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「Protection Circuit」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索
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Protection Circuitの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3209



例文

A thermal protection circuit 15 monitors a temperature of output stage transistors(TRs) which are components of power amplifier circuits ch1-ch4, and when the temperature reaches a prescribed temperature or more, stoppage of power supply is instructed first to a power amplifier circuit 12A.例文帳に追加

熱保護回路15は、パワーアンプ回路ch1〜ch4を構成する出力段トランジスタの温度をモニタし、温度が所定温度以上となると、始めにパワーアンプ用電源回路12Aに電源供給の停止を指示する。 - 特許庁

A fault free confirmation time FFCT time 521 and a 2nd timer 531 are started on the opportunities of detection of no occurrence of a fault in a fault restoration detection circuit 501 and detection of a fault restoration by a synchronization protection circuit 511.例文帳に追加

障害復旧検出回路50_1で障害発生が検出されなかったことを検出し、同期保護回路51_1で障害復旧を検出し、これを契機として、FFCTタイマ52_1および第2のタイマ53_1が起動される。 - 特許庁

On the other hand, when the direct-current power supply potential generated in the rectification circuit 102 is less than or equal to the predetermined value (reference value), the protection circuit 107 is not operated, and the generated direct-current power supply potential is used without any change.例文帳に追加

一方、整流回路102において生成された直流電源電位が所定の値(基準値)以下となるときは、保護回路107が動作しないようにし、生成された直流電源電位の値をそのまま用いる。 - 特許庁

The fault control circuit of the gate drive integrated circuit manages the shortage of a supply voltage and the protection of the non-saturation of a transistor and can communicate with a plurality of gate drive integrated circuits in a polyphase system using an exclusive local network.例文帳に追加

ゲートドライバ集積回路の障害制御回路は、供給電圧不足およびトランジスタ非飽和の保護を管理し、専用ローカルネットワークを使用する多相システムにおける複数のゲートドライバ集積回路と通信することができる。 - 特許庁

例文

The semiconductor device 20 has an internal circuit 1 including an NMOS transistor 31, and an electrostatic protection circuit including a protection element 41 having a p-type well diffusion region 11 and a pair of n-type regions 12a and 12b opposed to each other at a predetermined mutual interval in the p-type well diffusion region 11.例文帳に追加

この半導体装置20は、NMOSトランジスタ31を含む内部回路1と、p型ウェル拡散領域11と、そのp型ウェル拡散領域11内において互いに所定の間隔を隔てて対向する一対のn型領域12aおよび12bとを有する保護素子41を含む静電気保護回路2とを備えている。 - 特許庁


例文

A protection circuit module provided has the substrate, electronic parts mounted on this substrate so as to constitute the protection circuit, and a mold body formed on this substrate so as to wrap up this electronic parts, and on one side of the substrate, one or plural spring receiving faces has been formed.例文帳に追加

本願発明によって提供される保護回路モジュールは、基板と、この基板上に搭載され、保護回路を構成するための電子部品と、この電子部品を包み込むようにして上記基板上に形成されたモールド体とを備えた保護回路モジュールであって、上記基板の一面には、1または複数のバネ受け面が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Signals to scan lines H1-Hm in the horizontal direction and to scan lines V1-Vn in the vertical direction are made to pass the first safety protection circuit group 11, and signals from the scan lines H1-Hm in the horizontal direction and from the scan lines V1-Vn in the vertical direction are made to pass the second safety protection circuit group 12.例文帳に追加

第1の安全保護回路群11に水平方向の走査ラインH1〜Hmに対する信号と垂直方向の走査ラインV1〜Vnに対する信号とを通過させ、第2の安全保護回路群12に水平方向の走査ラインH1〜Hmからの信号と垂直方向の走査ラインV1〜Vnからの信号とを通過させる。 - 特許庁

In the battery pack wherein a protection circuit 14 is buried in the resin mold 15 integrated with an end of the element battery 2, the battery pack has a frame 9 for supporting the protection circuit 14 in the resin mold 15, the frame 9 has a skirt section 19 for covering a side face of the element battery 2, and the skirt section 19 sandwiches a pair of opposite side faces of the element battery 2.例文帳に追加

