「The ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(347ページ目) - Weblio英語例文検索

A first impurity is ion-implanted into the active region exposed by the lamination gate to form a source/drain region at a first concentration, a word line is used as a mask for etching to remove the exposed field oxide film, and the first insulating film on the word line is also removed or equally etched.例文帳に追加

前記積層ゲートにより露出されたアクティブ領域に第１不純物をイオン注入して第１濃度のソース／ドレイン領域を形成し、ワードラインをエッチング用マスクとして用いて露出されたフィールド酸化膜を取り除くと共に、前記ワードライン上の第１絶縁をも取り除くか、均等にエッチングする。 - 特許庁

To provide an ion implantation method or the like, by which a plurality of implantation regions having different level of dose each other on the surface of a substrate are formed without forming regions of excess level of dose, and a width of a transient region of dose can be narrowed while preventing the decrease in the beam current, and additionally, the control operation is simple.例文帳に追加

一つの基板の面内に互いにドーズ量の異なる複数の注入領域を形成するものであって、過注入領域を発生させずに済み、かつビーム電流の減少を防止しつつドーズ量の遷移領域の幅を小さくすることができ、しかも制御が簡単であるイオン注入方法等を提供する。 - 特許庁

To solve such problem that in the conventional electrolytic NF_3 synthesis, NF_3 is synthesized by direct electrolysis occurring on an electrode surface and near the electrode, but when current is permitted to flow in an amount exceeding that corresponding to the rate of ammonium ion diffusion, the reaction between excess fluorine radicals and ammonium ions does not proceed on the electrode surface, resulting in a reduced current efficiency.例文帳に追加

従来のＮＦ_3の電解合成では、電極表面や電極近傍での直接電解によりＮＦ_3が合成されるが、アンモニウムイオンの拡散速度を越えて電流を流すと、過剰のＦラジカルとアンモニウムイオンとの反応は電極表面で進行できなくなり、電流効率は低下する。 - 特許庁

A flow field inside a room having specific size and shape is previously obtained in the fluid numerical analysis by a turbulence model using uneven meshes or the like, and the inside of a 1 m BOX in the neighborhood of an ion generation device is newly divided into even meshes, is replaced with an air velocity in the even meshes, and is stored as an initial condition.例文帳に追加

予め、特定の大きさ及び形状の室内での流れ場を不均等メッシュを用いた乱流モデルにより流体数値解析にて求めておき、イオン発生装置の周囲１ｍＢＯＸ内を均等メッシュに分割しなおして当該均等メッシュにおける風速に置き換えて初期条件として記憶しておく。 - 特許庁

An ion concentration measuring electrode includes a body part 4 from an axis directional one end 4a of which an electrode part 2 extends and from the axis directional other end 4b of which a cable 3 extends, and the appearance shape of the body part 4 is a curved shape smoothly stretching from the axis directional one end 4a to the axis directional other end 4b.例文帳に追加

軸方向一端４ａから電極部２が延出し、軸方向他端４ｂからケーブル３が延出した本体部４を有するものであり、前記本体部４の外観形状が、軸方向一端４ａから軸方向他端４ｂに亘って滑らかに連なる曲面形状をなすことを特徴とする。 - 特許庁

The epoxy resin composition for sealing a semiconductor is characterized by comprising (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin having ≥2 phenolic hydroxy groups, (C) an inorganic filler and (D) the salt composed of the biphenylaralkyl type phenol resin having ≥2 phenolic hydroxy groups forming an ion pair with the DBU as the curing accelerator.例文帳に追加

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール性水酸基を２個以上有するフェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤として、ＤＢＵとイオン対を形成するフェノール性水酸機を２個以上有するビフェニルアラルキル型フェノール樹脂からなる塩を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

A first coating by first treatment selected from the group consisting of electroplating treatment, electroless plating treatment and heat treatment is applied to the surface of a base material, and a second coating by second treatment selected from the group consisting of vapor deposition treatment and ion beam treatment is applied to the surface of the first coating.例文帳に追加

電解メッキ処理、無電解メッキ処理、および熱処理からなるグループから選択される第１の処理による第１のコーティングを基材の表面に施し、前記第１のコーティングの上に、蒸着処理およびイオンビーム処理からなるグループから選択される第２の処理による第２のコーティングを施す。 - 特許庁

