「Si oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Otherwise, a nanowire having periodically arranged nanodisks or nanodots made of a mixture crystal of Si and Ge is produced by preparing a superlattice nanowire made of an Si crystal and a mixture crystal of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase growth method and controlling the size in a nanometer (nm) scale by using an oxidation concentration method.例文帳に追加

また、気相- 液相- 固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 - 特許庁

The corrosion resistant and oxidation resistant cast alloy has a composition comprising, by weight, 40 to 50% Cr, 10 to 35% Fe and 0.32 to 0.5% Si, and the balance substantially Ni.例文帳に追加

Ｃｒ：４０〜５０ｗｔ％、Ｆｅ：１０〜３５ｗｔ％、Ｓｉ：０．３２〜０．５ｗｔ％、残部実質的にＮｉからなることを特徴とする耐食、耐酸化性鋳造合金。 - 特許庁

Oxidation of Cu in Cu wiring 14 can be prevented by reducing species, and Si in the SiN tin film can be heat-oxidized by such a heat treatment.例文帳に追加

このような熱処理によれば、還元種によってＣｕ配線１４中のＣｕの酸化を防止でき、かつ酸化種によってＳｉＮ薄膜１５中のＳｉを熱酸化できる。 - 特許庁

To provide a method for forming an ohmic electrode on an n-type 4H-SiC substrate by preventing precipitation of Si and C from the substrate, and at the same time preventing oxidation of Ni.例文帳に追加

ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上に、基板からのＳｉ、Ｃの析出を防止すると同時に、Ｎｉの酸化を防止してオーミック電極を形成する方法を提供する。 - 特許庁

A thermal oxidation silicon film (SiO_2) is formed as a gate insulating film on the front surface of a silicon substrate (P-Si) of conductive p-type silicon wafer used as a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極として用いる導電性Ｐ型シリコンウェフアーのシリコン基板（Ｐ−Ｓｉ）の表面に、ゲート絶縁膜として熱酸化シリコン膜（ＳｉＯ_2）を形成する。 - 特許庁

The heat oxidation film is formed at a temperature causing almost no defect of oxygen condensation in the Si substrate, for example, at 104°C or less, preferably between 840 and 1000°C.例文帳に追加

その際に、Ｓｉ基板中に酸素凝結欠陥がほぼ生じない温度、例えば１０４０℃以下、望ましくは８４０〜１０００℃で熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

Ni3(Si, Ti)-BASED INTERMETALLIC COMPOUND EXCELLENT IN OXIDATION RESISTANCE AND CORROSION RESISTANCE, INTERMETALLIC COMPOUND ROLLED FOIL, AND METHOD FOR MANUFACTURING INTERMETALLIC COMPOUND ROLLED FOIL例文帳に追加

耐酸化性及び耐食性に優れたＮｉ３（Ｓｉ，Ｔｉ）系金属間化合物，当該金属間化合物圧延箔，および当該金属間化合物圧延箔の製造方法 - 特許庁

This aluminum alloy for anodic oxidation treatment contains, by weight, 0.1 to 2.0% Si, 0.1 to 3.5% Mg, 0.02 to 4.0% Cu, and the balance Al with impurity elements.例文帳に追加

本発明の陽極酸化処理用アルミニウム合金は、wt％で、Ｓｉ：０．１〜２．０％、Ｍｇ：０．１〜３．５％、Ｃｕ：０．０２〜４．０％、残部Ａｌおよび不純物元素からなる。 - 特許庁

To provide a steel sheet having high Si content, excellent in pickling property and having good surface property, which is obtained by suppressing the grain boundary oxidation of a steel sheet surface layer as much as possible, and to provide a useful method for producing such steel sheets having high Si content.例文帳に追加

鋼板表層部の粒界酸化を極力抑制することによって、酸洗性に優れたものとすると共に、表面性状が良好となる高Ｓｉ含有鋼板、およびそのような高Ｓｉ含有鋼板を製造するための有用な方法を提供する。 - 特許庁

To use as a heating element, a Ta-Si-O ternary alloy thin film resistor which has a self oxidation film good in the energy transmission efficiency to ink and resistant to corrosion, and to prevent a life reduction of a Ta-Si-O system thin film resistor because of cavitation.例文帳に追加

