨加工能率が十分に得られる。 - 特許庁

In addition, when the B ions are implanted into an undoped silicon film in a p-channel MISFET formation area so as to convert it into a p-type silicon film 9p, the concentration of B of the p-type silicon film 9p adjacent to the boundary with a gate insulating film 8 is controlled to 2×10^20 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加

また、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域のアンドープシリコン膜にＢをイオン注入してｐ型シリコン膜９ｐに変換する際、ゲート絶縁膜８との界面近傍におけるｐ型シリコン膜９ｐのＢ濃度を２×１０^２０atom/cm^３以下に制御する。 - 特許庁

In addition to a p-type InGaAlP ridge stripe type optical waveguide layer 6, a p-type InGaAlP ridge stripe 6a is formed on a p-type InGaP etching stop layer 5, so that each optically non-waveguide projected part is formed on both sides of an optical waveguide projected part 13.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層５上に、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰリッジストライプ型光導波層６に加え、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰリッジストライプ６ａを形成することにより、光導波部盛り上がり１３の両側に光非導波部盛り上がり１３ａを形成する。 - 特許庁

In addition, the main table 3 is moved to a printing position P and the screen plate 4 is lowered on the film base 4 to print and coat it with an electrically conductive paste, etc.例文帳に追加

そして、印刷位置Ｐにメインテーブル３を移動させ、フィルム基板７上にスクリーン版４を下降させて導電性ペースト等を印刷塗布する。 - 特許庁

In addition, the check section 1 is formed of a plurality of protuberances 1A provided on the printing face P and these protuberances 1A are partially removed by the user to change the impression.例文帳に追加

チェック欄１を印字面Ｐに設けた多数の突起１Ａで形成し、この突起１Ａの一部を使用者が削除して印影を変更する。 - 特許庁

In addition, a P-type poly-Si empolyed for the emitter diffusion area 23 of the L-PNP transistor is used as a poly-Si for high resistance.例文帳に追加

また、Ｌ−ＰＮＰトランジスタのエミッタ拡散領域２３に使用するＰ型ｐｏｌｙ−Ｓｉを高抵抗用のｐｏｌｙ−Ｓｉとしても使用する。 - 特許庁

In addition, the system also has polarized beam splitters 22 and 23 for making the optical distances of the P polarized light and S polarized light different from each other on one of the two laser beams.例文帳に追加

システムはさらに、２つのレーザ光の一方に関し、Ｐ偏光とＳ偏光の光学距離に差を設けるための偏光ビームスプリッタ２２、２３を備える。 - 特許庁

To provide a simplified, highly-purified, progressive translation system that does not require the addition of translation factors EF-P, W, W2 or rescue.例文帳に追加

翻訳因子ＥＦ−Ｐ、Ｗ、Ｗ２又はレスキューの添加を必要としない単純化され、高度に精製された前進的な翻訳系を得ること。 - 特許庁

In addition, the p-type GaAs layer 210 is electrically connected with the n-type lower DBR mirror layer 103 of the VCSEL by an electrode layer 230.例文帳に追加

また、ｐ型のＧａＡｓ層２１０とＶＣＳＥＬのｎ型の下部ＤＢＲミラー層１０３とが電極層２３０によって電気的に接続される。 - 特許庁

In particular, it is preferable that the p-type semiconductor material has a Ta_2O_5 structure in which the amount of addition of nitrogen is set to 7.1-49.9 atom.%.例文帳に追加

特に、窒素の添加量が７．１原子％以上４９．９原子％以下とされたＴａ_２Ｏ_５構造を有するものとすることが好適である。 - 特許庁

In addition, the bonding interface of the p^+ type bonding layer 4a and the n^+ type bonding layer 4b which constitute such a tunnel diode structure 4 is formed into an irregularity form.例文帳に追加

そして、このようなトンネルダイオード構造４を構成するｐ^+型接合層４ａとｎ^+型接合層４ｂとの接合界面を凹凸形状とする。 - 特許庁

In addition, in order to plot the oblique side pattern P of a field of the inclined coordinate with only a rectangle, an electronic beam is formed at a rectangle whose respective sides are inclined at 45°.例文帳に追加

更に、座標が傾けられたフィールドの斜辺パターンＰを矩形のみによって描画するため、各辺が４５°傾いた矩形に電子ビームを成形する。 - 特許庁

In addition, a p-type second clad layer 6b is formed on the layer 7 and the first clad layer 6a is formed in the opening 8.例文帳に追加

ｎ−電流ブロック層７上およびストライプ状開口部８内のｐ−第１クラッド層６ａ上にはｐ−第２クラッド層６ｂが形成される。 - 特許庁

The obtained peak-to-peak voltage Vp-p is set as a standard value H, and H±α is set as a permissible range by taking a variance α into consideration in addition to the standard value.例文帳に追加

求めたピークトゥピーク電圧Ｖｐ−ｐを標準値Ｈとしこの標準値にばらつきαを考慮してＨ±αを許容範囲とする。 - 特許庁

This polyamine resin composition is obtained by the addition of p-tertiary butylphenol novolak type epoxy resin to an aliphatic polyamide resin and is used as a curing agent for an epoxy resin.例文帳に追加

ｐ−ターシャリーブチルフェノールノボラック型エポキシ樹脂を脂肪族ポリアミド樹脂にアダクトして得られるポリアミン樹脂をエポキシ樹脂用硬化剤として使用。 - 特許庁