「P-30」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The train is due at your place at 7:30 p. m. 例文帳に追加

汽車は七時三十分御地着 - 斎藤和英大辞典

When the IMS terminal 10 makes a hand-over between a plurality of P-CSCFs 30, the IMS terminal 10 sets derivation information from which an old P-CSCF 30A as a P-CSCF 30 before the hand-over can be derived.例文帳に追加

IMS端末１０が複数のP-CSCF３０間でハンドオーバする際に、IMS端末１０が、ハンドオーバ前のP-CSCF３０である旧P-CSCF３０Aを導出可能な導出情報を設定する。 - 特許庁

On april 4th,30 p. m., you partook a plate of chicken parmesan.例文帳に追加

4月4日 午後7時30分に 皿に乗った チキンパルメザンを摂取 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The pinion has a gear 30 with a pitch p.例文帳に追加

前記ピニオンはピッチｐの歯３０を有する。 - 特許庁

A new P-CSCF 30B as a P-CSCF 30 after the hand-over requests the old P-CSCF 30A derived from the derivation information to transmit specification information specifying the S-CSCF 20.例文帳に追加

ハンドオーバ後のP-CSCF３０である新P-CSCF３０Bが、導出情報により導出した旧P-CSCF３０Aに、S-CSCF２０を特定するための特定情報の送信を要求する。 - 特許庁

I studied the textbook only from p. 20 to p. 30 on the chance that the examination questions would be set from that section [thinking that that was the part from which the exam questions were most likely to be selected]. 例文帳に追加

試験に山をかけて教科書の 20 ページから 30 ページまでしか勉強しなかった. - 研究社 新和英中辞典

To effectively utilize communication resources on a network for a hand-over between P-CSCFs 30.例文帳に追加

P-CSCF３０間のハンドオーバ時にネットワークの通信資源を有効に活用すること。 - 特許庁

Formula 2: 3.6×(P+30)/100≤D≤5.2×(P+65)/100 and formula 3: 0.013×P≤t≤0.36×D.例文帳に追加

式２ ： ３．６×（Ｐ＋３０）／１００≦ Ｄ ≦５．２×（Ｐ＋６５）／１００ 式３ ： ０．０１３×Ｐ≦ ｔ ≦ ０．３６×Ｄ - 特許庁

3. Dispatch of support experts to assist with recovery and reconstruction (fiscal 2012 budget: ¥3.0 billion) (Continuation) (See p. 192.) 例文帳に追加

3 ．復旧・復興のための支援専門家派遣【24 年度予算：30 億円】（継続）（p.194参照） - 経済産業省

4. Support for protection of SMEs’ IP (fiscal 2012 budget: ¥30 million) (Continuation) (See p. 218.) 例文帳に追加

4 ．中小企業知的財産権保護対策事業【24 年度予算：0.3 億円】（継続）（p.227参照） - 経済産業省

If the sheet P is hard, the correction piece 30 is retreated by repulsion force from the sheet P and does not prevent advance of the sheet P.例文帳に追加

シートＰが硬ければ、シートＰからの反発力により矯正片３０は退避し、シートＰの進行を妨げない。 - 特許庁

A mobile communication system 1 includes an IMS terminal 10, a plurality of P-CSCFs 30 as call control servers communicating with the IMS terminal 10, and an S-CSCF 20 as a call control server allocated above the P-CSCFs 30.例文帳に追加

移動通信システム１は、IMS端末１０と、IMS端末１０と通信する呼制御サーバである複数のP-CSCF３０と、P-CSCF３０より上位に位置する呼制御サーバであるS-CSCF２０と、を備える。 - 特許庁

The pellet, having a thickness between 0.05 and 1 mm, forms a colorless transparent protective film comprising Sn-30 to 50 at% O-5 to 15 at% P or Sn-10 to 30 at% In-40 to 60 at% O-5 to 15 at% P, on the surface of a lead-free solder alloy including Sn as a principal component when heated for soldering.例文帳に追加

Sn主成分の鉛フリーはんだ合金の表面に無色透明のSn-30〜50at%O−5〜15at%PやSn-10〜30at%In-40〜60at%O−5〜15at%Pからなる保護膜をはんだ付け加熱時に形成するペレットであり、厚さが0.05〜1mmである。 - 特許庁

(3) A P position detection switch 44 detecting a P position is arranged on the ECU basic plate 30.例文帳に追加

（３）Ｐ位置を検出するＰ位置検出スイッチ４４がＥＣＵ基板３０に配されている。 - 特許庁

P channel transistors 30-1 to 30-p are selected by a column switch being not illustlated, and send out read out data to a data bus.例文帳に追加