素電池2の端部と一体の樹脂モールド15に保護回路14が埋設されている電池パックであって、保護回路14を樹脂モールド15内で支持するフレーム9を備えており、フレーム9は、素電池2の側面を覆うスカート部19を設けており、スカート部19は、素電池2の一対の対向する側面を挟み込んでいる。 - 特許庁

The power source device is connected through a protection circuit to the system supplying voltage or current from a secondary battery, discharge voltage of the secondary battery supplied to a protection circuit and the system are synchronized, and any one of at least discharge voltage and discharge current is supplied to the system from the secondary battery by making the synchronous signal of the system a reference.例文帳に追加

電源装置は二次電池からの電圧または電流が供給されるシステムに保護回路を介して接続されてなり、保護回路へ供給される二次電池の放電電圧とシステムとを同期させ、システムの同期信号を基準にして二次電池からシステムへ少なくとも放電電圧、放電電流のどちら一方を供給する構成とする。 - 特許庁

例文

By dividing a first comparator IC1-1 for detecting un-connecting and breakage of lamp of a discharge lamp 101 and a second comparator IC1-2 for determining operation of the protection circuit in the protection circuit 102, operation of the threshold voltage which determines un-connecting and breakage of the lamp can be made to perform even for the discharge lamp lighting device of low tube current specifications.例文帳に追加

保護回路102において、放電ランプ101の未接続、破損を検出する第1のコンパレータIC1−1と保護回路を動作させる判定を行う第2のコンパレータIC1−2とを分けることにより、ランプ未接続、破損を判定する閾値電圧を低管電流仕様の放電灯点灯装置においても容易に行えるようにした。 - 特許庁

例文

To provide a transmission/reception circuit with a simple configuration capable of executing two-way communication among the circuits with different operating voltage ranges, a battery protection device, and a semiconductor device interface with respect to the transmission reception circuit for executing communication among the circuits with different operating voltage ranges, the battery protection device, and a semiconductor device.例文帳に追加

動作電圧範囲が異なる回路間で通信を行なうための送受信回路及び電池保護装置並びに半導体装置に関し、簡単な構成で、動作電圧範囲の異なる回路間での双方向通信を可能とした送受信回路及び電池保護装置並びに半導体装置インタフェース回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 100 on which a circuit is formed, a multilayer wiring layers formed on the substrate 100 with a protection insulation film 300 formed on a surface, and an electrode pad 200 disposed on a top layer of the multilayer wiring layers and connected to the circuit with a surface lying substantially in the same plane with the protection insulation film 300.例文帳に追加

この半導体装置は、回路が形成された基板100と、この基板100上に形成され、表面に保護絶縁膜300が形成された多層配線層と、この多層配線層の最上層の配線層に位置し、上記回路に接続し、かつ、表面が保護絶縁膜と略同一面となっている電極パッド200と、を備える。 - 特許庁

In the semiconductor device having the on-chip type electrostatic discharge (ESD) protection circuit, the on-chip type ESD protection circuit may include a first junction diode having a first conductivity region contacting a second conductivity region in a semiconductor substrate, and a first schottky diode having a metallic material layer arranged on and contacting the first conductivity region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

オンチップ形態の静電放電(ElectroStatic Discharge;ESD)保護回路を持つ半導体素子であって、半導体基板内で第2導電型領域と接触する第1導電型領域を持つ第1接合ダイオードと、前記第1導電型領域上に接触する位置に配置された金属系材料層を備える第1ショットキーダイオードとを有する。 - 特許庁

The protection circuit board 7 and the plate-shaped PTC element 8 are bonded in the laminated direction with an insulating adhesive double coated tape, a laminate comprising the protection circuit board 7 and the PTC element 8 is arranged in a sealing part space 36 enveloped by sealing parts 34, 35 of a unit cell 3 formed by covering a power generating element with a laminated sheet.例文帳に追加

保護回路基板(7)と板状のPTC素子(8)とを絶縁性の両面テープ41によって積層方向に接着し、この保護回路基板(7)とPTC素子(8)とからなる積層体を、発電要素がラミネートシートによって外装されてなる素電池3の封止部(34,35)に囲まれた封止部空間36に配設する。 - 特許庁