The fuel cell is constructed by glass sheets 112, 114 arranged at the top and the bottom, and a PEM (solid polymeric ion-conductive membrane) 160, the catalyst electrodes 152, 154, an insulating film 140 composed of SiO_2 or Si_3N_4, a porous gas diffusing layer 130 composed of silicon or silicon oxide and a silicon layer 120 arranged between the glass sheets.例文帳に追加

上下に配置しているガラス１１２，１１４の間に、ＰＥＭ（固体高分子イオン伝導膜）１６０，触媒電極１５２，１５４，ＳｉＯ_２又はＳｉ_３Ｎ_４の絶縁膜１４０，ポーラス（多孔性）であるシリコン又はシリコン酸化物のガス拡散層１３０，シリコン層１２０で、燃料電池を構成している。 - 特許庁

In a dry etching process of the fine mask pattern of a membrane mask, a radical and an ion, containing at least one of nitrogen, carbon, and oxygen that do not contribute to pattering, are generated by plasma for supplying to the upper and side surfaces and foundation of the mask pattern, and a layer (membrane) for restraining the generation of stress is reliably formed on the side.例文帳に追加

メンブレンマスクの微細マスクパターンのドライエッチング工程において、パターニングに寄与しない窒素、炭素もしくは酸素の少なくとも一つ以上を含むラジカルやイオンをプラズマにより発生させて、マスクパターンの上面、側面および下地に供給し、側面に応力発生を抑制する層（膜）を確実に形成する。 - 特許庁

The drainage recycling method comprises the pretreatment step of bringing calcium ion-containing drainage into contact with a carbon dioxide-containing gas to generate calcium carbonate, the concentration step of transferring calcium carbonate-containing drainage to a concentration apparatus to carry out evaporation and concentration, and the recovery step of recovering steam generated in the concentration apparatus.例文帳に追加

カルシウムイオンを含む排水を二酸化炭素含有ガスと接触させて、炭酸カルシウムを生成する前処理ステップと、炭酸カルシウムを含む排水を濃縮装置に移送して蒸発濃縮を行う濃縮ステップと、濃縮装置で発生した蒸気を回収する回収ステップとを備える排水リサイクル方法である。 - 特許庁

By growing a silicon single crystal ingot containing no COP and dislocated clusters by the CZ method, cutting out a silicon wafer 40 from the silicon single crystal ingot, and subjecting the silicon wafer 40 in the as-grown state to a reactive ion etching, grown-in defects containing silicon oxide are actualized as protrusions on the etched surface.例文帳に追加

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁

The ion conductor comprises a polymer including a repeating unit having a hydrocarbon group substituted by a cyclic organic group, wherein any of the polar groups, such as an ester group, an amide group, a phosphate group, and a sulfonate group is bonded to 3 or more successive atoms of the atoms constituting the ring of the cyclic organic group.例文帳に追加

環状有機基で置換された炭化水素基を有する繰返し単位を含むポリマーからなるイオン伝導体であって、上記環状有機基の環を構成する原子のうち連続する３又はそれ以上の原子に、エステル基、アミド基、リン酸基、スルフォン酸基などの極性基のいずれかが結合している、イオン伝導体。 - 特許庁

The method for producing the copper ion-modified titanium oxide includes: the hydrolysis step of hydrolyzing a titanium compound which produces titanium oxide in a reaction solution; and the surface modification step of mixing an aqueous solution containing copper ions with the solution after hydrolysis and performing surface modification of titanium oxide.例文帳に追加

また、酸化チタンを生成するチタン化合物を反応溶液中で加水分解する加水分解工程と、加水分解後の溶液に銅イオンを含有する水溶液を混合し、酸化チタンの表面修飾を行う表面修飾工程とを含む銅イオン修飾酸化チタンの製造方法である。 - 特許庁

The method for producing the 2-aminotropones expressed by formula (1) from a tropolone derivative and amines comprises reaction of the tropolone derivative expressed by formula (2) with the amines and extraction of the 2-aminotropones with an acid having a hydrogen ion concentration of 0.5-10 mol/L.例文帳に追加

トロポロン誘導体とアミン類とから、下記式（１）で表される２−アミノトロポン類を製造する方法であって、下記式（２）で表されるトロポロン誘導体とアミン類とを反応させた後、水素イオン濃度０．５〜１０ｍｏｌ／Ｌである酸を用いて２−アミノトロポン類を抽出する、２−アミノトロポン類の製造方法とすること。 - 特許庁

