Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
「Thermal diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索
[go: Go Back, main page]

1153万例文収録!

「Thermal diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Thermal diffusionの意味・解説 > Thermal diffusionに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

Thermal diffusionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 502



例文

A thermal diffusion plate 11 is disposed on a region extending from the vicinity of a cold cathode tube 7 of the backlight unit 3 to the center of the bottom part of the rear frame 1.例文帳に追加

前記バックライトユニット4の冷陰極管7の近傍から前記リアフレーム1の底部の中央部にいたる領域に熱拡散板11が設けられている。 - 特許庁

To prevent the diffusion of unwanted arsenic ion, and to omit ion injecting process by forming a thin film, including arsenic ion in a low temperature, and reducing thermal history.例文帳に追加

低い温度でヒ素イオンを含む薄膜を形成し、熱履歴を減少させることで、不必要なヒ素イオンの拡散を防止し、かつイオン注入工程を省略可能とする。 - 特許庁

A first dielectric layer 12, recording layer 13, thermal diffusion layer 14, second dielectric layer 15, reflection layer 16 and protective film 17 are laminated on a substrate 11.例文帳に追加

基板11の上に第1誘電体層12,記録層13,熱拡散層14,第2誘電体層15,反射層16および保護膜17が積層されている。 - 特許庁

A titanium film 7 is formed (C), a titanium silicide layer 9a is formed in the diffusion region 5 through a thermal treatment, and a titanium silicide layer 9b is formed in the region 3a.例文帳に追加

チタン膜7を形成した後(C)、熱処理を施して拡散領域5にチタンシリサイド層9aを形成し、領域3aにチタンシリサイド層9bを形成する。 - 特許庁

例文

A resist is applied on a silicon substrate 10, ions are implanted into a source region 18 and a drain region 22, and a gate region 20 is formed by diffusion of ions through thermal treatment.例文帳に追加

シリコン基板10上にレジストを塗布してソース領域18、ドレイン領域22にイオン注入し熱処理によりイオン拡散してゲート領域20を形成する。 - 特許庁


例文

In the IC structure, air is supplied to the line level after removal of a sacrificial material by clean thermal decomposition and auxiliary diffusion of byproducts through porosities.例文帳に追加

IC構造において、クリーンな熱分解および多孔を介した副産物の補助的な拡散によって犠牲物質を除去した後に、ライン・レベルに空気を供給する。 - 特許庁

The plated member is obtained by subjecting a base material to silver plating and indium plating, and diffusing indium into silver by thermal diffusion.例文帳に追加

本発明のめっき部材は、基材に銀めっきとインジウムめっきとを施し、熱拡散によってインジウムを銀中に拡散させることによって形成することができる。 - 特許庁

To enhance productivity when boron doping is performed in a vertical furnace and to lessen damage onto an Si substrate by making thermal diffusion of boron uniform.例文帳に追加

縦型炉にてボロンドープを行う場合、生産性を向上させ、さらにボロンの熱拡散を均一することでSi基板へのダメージを軽減することを可能とする。 - 特許庁

The steel can be formed by carrying out Ni-Mn alloy plating or Ni-Fe-Mn alloy plating and subsequently carrying out a thermal diffusion treatment.例文帳に追加

前記の鋼材は、Ni−Mn合金めっきまたはNi−Fe−Mn合金めっきを施し、次いで熱拡散処理を行うことにより形成することができる。 - 特許庁

例文

The electrode wing line 117 is formed on the thermal oxidation film 107, and the other end side of the electrode wiring is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 109.例文帳に追加

電極配線117は、熱酸化膜107上に形成されており、その他端側の部分がp型不純物拡散領域109に電気的に接続されている。 - 特許庁

例文

To provide a bend heater for a thermal diffusion type vessel oil tank having a small-scale, large heat emitting area to be installed in an oil tank of a vessel having a narrow internal space.例文帳に追加

内部空間が狭い船舶の油類タンクに装入される小規模大熱発散面積を持つ熱拡散型船舶油類タンク用ベンドヒータを提供する。 - 特許庁

A first semiconductor element having a junction electrode connected to a first node of a bidirectional switch circuit is mounted on a first metal base plate serving as a thermal diffusion plate; and similarly, a second semiconductor element having a junction electrode connected to a second node of the bidirectional switch circuit is mounted on a second metal base plate serving as a thermal diffusion plate.例文帳に追加

熱拡散板となる第1金属ベース板に、双方向スイッチ回路の第1節点と接続される接合電極を有する第1半導体素子を載置するとともに、同じく熱拡散板となる第2金属ベース板に、前記双方向スイッチ回路の第2節点と接続される接合電極を有する第2半導体素子を載置する。 - 特許庁

