「Regrowth」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

AlGaN/GaN-HEMT MANUFACTURING METHOD USING SELECTION-REGROWTH例文帳に追加

選択再成長を用いたＡｌＧａＮ／ＧａＮ−ＨＥＭＴの製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF HIGH REFRACTIVE INDEX-STEP GRATING USING REGROWTH-OVER-DIELECTRIC PROCESS例文帳に追加

誘電体上再成長プロセスを使用した高屈折率ステップ格子の製造 - 特許庁

Also, since the etching and regrowth can be made continuously, cheap process is possible.例文帳に追加

また、エッチングおよび再成長を連続して行えるため、安価なプロセスが可能である。 - 特許庁

In addition, the regrowth layer thickness can be made nearly equal to the thickness of the main structure.例文帳に追加

さらに、再成長層の厚さは主要構造部の厚みと同等に設定できる。 - 特許庁

Additionally, this method enables continuous etching and regrowth so that a low cost process is achieved.例文帳に追加

また、エッチングおよび再成長を連続して行えるため、安価なプロセスが可能である。 - 特許庁

The surface (01-10) of the GaN end surface regrowth layer 13 constitutes the end surface of resonator.例文帳に追加

このＧａＮ端面再成長層１３の（０１-1０）面が共振器端面を構成する。 - 特許庁

A conductivity type of the low-concentration doped regrowth layer 13 is an undope type or a p type.例文帳に追加

低濃度ドーピング再成長層１３の導電型はアンドープもしくはｐ型とする。 - 特許庁

A high resistance regrowth layer 110 is arranged around an optical element 100 having a mesa structure 131.例文帳に追加

メサ構造１３１を有する光素子１００の周囲に高抵抗の再成長層１１０を配置する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor integrated element that can reduce the difference in thickness of portions of a regrowth layer.例文帳に追加

再成長層の厚さの違いを低減可能な半導体集積素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in making regrowth for embedding a guide layer, where characteristics of an optical waveguide and a diffraction lattice are varied as an unexpected refractive index difference is produced, because a refractive index of an initial regrowth layer formed in an initial stage of the regrowth is different from a design value and as refractive index differences as a whole are varied according to etching depths.例文帳に追加

ガイド層を埋め込むために再成長させるときに、再成長の初期に作られる再成長初期層の屈折率が設計値と異なるために意図しない屈折率差が発生し、かつエッチング深さによって全体の屈折率差がばらつくために、光導波路や回折格子の特性がばらついてしまうという課題を解決する。 - 特許庁

To provide a composition for preventing hair loss and promoting hair regrowth using an extract of Indian strawberry (Duchesnea chrysantha), which suppresses activity of 5α-reductase and is effective for preventing hair loss and promoting hair regrowth actually assayed in animal and clinical tests.例文帳に追加

５α−リダクターゼの活性を抑制し、実際動物実験と臨床試験においても脱毛防止及び発毛促進効果を有する蛇苺抽出物を用いた脱毛防止又は発毛促進用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a composition that is intended for promoting hair growth, preventing or delaying hair loss, promoting hair regrowth, or the like.例文帳に追加

毛髪の成長促進、抜毛の防止又は遅延化、毛髪の再成長の促進等を意図した組成物の提供。 - 特許庁

To obtain a composition for improving an aesthetic appearance of the hair, resisting fallen hair and/or promoting regrowth.例文帳に追加

頭髪の美的外観を改善し、又は抜毛に抗し、及び／又は再成長を促進させるための組成物を提供する。 - 特許庁

Next, a solid phase epitaxy regrowth step is carried out on a thin film having a desired thickness in the amorphous region.例文帳に追加

その次に固相エピタキシャル再成長ステップが、アモルファス化領域の所望の厚さを持つ薄膜上になされる。 - 特許庁

The composition for preventing hair loss and promoting hair regrowth contains an extract of Duchesnea chrysantha as an effective component.例文帳に追加

本発明は、蛇苺抽出物を有効成分として含む脱毛防止又は発毛促進用組成物を提供する。 - 特許庁

The amorphous layer is crystallized to form an electrically resistive material during or before regrowth.例文帳に追加

上記非晶質の層は結晶化され、電気抵抗性を有する材料を再成長期間または再成長前に形成する。 - 特許庁

To provide a composition that can improve the aesthetic appearance of the hair, resists to hair loss and/or promotes hair regrowth.例文帳に追加

頭髪の美的外観を改善し、又は抜毛に抗し、及び／又は頭髪の再成長を促進させるための組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of replacing a surgically removed bladder defect part in order to promote regrowth of endogenous urinary bladder tissue.例文帳に追加

内因性膀胱組織の再増殖を促進するために、外科的に切除した膀胱欠損部を置換するための方法の提供。 - 特許庁

In this way, the mesa part 131 emerged with a plane direction at circular main structure etching is coated with the regrowth layer 110.例文帳に追加