The cathode electrode 2b comprises an electrode catalyst layer 4b containing catalyst particles made of carbon particle carrying the catalyst, a hole forming member, and an ion conductive polymer with weight ratio of 1.0-1.8 to the carbon particles, and contacts the polymer electrolyte membrane 3 through the electrode catalyst layer 4b.例文帳に追加

カソード電極２ｂは、炭素粒子に触媒を担持させた触媒粒子と、孔部形成部材と、該炭素粒子に対する重量比が１．０〜１．８の範囲にあるイオン導伝性ポリマーとを含む電極触媒層４ｂを備え、電極触媒層４ｂを介して高分子電解質膜３に接している。 - 特許庁

A filter material housed in the cartridge for the water purifier comprises the adsorbent which can adsorb an organic matter in raw water and an ion-exchanger which can adsorb the heavy metals in the raw water.例文帳に追加

浄水器用カートリッジ内に収納されたろ材は、原水中の有機物が吸着可能な吸着剤と、原水中の重金属が吸着可能なイオン交換体とから構成され、吸着剤は、抗菌性能を有する抗菌剤を担持した抗菌吸着剤と、抗菌剤を担持しない非抗菌吸着剤とから構成される。 - 特許庁

A semiconductor substrate is treated with a decomposed liquid with a component not being contained in the substrate as its internal standard substance, the decomposed liquid treating the substrate is evaporated on a substrate for analysis and the component evaporated on the substrate for analysis is analyzed by a flight time type secondary ion mass analytical device.例文帳に追加

半導体基板に含まれない成分を内標準物質として添加した分解液により半導体基板を処理し、前記半導体基板を処理した分解液を分析用基板上で乾固し、前記分析用基板上で乾固した成分を飛行時間型二次イオン質量分析装置により分析する。 - 特許庁

The opening of the water on-off valve mounted on the electric appliance is detected to supply soft water and the closing thereof is detected to regenerate the ion exchange resin.例文帳に追加

２連式の電磁式給水弁と、再生材とイオン交換樹脂とを有するケーシングと、配管部材と、流量検出装置と、電気制御回路と、等からなる外付増設型の軟水器とし、電気機器に搭載されている水を開閉する弁の開弁を検出して軟水を供給し、閉弁を検出してイオン交換樹脂を再生する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor device 20 formed of a single crystal Si thin film transistor 16a provided on a insulating substrate 2, unnecessary part 11 of the single crystal Si substrate in the hydrogen ion pouring surface is separated when the single crystal Si thin film transistor 16a is transferred onto the insulating substrate 2.例文帳に追加

絶縁基板２上に単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａが形成されている半導体装置２０の製造方法において、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａを絶縁基板２に転写するときに、水素イオン注入面で単結晶Ｓｉ基板の不要部分１１を剥離させる。 - 特許庁

To improve the accuracy of misfire detection and reliability in a misfire detection device for an internal combustion engine provided with two spark plugs in a cylinder by selecting the optimum spark plug used for misfire detection and considering the change of an ion current wave form according to the operation state change of the internal combustion engine.例文帳に追加

１つの気筒に２つの点火プラグを設けた内燃機関の失火検出装置において、失火検出に用いる点火プラグを最適に選択すると共に、内燃機関の運転状態の変化に応じたイオン電流波形の変化を考慮に入れ、失火検出の精度および信頼性を向上させる。 - 特許庁

The rubber composition used for an elastic layer of the conductive roller, having the elastic layer on at least the outer periphery of a conductive shaft body, is composed of epichlorhydrin-base rubber of ≥36 mol% in the ratio of an ethylene oxide copolymer as a chief raw material and contains at least a quaternary ammonium salt, which is an ion conducting agent.例文帳に追加

少なくとも導電性軸体の外周上に弾性層を有する導電性ローラにおいて、前記弾性層に使用されるゴム組成物は、エチレンオキサイド共重合割合が３６モル％以上のエピクロルヒドリン系ゴムを主原料とし、少なくともイオン導電剤である第４級アンモニウム塩を含有する。 - 特許庁

The optical film comprises a substrate containing triacetyl cellulose and is characterized in that: one surface of the substrate is subjected to a pretreatment by reactive ion etching using plasma; a first functional layer is formed on the one surface of the substrate; and the first functional layer is one of a hard coat layer, an antistatic layer and an IR absorbing layer.例文帳に追加

トリアセチルセルロースを有する基材からなり、基材の一方の面に、プラズマを利用した反応性イオンエッチングによる前処理が施され、基材の一方の面上に第１の機能層が形成され、第１の機能層はハードコート層、帯電防止層及び赤外線吸収層のいずれかであることを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁

