「Sion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The ceramic film 10 is an SiON film containing about 30 mass% or less of O and about 10 mass% or more of N.例文帳に追加

セラミックス膜１０は、３０質量％以下のＯおよび１０質量％以上のＮを含むＳｉＯＮ膜である。 - 特許庁

Next, the SiON film having a thickness of 3 μm is deposited on the lower clad layer 102 by ECR plasma CVD method.例文帳に追加

次に、下部クラッド層１０２の上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により膜厚３μｍのＳｉＯＮ膜を堆積する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a gate electrode in which a step for removing a P-SiON film can be simplified or eliminated.例文帳に追加

Ｐ−ＳｉＯＮ膜除去工程を簡略化または不要とできるゲート電極の製造方法をを提供する。 - 特許庁

Thereafter, unwanted SiON film 4' formed on the film 3 during the heat treatment is removed.例文帳に追加

その後、上記熱処理の際に非晶質シリコン薄膜３ａの表面に形成された不要なＳｉＯＮ膜４’を除去する。 - 特許庁

A terminal 60 of an end user transmits conditions of a program desiring viewing to the SION 36 as a contents retrieval event.例文帳に追加

エンドユーザの端末６０は、視聴を希望する番組の条件をコンテンツ検索イベントとしてＳＩＯＮ３６に送信する。 - 特許庁

In the insulating gate structure 12, a nitriding oxide film (SiON film) 13 is formed as the sidewall.例文帳に追加

これら絶縁ゲート構造１２は側壁、すなわちサイドウォールとして窒化酸化膜（ＳｉＯＮ膜）１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a substrate for a liquid crystal display having good adhe sion and a highly preventive property of gas-permeability and an element for a liquid crystal display.例文帳に追加

密着性よく、高い透ガス防止性を有する液晶ディスプレー用基板、液晶ディスプレー素子の提供。 - 特許庁

The bottom insulation film 12A is made of SiON, of which barrier height to the silicon substrate 11 in the channel area 11A is smaller than that between SiO_2 and Si, and an interface between SiON and Si has nitrogen with a composition ratio of ≥9%.例文帳に追加

ボトム絶縁膜１２Ａは、チャネル形成領域１１Ａにおけるシリコン基板１１とのバリアハイトが、ＳｉＯ_２とＳｉとのバリアハイトより低いＳｉＯＮから形成され、このＳｉＯＮとＳｉとの界面は、窒素の組成比が９％以上である。 - 特許庁

A lifting phenomenon occurring in the case that amorphous carbon and an SiON hard mask are used as a self-aligned contact mask can be prevented, because the oxide hard mask is used on the amorphous carbon film 37 in place of a conventionally used SiON film.例文帳に追加

非晶質カーボン膜３７上に、従来のＳｉＯＮ膜に代えて、酸化物ハードマスクを用いるので、非晶質カーボンとＳｉＯＮハードマスクとを自己整合コンタクトマスクとして使用する場合に生じるリフティング現象を防止することができる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a PE-SiON thin film for ARC, by which particle generation is reduced compared to the conventional method by changing the RE power and the turn-on time of SiH4 in the PE-SiON thin film vapor deposition.例文帳に追加

ＰＥ−ＳｉＯＮ薄膜蒸着の際、ＲＦパワーとＳｉＨ４のターンオン時点とを変更することにより、既存対比パーチクル発生を大幅軽減させることができるＡＲＣ用ＰＥ−ＳｉＯＮ薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The adhesion transition layer provided here comprises a lower SiO_x (or SiON) contained region and an upper C inclination region.例文帳に追加

ここで提供する接着遷移層は下部ＳｉＯ_x （またはＳｉＯＮ）含有領域と上部Ｃ傾斜領域とを備えている。 - 特許庁

To provide an electroluminescent device using an organic light emitting material, capable of giving a high brightness in light emission and a new emis sion color.例文帳に追加

高い発光輝度と新規な発光色を得ることのできる有機発光材料を用いた電場発光デバイスを提供する。 - 特許庁

To obtain an emulsion composition containing an efficiently acting emulsifier in an emulsifying method accompanying a short-time interface expan sion.例文帳に追加

短時間の界面拡張を伴う乳化方法において効率よく作用する乳化剤を含むエマルション組成物の提供 - 特許庁

When SION software installed in an entity is executed, the entity searches other nearby entities through broadcasting.例文帳に追加

エンティティにインストールされたＳＩＯＮソフトウエアが実行されると、当該エンティティはブロードキャストにより近傍の他のエンティティを探索する。 - 特許庁

To provide a message solicitation and delivery system and its method that can facilitate the disclosure of message solicitation and message transmis sion.例文帳に追加

メッセージ募集の公開と、メッセージの送信を容易にすることのできるメッセージ募集配送システム及び方法を提供すること。 - 特許庁

The insulating layer 15 is composed of at least a material among SiO_2, SiN, SiON, Al_2O_3, and ZrO_2.例文帳に追加