発熱体としてインクへのエネルギ伝達効率が良く腐食に強い自己酸化被膜を有するＴａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜抵抗体を用いると共に、キャビテーションによるＴａ−Ｓｉ−Ｏ系薄膜抵抗体の寿命低下を防止する。 - 特許庁

To provide a coated cutting tool which is capable of improving high hardness unique to Si-containing coating and oxidation resistance and attaining high toughness and high chipping resistance, and which is optimum to high-speed cutting.例文帳に追加

Ｓｉ含有皮膜特有の高硬度及び耐酸化性を更に改善し、かつ、高靭性で耐チッピング性に優れ、高速切削加工に最適である被覆切削工具を提供する。 - 特許庁

In addition, a second side wall composed of an oxidation-resistant film is formed to cover the first side wall, an extremely thin SiO_2 film is not formed in an Si interface in a succeeding process.例文帳に追加

さらに、第１のサイドウォールを覆うように耐酸化性膜からなる第２のサイドウォールが形成されるので、後の工程でＳｉ界面に極薄のＳｉＯ_2膜が形成されることはない。 - 特許庁

Therefore, the role of the original thin Si layer is to use the inner oxidation and subsequently to act as a sacrificial defective sink capable of being consumed during an SiGe alloy being relaxed.例文帳に追加

このため、元の薄いＳｉ層の役割は、内部酸化を使用して後で消費することができる犠牲欠陥シンクとしてＳｉＧｅ合金の緩和中に作用することである。 - 特許庁

A Ge nanowire is produced by growing a mixture crystal nanowire of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase (VLS) growth method and coating the filament with an SiO_2 film by oxidation concentration method.例文帳に追加

気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid: VLS ）成長法により、Ｓｉと Ｇｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ_2 膜で被覆されたＧｅナノ細線 を作製する。 - 特許庁

Further, excellent electrical conductivity and sealing property can be maintained even under an oxidizing service environment by providing this Ag-Si-Ge alloy with a structure where Ag is contained as a matrix phase from a standpoint of electrical conductivity and an Si-Ge solid solution phase having oxidation resistance is dispersed in the Ag matrix phase.例文帳に追加

更に、Ａｇ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金は、導電性の観点からＡｇを母相とし、耐酸化性を有するＳｉ−Ｇｅ固溶相がAg母相に分散されている組織とすることで酸化性使用環境下においても良好な導電性とシール性を維持することができる。 - 特許庁

The titanium alloy superior in corrosion resistance and high-temperature oxidation resistance includes, by mass, 0.30% to 1.50% Al and 0.10% to 1.0% Si while preferably controlling the atomic ratio of Si/Al to 1/3 or larger, and further preferably includes 0.1% to 0.5% Nb.例文帳に追加

質量基準でＡｌ：０．３０％以上１．５０％以下、Ｓｉ：０．１０％以上１．０％以下を、好ましくはＳｉ／Ａｌの原子比で１／３以上含み、更に好ましくは、Ｎｂ含量が０．１％以上０．５％以下である、耐食性と耐高温酸化性に優れたチタン合金を開示する。 - 特許庁

To provide a method for producing a metallic sintered body by which, at the time of degreasing and baking compacts of different kinds of metal having a difference in the contents of Si, the oxidation of the metallic compact small in the Si content can be prevented, and a metallic sintered body excellent in surface sinterability and corrosion resistance can be produced.例文帳に追加

Ｓｉの含有量に差がある異種金属成形体の脱脂，焼成時に，Ｓｉ含有量が少ない金属成形体の酸化を防止し，表面焼結性及び耐腐食性に優れた金属焼結体を製造することができる，金属焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a slurry composition suitable for producing a Si3N4 ceramic, in which dispersibility and resistance to oxidation of an Si powder in water is improved and the Si powder fine and low in oxygen content and the powder of a sintering aid are dispersed uniformly, and to provide a method of producing the same in a low cost.例文帳に追加