Ｐチャネルトランジスタ３０−１〜３０−ｐは、図示せぬカラムスイッチによって選択され、読み出されたデータをデータバスに送出する。 - 特許庁

A longitudinal wave P propagates in ink 30 toward an aperture 12.例文帳に追加

縦波Ｐはインク３０中を開口１２へと向かって伝搬する。 - 特許庁

The impurity concentration of a (p) type anode layer 50 of the diode element region J2 is lower than the impurity concentration of a (p) type body layer 30 of the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

Additionally, the impurity density of a p-type anode layer 50 in the diode element region J2 is low compared to the impurity density of a p-type body layer 30 in the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

The nMOS protection circuit 1g comprises a transistor formation portion 10 and a p^+-type well tap region 30 that are formed in a p-type (second-conductivity-type) well 4 so as to be apart from each other.例文帳に追加

nMOS保護回路１ｇはp型（第２導電型）ウェル４内に互いに離間して形成されているトランジスタ形成部１０とp^+型ウェルタップ領域３０を備えている。 - 特許庁

No interconnection exists in an easy disconnection area surrounded with P" and Q" around a location S1 on the one principal surface 30-1u of the substrate corresponding to the lower side of the outer edge of the semiconductor chip on a principal surface 30-1u of the substrate.例文帳に追加

基板の主面30-1u上の半導体チップの外縁下方に相当する基板の一方の主面30-1u上の位置S1を中心とし、P"とQ"とで囲まれた易断線領域には、配線が存在しない。 - 特許庁

A tread 32 and a gravity position between traveling means 30 are set with respect to the diameter of the piping P such that the gravity position is set between two contact points S and T of the traveling means 30 with the piping P.例文帳に追加

走行手段３０と配管Pとの２つの接点S、T間に重心位置がくるように走行手段３０の輪距３２と重心位置を配管Ｐの管径に対して設定したこと。 - 特許庁

A hard plate 30 is integrally annexed to the deformed pipe 2 and against an nonuniform force P by an earth pressure on the hard plate 30 by earth pressure exerted on the hard plate 30.例文帳に追加

異形管２０に受圧板３０を一体に付設し、この受圧板３０への土圧でもって不平均力Ｐに抗する。 - 特許庁

The corner portion of the p-well region 4 opposite to the p-emitter region 3 may have an acute angle of about 30 to 60 degrees.例文帳に追加

ｐエミッタ領域３に対向するｐウェル領域４の角部を３０〜６０度の鋭角としてもよい。 - 特許庁

The atomizer is provided with an electrifying member 34 to electrically connect the earth side of the power mechanism 30 and a human body P to each other.例文帳に追加

電源機構（30）のアース側と、人体（Ｐ）とを電気的に接続させる通電部材（34）を備えている。 - 特許庁

The p type frame part 30 and the p type electrode 32 are insulated across a groove part 600 and the p type electrode 32 is electrically connected with the p+ type electric circuit 36.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０とｐ型の電極３２とは溝部６００を隔てて絶縁されており、ｐ型の電極３２はｐ^+型の電路３６とのみ電気的に接続されている。 - 特許庁

In the device, a current injection is performed into its gain region 30 by a constant-current source 28 via an n-side common electrode 12, and a p-side electrode 24 of the gain region.例文帳に追加

利得領域30には、n側共通電極12と利得領域のp側電極24とを介して定電流源28によって電流注入がなされる。 - 特許庁

A bounce out part 10 which makes the game balls P bounce out within the ball path 30 is provided in the course of the ball path 30 where the game balls P flow down.例文帳に追加

遊技球Ｐを流下させる球通路３０の途中に、球通路３０の内部において遊技球Ｐを飛び出させる飛出部１０を設ける。 - 特許庁

A semiconductor layer 30 of a semiconductor device 1 includes an n-type drift region 33 and p-type body region 34.例文帳に追加

半導体装置１の半導体層３０は、n型のドリフト領域３３とp型のボディ領域３４を有している。 - 特許庁

The gate protection diode 30 includes a first p-type region 31, an n-type region 32, and a second p-type region 33.例文帳に追加

ゲート保護ダイオード３０は、第１のｐ型領域３１とｎ型領域３２と第２のｐ型領域３３とを含む。 - 特許庁

In the power MOSFET 30, a P base layer 5 is selectively formed on the surface of a semiconductor substrate 1, and an N^+ source layer 6 and a P^+ contact layer 7 as a source of the power MOSFET 30 are formed on the surface of the P base layer 5 of a source region 31a.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ３０では、半導体基板１の表面にPベース層５が選択的に形成され、ソース領域３１ａのPベース層５の表面にパワーＭＯＳＦＥＴ３０のソースとしてのＮ^＋ソース層６及びＰ^＋コンタクト層７が選択的に形成されている。 - 特許庁