絶縁層１５は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ_２Ｏ_３及びＺｒＯ_２のうち少なくとも１つの材料から構成される。 - 特許庁

To provide a magnesium material product having a white and corro sion resistant film superior in smoothness, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

白色で平滑性に優れた耐食性皮膜を有するマグネシウム材料製品、および、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Al alloy inscribed gear type oil pump having a struc tural member having small opponent attacking performance and excellent abra sion resistance.例文帳に追加

構造部材が小さい相手攻撃性で、すぐれた耐摩耗性を有するＡｌ合金製内接ギア型オイルポンプの提供。 - 特許庁

The third gate electrode 7 and the fourth gate electrode 8 are formed on the SiON film 6 or SiO_2 film.例文帳に追加

また、ＳｉＯＮ膜６またはＳｉＯ_2膜上には、第三のゲート電極７と第四のゲート電極８が形成されている。 - 特許庁

An SiON film is formed thin on a silicon semiconductor substrate in order to relax stress in an nitride film being formed later.例文帳に追加

シリコン半導体基板上に、後に形成される窒化膜マスクのストレスを緩和するためにＳｉＯＮ膜を薄く形成する。 - 特許庁

To provide a method for preparing a silver halide photographic emul sion containing flat grains having a high aspect ratio and a narrow grain size distribution.例文帳に追加

本発明は、高いアスペクト比を有し、粒子サイズ分布がせまい平板状粒子ハロゲン化銀写真乳剤の製造方法に関する。 - 特許庁

The first passivation layer 80 is made of silicon nitride (SiN), the second passivation layer 120 is made of silicon oxynitride (SiON).例文帳に追加

第１のパッシベーション層８０は窒化珪素（ＳｉＮ）で、第２のパッシベーション層１２０はシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）で、それぞれ形成される。 - 特許庁

It is preferable that the metal oxide layer 4 is composed of one or more kind of SiO_2, TiO_2, ZnO_2, SnO_2, SiON, and TiON.例文帳に追加

金属酸化物層４は、ＳｉＯ_2、ＴｉＯ_2、ＺｎＯ、ＳｎＯ_2、ＳｉＯＮ、ＴｉＯＮのいずれか一種以上からなることが好ましい。 - 特許庁

The SION manager device 21 informs a mobile communication network controller 31 of the first and second network numbers.例文帳に追加

ＳＩＯＮ運営者装置２１は、第１のネットワーク番号および第２のネットワーク番号を移動通信ネットワーク制御装置３１に通知する。 - 特許庁

Then, the SiO_2 film 2 is changed into an SiON film 3 by subjecting the SiO_2 film 2 to a heat treatment in a nitriding type gas atmosphere.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_2膜２に対して、窒化性ガス雰囲気下で熱処理を行うことにより、ＳｉＯ_2膜２をＳｉＯＮ膜３に変化させる。 - 特許庁

A high-speed operating circuit formed in the semiconductor device comprises: an nMOS transistor including, as a component, an SiON gate insulating film (first gate insulating film) 13 in which fluorine is not introduced, and a pMOS transistor including, as a component, the SiON gate insulating film (second gate insulating film) 14 which is thicker than the SiON gate insulating film 13, and in which fluorine is introduced.例文帳に追加

半導体装置に形成された高速動作回路部は、フッ素が導入されていないＳｉＯＮゲート絶縁膜（第１のゲート絶縁膜）１３を構成要素として含むｎＭＯＳトランジスタと、当該ＳｉＯＮゲート絶縁膜１３よりも膜厚が厚く、その膜中にフッ素が導入されたＳｉＯＮゲート絶縁膜（第２のゲート絶縁膜）１４を構成要素として含むｐＭＯＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁

After that, a silicon oxide film is formed by an oxidation method using an active oxygen, and then, active nitrogen processing is executed to convert the silicon oxide film into an SiON thin film, and SiON gate insulation films 103 and 104 are formed on the NMOS region and the PMOS region, respectively.例文帳に追加

その後、活性酸素を用いた酸化手法によりシリコン酸化膜を形成した後に、活性窒素処理を行ってＳｉＯＮ薄膜に転化し、ＮＭＯＳ領域およびＰＭＯＳ領域に、それぞれＳｉＯＮのゲート絶縁膜１０３および１０４を形成する。 - 特許庁

Contents provider terminals 61_1, 61_2 set the attributes of providing video contents as a filter to a Semantic Information-Oriented Network (SION) 36.例文帳に追加

コンテンツプロバイダの端末６１_1、６１_2は、提供している映像コンテンツの属性をフィルタとして意味情報ネットワーク（ＳＩＯＮ）３６に設定する。 - 特許庁

To provide a forming press for a crank shaft capable of torsion- forming a crank shaft for a plural cylinder engine at a time, using one of tor sion cylinders.例文帳に追加

