「Si oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

COMPOSITE MATERIAL IMPREGNATED WITH HIGHLY OXIDATION RESISTANT SI AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

高耐酸化性Ｓｉ含浸複合材料およびその製造方法 - 特許庁

Thereafter, a thermal oxide film is formed within the cavity with thermal oxidation of the Si substrate 1 (BOX oxidation method).例文帳に追加

その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部内に熱酸化膜を形成する（ＢＯＸ酸化工程）。 - 特許庁

The oxidation-resistant coating method for a carbon/carbon composite material comprises (a) the step of coating the carbon/carbon composite material with Si and (b) the step of thermally treating the applied Si to impregnate it into the composite material to form a SiC layer and a Si layer successively.例文帳に追加

(a)炭素/炭素複合材料上にSiを塗布する工程、及び(b)塗布されたSiを熱処理して、前記複合材料にSiを含浸させることにより、SiC層とSi層を順次形成する工程を含む炭素/炭素複合材料の耐酸化コーティング方法。 - 特許庁

An Nb-Al-Si intermetallic compound containing 20 atomic % Al and 47 atomic % Si, forming a dense alumina protective film on the surface in a high temperature atmosphere and excellent in oxidation resistance, is obtained.例文帳に追加

Alを20原子%、Siを47原子%含有し、高温大気中において表面に緻密なアルミナ保護膜を形成し、耐酸化性に優れるNb-Al-Si系金属間化合物を得る。 - 特許庁

To prevent the spread of oxidation up to an SiC substrate for thermal oxidation of Si deposited on the SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板上に堆積したＳｉを熱酸化する際に、ＳｉＣ基板にまで酸化が及ぶのを防ぐ。 - 特許庁

An SiO_2 film 2 is formed as a thermal oxidation film on the surface of an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面に熱酸化膜としてＳｉＯ_2膜２を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, A heat oxidation film serving as an etching mask is formed for an Si substrate having <100> crystal orientation.例文帳に追加

＜１００＞Ｓｉ基板に対して、エッチングマスクとなる熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

As a result, the upper surface edge part of the Si layer 2 can be oxidized without causing oxidation of a lower surface edge part of the Si layer 2.例文帳に追加

これにより、Ｓｉ層２の下面エッジ部の酸化を伴うことなくＳｉ層２の上面エッジ部を酸化することができる。 - 特許庁

To provide an Mo-Si-B alloy which has excellent oxidation resistance at high temperatures.例文帳に追加

高温において優れた耐酸化性を有するＭｏ−Ｓｉ−Ｂ合金を提供する。 - 特許庁

Since an Si rich silicon oxide film is employed, voids are extinguished, the SiO2 film is protected against cracking due to contraction during oxidation and the Si substrate is protected against eneration of defect due to expansion.例文帳に追加

Ｓiリッチなシリコン酸化膜とすることにより、ボイドを消滅させ、酸化時の収縮によるSiO_2膜のクラックや、膨張によるSi基板への欠陥発生を防止する。 - 特許庁

An amorphous Si film 4 is formed on a first SiO2 film 3 formed by thermal oxidation on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板１上の、熱酸化によって形成された第１のＳｉＯ_２膜３上に、非晶質Ｓｉ膜４を形成する。 - 特許庁

An SiO2 film 12 is formed on the surface of an Si substrate 10 by performing a thermal oxidation treatment.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の表面に、ＳｉＯ_2 膜１２が熱酸化処理によって形成されている。 - 特許庁

Therefore, the scale-down of the HSG-Si 15a can be prevented, because the erosion of Si by the Cl radical can be suppressed and, at the same time, the accelerated oxidation of the Si may not be caused.例文帳に追加

これにより、ＣｌラジカルによるＳｉの浸蝕が抑制されるとともにＳｉの増速酸化が生じることがなく、ＨＳＧ−Ｓｉ１５ａの縮小化を防止することができる。 - 特許庁

(2) In the manufacturing process of the Si chip 2, the Si chip 2 is formed by subjecting a silicon wafer acquired by the preceding process to each process such as etching, oxidation, diffusion, CVD or ion implantation.例文帳に追加