水中でのＳｉ粉末の分散性と耐酸化性を改善し、微細で酸素量の少ないＳｉ粉末と焼結助剤粉末が均一に分散した、Ｓｉ_３Ｎ_４セラミックスの製造に適したスラリー状組成物、及びその安価な製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of this lithium secondary battery electrode comprises a process of forming an oxidation film 11 by carrying out oxidation treatment on the surface of a current collector 10 made of copper and then a process of forming an active material layer 12 made of Si on the current collector 10 by using a sputter method.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、銅からなる集電体１０の表面を酸化処理することによって、酸化膜１１を形成する工程と、その後、スパッタ法を用いて、集電体１０上に、Ｓｉからなる活物質層１２を形成する工程とを含んでいる。 - 特許庁

An insulation film (a gate oxide film) is formed on the surface of a monosrystal layer of Si, Ge, or the like comprising not less than two kinds of semiconductor on the semiconductor wafer by thermal oxidation in an atmosphere including reducer and oxidizing agent as oxidation species to the monocrystal layer.例文帳に追加

また、半導体基板上の２種類以上の半導体からなるＳｉＧｅなどの単結晶層の表面上に前記単結晶層に対する酸化種として還元剤及び酸化剤を含む雰囲気による熱酸化によって絶縁膜（ゲート酸化膜）を形成する。 - 特許庁

When the anisotropic etching is applied, OSF (oxidation-induced stacking faults) of OSF density 2×10^4 pieces/cm^2 or more and the OSF length 2 μm or more is made to exist on the rear surface of the Si substrate 1.例文帳に追加

異方性エッチングを行う際、Ｓｉ基板１の裏面に、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）をＯＳＦ密度２×１０^4個／ｃｍ^2以上、かつＯＳＦ長さを２μｍ以上で存在させておく。 - 特許庁

To provide a ferritic stainless steel which is excellent in long-time oxidation resistance in spite of a low Si content, allows the reduction of Mn entailing the degradation in workability and is excellent in high-temperature strength.例文帳に追加

Ｓｉ含有量が低くても長時間の耐酸化性に優れ、しかも加工性の低下を招くＭｎを低減することができる高温強度に優れるフェライト系ステンレス鋼を提供する。 - 特許庁

In a film formation method for forming a silicon oxide film on the processing object W whose metal surface has been exposed within the processing container 22 for vacuum treatment, an Si-contained gas supply process for supplying Si-contained gas to the above processing container 22, and an oxidation-reduction supply process for simultaneously supplying oxide gas and oxidation-reduction gas to the above processing container 22, are alternately executed intermittently.例文帳に追加

真空引き可能になされた処理容器２２内で金属の表面が露出している被処理体Ｗにシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、前記処理容器２２内へＳｉ含有ガスを供給するＳｉ含有ガス供給工程と、前記処理容器２２内へ酸化性ガスと還元性ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程とを、間欠的に交互に繰り返し行うようにする。 - 特許庁

A side wall 119A is left on the side wall of an opening part by ansotropically etching (RIE) a TEOS silicon oxidation film 117, a spacer 119B is formed on a level difference part between the gate part of a MOS transistor and a Poly-Si film, and further the Poly-Si film 120 is accumulated on the whole face.例文帳に追加

ＴＥＯＳシリコン酸化膜１１７を異方性にエッチング（ＲＩＥ）することにより、開口部の側壁にサイドウォール１１９Ａを残すように、また、ＭＯＳトランジスタのゲート部とＰｏｌｙ−Ｓｉ膜との段差部にスペーサ１１９Ｂの形成を行い、さらに全面にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１２０を堆積させる。 - 特許庁

Further, the oxidation resistance is raised at the higher temperature than 850°C etc., exceeding 800°C of the titanium alloy by suitably adding composite addition of Nb, Mo, Cr and Si, coarsening of equiaxed crystal grains, acicular structurizing, thickening of titanium alloy maximum front face Si, and means for reducing impurities, such as copper, oxygen and carbon is improved.例文帳に追加

更に、Ｎｂ、Ｍｏ、ＣｒのＳｉとの複合添加、等軸結晶粒の粗大化、針状組織化、チタン合金最表面Ｓｉの濃化、銅、酸素、炭素などの不純物の低減などの手段を適宜付加して、チタン合金の８００℃を越える８５０℃などより高温での耐高温酸化性を向上させる。 - 特許庁