The bending units 20, 30 successively perform the bending from both end positions of a pipe P.例文帳に追加

加工ユニット２０，３０は、パイプＰの両端位置から順次曲げ加工する。 - 特許庁

A plug 45 provided on a body 1 of the variable capacity pump P presses the outer case 30 in a storage chamber 4 in a radially inward to elastically deform the outer case 30.例文帳に追加

可変容量ポンプＰのボディ１に設けられるプラグ45は、収容室４内のアウタケース30を径方向内方に押圧してアウタケース30に弾性変形を生じさせる。 - 特許庁

This X-ray fluoroscope is provided with an X-ray generation section 20 for irradiating X rays to a subject P, and an X-ray detection section 30 for detecting the X rays transmitting through the subject P as image data, and can execute the imaging or fluoroscopy by changing over therebetween.例文帳に追加

被検体PにＸ線を照射するＸ線発生部20と、被検体Pを透過したＸ線を画像データとして検出するＸ線検出部30とを備え、撮影と透視とを切り替えて行うことができるＸ線透視撮影装置である。 - 特許庁

In the electron gun, the average surface roughness of an electron emitting surface of a cathode 1 is set at 1 μm(p-p) to 30 μm(p-p) and its variation is set at within a range of ±50% of its average.例文帳に追加

カソード１の電子放出面の表面粗さが、平均が１μｍ（ｐ−ｐ）〜３０μｍ（ｐ−ｐ）で、ばらつきが平均の±５０％以内とされていることを特徴とする電子銃。 - 特許庁

The semiconductor-device copper-alloy bonding wire contains at least one kind of Mg and P in total of 10 to 700 mass ppm, and oxygen within a range from 6 to 30 mass ppm.例文帳に追加

半導体装置用銅合金ボンディングワイヤは、Mg及びPの少なくとも１種を総計で10〜700質量ppm、酸素を6〜30質量ppmの範囲で含有することを特徴とする。 - 特許庁

The p-well 4B is used as the base of the vertical type npn bipolar transistor 30.例文帳に追加

このＰウエル４Ｂは、縦型ＮＰＮバイポーラトランジスタ３０のベースに用いられる。 - 特許庁

An adder 30 adds this superimposed signal P(n) to a desired wave S(n).例文帳に追加

この重畳信号Ｐ（ｎ）を加算器３０において希望波Ｓ（ｎ）に加算する。 - 特許庁

The flames are applied to the heating site P and then sucked into a suction nozzle 30.例文帳に追加

この加熱部位Ｐに当たった後の炎を、吸引ノズル３０に吸い込ませる。 - 特許庁

A panel P is irradiated with the passed laser beam Ba which is attenuated to around 30 watt.例文帳に追加

３０ワット程度に減衰された透過レーザビームＢａをパネルＰに照射する。 - 特許庁

An n-type photodiode 21 is formed to a p-type semiconductor substrate 30.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板３０には、ｎ型のフォトダイオード２１が形成されている。 - 特許庁

The cocklings cause the tip end of the paper P to be waved, enabling the paper P self-separation from the carrying belt 30.例文帳に追加

このコックリングによって、用紙Ｐの先端部分が波打ち、用紙Ｐを搬送ベルト３０から自己剥離させることができる。 - 特許庁

If the sheet P is soft, a rising shape extending in the direction of conveyance is formed in the sheet P by the correction piece 30.例文帳に追加

シートＰが柔らかければ、シートＰには矯正片３０によって搬送方向に延びる隆起形状が形成される。 - 特許庁

A differential amplifier circuit 30 is provided with a P type transistor 36 and a P type transistor 38 and operated by an input voltage VIN2D.例文帳に追加

差動増幅回路３０は、Ｐ型トランジスタ３６とＰ型トランジスタ３８とを含み、入力電圧Ｖ_IN2により動作する。 - 特許庁

An n type cladding layer 21, an active layer 22, a p type cladding layer 23, a p-side contact layer 24, and a p-side electrode 30 are laminated on a first surface 11 of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の第１面１１に、ｎ型クラッド層２１，活性層２２，ｐ型クラッド層２３，ｐ側コンタクト層２４およびｐ側電極３０をこの順に積層する。 - 特許庁

A p^+source layer 9 of the p-channelMOS transistor 30 is so formed as to surround the circumference of a p^+drain layer 11, for example, in an elliptical planar shape.例文帳に追加

このｐ−ｃｈＭＯＳトランジスタ３０のｐ+ソース層９は、ｐ+ドレイン層１１の周囲を、たとえば楕円の平面形状で取囲むように形成されている。 - 特許庁