（２）Ｓｉチップ２の製造工程では、シリコンウェーハに、前工程により、エッチング、酸化、拡散、ＣＶＤ、イオン注入、等の工程を経て形成する。 - 特許庁

Contamination and the surface oxidation of the a-Si film 13a are prevented, and the characteristics of the TFT using a p-Si film obtained by crystalizing the film are stabilized.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ膜13aの汚染や表面酸化が防止され、これを結晶化して得られたｐ−Ｓｉ膜を用いたＴＦＴの特性が安定化する。 - 特許庁

An extremely thin oxide film 2 is formed by subjecting a surface of an Si substrate 1 to thermal oxidation (refer to Fig.(a) and (b)).例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面を熱酸化して極薄の酸化膜２を形成する（図(a) 及び(b) 参照）。 - 特許庁

Thereafter, thermal oxidation of the Si substrate 1 forms a thermally-oxidized film each in the cavities 25 and 27.例文帳に追加

その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部２５、２７内にそれぞれ熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

Further, oxidation for rounding the upper surface edge of the Si layer 2 is carried out in the state that the upper surface edge of the Si layer 2 is exposed, and the lower surface edge of the Si layer 2 is covered with the side wall 18.例文帳に追加

さらに、Ｓｉ層２の上面エッジ部を丸めるための酸化を、Ｓｉ層２の上面エッジ部を露出させ，Ｓｉ層２の下面エッジ部をサイドウォール１８によって覆った状態で行なう。 - 特許庁

To provide the material composed of an Nb-Al-Si intermetallic compound excellent in oxidation resistance at a high temperature of 1,300°C and applicable as the structural material for high temperature use or the coating material for the conventional Nb base alloy inferior in oxidation resistance.例文帳に追加

1300℃の高温において耐酸化性に優れるNb-Al-Si系金属間化合物で、高温用構造材料あるいは耐酸化性に劣る従来のNb基合金のコーティング材として適用できる材料を提供する。 - 特許庁

To provide an Si-SiC sintered compact hardly causing deterioration, damage or the like due to oxidation even in a thickened shape.例文帳に追加

肉厚形状にしても、酸化劣化、破損等が生じ難いＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a structure 60 obtained by retreating the Si substrate 50 and the Poly-Si 54 by wet etching is mounted on another Si substrate 62 and an SiO_2 film 64 is grown by thermal oxidation.例文帳に追加

次にＳｉ基板５０とＰｏｌｙ−Ｓｉ５４とをウェットエッチングにより後退させてできた構造体６０を別のＳｉ基板６２に乗せ、熱酸化処理を施すことによりＳｉＯ_２膜６４を成長させる。 - 特許庁

Finally, the SiGe layer 3 is etched through the opening surface H to form a cavity between the Si layer 5 and the Si substrate 1 and a thermal oxidation film is formed in the cavity.例文帳に追加

その後、開口面Ｈを介してＳｉＧｅ層３をエッチングして、Ｓｉ層５とＳｉ基板１との間に空洞部を形成し、空洞部内に熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

That is, a HD plasma oxidation process is performed, produces reactive oxygen species, removes Si-C couplings of the SiC substrate, and forms free atoms Si and C on the SiC substrate.例文帳に追加

つまり、ＨＤプラズマ酸化プロセスは実行され、反応酸素種を生成し、ＳｉＣ基板のＳｉ—Ｃ結合をはずし、ＳｉＣ基板に遊離原子ＳｉおよびＣを形成する。 - 特許庁

The electrode material has excellent resistance to oxidation at high temperatures achieved by containing Y to inhibit the growth of grains at high temperatures, reducing Al and Si to inhibit the expansion, cracking, and peeling of an oxide layer, and containing Ti to inhibit internal oxidation.例文帳に追加