The overvoltage protection circuit comprises: a boosting circuit CP to which an input voltage and a first voltage are inputted and which supplies a boosted second voltage to a gate of a MOS transistor PSW of a switch circuit SW for controlling cutoff or conduction of a voltage transmission path 110; and a discharge circuit DCG for discharging electric charges accumulated in the gate of the MOS transistor PSW.例文帳に追加

入力電圧と第1の電圧とを入力して、昇圧した第2の電圧を、電圧伝達経路110の遮断または導通を制御するスイッチ回路SWのMOSトランジスタPSWのゲートに供給する昇圧回路CPと、MOSトランジスタPSWのゲートに蓄積された電荷を放電する放電回路DCGとを備える。 - 特許庁

The electrostatic discharge protection circuit 3 connected between a pad 1 for external connection and a circuit 2 to be protected is inserted between the pad 1 and a grounding cable, comprises a first NMOS transistor QN1 and a second NMOS transistor QN2 mutually connected in series, and comprises a first gate electric potential control circuit 4 and a second gate electric potential control circuit 5.例文帳に追加

外部接続用パッド1と被保護回路2との間に接続された静電気放電保護回路3は、外部接続用パッドと接地線との間に挿入され、互いに直列に接続された第1のNMOSトランジスタQN1および第2のNMOSトランジスタQN2と、第1のゲート電位制御回路4および第2のゲート電位制御回路5を備える。 - 特許庁

The battery modules 30 incorporate a charging circuit 32 for charging the cells 31 in series, a battery protection circuit 33 provided with a function of detecting the voltages of the cells 31 for prevention of overcharging and overdischarging, and a cell balance circuit for detecting the voltages of the cells 31 and discharging the cells 31 whose voltage exceeds a prescribed value through a discharging circuit 37.例文帳に追加

電池モジュール30には、セル31群を直列に充電する充電回路32と、各セル31の電圧を検出して過充電及び過放電を防止する機能と備えた電池保護回路33と、セル31の電圧を検出して所定電圧以上のセル31を放電回路37を通して放電させるセルバランス回路とが内蔵されている。 - 特許庁

To realize a protection circuit that does not simultaneously input a set signal and a reset signal to a set-reset flip-flop circuit and to realize a pulse generating circuit that can simultaneously generate an ON signal and an OFF signal for a test in a semiconductor device that realizes a drive circuit for a power device where malfunction due to a dv/dt transient signal is prevented.例文帳に追加

dv/dt過渡信号による誤動作を防止したパワーデバイスの駆動回路を実現する半導体装置において、セットリセットフリップフロップ回路へのセット信号およびリセット信号を同時に入力させない保護回路と、試験用にオン信号とオフ信号とを同時に発生させることのできるパルス発生回路とを実現する。 - 特許庁

When an output signal is detected from a locked motor speed detection circuit after the output signal from a timer circuit that is generated when at least specific speed is reached and a PWM signal from a PWM output circuit are generated, the lock protection circuit is operated, a lock signal is outputted, and the supply of the signal to the motor is stopped.例文帳に追加

本発明は所定回転数以上になったとき発生するタイマー回路からの出力信号とPWM出力回路からのPWM信号が発生した後に、ロックされモータ回転数検出回路から出力信号が検出されたとき、ロック保護回路が動作しロック信号を出力しモータへの信号の供給を停止する。 - 特許庁

The protection circuit of this invention is a circuit that protects the input terminal of the operational amplifier of the inverting amplifier configuration from over-voltage and consists of a constant current circuit to generate a reference voltage, a constant voltage circuit configured by using the reference voltage and an npn transistor(TR), and operate by being connected to the input terminal of the operational amplifier.例文帳に追加

本発明の保護回路は反転増幅回路構成のオペアンプの入力端を過電圧から保護するための回路であって、基準電圧を発生するための定電流回路と、前記基準電圧を用いて構成された定電圧回路と、npnトランジスタによって構成され、前記オペアンプの入力端に接続されて動作する。 - 特許庁

Among a plurality of flexible printed circuit boards 2a to 2i for manufacturing a multilayer printed circuit board by layering them and hot-pressing them in a lump, the circuit board 2d to be mounted with a semiconductor chip 3 to be tested is loaded with the semiconductor chips 3, and further, the circuit board 2e for protection is bonded thereto, thereby forming test unit plates 4.例文帳に追加