１本の捩りシリンダを用いて、多気筒エンジン用のクランク軸を１度で捩り成形できるようなクランク軸用成形プレスを提供する。 - 特許庁

The reactive gas is supplied to a space Sb inside of the chamber 2 and reacts with Si on the Si wafer Wa, and the SiON film is formed.例文帳に追加

この反応ガスＸは、チャンバ２内の空間Ｓｂに供給され、ＳｉウェハＷａ上のＳｉと反応し、ＳｉＯＮ膜が形成される。 - 特許庁

To provide a high efficiency solar battery unit, a wave length conver sion layer of which has a long service life, and the low transmittivity of which does not reduce a power generation coefficient.例文帳に追加

波長変換層の寿命が長くかつ低透過率による発電効率の低下を起こさない高効率の太陽電池ユニット。 - 特許庁

To provide a fall preventive device which functions, when placed beside a mattress, not only as a fall preventive means but as a mattress exten sion to add extra space in width.例文帳に追加

マットレス側部側に配置して、落下予防機能と共に、マットレス幅方向に余裕をもたらすことのできる、落下予防装置を提供する。 - 特許庁

To provide a primer composition having excellent adhesion and adhe sion durability to an adherend, particularly a silicone elastomer as the substance to be bonded.例文帳に追加

被接着体、特にシリコーンエラストマーを接着対象とし、優れた接着性及び接着耐久性を有するプライマー組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a fine carbon fiber suitable for resin cement of a composite material such as a resin, rubber, semiconductor material, catalyst or gas occlu sion material.例文帳に追加

樹脂、ゴム等複合材のフィラー、半導体材料、触媒、あるいはガス吸蔵材料として適した微細炭素繊維を提供すること。 - 特許庁

The gas mixing part 11 mixes reaction gas 6 (SiH4 gas, N2O gas) for forming an SiON film with inert gas (N2 gas).例文帳に追加

ガス混合部１１は、ＳｉＯＮ膜を形成するための反応ガス（ＳｉＨ４ガス、Ｎ２Ｏガス）と不活性ガス（Ｎ２ガス）とを混合する手段である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a magnetic recording medium suitable for high density recording, which is excellent in electromagnetic conver sion and suppressed in thermal asperity.例文帳に追加

電磁変換特性に優れ、かつサーマルアスペリティの発生が抑制され、高密度記録に適した磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash light emission device, which is capable of making highly efficient and stable light emission, according to the respective light emis sion conditions of plural flash tubes.例文帳に追加

複数の閃光管の各々の発光条件に応じて、高効率かつ安定した発光が可能な閃光発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic core for a transmission signal line transformer which does not saturate a magnetism in the case of input of a higher transmis sion signal and does not deflect the transmission signal.例文帳に追加

より高い伝送信号が入力された場合磁気飽和すること無く、伝送信号の歪まない信号伝送ライントランス用磁心を提供すること。 - 特許庁

A laminated anti-reflective film 104 of the TiN 4 and ARL-SiON 5 as well as the metallic film 3 are continuously dry etched in an identical processing chamber.例文帳に追加

ＴｉＮ、ＡＲＬ−ＳｉＯＮによる積層反射防止膜と、その下の金属積層膜を連続して同一処理室にてドライエッチングする。 - 特許庁

To evaluate a transmission error caused in transmission in a subject quality evaluation method for 2-way communication including image transmis sion.例文帳に追加

画像を含む双方向通信の主観品質評価法において、伝送において発生する伝送誤りの評価を可能とすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which a p-SiON film can be removed without damaging or reducing an underlying film.例文帳に追加

下地に損傷あるいは膜減りを与えることなく、ｐ−ＳｉＯＮ膜を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Only the FSG film 5 below Al wiring 8 is capped with an SiON film 6 so that the H_2O generated from a TEOS oxide film 1 may escape to the outside.例文帳に追加

Ａｌ配線８下のＦＳＧ膜５のみをＳｉＯＮ膜６でキャップし、ＴＥＯＳ酸化膜１から発生したＨ_2 Ｏを外部に抜けられるようにする。 - 特許庁

A film forming part 12 forms the SiON film on a wafer W by using the mixed gas obtained from a mixing processing of the gas mixing part 11.例文帳に追加

成膜部１２は、このガス混合部１１の混合処理により得られた混合ガスを用いて、ウェーハＷの上にＳｉＯＮ膜を形成する手段である。 - 特許庁

To provide a signal processing method for improving the detection accuracy of the angular speed an optical gyro, having superior detection preci sion of the angular speed and detecting the direction of rotation.例文帳に追加

角速度の検出精度がよくかつ回転方向を検知する光ジャイロの角速度の検出精度を向上する信号処理方法を提供する。 - 特許庁

There is no interface formed between an insulator (for example, SiO_x, SiN, or SiON) formed of a material different from a gallium nitride-based material and the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化ガリウム系材料とは異なる材料から成る絶縁物（例えばＳｉＯ_Ｘ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ）とIII族窒化物半導体との界面が形成されない。 - 特許庁