これによって、円形の主要構造のエッチング時に現れる面方位を持ったメサ部１３１が再成長層１１０で被覆される。 - 特許庁

A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown, according to lateral growth method, from the surface of the GaN layer 3 exposed among the hexagonal patterns 5.例文帳に追加

六角形のパターン５の間に露出したＧａＮ層３の表面からラテラル成長法により再成長ＧａＮ層６を成長させる。 - 特許庁

Since both the ohmic contact layers 8, 9 and the resurf layer 10 are formed by the regrowth technology, no high-temperature treatment is required.例文帳に追加

オーミックコンタクト層８，９およびリサーフ層１０の両方が再成長技術により形成されているので、高温熱処理の必要がない。 - 特許庁

To provide a cosmetic composition having excellent effects on returning to health and bleaching for the skin and excellent maintenance and regrowth of the healthy hair for the hair.例文帳に追加

皮膚に対しては健全化と美白効果に優れ、また毛髪に対しては健全毛の維持及び再生に優れる化粧料組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preparing an O-acyl derivative for improving esthetic appearance of head hair, or reducing the loss of head hair, and/or stimulating hair regrowth.例文帳に追加

頭髪の美的外観を改善し、又は抜毛に抗し、及び／又は再成長を促進させるためのＯ-アシル誘導体の調製方法を提供する。 - 特許庁

A ridge-like upper clad layer 25 is formed on an area exposed from the opening of the semiconductor laminated layers 10 by regrowth.例文帳に追加

半導体層積層体１０における開口部から露出した領域の上にリッジ状の上部クラッド層２５が再成長により形成されている。 - 特許庁

To provide a method for preparing an O-acyl derivative for improving esthetic appearance of head hair, or reducing the loss of head hair, and/or stimulating hair regrowth.例文帳に追加

頭髪の美的外観を改善し、又は抜毛に抗し、及び／又は再成長を促進させるためのＯ-アシル誘導体の調製方法を提供する。 - 特許庁

A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown according to lateral growing method from the surface of the GaN layer 3 exposed between the hexagon patterns 5.例文帳に追加

六角形のパターン５の間に露出したＧａＮ層３の表面からラテラル成長法により再成長ＧａＮ層６を結晶成長させる。 - 特許庁

To improve controllability for an etching process, crystallinity at the time of regrowth and luminous efficiency in a surface emitting laser element of a selective oxidation current constrictive with a controlling system in an oxidation shape by arranging each semiconductor layer with different compositions in a current path and an oxidation area by means of etching and regrowth.例文帳に追加

エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性，再成長時の結晶性、および発光効率を向上させる。 - 特許庁

In this way, a heavily-doped p-type semiconductor layer is formed near the regrowth interface, thus preventing P from coming off the semiconductor 18 which contains P or a dopant from reevaporating from a p-type GaAlAs second light guide layer 16 and p-type GaAlAs second cladding layer 17, located under the semiconductor layer 18 at regrowth.例文帳に追加

こうして、再成長界面付近に高ドープのｐ型半導体層が形成され、上記再成長時に、上記Ｐを含む半導体層１８からＰが抜けたり、半導体層１８の下にあるｐ型ＧaＡlＡs第２光ガイド層１６およびｐ型ＧaＡlＡs第２クラッド層１７からドーパントが再蒸発するのを防止する。 - 特許庁

On the end surfaces in <01-10> orientation of the layers 4-10, a GaN end surface regrowth layer 13, which comprises an undoped GaN with a surface (01-10) is formed.例文帳に追加

各層４〜１０の〈０１-1０〉方向の端面には、アンドープのＧａＮからなりかつ（０１-1０）面を表面とするＧａＮ端面再成長層１３が形成されている。 - 特許庁

The material of the aperture layer also includes a nitride, and the aperture layer is etched to create an aperture which is then filled with a conducting material by epitaxial regrowth.例文帳に追加

アパーチャ層材料も窒化物を含み、アパーチャ層はエッチングされてアパーチャが形成され、このアパーチャはエピタキシャル再成長によって、導電性材料で充填される。 - 特許庁

In this case, Mg is diffused into a region of the upper n^--GaN layer 11 from the lower p-GaN layer 13 together with the regrowth of the n^--GaN layer 11.例文帳に追加

このとき、ｎ^- −ＧａＮ層１１の再成長とともに、下層のｐ−ＧａＮ層１３からその上方のｎ^- −ＧａＮ層１１の領域中にＭｇが拡散する。 - 特許庁

The GaN regrowth layer 11 is formed contiguously to the inversion layer 10 at a position separated therefrom when viewed from the GaN substrate 1 and has a surface composed of Ga face.例文帳に追加