積層して一括に熱プレスすることによって多層プリント配線板を製造するための複数枚のフレキシブルプリント板2a〜2iのうち、試験対象の半導体チップ3を搭載するフレキシブルプリント板2dに当該半導体チップ3を装着し、更に保護用のフレキシブルプリント板2eを接着して試験ユニット板4を形成する。 - 特許庁

To provide a protection circuit for a voltage-conversion circuit capable of preventing mostly the damage to an element and a part, or a bad influence to the surrounding quickly coping with an abnormal condition caused by not only a defect of a load but also a defect of a circuit element, an electronic part and the like that constitute the voltage-conversion circuit.例文帳に追加

この発明は、負荷の不具合による異常状態だけでなく、電圧変換回路を構成する回路素子や電子部品等の不具合によって発生した異常状態にも速やかに対処して、素子や部品の破損や周囲への悪影響を極力防止することを可能とした電圧変換回路の保護回路を提供することを目的としている。 - 特許庁

The power circuit device 2 comprises the first stage regulator circuit part 5 for the first stage DC voltage conversion, the second stage regulator circuit part 6 for the second stage DC voltage conversion, the nth stage regulator circuit part 7 for the nth stage DC voltage conversion for outputting a DC voltage of a predetermined voltage to a load circuit part 3, and protective diodes 8 for circuit protection upon a reverse input-output bias.例文帳に追加

電源回路装置2は、第1段階のDC電圧変換を行う第1段レギュレータ回路部5、第2段階のDC電圧変換を行う第2段レギュレータ回路部6、負荷回路部3に所定電圧のDC電圧を出力するための第N段階のDC電圧変換を行う第N段レギュレータ回路部7、入力−出力間が逆バイアスになった場合の回路保護を目的とした保護用ダイオード8を具備している。 - 特許庁

A head control circuit 25 controls a thermal head 2 so that an image is formed onto printing paper on the basis of the stored image data, and then, controls the thermal head 2 so that the transparent protection pattern is formed onto the printing paper on the basis of the generated frame protection pattern data.例文帳に追加

ヘッド制御回路25が、格納された画像データに基づいて印刷用紙に画像が形成されるようにサーマルヘッド2を制御し、その後、生成されたフレーム保護パターンデータに基づいて印刷用紙に透明保護パターンが形成されるようにサーマルヘッド2を制御する。 - 特許庁

To provide a non-halogen and inflammable admixture of protection ink which has sufficient inflammability and used for an insulating protection layer of a printed circuit board or the like such as membrane switch, in which a bonding force is high for a substrate film and the sliding property and insulation property are never lowered.例文帳に追加

メンブレンスイッチなどのプリント配線板等の絶縁保護層に用いられる保護インク混和物において、基材フィルムに対して接着力が高く、耐摺動性や絶縁性の低下がなく、ノンハロゲンで、十分な難燃性を有する難燃性の保護インク混和物を得ることにある。 - 特許庁

Furthermore, since the protection layer 14 is formed not to project from the surface of the insulating base material 11, the protection layer 14 is hardly damaged when compared to the case that it is formed to project, thus further surely preventing short circuit between the conductor layers 13 due to migration.例文帳に追加

さらに、保護層14は絶縁性基材11の表面よりも突出しないように形成されているので、突出して形成されている場合に比べて保護層14が損傷し難くなり、より確実にマイグレーションによる導体層13間の短絡を防止できる。 - 特許庁

The plasma treatment method is to carry out plasma treatment, the surface of a silicon wafer 7 to be treated, and a silicon wafer 7 whose circuit-forming surface is adhered with a protection tape 7a is mounted on a mounting portion 6 located in a treatment chamber of a plasma treatment apparatus in an attitude that the protection tape 7a contacts with the mounting portion 6.例文帳に追加

シリコンウェハ7の処理対象面のエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、プラズマ処理装置の処理室内に配置された載置部6に回路形成面を保護テープ7aが貼着された状態のシリコンウェハ7を保護テープ7aを載置部6に接触させた姿勢で載置する。 - 特許庁