The effective refractive index of the probe can be controlled, by adjusting the treatment time of thermal oxidation, while making the shape of the probe made of Si prepared at first or the film thickness of the silver coating on the probe constant to change the ratio of the Si layer to the SiO_2 layer, and ultimately the plasmon resonance wavelength of the probe can be adjusted continuously.例文帳に追加

最初に用意するＳｉ製のプローブの形や銀コートの膜厚を一定としつつ、熱酸化の処理時間を調整してＳｉ層とＳｉＯ_２層の比を変化させることで、プローブの実効的屈折率が制御可能となり、最終的にプローブのプラズモン共鳴波長を連続的に調整可能となる。 - 特許庁

On a first surface of a Si wafer 1, a pad oxide film 4 and a nitride film 5 are laminated successively, field oxidation is formed between the etched nitride films 5 to form a field oxide film 6, and on a second surface of the Si wafer an oxide film 2, a polysilicon film 3, a pad oxide film 4 and a nitride film 5 are laminated successively.例文帳に追加

シリコンウェハ１の第１の面側においては、パッド酸化膜４及び窒化膜５を順次積層し、エッチングされた窒化膜５間をフィールド酸化させてフィールド酸化膜６を形成し、シリコンウェハの第２の面側には、酸化膜２とポリシリコン膜３とパッド酸化膜４と窒化膜５とを順次積層する。 - 特許庁

Surface oxidation process is carried out in weak oxidizing atmosphere of steam, or the like, to oxide Si selectively thus forming a thin oxide film of high electric resistance, which is then further calcinated in weak oxidizing atmosphere.例文帳に追加

表面酸化工程を水蒸気等の弱酸化性雰囲気中で行なうことでＳｉを選択的に酸化させた高電気抵抗の薄い酸化膜を形成し、さらに弱酸化性雰囲気中で焼成する。 - 特許庁

Since gasification of the oxidizing agent stops when the pressure reaches the saturation vapor pressure at the current temperature, no rapid gasification of the oxidizing agent is caused and oxidation of boron in Si by the oxidative gas stably proceeds.例文帳に追加

酸化剤のガス化は、その温度での飽和蒸気圧に達した時点で停止するので、それ以降、酸化剤の急速なガス化は発生せず、酸化性ガスによるＳｉ中のホウ素酸化は安定して進行する。 - 特許庁

By using the microarc oxidation treatment, when aluminum alloy including Si is used as the base material 12, the dense oxide film 13 with a thickness of 5 to 20 μm capable of suppressing an increase in the crystal defect therein can be formed, even if Si is crystallized out.例文帳に追加

マイクロアーク酸化処理を用いることによって、基材１２に例えばＳｉが含まれたアルミニウム合金を用いた場合に、Ｓｉが晶出状態となっていても、このＳｉによってこの酸化皮膜１３の結晶欠陥が増加するのを抑制可能な、５μｍ以上２０μｍ以下の厚みの緻密な酸化被膜１３を形成することが可能になる。 - 特許庁

A production method for a liquid ejection head in which a boron doped layer is formed on a Si substrate 1 and the boron doped layer 103 is formed as a vibration plate 11, includes, after a vibration plate 11a is formed, a step of forming thermally-oxidized film 106 on the Si substrate 1 by thermal oxidation, and a step of peeling off the thermally-oxidized film 106 by etching.例文帳に追加

Ｓｉ基板１にボロンドープ層を形成し、該ボロンドープ層１０３を振動板１１として形成する液体吐出ヘッドの製造方法において、振動板１１ａを形成した後、該Ｓｉ基板１に熱酸化により熱酸化膜１０６を形成する工程と、前記熱酸化膜１０６をエッチングにより剥離する工程とを有する。 - 特許庁

A steel member consisting mainly of Fe and containing elements such as Al and Si which are stronger in oxidation tendency than Fe is exposed to a treatment atmosphere forming a reducing atmosphere for Fe and an oxidizing atmosphere for Al, Si and the like, and an oxide film of the elements is deposited on a surface of the steel member.例文帳に追加

