「The region S」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The '1' region is a region where there are the main droplets (m) or the sub-droplets (s) and which is parallel to the Y-axis (an axis which is perpendicular in the direction of an arrow A).例文帳に追加

この領域「１」は、主滴ｍ又は副滴ｓが存在する、Ｙ軸（矢印Ａ方向に直交する軸）に平行な領域である。 - 特許庁

When the outer peripheral region S 2 is pressed between the electrode 50 and the presser body 52, the inner peripheral region S 1 comes into tight contact with a top surface 3a of the main substrate 3 on the inner side of the electrode 50.例文帳に追加

前記外周領域Ｓ２が前記電極５０および前記押さえ体５２との間で押圧されたときに、前記内周領域Ｓ１が前記電極５０の内側で前記主基板３の上面３ａに密着する。 - 特許庁

Based on the image, the coordinate position of the border region R1 is located, and the position of street part S is located.例文帳に追加

この画像に基づいて、境界領域Ｒ１の座標位置が特定され、ストリート部Ｓの位置が特定される。 - 特許庁

The position of a light shielding object S is detected not only in the display screen 21 but also in the region outside the display screen 21.例文帳に追加

表示画面２１内だけでなく、その外側の領域でも光遮断物Ｓの位置を検出する。 - 特許庁

When the person sensing sensor 7 detects presence of a person within the detection region S, the control means 8 displays an image on the drawing region 911, and when the person sensing sensor 7 does not detect presence of a person within the detection region S, the control means 8 controls driving of the projector 2 so as not to display the image on the drawing region 911.例文帳に追加

制御手段８は、人感センサ７が検知領域Ｓ内に人間の存在を検知した場合には、描画領域９１１に画像を表示させ、人感センサ７が検知領域Ｓ内に人間の存在を検知しない場合には、描画領域９１１に画像を表示しないように、プロジェクター２の駆動を制御する。 - 特許庁

The film-formed region of the layers a to c laminated on the light-emitting region s is film-formed so that it has intentional overlapping slippages e_1 to e_3.例文帳に追加

発光領域ｓ上に積層される層ａ〜ｃの成膜領域が、意図的な重なりずれｅ_１〜ｅ_３を有するように成膜される。 - 特許庁

As a result, the horizontal diffusion length of impurities in the source region S and the drain region D can be controlled to 0.25 μm or smaller.例文帳に追加

これにより、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄにおける不純物の水平拡散長を０．２５μｍ以下に抑制することができる。 - 特許庁

These holes are formed porously at least in a region corresponding to the piezoelectric active region S in the inner electrode layer 4.例文帳に追加

これらの孔部は、内部電極層４における少なくとも圧電活性領域Ｓに対応する領域に多孔状に形成されている。 - 特許庁

A driver transistor Q1's body region and a first access transistor Q5's body region are electrically connected with each other via the SOI layer 13 lying below the element separating insulation film 14.例文帳に追加

ドライバトランジスタＱ１のボディー領域と第１アクセストランジスタＱ５のボディー領域とは、素子分離絶縁膜１４下方のＳＯＩ層１３を介して互いに電気的に接続している。 - 特許庁

The leakage prevention section 50 comprises a center region C and a pair of end regions S located further toward the outside than the center region C in the longitudinal direction L.例文帳に追加

防漏部５０は、中央領域Ｃと、中央領域Ｃよりも長手方向Ｌの外側に位置する一対の端部領域Ｓとを有する。 - 特許庁

The first MOS transistor 100 and the diffusion region 5 of the semiconductor element S lie alongside in a y direction and electrically isolated from each other by the diffusion region 2b.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタ１００と半導体素子Ｓの拡散領域５とは、ｙ方向に並んで、拡散領域２ｂで電気的に分離されている。 - 特許庁

That is, in the retro-reflector 8, the whole surface region is constituted with the recursive units S and, therefore, the whole surface is a recursive region.例文帳に追加

すなわち、再帰性反射板８では、全ての表面領域を再帰ユニットＳによって構成しているため、その全面が再帰領域となっている。 - 特許庁

While a component P is located above the mounting region of a circuit board S, it is possible to photograph the component and the mounting region, so that the accuracy of mounting is improved.例文帳に追加