When a reverse-side polished surface is etched or polished to remove a cutting flaw, neither an etchant nor abrasive slurry penetrates the protection tape to the interface between the device wafer and protection tape since a dicer cut grid groove of the device circuit is filled with the water- soluble resin film.例文帳に追加

裏面研削された研削面をエッチイング処理または研磨処理して研削傷を取除く際、水溶性樹脂膜によりデバイス回路のダイサ−切り込み格子溝が埋められているのでエッチング液や研磨剤スラリ−がデバイスウエハと保護テ−プ間の界面に浸透してくることがない。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit, an output terminal PO is electrically connected to an output buffer 1, a protection PMOS transistor MP2 is inserted between a node N3 connected to the output terminal PO and a grounding terminal P22, and a gate of the protection MOS transistor MP2 is connected to the power supply terminal P12.例文帳に追加

出力バッファ1に出力端子P0が電気的に接続され、出力端子P0に繋がるノードN3と接地用端子P22との間に保護用PMOSトランジスタMP2が介挿され、保護用PMOSトランジスタMP2のゲートが電源用端子P12に接続される。 - 特許庁

To solve the problem that in the conventional device the clipping protection unit protects the device but at the time when the protection unit works reversely, very large voltage or current is applied on the integration circuit and also may generate an unstable vibrating voltage and an incorrect determination of states.例文帳に追加

従来の測定装置では、クリッピング保護ユニットが装置を保護するが、クリッピング保護ユニットが動作する時に発生する逆方向且つ極めて大きい電圧又は電流が、測定すべき集積回路に及ぶとともに、不安定な振動電圧及び状態の誤判定を生じうる。 - 特許庁

To produce a ceramic resistor comprising a silicon nitride-bound silicon carbide/ silicon nitride sintered compact and used as a resistor for protection of an inverter for controlling an electric power, the protection, etc., of a superconductive coil for a nuclear fusion reactor in a circuit having a great electric power load capacity under a high voltage and to provide a method for producing the ceramic resistor.例文帳に追加

窒化珪素結合炭化珪素/窒化珪素焼結体からなり、電力制御用のインバーター保護用や核融合炉の超伝導コイル保護用などの抵抗器として、高電圧で電力負荷容量の大きな回路に使用されるセラミック抵抗体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the plasma display module, a PDP 10 is formed, and then protection members 20 are temporarily fixed to at least four corners of a panel peripheral edge, and the PDP 10 is tested in the state that a chassis 40 of the module power supply unit provided with a driving circuit and a power source is temporarily fixed to the temporarily fixed protection members 20.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル10の形成後、パネル周縁の少なくとも四隅に保護部材20を仮固定し、仮固定された保護部材20に駆動回路および電源を備えるモジュール電源ユニットのシャーシ40を仮固定した状態で前記プラズマディスプレイパネル10の試験を実施する。 - 特許庁

An overcurrent protection circuit (10) monitors a current passing through driving elements (301-304) for driving a load (2), and when detecting that the current is not less than a prescribed threshold value, controls to stop driving the load for a prescribed protection time in accordance with the detected result.例文帳に追加

過電流保護回路(10)は、負荷(2)を駆動するための駆動素子(301〜304)に流れる電流を監視し、当該電流が所定の閾値以上となったことを検出した場合には、検出結果に応じて所定の保護時間だけ前記負荷の駆動を停止させるための制御を行う。 - 特許庁

A voltage drop gets large in a resistance R4, when an output current io increases and when an overcurrent protection operation is carried out by the overcurrent protection circuit 4, and a detection voltage V3 gets to a voltage or more provided by adding an offset voltage Vofs to the second partial voltage V2.例文帳に追加

出力電流ioが増加して、過電流保護回路4による過電流保護動作が行われると、抵抗R4の電圧降下が大きくなり、検出電圧V3は、第2分圧電圧V2に前記入力オフセット電圧Vofsを加えた電圧以上になる。 - 特許庁

To provide an overvoltage detection device, a protection device and a battery pack, capable of preventing, when a charging current of a secondary battery increases, a protection circuit for detecting an overvoltage, higher than an overvoltage detected by software control, from detecting first an overvoltage state of a secondary battery.例文帳に追加