Source and drain regions 13 are formed as two regions of an epitaxial silicon film formed on a substrate and of a region obtained by ion implanting impurities into the substrate and thermally diffusing, and the position of a junction between the source and drain regions 13 is set to be the same as or lower than the junction position of an extension region 9.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１３を、基板表面上に形成されたエピタキシャルシリコン膜と基板中に不純物をイオン注入、熱拡散した領域の２つの領域により形成し、ソース・ドレイン領域１３の接合位置をエクステンション領域９の接合位置と同一かそれより浅く形成する。 - 特許庁

The composite stabilizer for a chlorine-containing polymer has a particle structure where calcium carbonate exists, as is measured by the electron microscopic method, on the surface of a particle of calcium hydroxide with a carbonation intensity ratio (RI_400), measured by the secondary ion mass spectrometric device(SIMS) and represented by a specific equation, in the range of at least 0.8.例文帳に追加

電子顕微鏡法で観察して水酸化カルシウムの粒子表面に炭酸カルシウムが存在する粒子構造を有し、且つ二次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）で測定して、特定式で表される炭酸化強度比（ＲＩ_４００）が０．８以上の範囲である塩素含有重合体用複合安定剤。 - 特許庁

The gas sensor element 1 has an oxygen ion conductive solid electrolyte 3, an electrode 31 on a measuring target gas side provided on one side of the solid electrolyte 3 to be exposed to a measuring target gas G, and electrode 32 on the reference gas side provided on the other side of the solid electrolyte 3 that is to be exposed to a reference gas A.例文帳に追加

ガスセンサ素子１は、酸素イオン導電性の固体電解質体３と、固体電解質体３の一方の表面に設けて被測定ガスＧに曝される被測定ガス側電極３１と、固体電解質体３の他方の表面に設けて基準ガスＡに曝される基準ガス側電極３２とを有している。 - 特許庁

In the second heat exchanger 15, the first cooling liquid discharged from the first heat exchanger 3 and the first cooling liquid discharged from the ion exchange device 14 flow opposingly, and are self-heat exchanged between them.例文帳に追加

第２熱交換器１５では、第１熱交換器３から排出された１次冷却液と、イオン交換器１４から排出された１次冷却液が対向して通流し、第１熱交換器３から排出された１次冷却液と、イオン交換器１４から排出された１次冷却液の間で自己熱交換される。 - 特許庁

A ashing method removes resist having an altered layer 4 formed on a surface by ion implantation and a non-altered layer 3 formed on a lower side of the altered layer 4, forms an applied film 5 to cover a face of a substrate on which the resist is formed, and removes the resist and the applied film 5 from the substrate by plasma treatment using reactive gas.例文帳に追加

イオン注入により表面に形成された変質層４とその下の未変質層３とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜５を形成し、前記レジストと前記塗布膜５とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。 - 特許庁

The shapes wrapping around the overhanging part 21 are imparted to the gas diffusion layers 14, 15 by forming a double-layered structure in which a separator side gas diffusion layer 25 provided with an opening 27 to house the overhanging part 21 therein is overlapped to an ion-exchange membrane side gas diffusion layer 26, or by forming a concavity 28 to house the overhanging part 21.例文帳に追加

張出し部２１を包み込む形状は、張出し部２１が収められる開口部２７を設けたセパレータ側ガス拡散層２５をイオン交換膜側ガス拡散層２６に重ね合わせる二層構成、或いは張出し部２１を収容する陥没部２８を形成することにより、ガス拡散層１４，１５に付与される。 - 特許庁

To make full use of the performance of a secondary battery in case that a secondary battery pack of lithium-ion secondary battery cells, for example, and electronic equipment is applied to the secondary battery pack, the integrated circuit of the secondary battery pack, and the equipment to stop operation immediately before a discharge stopping voltage for overdischarge prevention.例文帳に追加

本発明は、２次電池パック、２次電池パックの集積回路及び電子機器に関し、例えばリチウムイオン２次電池セルによる２次電池パックに適用して、過放電防止の放電停止電圧の直前で機器側が動作を停止する場合でも、２次電池の性能を充分に生かしきることができるようにする。 - 特許庁