部品Ｐが基板Ｓの装着部位の上方に位置する状態で、部品および装着部位を撮像できるため、装着精度が向上する。 - 特許庁

A pointing device 1 repeatedly takes the image of a screen S, and recognizes a region equivalent to a projection image on a screen S from the taken image.例文帳に追加

ポインティング装置１は、スクリーンＳを繰り返し撮像し、撮像画像からスクリーンＳ上の投影画像に相当する領域を認識する。 - 特許庁

The data storage medium and the memory module are disposed within the closed region, and the sensor(s) is/are disposed within the closed region and electrically coupled to the memory module.例文帳に追加

データ記憶媒体およびメモリモジュールは閉鎖領域内に配置され、センサは閉鎖領域内に配置されるとともにメモリモジュールに電気的に結合されている。 - 特許庁

Around the mounting region S, a cover insulating layer 4 is formed so as to cover the conductor pattern 2.例文帳に追加

実装領域Ｓの周囲において、導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層４が形成される。 - 特許庁

The sealing member 30 has a defining section 31 for defining a sealing region S of the liquid crystal LC.例文帳に追加

封止部材３０は、液晶ＬＣの封止領域Ｓを規定する規定部３１を有している。 - 特許庁

When a writing lead 3 is changed, the passing regulating region S of the turning wall member 71 is adjusted to the knocking member 4.例文帳に追加

筆記芯３の交換時には、ノック部材４に回動壁部材７１の通過規制領域Ｓを合わせる。 - 特許庁

The heating member 32 is arranged so as to be in contact with the liquid crystal cell 16 outside the display region S.例文帳に追加

加熱部材３２は、表示領域Ｓよりも外側で液晶セル１６に当接するように設けられる。 - 特許庁

A pair of source/drain regions S/D are provided on the surface of the semiconductor substrate across the channel region.例文帳に追加

１対のソース／ドレイン領域Ｓ／Ｄが、チャネル領域を挟むように半導体基板の表面に設けられる。 - 特許庁

In the tracking mode, the detecting portion 50 detects the subject S with respect to a recognition region 212.例文帳に追加

追尾モードでは、認識領域２１２を対象として被写体Ｓを被写体検出部５０に検出させる。 - 特許庁

A cover insulating layer 4 is formed at a periphery of the mounting region S so that the layer covers the conductor pattern 2.例文帳に追加

実装領域Ｓの周囲において、導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層４が形成される。 - 特許庁

Further, second division grooves 12 are formed in such a way that they extend on borders among individual component forming regions U11 to Umn in the component forming region U, cross with the first division grooves 11 in the dummy region S, and stop in the dummy region S.例文帳に追加

更に、第２の分割溝１２を、部品形成領域Ｕで個別部品形成領域Ｕ１１〜Ｕｍｎ間の境界上を延び、ダミー領域Ｓで第１の分割溝１１に交わり、かつ、ダミー領域Ｓ内で止まる態様で形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the copper alloy comprises the steps of: smelting the raw material; casting it; and cooling it at a cooling rate of 0.5°C/s or higher at least in the temperature region between the temperature of the slab right after having been cast and 450°C.例文帳に追加

この銅合金は、溶製、鋳造後、少なくとも鋳造直後の鋳片温度から450℃までの温度域において0.5℃／s以上の冷却速度で冷却することにより得られる。 - 特許庁

A conductor pattern 2 is formed so that it extends from an inner side to an external side of the mounting region S.例文帳に追加

実装領域Ｓの内側から外側に延びるように導体パターン２が形成される。 - 特許庁

The jig 1 for forming the film includes: bridge members 4; actuators 5; an island part masking member 31 for masking the island region of the substrate surface S; and an outer periphery masking member 32 for masking the outer region of the pattern on the substrate surface S.例文帳に追加

成膜用治具１は、ブリッジ部材４と、アクチュエータ５と、基板表面Ｓの島領域をマスクする島部マスク部材３１と、基板表面Ｓにおけるパターンの外部領域をマスクする外周マスク部材３２とを備える。 - 特許庁