この電極材料は、Yの含有による高温下での粒成長の抑制、Al,Siの低減による酸化物層の膨張・亀裂・剥離の抑制、かつTiの含有による内部酸化の抑制などにより、耐高温酸化性に優れる。 - 特許庁

A thermally oxidized SiO_2 film 22 is formed on the front and rear of the (110) Si single crystal substrate 21 using a thermal oxidation method.例文帳に追加

次に、熱酸化法を用いて、（１１０）Ｓｉ単結晶基板２１の表裏に熱酸化ＳｉＯ_2膜２２を形成する。 - 特許庁

The support film 14 is a SiO_2 thin film formed by thermal oxidation on an upper portion of an n-type substrate 10a (Si monocrystal).例文帳に追加

支持膜１４は、ｎ基板１０ａ（Ｓｉ単結晶）の上方に熱酸化により形成されたＳｉＯ_2薄膜である。 - 特許庁

A surface-modified film 15 (SiO_2 heat-oxidized film) is formed on the surface of the Si substrate 12 by heat oxidation etc.例文帳に追加

Ｓｉからなる基板１２の表面に熱酸化等により表面改質膜１５（ＳｉＯ_２熱酸化膜）が形成される。 - 特許庁

Oxidation is performed in the state that an upper surface edge part of the Si layer 2 is exposed by eliminating the side wall 8.例文帳に追加

そして、ダミーサイドウォール８を取り除くことによってＳｉ層２の上面エッジ部を露出させた状態で酸化を行う。 - 特許庁

Soft magnetic alloy powder essentially comprised of iron and comprising a second element having oxidation reactivity higher than that of iron such as Si is used.例文帳に追加

鉄を主成分とし、Ｓｉ等の鉄よりも酸化反応性の高い第２の元素を含有する軟磁性合金粉末を用いる。 - 特許庁

The intergranular oxidation due to Ni is prevented by the addition of a specified amount of Si of Cr according to the Ni and Cu concentrations.例文帳に追加

ＮｉおよびＣｕ濃度に応じてＳｉもしくはＣｒを所定量添加することによってＮｉによる粒界酸化を抑制する。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the Si substrate is thermally oxidized by RTO method as oxidation of a base to form a silicon oxide film (step S2).例文帳に追加

その後、下地酸化として、Ｓｉ基板の表面をＲＴＯ法により熱酸化することにより、シリコン酸化膜を形成する（ステップＳ２）。 - 特許庁

A cermet thin film 1 wherein Pt particles are dispersed in SiO_2 is formed as an oxidation prevention layer on the uppermost Si layer 2.例文帳に追加

最上層のＳｉ層２の上に、酸化防止層として、ＳｉＯ_２中にＰｔ微粒子を分散させたサーメット薄膜１を形成する。 - 特許庁

Oxidation of an Si substrate 5 is not carried out in a process, before a gate insulating film 3 is formed on the Si substrate 5; and when an oxide film is necessary, it is formed by a CVD method or a PVD method.例文帳に追加

Ｓｉ基板５上にゲート絶縁膜３を形成する前の工程でＳｉ基板５の酸化を行わず、酸化膜が必要な場合はＣＶＤ法又はＰＶＤ法により成膜する。 - 特許庁

To obtain an Si dispersed vitreous carbon material provided with a composite structure, in which Si is uniformly distributed as a continuous phase in the structure and having excellent chemical stability such as oxidation resistance or plasma resistance.例文帳に追加

組織中にＳｉが連続相として均一に分布した複合組織構造を備え、耐酸化性や耐プラズマ性などの化学的安定性に優れたＳｉ分散ガラス状カーボン材を提供する。 - 特許庁

Consequently, the deformation of the lower surface edge of the Si layer 2 due to the oxidation hardly occurs, so that generation of leakage current caused by the defect generated by the deformation of the lower surface edge of the Si layer 2 can be suppressed.例文帳に追加

そのため、Ｓｉ層２の下面エッジ部の酸化による変形が起こりにくくなり、Ｓｉ層２の下面エッジ部が変形して欠陥が生じることによるリーク電流の発生を抑制できる。 - 特許庁

