「Sion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

I love you, sion.例文帳に追加

愛してるわ 紫苑 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Finally, the mask layer and SiON layer are removed.例文帳に追加

最後に、SiON層とマスク層を除去する。 - 特許庁

Sion, do you regret it?例文帳に追加

シオン 後悔してるのか - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

METHOD OF LAMINATING SiON FILMS例文帳に追加

ＳｉＯＮ膜の積層方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING SiON FILM AND SiON FILM FORMING DEVICE例文帳に追加

ＳｉＯＮ膜の形成方法及びＳｉＯＮ膜形成装置 - 特許庁

Next, Oxide spacers are formed on sidewalls of the SiON layer and the mask layer.例文帳に追加

次に、酸化スペーサをSiON層とマスク層の側壁に形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SiON THIN FILM例文帳に追加

ＳｉＯＮ薄膜の製造方法 - 特許庁

Sion, are you two always like this?例文帳に追加

お前 いつも こんな調子なのか? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

I want you to stay sion.例文帳に追加

あんたは紫苑のままでいてほしい - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

I want you to stay sion.例文帳に追加

あんたは 紫苑のままでいてほしい。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

But I don't want you to change, sion.例文帳に追加

でも あんたには 変わってほしくない。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

METHOD FOR FABRICATING PE-SION THIN FILM例文帳に追加

ＰＥ−ＳｉＯＮ薄膜の製造方法 - 特許庁

"Himizu" was directed by Sono Sion. 例文帳に追加

｢ヒミズ｣は園(その)子(し)温(おん)さんが監督した。 - 浜島書店 Catch a Wave

The gap layer 18 is formed by using a SiON film.例文帳に追加

ギャップ層１８を、ＳｉＯＮ膜で形成する。 - 特許庁

She suddenly disappeared one day, just as sion did.例文帳に追加

紫苑と同じように ある日 突然 いなくなった - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The shielding film 12 is made of an insulative material having high resistance such as SiN, TiO2 or SiON, wherein gas such as H2O or O is discharged in a small quantity.例文帳に追加

遮蔽膜12は絶縁性・高抵抗のSiN,TiO_2, SiON等の材料からなり、H_2O やＯ等のガスの放出が少ない。 - 特許庁

A FSG film 6 sandwiched between a SiON film 5 (upper) and a SiON film 7 (lower) is used instead of single FSG film 6.例文帳に追加

ＦＳＧ膜６単体の代わりに、ＦＳＧ膜６の上下をＳｉＯＮ膜５，７で挟んだものを使用する。 - 特許庁

A HfSiO film 104 is formed by sputtering a Hf metal film 103 on a SiO_2 film (or a SiON film) 102 on a Si wafer 101.例文帳に追加

Si基板101上のSiO_2膜（又はSiON膜）102上にHf金属膜103をスパッタし、それを熱酸化処理してHfSiO膜104を形成する。 - 特許庁

An M-SiN or M-SiON CVD such as HfSiO_2 is used to form a highly dielectric gate dielectric film (106).例文帳に追加

HfSiO_2などのM-SiN又はM-SiONのＣＶＤによって高誘電率ゲート誘電体膜（１０６）を形成する方法が開示される。 - 特許庁

To facilitate holding/controlling of neutral steering and prevent abra sion of a synchromesh, for prolong the service life for an automatic transmis sion.例文帳に追加

自動変速装置においてニュートラルの保持制御を容易にするとともに、シンクロの摩耗を防止して寿命を長くすること。 - 特許庁

An SiON film is used as a base insulation film for plasma nitrization.例文帳に追加

プラズマ窒化を行うベース絶縁膜としてＳｉＯＮ膜を用いる。 - 特許庁

The SiON layer and the mask layer are patterned to form an opening, exposing a substrate region on which a shallow trench isolation region is formed.例文帳に追加

SiON層とマスク層は所定パターンに定義されて開口が形成され、基板領域を露出して、シャロートレンチ分離領域を形成する。 - 特許庁

An SiON film (gate insulation film) 3 having a thickness of 3.0 nm is formed and then an ultraviolet light irradiation process is performed in which ultraviolet light having energy larger than the band gap of the insulation film 3 is applied to the SiON film 3 to generate electrons in the insulation film 3 to join the electrons to immobile positive charges in the insulation film 3.例文帳に追加

厚さ3.0nmのSiON膜（ゲート絶縁膜）３を形成し、次いで、絶縁膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有する紫外光を、SiON膜３に照射して、絶縁膜中に電子を発生させて絶縁膜中の非移動性の正電荷と結合させる紫外光照射工程を行う。 - 特許庁

Next, a liner oxide layer is formed on the surface of the trench by thermal oxidation such that the linear oxide layer near the SiON layer is in a bird's beak form.例文帳に追加

次に、線形パッド酸化層を熱酸化により、トレンチの表面に形成し、線形パッド酸化層を、SiON層近くでクチバシ型に形成する。 - 特許庁

In the process for forming the sharp corner-free shallow trench isolation structure, first, an SiON layer and a mask layer are successively formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

シャープコーナーのないシャロートレンチ素子分離構造の製造工程では、先ず、SiON層とマスク層とを連続して半導体基板上に形成する。 - 特許庁

A stopping layer (112) having a SiON layer is formed on an interlayer dielectric-film layer, and a SiC layer (114) is positioned on the SiON layer.例文帳に追加