In this mass spectrometer, one end face of an ion guide 17 made up of columnar rod electrodes 171, 172 is disposed near a flat part 16c of a skimmer 16, and the diameter d2 of a bottom surface of a conical part 16b of the skimmer 16 is made substantially equal to or smaller than the diameter d1 of the inscribed circle of the rod electrodes.例文帳に追加

円柱形状のロッド電極１７１、１７２から成るイオンガイド１７の一端面をスキマー１６の平坦部１６ｃに近接して配置すると共に、スキマー１６の円錐部１６ｂの底面の直径ｄ2をロッド電極の内接円の直径ｄ1とほぼ同一又はそれよりも小さくする。 - 特許庁

The process for purifying a polyether is provided, which process comprises adding to a polyether (A) containing a first salt, water (B) and a compound (C) which is capable of reacting with an ion constituting the first salt to form a second salt which is essentially insoluble in the polyether (A), then removing water, followed by removing the second salt from the polyether (A).例文帳に追加

第１の塩を含有するポリエーテル（Ａ）に、水（Ｂ）、および、第１の塩を構成するイオンと反応してポリエーテル（Ａ）に本質的に不溶な第２の塩を形成しうる化合物（Ｃ）、を添加した後、水分を除去し、次いで第２の塩をポリエーテル（Ａ）から除去することを特徴とするポリエーテルの精製方法とする。 - 特許庁

The door device is provided with a door body 2, a clearance 3 formed in the door body, an air cleaning body 4 formed of a paper honeycomb or the like in which a deodorization/dehumidification/minus ion generation material disposed in the clearance 3 is applied or mixed and air inhalation/ discharge openings 5, 6 connected to the clearance 3.例文帳に追加

ドア本体２と、ドア本体内部に設けられた空隙部３と、空隙部３内に配設された脱臭／除湿／マイナスイオン発生素材を塗布又は混入したペーパハニカム等からなる空気浄化作用体４とドア本体２に開設され、空隙部３に連結された空気吸入／排出口５，６とを設けることを特徴とする。 - 特許庁

In addition, a second interlayer insulation film 10 is formed, a contact hole is formed so that the surface of a capacitor node plug is exposed, heat treatment conditions are used for heat-treating in the contact hole while a storage electrode is being formed, and impurities are subjected to ion implantation for forming the storage electrode in the active region including the contact hole.例文帳に追加

さらに第２層間絶縁膜１０を形成し、キャパシタノードプラグの表面が露出するようにコンタクトホールを形成し、ストレージ電極の形成状態でコンタクトホール内に熱処理条件を用いて熱処理をした後、不純物をイオン注入してコンタクトホールを含むアクティブ領域にストレージ電極を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A normal close type valve element is installed in a first joint mechanism 40a and a second joint mechanism 40b being connected to the ion exchanger 34 and a branch passage 32, and when a pipe is removed, the valve element is closed, and thereby, leakage of the coolant in the coolant circuit to the outside is prevented.例文帳に追加

また、イオン交換器３４と分岐通路３２とを接続する第１継手機構４０ａ及び第２継手機構４０ｂには、ノーマルクローズタイプの弁体が設けられ、配管が取り外された際、前記弁体が弁閉状態となることにより、冷媒回路内の冷媒の外部への導出が阻止される。 - 特許庁

This manufacturing method of the laminated metallic plate is featured that after ion-etching of at least one side of joining surfaces of the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5, the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5 are pressure joined and successively, a heating diffusion treatment is applied, in a vacuum vessel.例文帳に追加

真空槽内で、第一の金属帯４の被接合表面と第二の金属帯５の被接合表面の少なくとも一方の面側をイオンエッチングした後、前記第一の金属帯４と第二の金属帯５とを圧接し、ついで加熱拡散処理を行うことを特徴とする積層金属板の製造方法である。 - 特許庁

The optical amplifier for amplifying a light signal comprises a praseodymium (Pr3+) ion-doped low phonon energy optical medium used for a gain medium of the light signal, and an stimulating means for stimulating the low phonon energy optical medium to obtain the amplified light signal in the band of 1,600 to 1,700 nm.例文帳に追加

光信号を増幅するための光増幅器において、光信号に対する利得媒質に使用するために、プラセオジム（Pr^3+）イオンが添加された低ホノンエネルギー光学媒質と、1600〜1700nm帯域内の増幅された光信号を得るために、低ホノンエネルギー光学媒質を励起させるための励起手段とを備えた。 - 特許庁