To provide a method of forming wirings of a semiconductor element which enables prevention of contamination by the aging of wiring materials resulting from ordinary high temperature surface reaction and thermal diffusion by reducing or substantially eliminating chemical reaction with the circumferential atmosphere and/or movement by thermal diffusion of atoms of wiring materials after formation of electronic circuit wirings.例文帳に追加

電気回路配線形成後の配線材料構成原子の周囲雰囲気との化学反応、及び又は、熱拡散による移動を低減又は、事実上阻止し、通常の高温表面反応や熱拡散に起因する配線材料の経時的な劣化を防止することを可能とする半導体素子の配線形成方法を提供する。 - 特許庁

As thermal conduction from the catalyst layers to the gas flow channels is restrained by the low thermal conductivity part of the gas diffusion layers 2A, 2C in contact with the catalyst layers, temperature at sites of the catalyst layers and the electrolyte film is maintained at a high level to restrain flooding.例文帳に追加

触媒層に当接するガス拡散層2A、2Cの低熱伝導率部により、触媒層からガス流路側への熱伝導を抑えることで、触媒層や電解質膜における場の温度を高く維持してフラッディングを抑制する。 - 特許庁

To provide an Ag alloy thermal diffusion control film used in a magnetic medium for thermally assisted recording, which maintains a high heat conductivity and has all of a high thermal diffusivity, a smooth surface roughness and a high heat resistance.例文帳に追加

熱アシスト記録用磁気媒体に用いられる熱拡散制御膜であって、高い熱伝導率を維持すると共に、高い熱拡散率、平滑な表面粗さ、および高い耐熱性の全てを兼ね備えたAg合金熱拡散制御膜を提供する。 - 特許庁

This method of diffusing antimony, which makes antimony diffuse through a vapor phase into silicon single-crystal wafers, is constituted in such a way that after rinsing the surfaces of the silicon single-crystal wafers with hydrofluoric acid for removing an oxide film, the silicon single-crystal wafers are inserted into a thermal diffusion furnace to conduct the diffusion process of antimony.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハにアンチモンを気相拡散するアンチモン拡散方法において、シリコン単結晶ウェーハの表面をフッ酸で洗浄して酸化膜を除去した後、熱拡散炉にシリコン単結晶ウェーハを投入し、アンチモンの拡散処理を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the amount of flares of redistribution of impurities accompanying transient enhanced diffusion phenomenon (TED) and regular thermal treatment is restrained, when the impurities having different re-diffusion length property are annealed after ion implantation.例文帳に追加

異なる再拡散長特性を有する不純物をイオン注入後アニールするに際し、過渡増速拡散現象(TED)及び通常の熱処理に伴う不純物の再分布の拡がり量を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A passivation film 11 (film for preventing diffusion of movable ions) is formed on the surface of the device side of a glass substrate 10 by a sputtering method, a CVD method, a dipping method or the like in order to intercept the thermal diffusion of Na ions in the substrate 10 to the surface of the device side of the substrate 10.例文帳に追加

ガラス基板10のデバイス側表面には、基板10中のNaイオンの該デバイス側基板表面への熱拡散を遮断すべく、スパッタ法、CVD法、ディップ法等により形成されたパッシベーション膜11(可動イオン拡散防止膜)が成膜されている。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device wherein thermal stress is small, a terminating end length is short since a guard ring diffusion layer is shallow, the variation of the depth of the guard ring diffusion layer is small, the working process difficulty of a fine element structure is low and loss is low, and its manufacturing method.例文帳に追加

熱ストレスが小さく、ガードリング拡散層が浅いため終端長が短く、ガードリング拡散層の深さのばらつきが小さく、微細な素子構造の加工プロセス難度が低く、損失が低い電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The diffusion plate 1 and a chassis 2 are so structured that the diffusion plate 1 is hung from an upper edge part of a screen by being fitted with each other with an appropriate play with thermal expansion volume taken into consideration between protruded parts 21, 22 and holes 11a, 12a.例文帳に追加

拡散板1と筐体2とは、画面上縁部で突起部21、22と孔11a、12aとの間で熱膨張量を考慮した適当な遊びを持ちながら勘合されることにより、拡散板1が画面上縁部から吊下げられる構造を有している。 - 特許庁

At least a sealing part 140c of the anode terminal 140 is formed by press-molding a thermal diffusion Ni-plated steel plate 14 consisting of a steel plate main body 143 mainly composed of Fe, an Fe-Ni diffusion layer 142, and an Ni layer 141.例文帳に追加

