「SIMS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for specifying a composition ratio which is one of quantitative information of a mixed organic compound by using a TOF-SIMS analyzer.例文帳に追加

混合有機化合物の量的情報の一つである組成組成割合をTOF-SIMS分析装置を用いて特定する方法の提供。 - 特許庁

To easily make a plurality of SIMs and control of an application correspond to each other.例文帳に追加

複数のＳＩＭとアプリケーションの制御の対応を容易に行う。 - 特許庁

Preferably, this grinding is performed by SIMS or GDMS.例文帳に追加

上記研削は、ＳＩＭＳ又はＧＤＭＳにより行なうことが好ましい。 - 特許庁

For more information, please see the ppp(8) manual page or the Handbook entry on user PPP. 例文帳に追加

設定に関するさらに詳しい情報は、 Steve Sims 氏による Pedantic PPPPrimer にあります。 - FreeBSD

SPECIFYING METHOD OF COMPOSITION RATIO OF MIXED ORGANIC COMPOUND USING TOF-SIMS例文帳に追加

ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた混合有機化合物の組成割合の特定方法 - 特許庁

Additionally, according to the coordinates data of the particles and the coordinates of the wafer outer periphery that are measured by an analyzer (TOF-SIMS), conversion to coordinates data for analysis is made by the external computer (7 and 8).例文帳に追加

さらに、パーティクルの座標データと分析装置（TOF-SIMS）で計測したウエーハ外周の座標から外部計算機によって分析用座標データに変換する（７，８）。 - 特許庁

This makes it possible to correct a sensitivity change in the vicinity of the gate oxide film owing to a matrix effect in SIMS measurement on the laminated structure with the polysilicon/gate oxide film formed therein.例文帳に追加

これにより、ポリシリコン/ゲート酸化膜が形成された積層構造に対するSIMS測定において、マトリックス効果に起因するゲート酸化膜付近の感度変化を補正することができる。 - 特許庁

The problem is solved by using a standard sample prepared in the TOF-SIMS device.例文帳に追加

ＴＯＦ−ＳＩＭＳ装置内にて作製した標準試料を用いることにより、上記の問題を解決した。 - 特許庁

The method comprises an analysis process by a TOP-SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometer).例文帳に追加

ＴＯＦ−ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析装置）による分析工程を有するトナーの製造方法。 - 特許庁

The metal contamination by TOF-SIMS on a silicon substrate can be determined accurately by this invention.例文帳に追加

本発明によれば、シリコン基板上のＴＯＦ−ＳＩＭＳによる金属汚染の定量を正確に行うことができる。 - 特許庁

To provide a mass spectroscope capable of performing stable SIMS analysis with a spatial resolution of the order of several tens of nanometers.例文帳に追加

数十ｎｍの空間分解能で安定したＳＩＭＳ分析を実施することができる質量分析装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preparing an analytical sample, capable of efficiently and easily providing an analytical sample for SIMS analysis.例文帳に追加

ＳＩＭＳ分析の分析試料を効率よく且つ容易に得ることができる分析試料の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a GCIB gun capable of emitting GCIB with a short pulse width short enough to be used for primary ions of TOF-SIMS.例文帳に追加

ＴＯＦ−ＳＩＭＳの一次イオンに使用できるほど短いパルス幅のＧＣＩＢを射出できるＧＣＩＢ銃を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a concentration profile showing a correlation between a depth from the surface of wafer and the concentration of dopant impurity is measured through an SIMS (secondary ion mass spectroscope).例文帳に追加

つづいてＳＩＭＳを利用して、ウェーハ表面からの深さとドーパント不純物濃度との相関を示す濃度プロファイルを計測する。 - 特許庁

To provide an analytical method capable of carrying out precise depth-directional analysis, in distribution analysis of indium or gallium in silicon by a SIMS.例文帳に追加

ＳＩＭＳによるシリコン中のインジウムやガリウムの分布分析において、高精度な深さ方向分析を実現できる方法を提供する。 - 特許庁

The activation rate (a) is defined by 'the concentration of the activated n-type impurities obtained by SR analysis/the concentration of the n-type impurities obtained by SIMS analysis'.例文帳に追加