層間誘電膜層上に、ＳｉＯＮ層を有するストップ層（１１２）が形成され、そのＳｉＯＮ層上にＳｉＣ層（１１４）が位置する。 - 特許庁

Then, a low-k film 19 is formed on the SiON film 17.例文帳に追加

次に、ＳｉＯＮ膜１７の上にＬｏｗ−ｋ膜１９が形成される。 - 特許庁

A trench is formed in the semiconductor substrate using the spacers and the mask layer as a mask.例文帳に追加

SiON層とマスク層とをマスクとして、トレンチを半導体基板内に形成する。 - 特許庁

To provide communication equipment capable of performing transmis sion considering the kind of information.例文帳に追加

情報の種類を考慮した伝送が可能な通信装置を提供すること。 - 特許庁

A thin-film metallic resistance 16 is formed in a recessed part of an SiON film 14p by using a lift-off, and then a protection film 18d made of SiON is formed on the entire surface of a wafer.例文帳に追加

ＳｉＯＮ膜１４ｐの凹部にリフトオフを用いて薄膜金属抵抗１６を形成した後、ウェハ全面にＳｉＯＮの保護膜１８ｄを形成する。 - 特許庁

Subsequently, an SiN film 4 is formed on the SiON film 3 by a CVD method, etc.例文帳に追加

次いで、ＣＶＤ法等により、ＳｉＮ膜４をＳｉＯＮ膜３上に形成する。 - 特許庁

To provide a production method of dye sensitizing photoelectric conver sion element with superb photo-durability.例文帳に追加

光耐久性の優れる色素増感光電変換素子の作成方法を提供する。 - 特許庁

For example, a silane-based plasma SiN or either of SiO, SiON and SiOF is stacked at 100 nm.例文帳に追加

例えばシラン系プラズマＳｉＮもしくはＳｉＯ，ＳｉＯＮ，ＳｉＯＦのいずれかを１００ｎｍ堆積する。 - 特許庁

Further, the semiconductor device includes: a plasma SiON film 21 formed on an upper surface of the plasma TEOS film 19; and a plurality of interconnects 23, 24 provided on an upper surface of the plasma SiON film 21.例文帳に追加

また、プラズマＴＥＯＳ膜１９の上面に形成されたプラズマＳｉＯＮ膜２１と、プラズマＳｉＯＮ膜２１の上面に設けられた複数の配線２３，２４とを備えている。 - 特許庁

Selective etching is controlled to attack the SiC layer but not to have an effect on the SiON layer.例文帳に追加

選択性エッチングは、ＳｉＣ層を攻撃するが、ＳｉＯＮ層は影響されないようにする。 - 特許庁

An SiCN film 15 and an SiON film 17 are formed on the low-k film 9.例文帳に追加

Ｌｏｗ−ｋ膜９上にＳｉＣＮ膜１５およびＳｉＯＮ膜１７が形成される。 - 特許庁

To provide a molded plastic magnet molding having a superior corro sion resistance and strong magnetism.例文帳に追加

耐食性に優れ、かつ強力な磁性を有するプラスチック磁石成形体を提供する。 - 特許庁

An SiON film 106 covering an insulating region 102 and provided with an opening on a Cu pad region 101 is formed, and a barrier metal film 120 is formed in the opening of the SiON film 106.例文帳に追加

絶縁領域１０２を覆うとともにＣｕパッド領域１０１上に開口部を有するＳｉＯＮ膜１０６を形成し、ＳｉＯＮ膜１０６の開口部にバリアメタル膜１２０を形成する。 - 特許庁

An SiON film 8 is formed as the under layer film on a silicon substrate 2 on which an element isolating layer 4 is formed and a HfAlOx film 10 is formed as a high dielectric material film on the SiON film 8.例文帳に追加

素子分離層４が形成されたシリコン基板２上に、下地膜としてのＳｉＯＮ膜８を形成し、ＳｉＯＮ膜８上に高誘電体膜としてのＨｆＡｌＯｘ膜１０を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving a transmis sion speed of a signal with high flexibility of design.例文帳に追加

信号の伝送速度を向上することができ、設計の自由度が高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The gate insulating film 15 is formed, by using an SiON film having a relative dielectric constant kg of "6".例文帳に追加

ゲート絶縁膜１５は、比誘電率ｋｇが「６」であるＳｉＯＮ膜を用いて形成されている。 - 特許庁

The SiON layer 42 of the antireflection film 4 is used as the dielectric layer of the MIM element as it is.例文帳に追加

反射防止膜４のＳｉＯＮ層４２は、そのままＭＩＭ素子の誘電体層として利用される。 - 特許庁

The passivation film 11 is formed from an oxynitride (SiON) of silicon and has the thickness of, e.g. 1,000 nm.例文帳に追加

パッシベーション膜１１は、シリコンの酸窒化物（ＳｉＯＮ）から成り、その厚さは、例えば１０００ｎｍである。 - 特許庁

The photoresists can exhibit significant adhesion to SiON and other inorganic surface layers.例文帳に追加

本発明のフォトレジストは、ＳｉＯＮおよび他の無機表面層に対して著しい接着性を示すことができる。 - 特許庁

The organic film 102 is plasma-etched with a patterned SiON film 103 as a mask, and an opening 108 is formed.例文帳に追加

パターニングしたＳｉＯＮ膜１０３をマスクとして、有機膜１０２をプラズマエッチングし、開口１０８を形成する。 - 特許庁