「Sion」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of forming a tunnel insulation film of a flash memory device that can improve leak current property and insulation breakdown voltage property or the like by suppressing boron impregnation by forming a silicon oxinitride film (SiON) through a process of forming the tunnel insulation film including a plasma nitridation process at a temperature higher than 800°C to reduce trap sites.例文帳に追加

８００℃以上の高温のプラズマ窒化処理工程を含んでトンネル絶縁膜を形成することにより、トラップサイト(trap site)を減少させ、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）の形成によってホウ素浸透を抑制して漏れ電流および絶縁破壊電圧特性などを改善することが可能なフラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法の提供。 - 特許庁

To allow any of plural types of digital image signals to be accurately discriminated and then correctly transmitted at an adequate transmission speed by a transmission mode in which word string data to which word synchroniza tion data was inserted based on the data to be transmitted and 8B/10B conver sion was conducted is converted into serial data for transmission.例文帳に追加

伝送されるべきデータに基づくワード同期データの挿入及び８Ｂ／１０Ｂ変換が行われたワード列データが、シリアルデータに変換されて送出される伝送方式をもって、複数種のディジタル映像信号のいずれをも、それを的確に判別したもとで、適切な伝送速度のもとで適正に伝送することができるものとする。 - 特許庁

An SiON film 101 and an organic film 102 having a low specific inductive capacity of 2 to 3 are formed as insulation layers between a gate line 41 and the signal line 112 which are formed on an insulation substrate 10, whereby the load upon writing the signal voltage from the gate line 41 into the signal line 112 is low and the power consumption can be reduced.例文帳に追加

絶縁基板１０上に形成されたゲート線４１と信号線１１２との間を絶縁する層として、ＳｉＯＮ膜１０１と比誘電率が２〜３というように低い有機膜１０２とを形成したことにより、ゲート線４１から信号線１１２に信号電圧を書き込むときの負荷が小さく、消費電力を低減することが可能である。 - 特許庁

A hydrogen barrier layer 32, wherein a capacitor 14 provided with an upper part electrode 28 comprising an electrostatic capacity film 26 of a PZT film and a laminated metal film of IrO2 film/Ir film is coated so that a hydrogen is prevented from approaching the capacitor 14 for contact, is an SiON film of thickness 600 Å which is film-formed by a plasma CVD method.例文帳に追加

ＰＺＴ膜からなる静電容量膜２６及びＩｒＯ_2 膜／Ｉｒ膜の積層金属膜からなる上部電極２８を有するキャパシタ１４を被覆して、水素がキャパシタ１４に近接し、接触するのを防止する水素バリヤ層３２が、プラズマＣＶＤ法で成膜した、膜厚６００ÅのＳｉＯＮ膜である。 - 特許庁

When a via hole and wiring channel for burying Cu wiring is formed on an interlayer insulating film by a dry etching with a photo resist film as a mask, an antireflection film 26 on the interlayer insulating film which is made up of an SiOC film 25 is composed of an SiO film 26a, an SiON film 26b and an SiO film 26c, and the halation of a photo resist film 27 is inhibited.例文帳に追加

フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで層間絶縁膜にＣｕ配線埋め込み用のビアホールおよび配線溝を形成する際、ＳｉＯＣ膜２５からなる層間絶縁膜上の反射防止膜２６をＳｉＯ膜２６ａ、ＳｉＯＮ膜２６ｂおよびＳｉＯ膜２６ｃの３層膜で構成し、フォトレジスト膜２７のハレーションを抑制する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon substrate 1, and an SiON film 3 provided on the silicon substrate 1 and including silicon, oxygen, nitrogen, and helium having a concentration distribution in a film thickness direction of a maximum concentration of helium on the surface part of the silicon substrate 1 and a maximum concentration of nitrogen on the surface of the opposite side of the silicon substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１と、シリコン基板１上に設けられ、膜厚方向に関し、シリコン基板１側の表面部分にヘリウムの濃度の極大値、シリコン基板１と反対側の表面部分に窒素の濃度の極大値がある濃度分布を有するシリコン、酸素、窒素およびヘリウムを含むＳｉＯＮ膜３とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for correcting drift in phase shift (Δψ, θ) between two signals (S1) and (S2), which are generated from a signal having a standard frequency Fe or the cycle Ω corresponding thereto, generated from the drift of the frequency Fe or the cycle, on the basis of a prescribed relational expres sion R[(F, Ω), (θ, Δψ)].例文帳に追加