活性化率ａは（ＳＲ分析にて得られた活性化したｎ型不純物の濃度）／（ＳＩＭＳ分析にて得られたｎ型不純物の濃度）で定義される。 - 特許庁

To provide a method of detecting protein that uses TOF-SIMS where non-specific adsorption unique to an organism sample and modifications of the protein are reduced.例文帳に追加

生体試料に固有の非特異吸着や、蛋白質の変成を軽減した、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ法を用いた蛋白質の検出法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, impurity profiles can be retrieved from a SIMS data table 13 based on a retrieval result, for instance, an impurity introduction process.例文帳に追加

その検索結果、例えば不純物導入工程に基づいて、更にＳＩＭＳデータテーブル１３を検索し、不純物のプロファイルを複数読み出すことができる。 - 特許庁

To provide a hydrogen standard sample that is used for analyzing hydrogen concentration in an extremely thin silicon insulation film with a film thickness of approximately 20 nm or less by the SIMS or the like.例文帳に追加

膜厚２０ｎｍ程度以下の極薄シリコン絶縁膜中の水素濃度をＳＩＭＳ等で分析する場合に使用する水素標準試料を得る。 - 特許庁

This method of detecting the volatile organic compound existing on the base material surface has (1) a process for bringing the compound into reaction with a volatility modifying reagent to make the compound nonvolatile, and (2) a process for measuring the base material surface by a time-of-flight secondary ion mass spectrometer (TOF-SIMS) to detect the compound.例文帳に追加

基材表面に存在する揮発性有機化合物の検出方法であって、（１）該化合物と揮発性の修飾試薬とを反応させ、該化合物を不揮発化する工程、及び（２）飛行時間型二次イオン質量分析計（TOF-SIMS）により基材表面を測定し、該化合物を検出する工程、を有する、検出方法。 - 特許庁

To provide a method for predicting characteristics of a thin film transistor by utilizing strength reduction caused by charging a layered film interface when measuring a depth direction of a layered film in SIMS.例文帳に追加

ＳＩＭＳにおける積層膜の深さ方向測定時に積層膜界面の帯電による強度低下を利用し薄膜トランジスタの特性を予測する方法を提供。 - 特許庁

The sensitivity of a secondary ion mass spectrometer (SIMS) is increased by using steam in order to raise yield of a positive secondary ion to be sputtered by a primary convergence ion beam.例文帳に追加

二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）の感度は、一次集束イオンビームによってスパッタリングされる正の二次イオンの収量を高めるために水蒸気を使用することで増加される。 - 特許庁

To solve the problem, where a means for precisely evaluating an impurity profile by a secondary ion mass spectrometry (SIMS) does not exist essentially since a spherical semiconductor causes a shape effect problem.例文帳に追加

球状半導体は形状効果が問題となる為、二次イオン質量分析法（Secondary ion mass spectrometry；ＳＩＭＳ）により不純物プロファイルを精度よく評価する手段は実質的に存在していない。 - 特許庁

To provide a toner for developing an electrostatic charge image, in which the secondary ion intensity value of an ionic functional group derived from a surfactant is ≤30,000 when measured by ToF-SIMS (time-of-flight secondary ion mass spectrometry).例文帳に追加

ＴｏＦ−ＳＩＭＳで測定した界面活性剤由来のイオン性官能基量がｉｎｔｅｎｓｉｔｙ値で３００００以下であることを特徴とする静電荷像現像用トナー。 - 特許庁

To provide a method which can easily measure dopant density near a semiconductor wafer surface without needing to manufacture a standard substance for every device every test piece like SIMS.例文帳に追加

ＳＩＭＳのように被測定試料ごとに標準試料を作製する必要もなく、半導体ウェーハの表面近傍のドーパント濃度を簡便に測定することができるようにした方法を提供する。 - 特許庁

Concerning a method for specifying the composition ratio of each organic compound in the mixed organic compound formed by mixing at least two or more kinds of organic compounds, this specification method of the composition ratio of the mixed organic compound has a characteristic wherein a spectrum acquired by measuring the mixed organic compound by using TOF-SIMS is specified from a calibration graph formed based on data acquired by performing main component analysis.例文帳に追加