The adhesion sheet S is peeled to peel the adhesion sheet S in a state where the remaining edge portion W2 is bonded, from a formation region of the recessed portion W1a while dividing the formation region of the recessed portion W1a and the remaining edge portion W2.例文帳に追加

接着シートＳを剥離することで、凹部Ｗ１ａの形成領域と残存縁部Ｗ２とを分割しつつ、残存縁部Ｗ２が接着したままの接着シートＳを凹部Ｗ１ａ形成領域から剥離する。 - 特許庁

The transflective liquid crystal display is provided with a reflection electrode 9 formed in a reflection region S of a pixel region in the same layer as a source wiring line 2 apart from the source wiring line 2 by a prescribed region.例文帳に追加

ソース配線２と同一層内の画素領域の反射領域Ｓにおいて、ソース配線２と所定の領域だけ隔てられ形成される反射電極９を備えている。 - 特許庁

When the measuring region B of the sample S is wider than the X-ray irradiation region by the collimator 1, the sample S is moved in parallel to the collimator 1 by an XY parallel moving device 6 to scan and move the X-ray irradiation field A to regulate the measuring region B.例文帳に追加

試料Ｓの測定領域Ｂがコリメータ１によるＸ線照射領域Ａよりも広い場合には、ＸＹ平行移動装置６によって試料Ｓをコリメータ１に対して平行移動させることにより、Ｘ線照射野Ａを走査移動させて測定領域Ｂを規定する。 - 特許庁

On a polysilicon film 4 on a semiconductor substrate 1, a resist pattern 5a of a line shape is formed in a memory cell region S, and a dummy resist pattern 5b is formed on a region P excepting the memory cell region S.例文帳に追加

半導体基板１上のポリシリコン膜４上において、メモリセル領域Ｓではライン状のレジストパターン５ａが形成され、メモリセル領域Ｓ以外の領域Ｐではダミーのレジストパターン５ｂが形成される。 - 特許庁

The printer 17 prints the image in the specified region on a sheet of paper and also a relevant scale S and the magnification M'.例文帳に追加

プリンター１７は、用紙の指定された領域に画像を印刷すると共に、スケールＳと倍率Ｍ´を印刷する。 - 特許庁

The hood 12 includes an open atmospheric line 31 for connecting the space S with an open atmospheric region (external region) distant from the hood.例文帳に追加

フード１２には、監視空間Ｓを当該フードから離れた大気開放領域（外部領域）に連通させるための大気開放ライン３１が併設されている。 - 特許庁

At this time, sipe area a in the tread surface side region of the auxiliary sipes 42 and sipe area b in the tire internal side region (=s-a) have a relationship of a more than b.例文帳に追加

このとき、補助サイプ４２の踏面側領域のサイプ面積ａとタイヤ内部側領域のサイプ面積ｂ（＝ｓ−ａ）とがａ＞ｂの関係を有する。 - 特許庁

A source S and a drain D comprising an N type impurity region are provided in the semiconductor region 11 in the vicinity of both sides of the gate electrode 13.例文帳に追加

ゲート電極１３両側近傍の半導体領域１１にＮ型の不純物領域で構成されるソースＳ、ドレインＤ設けられている。 - 特許庁

The semiconductor thin film 1 is divided into an input-side region S and an output-side region D, and the thickness of the semiconductor thin film 1 located from a boundary 3 between both of them to the output-side region D is at least partially reduced as compared with that of the semiconductor thin film 1 located from the boundary 3 to the input-side region S.例文帳に追加

半導体薄膜１は、入力側領域Ｓと出力側領域Ｄとに分かれており、両者の境界３から入力側領域Ｓにある半導体薄膜１の厚みに比べ、境界３から出力側領域Ｄにある半導体薄膜１の厚みが少なくとも部分的に薄くなっている。 - 特許庁

To provide an s-triazine compound having remarkably improved photostability and solubility as compared with those of an s-triazine derivative grafted with p-aminobenzalmalonate of a conventional art and having better absorbing properties in all the region of UV-A light and exhibiting remarkable contribution in a region of the UV-B light.例文帳に追加