In the die cast die to cast the molten or partially solidified metal, a part of or an entire part of a surface in contact with at least the molten or partially solidified metal is modified into the surface of a compound or a mixture of a die base metal element modified by the ion implantation and an implanted element.例文帳に追加

溶融または半溶融状態の金属を鋳造するダイカスト用金型において、少なくとも上記溶融または半溶融状態の金属と接触する面の一部または全部を、イオン注入により改質された金型母材元素と注入元素との化合物表面または混合物表面に改質する。 - 特許庁

A sample 2 is cut from a semiconductor chip to be made thin by mechanical polishing and the thin sample is attached to a single-ported mesh 6 for transmission type electron microscope observation and a Pt film 7 is formed to the part with specific depth of an end surface and irradiated with gallium ion beam 8 parallel to the main surface of the sample to make the part other than a principal part thin by etching.例文帳に追加

半導体チップから試料２を切り出し、機械的研磨により薄くした後、透過型電子顕微鏡観察用の単孔メッシュ６に取付け、端面の特定深さの部分にＰｔ膜７を形成し、試料の主面に平行なガリウムイオンビーム８を照射して要部以外の部分をエッチングして薄膜化する。 - 特許庁

This metal ion water preparation apparatus 3 is provided with a flow pipe 8 having a flow-in port at one end, a flow-out port at the other end, and a flow passage making the flow-in port communicate with the flow-out port; and a pair of metallic electrodes 11 extended along the flow passage and disposed to be opposite to each other in the flow pipe 8.例文帳に追加

金属イオン水生成装置３は、一方端に流入口と、他方端に流出口と、流入口と流出口とを連通する流通路とを有する流通管８と、流通路に沿って延在し、流通管８の内部で互いに対向するように配置された一対の金属電極１１とを備える。 - 特許庁

The enteric coating can be a pH-sensitive material, a redox-sensitive material or a material enzymatically broken down by enzymes in the gastrointestinal system so as to release the water-retentive material at a site such as the caecum, e.g. where it is particularly effective in disrupting water transport and ion transport through the gut wall.例文帳に追加

腸溶剤コーティングは、例えば、特に、腸壁による水分輸送及びイオン輸送の不通に効果的である、盲腸などの部位で保水性物質を放出するように、胃腸系において、ｐＨに対して感受性を有し、酸化還元に対して感受性を有し、又は酵素に対して感受性を有するものとなり得る。 - 特許庁

In the mold for molding the magnesium alloy which is made by successively stacking a carbon implanted layer which is made by implanting carbon ion and a diamond-like carbon layer on a base material composed of a cemented carbide, an alloy which contains WC (tungsten carbide) having the average particle diameter of 0.3-2.6 μm as a hard phase is adopted as the cemented carbide for composing the base material.例文帳に追加

超硬合金からなる基材に、カーボンイオンが注入されてなるＣ注入層と、ダイヤモンドライクカーボン層とが順次積層されてなるマグネシウム合金成形用金型において、前記基材を構成する超硬合金として、平均粒径0.3〜2.6μmのWC（タングステンカーバイト）を硬質相として含有するものを採用する。 - 特許庁

Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus.例文帳に追加

コンタクト用パッド９の目ずれが原因でＮ−拡散層６の一部がオーバーエッチングされてＰウェル１が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりＮ−拡散層１１で覆うため、Ｎ−拡散層６とＰウェル１との境界のエッチングダメージを残すことはない。 - 特許庁

In the method of manufacturing the fully-depleted SOI transistor, especially the NMOS transistor, there is a process for implanting impurities into an insulating film by an ion implantation method before or after a well formation process, thus restraining the diffusion of the impurities to an embedded insulating film owing to a variation in a thermal history in a manufacturing process.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法においてウエル形成工程前あるいは後に追加でイオン注入法を用いて絶縁膜に不純物注入を行う工程を有することで、製造過程における熱履歴のばらつきによる埋め込み絶縁膜への不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

The problem can be solved by providing a second leading back layers (41, 42) at positions of equal distance to the left and right from a leading back layer (40) which is served as an electronic current carrying way and forming these electronic current carrying ways by simultaneous ion implantation using the same mask, so that all the intervals between each channel area within the element is made even.例文帳に追加

電子通電路となる打ち返し層（４０）に対して左右等距離の位置に第２の打ち返し層（４１，４２）を設け、これらの打ち返し層を同じマスクを用いた同時のイオン注入により形成することにより、素子内のチャネル領域の間隔をすべて均一にすることで解決する。 - 特許庁