少なくとも２種類以上の有機化合物を混合してなる混合有機化合物中の各有機化合物の組成割合を特定する方法であって、該方法が、混合有機化合物をTOF-SIMSで測定して得られたスペクトルを、主成分分析して得られたデータに基づき作成した検量グラフから特定することを特徴とする混合有機化合物の組成割合の特定方法。 - 特許庁

To analyze an element distribution in the depth direction by SIMS using oxygen ions as primary incident ions with high resolution in the depth direction in a short measuring time, in the state of no oxygen atmosphere, relative to a trace element in a Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板中の微量元素を、酸素雰囲気ではない状態で、深さ方向の分解能を高くかつ短い測定時間で、酸素イオンを一次入射イオンとするＳＩＭＳにより深さ方向の元素分布の分析を行う。 - 特許庁

A method for analyzing an object by means of TOF-SIMS is adapted to apply an ionization promoter (a metal, such as silver or gold) to the object and generate secondary ions that correspond to the parent molecules and can be used to determine the kind of the object.例文帳に追加

ＴＯＦ−ＳＩＭＳ法を用いて対象物を分析する方法において、対象物にイオン化促進物質（銀や金などの金属）を付与し、対象物の種類を判別できる親分子に相当する二次イオンを生成させる。 - 特許庁

In measurement of fragment ion using TOF-SIMS (time-of flight secondary ion mass spectrometry), the ratio I_D/I_T of fragment ion strength I_D originated from the diamide derivative to the total value I_T of all fragment ions to be detected is 0.1×10^-2 to 0.3×10^-2.例文帳に追加

ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いたフラグメントイオンの測定において、検出されるすべてのフラグメントイオンの強度の合計値Ｉ_Tに対するジアミド誘導体に由来するフラグメントイオン強度Ｉ_Dの比率Ｉ_D／Ｉ_Tが０．１×１０^-2〜０．３×１０^-2である。 - 特許庁

When the distribution in the depth direction of the group V element in the group IV semiconductor is measured by an SIMS (secondary ion mass spectrometry) method, a primary ion species, a primary ion acceleration energy, and a primary ion incident angle are limited in the range for reducing profile shift and sensitivity dependency in the depth direction.例文帳に追加

ＳＩＭＳ法によりＩＶ族半導体中のＶ族元素の深さ方向分布を測定する際に、一次イオン種、一次イオン加速エネルギー、及び、一次イオン入射角度をプロファイルシフト及び深さ方向の感度依存性を少なくする範囲に限定する。 - 特許庁

The transparent conductive film mainly containing a metal oxide has a peak intensity ratio of MSiO_3 to M (MSiO_3/M) of 0.5 to 20in a dynamic SIMS measurement of the transparent electrode film, provided a metal element ion of the metal oxide is M.例文帳に追加

金属酸化物を主に含有する透明導電膜で、前記金属酸化物の金属元素イオンをＭとした時、前記透明導電膜のダイナミックＳＩＭＳ測定におけるＭＳｉＯ_３とＭのピーク強度比（ＭＳｉＯ_３／Ｍ）が０．５〜２０であることを特徴とする透明導電膜。 - 特許庁

The ionization of the intracellular metabolite is promoted using a substance for promoting the ionization of the intracellular metabolite, and the intracellular metabolite is flown, when acquiring information as to the intracellular metabolite, using a TOF-SIMS (time-of-flight secondary mass spectrometer).例文帳に追加

細胞内代謝物質に関する情報を飛行時間型二次イオン質量分析法を用いて取得する取得する際に、細胞内代謝物質のイオン化を促進するための物質を用いて細胞内代謝物質のイオン化を促進して細胞内代謝物質を飛翔させる。 - 特許庁

For an information recording glass base plate, the surface layer of the glass becomes coarse and hardly cracks by making the strength of each of Li, Na, Al, Ca and K 0.2 or less, when the strength at the mass number 28 of Si is set to 1 in the SIMS analysis result of the surface layer.例文帳に追加