According to the oxidation step, the fine buried porous layer is changed into a buried oxide layer, and the coarse upper surface layer is fused into a solid Si containing over-layer due to surface migration of Si atoms.例文帳に追加

続く酸化ステップにより、この微細な埋め込み多孔質層は埋め込み酸化膜に変えられ、粗い上面層は、Ｓｉ原子の表面マイグレーションによって固体のＳｉ含有オーバ層に融合する。 - 特許庁

In a manufacturing process of a microelectromechanical device, after forming a groove 20 as a gap by applying a processing using photolithography and etching to the resonator 22 and an Si layer as an electrode 21, the pair of thermal oxidation films 5, 5 of Si are formed on the opposite surfaces of the groove 20 by applying thermal oxidation treatment to the Si layer.例文帳に追加

本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造工程においては、共振子２２と電極２１となるＳｉ層に対し、フォトリソグラフィとエッチングを用いた加工を施して、ギャップとなる溝２０を形成した後、該Ｓｉ層に対し、熱酸化処理を施して、溝２０の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜５、５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, capable of reducing the surface roughness of the principal surface of a strained Si layer provided on the principal surface of a strain-relaxing SiGe layer while suppressing differences due to positions in the rate of oxidation from surfaces of a Si-SiGe stack caused by heat treatment in an oxidation atmosphere.例文帳に追加

酸化雰囲気での熱処理によるＳｉ−ＳｉＧｅ積層体の表面からの酸化速度の位置による差異を抑えつつ、歪緩和ＳｉＧｅ層の主表面に設けられた歪みＳｉ層の主表面の表面粗さを小さくできる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Hereby, there formed is a first Si oxidation layer 4 above the SiC layer 2 where the rate of content of SiO_2 is about 90%.例文帳に追加

これにより、ＳｉＣ層２の上部にＳｉＯ_２の含有率が９０％程度存在している第１のＳｉ酸化層４が形成される。 - 特許庁

The silicon oxidation hydride film has an Si-OH bond, and the ratio of hydrogen atoms contained in the film is set at 0.5 to 7 atomic percent.例文帳に追加

水素化酸化珪素膜はＳｉ−ＯＨ結合を有し、膜中に含まれる水素原子の割合が０．５〜７原子パーセントの範囲とされている。 - 特許庁

The SiOx film composition is obtained by subjecting low carbon Si-added steel to high temperature oxidation in the temperature range of 800 to 1,200°C, and dissolving the produced oxide in an organic solvent based dissolution solution comprising a halogen simple substance and a halide.例文帳に追加

低炭素Si添加鋼を800〜1200℃の温度範囲内で高温酸化し、生成した酸化物をハロゲン単体及びハロゲン化物を含んだ有機溶媒系溶解液中に溶解して得られることを特徴とする。 - 特許庁

A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁

To provide an Si-containing glassy carbon material having a homogeneous and dense composite texture structure containing Si uniformly distributed in the texture as a continuous phase and having excellent chemical stability such as oxidation resistance and plasma resistance.例文帳に追加

組織中にＳｉが連続相として均一に分布した均質緻密な複合組織構造を備え、耐酸化性や耐プラズマ性などの化学的安定性に優れたＳｉ含有ガラス状カーボン材を提供する。 - 特許庁

After an n+-type region 16b of a gate electrode 11 and a Poly-Si layer 16 is formed, thermal oxidation is carried out and an oxidized film 12 is formed.例文帳に追加

ゲート電極１１及びＰｏｌｙ−Ｓｉ層１６のうちのｎ^+型領域１６ｂを形成したのち、熱酸化を施して酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

An SiO2 film 3 of 100 Å or more thickness is formed on an Si substrate 2 by thermal oxidation, and a ZnO film 4 is c-axis-orientated thereon.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の上に熱酸化によりＳｉＯ_2膜３を１００Å以上の厚みに形成し、その上にＺｎＯ膜４をｃ軸配向させる。 - 特許庁