二次電池の充電電流が増大した場合、ソフトウェア制御によって検出される過電圧より高い過電圧を検出する保護回路が、先に二次電池の過電圧状態を検出するのを防止できる過電圧検出装置、保護装置及びパック電池を提供する。 - 特許庁

In this electrostatic breakdown protection circuit comprising an MOS type transistor and a PN junction, the drain of the MOS type transistor is connected to a protection object terminal; the gate thereof is connected to a first power terminal; and the source thereof is connected to the first power terminal by interposing the PN junction in the forward direction.例文帳に追加

MOS型トランジスタとPN接合からなる静電破壊保護回路において、MOS型トランジスタのドレインを被保護端子に接続し、ゲートを第一の電源端子に接続するとともに、ソースをPN接合を順方向に介して第一の電源端子に接続する。 - 特許庁

Abnormality detecting circuits and protection circuits are arranged in power amplifiers 42, 44, 46, 48, 50 of output channels FL, C, FR, RL, RR, respectively, and when an abnormality is detected in self output channel, the protection circuit is activated, thereby stopping the power amplifier operation and the output of the channel.例文帳に追加

各出力チャンネルFL,C,FR,RL,RRのパワーアンプ42,44,46,48,50内には異常検出回路および保護回路が配置されており、自己の出力チャンネルに異常が検出されたときに保護回路を動作させて、当該チャンネルのパワーアンプの動作とその出力を停止させる。 - 特許庁

To obtain a ceramic resistor comprising a silicon nitride-bonded silicon carbide/silicon nitride sintered compact, useful in a high-voltage circuit having a high power electric load capacity as a resistor for inverter protection of power control, superconducting coil protection of nuclear fusion reactor, etc., and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

窒化珪素結合炭化珪素/窒化珪素焼結体からなり、電力制御用のインバーター保護用や核融合炉の超伝導コイル保護用などの抵抗器として、高電圧で電力負荷容量の大きな回路に使用されるセラミック抵抗体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a protection structure that protects packaging parts on a circuit board fitted to an electronic device such as a liquid crystal display from external force by a protection cover, and can inhibit increase in the thickness of the electronic device and the manufacturing costs as much as possible.例文帳に追加

液晶表示装置などのような電子装置に装着された回路基板上の実装部品を保護カバーで外力から保護する構造であって、電子装置の厚み増加と製造コスト上昇とを極力抑制できる保護構造とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device of controlling a DC-DC converter capable of performing skip of a switching pulse by an output from an overvoltage protection circuit, and achieving both improvement of an output voltage accuracy when a load is light and quick comeback to the normal control after an overvoltage protection operation when the load is heavy.例文帳に追加

スイッチングパルスのスキップを過電圧保護回路の出力によって行い、軽負荷における出力電圧精度の向上と重負荷における過電圧保護動作後の速やかな通常制御への復帰とを共に実現するDC−DCコンバータの制御装置を提供する。 - 特許庁

The battery pack includes a battery cell containing an outer package material with a terrace and at least one cell tab protruded through the terrace, and a protection circuit module including a circuit board located on the terrace, at least one electrode tab formed on the circuit board and at least one circuit element formed on the circuit board, of which, the cell tab is connected to the electrode tab.例文帳に追加

テラスを有する外装材、及び上記テラスを介して突出した少なくとも一つのセルタブを含むバッテリーセルと、上記テラス上に位置する回路基板、上記回路基板に形成された少なくとも一つの電極タブ、及び上記回路基板に形成された少なくとも一つの回路素子からなる保護回路モジュールと、を含み、上記セルタブは、上記電極タブに接続されることを特徴とするバッテリーパックを提供する。 - 特許庁

This solenoid 100 has an electromagnetic circuit part 120 for electromagnetically driving a plunger 105 for driving a driving object by energizing a coil 104, a control circuit part 300 for energizing the electromagnetic circuit part 120 based on a collation result of ID codes, and a case for accommodating the electromagnetic circuit 120 and the control circuit part 300, for providing electrical and mechanical protection.例文帳に追加

コイル104へ通電することにより、駆動対象を駆動するプランジャ105を電磁的に駆動する電磁回路部120と、IDコードの照合結果に基づいて電磁回路部120に通電を行なう制御回路部300と、電磁回路部120、および、制御回路部300を内部に収容して、電気的および機械的なプロテクトを行なう筐体と、を有する構成のソレノイド100とする。 - 特許庁