情報記録ガラス基板において、ＳＩＭＳによる表面層の分析結果における、Ｓｉの質量数２８の強度を１とした時、Ｌｉ、Ｎａ、Ａｌ、Ｃａ及びＫのそれぞれの強度が０．２以下となるようにすることで、ガラス表面層の構造が粗となり、クラックが発生しにくくなる。 - 特許庁

A silicon substrate 5 with a silane coupling film 2 formed thereon for analytical curve preparation is measured by an S-SIMS measurement method to obtain an ion strength ratio (PFPE ion strength value/silicon ion strength value) for the analytical curve between the strength value of organic PFPE ions contained in the coupling film 2 and the strength value of silicon ions.例文帳に追加

検量線作成用の、シランカップリング膜２を形成したシリコン基板５をＳ−ＳＩＭＳ測定法で測定し、シランカップリング膜２に含まれる有機系のＰＦＰＥイオン強度値と、シリコンイオン強度値との検量線用イオン強度比（ＰＦＰＥイオン強度値／シリコンイオン強度値）を取得する。 - 特許庁

The masses of ion kinds on the surface of the wafer W, such as CH3Si+, C3H9Si+, C3H9Si-, etc., are analyzed by using an analytical section such as TOF-SIMS, etc., thereby of the analytical equipment A2 measuring the quantity of HMDS(hexamethyl disilazane) on the surface of the wafer W.例文帳に追加

分析装置Ａ２では例えばＴＯＦ−ＳＩＭＳなどの分析部においてウエハＷ表面の例えばＣＨ3Ｓｉ+，Ｃ3Ｈ9Ｓｉ+，Ｃ3Ｈ9ＯＳｉ-等のイオン種の量を質量分析し、これによりウエハＷ表面のＨＭＤＳ量（ヘキサメチルジシラザン）の測定を行う。 - 特許庁

To provide a method of safely and effective using a hair-tonic or hair-growing agent by alternately using a plant extract of the root of Paeonia moutan Sims and a hair-tonic or hair-growing agent of the leaf of Symphytum Officinale Linne since the hair-restoring or hair-growing effect is better than in their single use or in their mixed use and its effect continues.例文帳に追加

ボタンの根の抽出物とコンフリーの葉の養毛・育毛剤を交互に用いることによって、単独あるいは混合した場合よりも優れた発毛・育毛効果を示し、その作用も継続することから、安全かつ効果的な養毛・育毛剤の使用方法を提供する。 - 特許庁

To provide a secondary ion mass spectrometry capable of specifying the position of a compound film/substrate interface by measuring the concentration and the distribution of a trace element highly sensitively and highly quantitatively, and specifying the position of a compound film/substrate interface, concerning material having information of an elemental composition of the polar surface of a sample and an interface such as the compound film/substrate or the like.例文帳に追加

本発明は、試料の極表面の元素組成の情報や化合物膜／基板のような界面を有する材料において、微量元素の濃度および分布を高感度でかつ高定量的に測定し、化合物膜／基板界面の位置を特定することが可能である二次イオン質量分析(SIMS)法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor epitaxial wafer formed by epitaxially growing a semiconductor thin film on a semiconductor substrate, a ratio of sheet concentration D_C/D_S by a secondary ion mass spectrometry (SIMS) of carbon (C) and silicon (Si) present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 20 or higher.例文帳に追加

半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在する炭素（Ｃ）及びケイ素（Ｓｉ）の二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）によるシート濃度の比Ｄ_ｃ／Ｄ_ｓが２０以上となるようにする。 - 特許庁

The composite stabilizer for a chlorine-containing polymer has a particle structure where calcium carbonate exists, as is measured by the electron microscopic method, on the surface of a particle of calcium hydroxide with a carbonation intensity ratio (RI_400), measured by the secondary ion mass spectrometric device(SIMS) and represented by a specific equation, in the range of at least 0.8.例文帳に追加

電子顕微鏡法で観察して水酸化カルシウムの粒子表面に炭酸カルシウムが存在する粒子構造を有し、且つ二次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）で測定して、特定式で表される炭酸化強度比（ＲＩ_４００）が０．８以上の範囲である塩素含有重合体用複合安定剤。 - 特許庁