ＧａＮ再成長層１１は、ＧａＮ基板１から見て反転層１０よりも離れた位置に、反転層１０に隣接して形成されており、表面がＧａ面により構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light emitting element where a defect caused by a regrowth layer surface hardly occurs in a light emitting layer and a p-type semiconductor layer and which obtains a high output.例文帳に追加

再成長層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

By use of a Solid Phase Epitaxial Regrowth (SPER) process for Si nMOS, the thermal budget for the Si nMOS can be lowered to be compatible with Ge pMOS.例文帳に追加

ＳｉのｎＭＯＳに対して固相再成長（ＳＰＥＲ）プロセスを用いることで、ＳｉのｎＭＯＳのための熱量は、ＧｅのｐＭＯＳと両立するまで低くすることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element hardly causing a failure of a light-emitting layer and a p-type semiconductor layer due to a regrowth layer surface and providing a high output.例文帳に追加

再成長層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting layer 14 is formed on the one major surface 1a side of the GaN substrate 1 at a position separated from the GaN regrowth layer 11 when viewed from the GaN substrate 1.例文帳に追加

発光層１４は、ＧａＮ基板１の一方の主面１ａ側に形成されており、かつＧａＮ基板１から見てＧａＮ再成長層１１よりも離れた位置に形成されている。 - 特許庁

The method allows a laser array structure having laser elements of different wavelengths to be manufactured, even in a semiconductor materials which are not suitable for a manufacturing method based on etching and regrowth.例文帳に追加

この方法によりエッチングや再成長による製造方法に適合しない半導体材料系においても、異なる波長のレーザ素子をもつレーザアレー構造を製作することができる。 - 特許庁

The width of the p-side contact layer 19 is enlarged by the regrowth region 19b, which increases the ohmic contact area between the p-side contact layer and the p-side electrode 23, and thereby decreases the contact resistance.例文帳に追加

再成長領域１９ｂによりｐ側コンタクト層１９の幅が拡大され、ｐ側電極２３とのオーミック接触面積が拡大されて、接触抵抗の低減が図られている。 - 特許庁

To provide a bleaching agent composition which has an excellent mold regrowth-preventing effect and excellent product storage stability and can stably reduce the frequency of mold-removing work within a constant period.例文帳に追加

かびの再発生防止効果と貯蔵時の製品安定性に優れ、一定期間内におけるかび除去作業の頻度を安定して低減できる漂白剤組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor laser having a low working current in which the crystallinity of a regrowth layer is improved and an oscillation threshold current is increased while suppressing the lowering of efficiency, and its manufacturing method.例文帳に追加

再成長層の結晶性が良好で、発振しきい電流の増大や効率の低下を抑えた、動作電流が小さく、信頼性の高い半導体レーザ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

An LED comprises a GaN substrate 1, an inversion layer 10, a GaN regrowth layer 11, a light emitting layer 14, a p-electrode 9b, a light emitting layer 4, a p-electrode 9a, and an n-electrode 9c.例文帳に追加

ＬＥＤは、ＧａＮ基板１と、反転層１０と、ＧａＮ再成長層１１と、発光層１４と、ｐ電極９ｂと、発光層４と、ｐ電極９ａと、ｎ電極９ｃとを備えている。 - 特許庁

To suppress influence to an active layer caused by distortion introduced on the occasion of regrowth, in a gallium nitride system semiconductor laser element having a structure in which the active layer is arranged on a refractive index distribution layer.例文帳に追加

屈折率分布層上に活性層が配置された構成を備える窒化ガリウム系の半導体レーザ素子において、再成長の際に導入された歪みによる活性層への影響を抑える。 - 特許庁

To improve the output characteristics of a semiconductor laser and to avoid deterioration of the outgoing end face by restraining diffusion of impurities in a step of forming an embedded regrowth type end face window structure.例文帳に追加

埋め込み再成長型の端面窓構造を形成する工程における不純物の拡散を抑制して、半導体レーザの出力特性の向上、及び出射端面の劣化を回避する。 - 特許庁

A semiconductor regrowth layer 38 and a SiNx layer 40 are formed on a side of a mesa post 30 of the oxidization constrictive surface light emitting laser element 10 and a polyimide layer 28 is formed thereon.例文帳に追加

酸化狭窄型面発光レーザ素子１０のメサポスト３０の側面には、半導体再成長層３８及びＳｉＮｘ層４０が形成され、その上にポリイミド層２８が形成されている。 - 特許庁

On a part exposed form the current constriction insulating layer 17 of the n-type guide layer 16, an n-type regrowth interface regulation layer 18 having a composition substantially similar to that of the n-type guide layer 16 is formed.例文帳に追加

ｎ型ガイド層１６の電流狭窄絶縁層１７から露出する部分上には、ｎ型ガイド層１６とほぼ同等の組成を持つｎ型の再成長界面調整層１８が形成されている。 - 特許庁