従来技術のパラ-アミノベンザルマロネートでグラフト化されたs-トリアジン誘導体に比べて著しく改善された光安定性および溶解性を有し、UV-A線の全領域で良好な吸収性を有し、UV-B線の領域での著しい寄与を示すs-トリアジン誘導体を提供すること。 - 特許庁

In this case, it is possible to certainly fill each unit region 30 with the vegetable and fruits S by merely making the piled-up vegetables and fruits S even by hand in the conveying direction of the supply conveyor 20.例文帳に追加

この場合、供給用コンベヤ２０の搬送方向に手を動かして青果物Ｓをならすだけで、青果物Ｓを各単位領域３０に確実に充填できる。 - 特許庁

In the semiconductor device of the BGA package structure, there is no solder resist layer at a disconnection preventing region 148, centered at a position S immediately below the outer ridge of the semiconductor chip.例文帳に追加

BGAパッケージ構造の半導体装置において、半導体チップの外縁直下の位置Sを中心とした断線防止領域148には、ソルダーレジスト層が不存在である。 - 特許庁

Thus, only the coating region E corresponding to the liquid crystal panel region S of the surface to be processed of the substrate G is coated with the resist liquid in a substantially constant film thickness.例文帳に追加

これにより、基板Ｇの被処理面のうち液晶パネル領域Ｓにそれぞれ対応する塗布領域Ｅだけにレジスト液がほぼ一定の膜厚で塗布される。 - 特許庁

A channel region CH and a first low-concentration impurity region LDD1 that is continuous therewith are formed in the first region, and a conductive region served as a source S or a drain D is formed in the second region, while a second low-concentration impurity region LDD2 for connecting the first low-concentration impurity region LDD1 with the conductive region is formed in the intermediate region.例文帳に追加

第１領域には、チャネル領域ＣＨとこれに連続する第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１とが形成され、第２領域には、ソースＳ又はドレインＤとなる導電性領域が形成され、中間領域には第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１と導電性領域とを接続する第２の低濃度不純物領域ＬＤＤ２が形成されている。 - 特許庁

The safety factor S for compensating the divergence is set in a low level in the low line pressure operating region A where change of the line pressure characteristic caused by deterioration is small, and the safe factor S is set in a high level in the other operating region B.例文帳に追加

従って上記の乖離を補償するための安全率Ｓを、劣化によるライン圧特性変化が小さい低ライン圧運転域Ａでは安全率Ｓを低くし、それ以外の運転域Ｂでは安全率Ｓを高くする。 - 特許庁

A dotted-line circle C which indicates a refraction measuring region is blocked with the dark shadow S to search a non-blocked measuring region.例文帳に追加

点線の円Ｃは眼屈折力測定領域を示し、暗い影Ｓに遮ぎられているので、遮ぎられない測定領域を探索する。 - 特許庁

Centers of the first magnets 1a are located in a position parallel to Y-axis, and one in the positive region of Y has disposed S pole in the positive and N pole in the negative of X, and the other in the negative region of Y has disposed N pole in the positive and S pole in the negative of X.例文帳に追加

第１のマグネット１ａの中心はＹ軸と平行な位置にあり、Ｙの正の領域にある1つは、Ｘの正にＳ極、負にＮ極、Ｙの負の領域に他の1つは、Ｘの正にＮ極、負にＳ極を配置している。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor device 1 is also provided with a sidewall 7 formed of silicon nitride, covering the side surfaces of the lower insulating layer 3 and the wiring layer 4, at the boundary between the drive region C and the peripheral region S.例文帳に追加

そして、窒化シリコンからなり、駆動領域Ｃと周辺領域Ｓとの境界において下地絶縁層３及び配線層４の側面を覆う側壁７を設ける。 - 特許庁

A source region (s) and a drain region (d) of a TFT are formed in a region including a plurality of crystal grains within the alignment of the crystal grains 5 so that an electric current may flow in the direction of the crystal growth.例文帳に追加

この結晶粒列（５）の中の複数の結晶粒を含む領域に、結晶成長方向に電流が流れるように、ＴＦＴのソース領域（ｓ）及びドレイン領域（ｄ）を形成する。 - 特許庁