This method for analyzing the sample is characterized by detecting the presence or absence of the formation of the nucleic acid probe-target nucleic acid hybrid product formed in a measurement sample obtained by reacting a sample with the probe carrier by the measurement of a halogen atom labeling the target nucleic acid with a flight time type secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS).例文帳に追加

プローブ担体に試料を反応させた測定用試料に形成された核酸プローブと標的核酸とのハイブリッド体の形成の有無を、標的核酸に標識したハロゲン原子を飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）によって測定することにより検出する。 - 特許庁

In the polymerized toner in which a charging control agent having a halogen group exists on the surface of base particles including a binding resin and calixarene having a halogen group, the ratio of the counted number of halogen ion to the counted number of carbon ion measured by using time-of-flight secondary ion mass spectrometer (TOF-SIMS) is not less than 0.01 and not more than 0.5.例文帳に追加

結着樹脂と、ハロゲン基を有するカリックスアレーンを含む母体粒子の表面に、ハロゲン基を有する帯電制御剤が存在する重合トナーは、飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）を用いて測定される炭素イオンのカウント数に対するハロゲンイオンのカウント数の比が０．０１以上０．５以下である。 - 特許庁

To provide a sample preparation method which includes: simultaneously arranging a mass-axis calibration material and a fragmentation-suppressing substance in a sample surface, while maintaining a sample surface structure; highly efficienciently detecting a sample having a molecular weight of 500 or larger in TOF-SIMS measurements; and accurately determining its precise mass.例文帳に追加

試料表面構造を保ったまま、質量軸校正物質及びフラグメンテーション抑制物質を試料表面に同時に配し、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定において分子量が５００以上の試料を高効率に検出すると同時に、その精密質量を正確に求めることが可能となる試料の作成法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A sample surface roughness and/or an attenuation depth are measured by changing a primary ion incident angle by using incidence energy as a parameter, and, in a range of a domain wherein an incidence energy is high, an incident angle range wherein the sample surface roughness and/or the attenuation depth have each minimal value is found out in the range, and SIMS measurement is performed under this condition.例文帳に追加

入射エネルギーをパラメータとして試料表面粗さ、および／または減衰深さを、一次イオン入射角度を変化させて測定し、入射エネルギー領域が高い領域の範囲において、かつその範囲で試料表面粗さ、および／または減衰深さが極小値をもつ入射角度範囲を見出し、その条件下でＳＩＭＳの測定を行う。 - 特許庁

The tungsten oxide photocatalyst is obtained by depositing an electron attracting substance on a tungsten oxide particle and has 0.038-0.050 strength ratio (M/WO) (wherein M is secondary ionic strength of the electron attracting substance; WO is that of tungsten oxide) when analyzed by time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS).例文帳に追加

本発明の酸化タングステン光触媒体は、酸化タングステン粒子に電子吸引性物質が担持されてなる酸化タングステン光触媒体であって、飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）により分析したときに、電子吸引性物質の二次イオン強度（Ｍ）と酸化タングステンの二次イオン強度（ＷＯ）との強度比（Ｍ／ＷＯ）が０．０３８〜０．０５０である、ことを特徴とする。 - 特許庁

In this analytical method for the composition ratio (x) of a thin-film solid, other secondary signals which are obtained by SIMS at the same time are detected by RBS.例文帳に追加

薄膜固体中に含有する微量成分がホウ素であって、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ法）で前記ホウ素の濃度を定量するに際し、前記薄膜固体中のホウ素総量Ｑ＝膜厚ｔ×ホウ素の膜中濃度ｃ（原子／ｃｍ^2 ）で表され、前記ＳＩＭＳ法の検量線を得るに用いる標準試料が所定の薄膜固体にホウ素を核反応させたものである薄膜固体中のホウ素の定量方法及び同時にＳＩＭＳ法で得られる他の２次信号をＲＢＳで検出して薄膜固体の組成比ｘの分析方法を提供する。 - 特許庁