By the overcurrent protection circuit comprising a current detection circuit 111 for detecting the current of a PchMOS transistor Q1 for output drive and a control circuit 121 for interrupting the operation of the output drive circuit 101 when a value detected in the current detection circuit 111 exceeds a prescribed threshold, the overcurrent of the PchMOS transistor Q1 for the output drive is prevented.例文帳に追加

出力駆動用のPchMOSトランジスタQ1の電流を検出する電流検出回路111と、電流検出回路111で検出される値が所定の閾値を超えたとき出力駆動回路101の動作を遮断する制御回路121で構成される過電流保護回路によって、出力駆動用のPchMOSトランジスタQ1の過電流を防止することができる。 - 特許庁

To provide a battery device having a charge and discharge control circuit that can reduce the number of elements to be used and reduce a layout area, in a charge and discharge protection circuit that controls charge and discharge of a secondary battery by one bidirectional conduction type field effect transistor.例文帳に追加

1つの双方向導通型電界効果トランジスタで二次電池の充放電を制御する充放電保護回路において、使用する素子を減らしレイアウト面積を縮小した充放電制御回路を備えたバッテリ装置を提供すること。 - 特許庁

Then, power is supplied to the power supply system pads of the ASIC chip 14 and the general purpose chip 15 through the pad groups 131 and 132 of the protective circuit chip 13, and the ESD protection of the power supply system pads is secured in the ESD protective circuit 134.例文帳に追加

そして、ASICチップ14と汎用チップ15の電源系パッドへの電源供給を保護回路チップ13のパッド群131,132を介して行い、その電源系パッドのESD保護をESD保護回路134で確保する。 - 特許庁

To further increase protection of an electronic circuit board by preventing a seal stuck astride a member for storing the electronic circuit board from being touched directly and hence preventing the seal from being peeled off.例文帳に追加

電子回路基板を収容するための部材間を跨ぐように貼り付けられた封印シールを、直接触れることができない構造とすることで、当該封印シールが剥されることを防止することができ、電子回路基板の保護をより強固なものとする。 - 特許庁

For example, when a leakage protection plug for 100 v appliance is connected to a 200 v plug outlet, the pseudo earth leakage circuit 8 conducts applied with high voltage and the pseudo earth leakage current runs to the test circuit 16 in the same manner as a test switch 7a is pressed.例文帳に追加

例えば100v機器用の漏電保護プラグが200vコンセントに差し込まれると、擬似漏電回路8が過電圧を印加されて導通し、テストスイッチ7aが押されたときと同様にテスト回路16に擬似漏電電流が流れる。 - 特許庁

The detection circuit 6 detects overcharging and overdischarging of the batteries 1a, 1b and the protection switch 5 is controlled by the detection circuit 6 to stop the charging or discharging of the batteries 1a, 1b when overcharge/overdischarge or overcurrent occurs.例文帳に追加

検出回路6は、バッテリー1a、1bの過充電及び過放電を検出し、保護スイッチ5は、検出回路6によって制御され、過充電及び過放電及び過電流となった場合にバッテリー1a、1bの充電又は放電を遮断する。 - 特許庁

A circuit protection device includes a plasma gun 412 configured to generate a plasma plume, capacitors 210, 212 configured to store electrical energy, and a trigger circuit 304 communicatively coupled to the plasma gun 412 and the capacitors 210, 212.例文帳に追加

プラズマプルームを発生するように構成されたプラズマ銃412と、電気エネルギーを蓄積するように構成されたキャパシタ210、212と、プラズマ銃412およびキャパシタ210、212に通信結合されたトリガ回路304とを含む回路保護デバイスである。 - 特許庁

例文

To prevent a breakdown of internal circuit due to a surge voltage and protect a capacitive element for improving the performance of a semiconductor integrated circuit device against breakdown due to the surge voltage without being influenced by variations in withstanding voltage in surge protection circuits.例文帳に追加

サージ電圧による内部回路の破壊を防ぐと共に、サージ保護回路における耐圧のばらつきの影響を受けることなく、半導体集積回路装置の特性を向上させる容量素子をサージによる破壊から保護できるようにする。 - 特許庁




  
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