二信号（Ｓ_１）及び（Ｓ_２）が基準周波数Ｆｅ又はそれ相当の周期Ωを有する信号から発生し、前記二信号間の位相ずれ（Δψ，θ）が前記周波数Ｆｅ又は前記周期のドリフトから生じ前記二信号間の前記位相ずれ（Δψ，θ）のドリフトを所定の関係式Ｒ（（Ｆ，Ω），（θ，Δψ））に基づき補正する方法を開示している。 - 特許庁

To reduce reflection of incident light to the outside caused by a plasma SiN film and the transmission quantity thereof by completely removing an SiON film and the plasma SiN film, to improve photodetection sensitivity by further shortening the distance from a microlens to a substrate surface, and to suppress color phase irregularity and sensitivity irregularity by further reducing multiple reflection of light between the microlens and substrate surface.例文帳に追加

ＳｉＯＮ膜およびプラズマＳｉＮ膜を残さず除去することにより、プラズマＳｉＮ膜に起因する入射光の外部への反射およびその透過量を減少させると共にマイクロレンズから基板表面間距離を更に縮小して、受光感度を向上でき、しかも、マイクロレンズから基板表面間での光の多重反射を更に低減して色むらや感度むらを抑制する。 - 特許庁

To provide a glass fiber strand which can not only prevent the abra sion and breakage of the fibers but also has good lamination strength, good heat stability, good hydrolysis stability, low corrosivity at a high humidity, and in the presence of a reactive acid or an alkali, shows low reactivity, and good compatibility with various polymer matrix materials (capable of excluding the necessity of heat washing before lamination).例文帳に追加

繊維の磨耗および破損を防止するのみならず、良好な層積強度、良好な熱安定性、良好な加水分解安定性、高い湿度、反応性の酸およびアルカリの存在下での低い腐食性、および低い反応性、ならびに種々のポリマーマトリクス材料との適合性を有する（層積前の熱洗浄の必要性を排除し得る）ガラス繊維ストランドを提供する。 - 特許庁

A phase transition type optical information recording medium having a first dielectric layer 2, a recording layer 3, a second dielectric layer 4, a reflecting layer 5 and a protective layer 6 laminated on a substrate 1 in this order comprises SiON (sialon) used in any of the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 4 or in the both and in a part or all of each dielectric layer.例文帳に追加

基板１上に第１誘電体層２、記録層３、第２誘電体層４、反射層５、保護層６をこの順に積層してなる相変化型の光情報記録媒体１０において、前記第１誘電体層２及び第２誘電体層４のいずれか、又は両方、及びそれぞれの誘電体層の一部あるいは全部に、ＳｉＯＮ（サイアロン）を用いることを特徴とする光情報記録媒体１０。 - 特許庁

Assuming another MISFET which is provided with a substrate having impurity concentration C and composed of the same material as that of the substrate 1, and an insulation film composed of SiON only formed on the channel region; the impurity concentration C of the channel region 20 is so established that the maximum of electron mobility in the channel 20 region is higher than the maximum of electron mobility in the channel region.例文帳に追加

不純物濃度Ｃのチャネル領域を有し、基板１と同一の材質よりなる基板と、チャネル領域上に形成されたＳｉＯＮのみよりなる絶縁膜とを備える別のＭＩＳＦＥＴを想定し、チャネル領域における電子の移動度の最大値よりもチャネル領域２０における電子の移動度の最大値が高くなるように、チャネル領域２０の不純物濃度Ｃが設定されている。 - 特許庁

The photoresists contain the adhesion promotion component including the Si containing group, exhibit good resolution and adhesion to underlying inorganic surfaces such as SiON, silicon oxide, silicon nitride and other inorganic surfaces, and particularly useful for the ion lithography applications and are useful for sub 300 nm, sub 200 nm, and a short wavelength image formation such as 248 nm, 193 nm, and EUV.例文帳に追加

本発明のフォトレジストは、Ｓｉ含有基を含む接着促進成分を含有するフォトレジストであり、これを用いることでＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素および他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な解像度、接着性を示し、イオン注入リソグラフィ用途に特に有用であり、サブ３００ｎｍ、および２００ｎｍ、例えば２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよびＥＵＶをはじめとする短波長像形成に有用である。 - 特許庁