Ｆｅを主成分として含有し、添加元素成分として、Ｆｅよりも酸化傾向の強い、ＡｌやＳｉ等の元素を含有する鉄鋼部材を、Ｆｅに対しては還元性雰囲気となり、ＡｌやＳｉ等に対しては酸化性雰囲気となる処理雰囲気にさらして、鉄鋼部材の表面に前記元素の酸化物膜を生成させる。 - 特許庁

By the action of Se, Sb, Zn and Ba, the concentration of easily oxidizable elements such as Si and Mn onto the surface of the steel sheet caused by selective oxidation upon annealing is suppressed, and the reduction of its plating properties and alloying treatability is prevented.例文帳に追加

鋼板表面に濃化しやすいＳｅ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂａの作用により、Ｓｉ、Ｍｎなどの易酸化性元素の焼鈍時の選択酸化による鋼板表面への濃化が抑制され、めっき性や合金化処理性の低下が防止される。 - 特許庁

A carbon fiber reinforced SiC composite material comprises using a Si-SiC composite material or a SiC composite material as a substrate and at least forming an oxidation resistant layer comprising a phosphate on a surface layer portion of the substrate.例文帳に追加

基材としてＳｉ−ＳｉＣ系複合材料またはＳｉＣ系複合材料を用い、同基材の少なくとも表層部にリン酸塩からなる耐酸化性層を形成させた炭素繊維強化ＳｉＣ系複合材料により達成。 - 特許庁

To provide a high temperature oxidation-resistant material and a heating element material, each of which comprises a base material consisting of or consisting essentially of MoSi2 excellent in embrittlement resistance and durability, by controlling minute contents of free Si and Mo5Si3.例文帳に追加

微量のフリーＳｉ及びＭｏ_５Ｓｉ_３の含有量を制御することにより、耐脆化性及び耐久性に優れたＭｏＳｉ_２基材又はＭｏＳｉ_２を主成分とする基材からなる耐酸化材料及び発熱材料を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with an active region 12A, composed of GaN based semiconductor grown on a substrate 11 composed of Si, and an insulating oxide film 12B which is formed through oxidation of the GaN based semiconductor and arranged around the active region 12A.例文帳に追加

半導体装置は、ＳｉＣからなる基板１１上に成長したＧａＮ系半導体からなる活性領域１２Ａと、該活性領域１２Ａの周囲にＧａＮ系半導体が酸化されてなる絶縁酸化膜１２Ｂとを有している。 - 特許庁

The long stopper 1 for casting is integrally formed with an isostatic press-forming method by using SiC-C-Si-glassy material excellent in the oxidation resistance as the material for the part 2 not immersed into the molten metal and alumina-graphite as the material for a part 3 immersed into the molten metal.例文帳に追加

鋳造用ロングストッパー１は、金属溶湯非浸漬部２の材質を耐酸化性に優れたＳｉＣ−Ｃ−Ｓｉ−ガラス質とし、金属溶湯浸漬部３の材質をアルミナ黒鉛質として、アイソスタティックプレス成形法により一体成形する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a catalyst for removing NOx (nitrogen oxide) capable of preparing a catalyst having high heat-resistance by preventing the sintering of TiO_2, suppressing oxidation activity of SO_2 to SO_3, and providing high denitration activity with easier Ti-Si ratio control and higher bondability and strength compared with a conventional technology, with a simplest possible method without applying complicated manufacturing processes.例文帳に追加

TiO_2のシンタリングを防止して高い耐熱性と、SO_2のSO_3への酸化活性を抑え、かつ高い脱硝活性を得ることができる触媒を、従来よりもTi-Si比のコントロールが容易で、かつ結合性の高い高強度の触媒を、複雑な製造工程を経ることなく、できるだけ簡単な方法で調製可能な窒素酸化物除去用触媒の製造法を提供する。 - 特許庁

The copper powder, which is used as a conductive filler for a conductive paste and excellent in oxidation resistance and sinterability, is characterized in that it contains 5 wt.% or lower Si, that substantially all the Si is adhered, as an SiO_2-based gel coating film, to the surfaces of copper particles, and that the SiO_2-based gel coating film contains at least one glass-forming component.例文帳に追加

導電ペーストの導電フイラーに用いる銅粉において，５重量％以下のＳｉを含有し，そのＳｉの実質上全てがＳｉＯ_２系ゲルコーティング膜として銅粒子表面に被着しており，このＳｉＯ_２系ゲルコーティング膜に少なくとも１種のガラス形成性成分が含まれていることを特徴とする耐酸化性および焼結性に優れた導電ペースト用銅粉である。 - 特許庁

Regarding the copper powder used for an electrically conductive filler in electrically conductive paste having excellent oxidation resistance and sinterability, Si is comprised by ≤5 wt.%, substantially all the Si is deposited on the surfaces of copper particles as an SiO_2-based gel coating film, and at least one of glass formable component is comprised in the SiO_2-based gel coating film.例文帳に追加

導電ペーストの導電フィラーに用いる銅粉において，５重量％以下のＳｉを含有し，そのＳｉの実質上全てがＳｉＯ_2系ゲルコーティング膜として銅粒子表面に被着しており，このＳｉＯ_2系ゲルコーティング膜に少なくとも１種のガラス形成性成分が含まれていることを特徴とする耐酸化性および焼結性に優れた導電ペースト用銅粉である。 - 特許庁

To provide a fiber-reinforced ceramic composite material composed of an Si-N-B-C quaternary ceramic having amorphous structure even at a high temperature of ≥1,800°C and oxidation resistance at ≥1,700°C as a parent phase ceramic, and a process for producing the same.例文帳に追加

本発明は、１８００℃以上の高温でも非晶質構造を有し、また１７００℃以上の温度で耐酸化性であるＳｉ−Ｎ−Ｂ−Ｃ四元系セラミックスを母相セラミックスとする繊維強化セラミックス基複合材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Grooves on the outer periphery of a pair of mutually opposing sides of the element forming region for forming at least a transistor provided on an Si base semiconductor substrate are buried completely by a thermal oxidation film, in a degree that the compression stress is impressed in a uniaxial direction in the surface.例文帳に追加

Ｓｉ系半導体基体に設けた少なくともトランジスタを形成する素子形成領域の一対の互いに対向する辺の外周に設けた溝を面内の１軸方向に圧縮応力が印加される程度に熱酸化膜で完全に埋め込む。 - 特許庁

The barrier film having high oxidation resistance under a high temperature and high humidity environment, few pinholes, and high optical transmittance is provided by including at least one layer of a silicon nitride film in which two or more silicon nitride films having different compositional ratios of Si/N are stacked.例文帳に追加

バリア膜がＳｉ／Ｎ組成比が異なる窒化シリコン層を２層以上積層した窒化シリコン膜を少なくとも１層含むことにより、高温高湿環境下での耐酸化性が高く、ピンホールが少なく、かつ光学透過率が高いバリア膜を提供することができる。 - 特許庁

The heat oxidation film is formed in such a condition so as to suppress the growth of oxygen condensation in the Si substrate to a degree that no problem occurs in an actual processing, thereby precisely forming a three-dimensional shape by an anisotropic etching using KOH.例文帳に追加

このような条件で熱酸化膜を形成することによって、Ｓｉ基板中の酸素凝結欠陥の成長を実際の加工に支障のない程度まで抑制し、ＫＯＨによる異方性エッチングにより精度よく３次元形状を形成することができる。 - 特許庁

The methods includes the steps of: preparing an iron-manganese-aluminum-silicon-carbon (Fe-Mn-Al-Si-C)-based alloy in an argon atmosphere so as to minimize oxidation; casting the (Fe-Mn-Al-Si-C)-based alloy using near-net shape casting, wherein a cast has a shape of the compressor article; and performing post-casting finishing, thereby forming the compressor article.例文帳に追加

鉄−マンガン−アルミニウム−ケイ素−炭素（Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ）基合金をアルゴン雰囲気内で溶解して、酸化を最少とするように準備するステップと、Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ基合金を圧縮機物品の形状を有する鋳造品にニアネットシェイプ鋳造プロセスを利用して鋳造するステップと、鋳造後仕上げ加工を行って、圧縮機物品を形成するステップとを含む。 - 特許庁