負極端子140のうち少なくともシール部140cは、Feを主成分とする鋼板本体部143、Fe−Ni拡散層142、及びNi層141からなる熱拡散Niメッキ鋼板14を、プレス成型することにより形成されている。 - 特許庁

Next, only the mutual diffusion of Ti atoms on the side of the barrier layer 14 and Si atoms in a substrate 11 is performed, at least one-hour diffusion thermal treatment is performed at the temperature of 400°C where silicification does not occur to sufficiently diffuse the Si atoms on the side of the barrier layer 14 and the Ti atoms in the substrate 11, respectively, thereby forming a diffusion layer 16A.例文帳に追加

次に、バリア層14側のTi原子と基板11のSi原子との互いの拡散のみを行ない、シリサイド化が生じない温度である400℃で少なくとも1時間の拡散用熱処理を行なってシリコン原子をバリア層14側に且つTi原子を基板11中に十分に拡散させることにより、拡散層16Aを形成する。 - 特許庁

The second thermal treatment process allows the first gate insulating film to be more tight, preventing diffusion of active species generated at deposition of the second gate insulating film 12, not to increase its interface level.例文帳に追加

第2熱処理工程により第1ゲート絶縁膜が緻密化され、第2ゲート絶縁膜12の堆積の際に生成する活性種の拡散が阻止され、界面順位を増加させない。 - 特許庁

A magnetic shield for controlling diffusion of a magnetic field from a coil may be provided above the coil 215, and a fluid passage may be provided in a conductive plate in order to provide thermal control.例文帳に追加

コイルからの磁場の拡散を制御する磁気シールドはコイル215の上方に設けられてもよく、流体流路は、熱制御を提供するために導電性プレート内に設けられてもよい。 - 特許庁

Further, two zigzagging fine holes 11 returning when it extends to the most central part of the thermal diffusion plate 1 parallel to each other and extends to a peripheral part most separated away from the center of the plate 1.例文帳に追加

さらに、熱拡散板1の最も中心部に至って折り返す2本の蛇行細孔11は平行で、同板1の中心から最も離れた周辺部にまで延びている。 - 特許庁

To minimize diffusion of heat and fluid by arranging each device in every operating temperature and in every function to improve thermal efficiency using generated heat effectively.例文帳に追加

各機器を作動温度毎及び機能毎に配置して熱や流体の拡散を最小化するとともに、発生熱を有効に利用して熱効率の向上を図ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a Pb-free solder alloy which has excellent thermal stress relaxation properties, and can suppress the reaction of Ni-Bi and Ni diffusion on joining of Ni-containing electronic parts and a substrate.例文帳に追加

熱応力緩和性に優れ、Niを含む電子部品や基板を接合する際にNi−Biの反応やNi拡散を抑制できるPbフリーはんだ合金を提供する。 - 特許庁

The thermal diffusion member 11 includes: a graphite sheet 12 provided on the heating element; a protective layer 13 covering the graphite sheet 12; and a connector 14 provided on the graphite sheet 12.例文帳に追加

熱拡散部材11は、発熱体上に設けられるグラファイトシート12と、グラファイトシート12を覆う保護層13と、グラファイトシート12上に設けられるコネクタ14とを備えている。 - 特許庁

Next, an oxidization process is executed for oxidizing a boron silicide, which is generated on the surface of the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, and changing it into boron silicate glass.例文帳に追加

次に、前記第1の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板1の表面に発生したボロンシリサイドを酸化してボロンシリケートガラスに変化させる酸化工程を行う。 - 特許庁

Metal thin pieces 12 and 13 are bonded as electrodes to a resistor 11 of a metallic material by rolling or thermal diffusion for the formation of a low-value resistor.例文帳に追加

金属材からなる抵抗体11に、該抵抗体の電極として圧延又は及び熱拡散接合した金属薄片12,13を配設したことを特徴とする低抵抗器である。 - 特許庁

It is desirable that the heat radiating member 5 is formed by a metal having thermal diffusion higher than the transparent substrate 2 and secures a large surface area by having a plurality of protrusions 50.例文帳に追加

放熱部材5は、透明基板2よりも熱拡散性の高い金属により形成さし、また複数の凸部50を有するものとして表面積を大きく確保するのが好ましい。 - 特許庁

A flange is provided in an upper portion of the branch coupling and after inserting a spacer between the flange and the pressure accumulating container to contact both closely with each other or fitting the both together, both may be diffusion-joined by applying a thermal treatment.例文帳に追加

分岐接続体の上部にフランジを設け、該フランジと蓄圧容器の間にスペーサーを挿入して密接させたり、あるいは嵌合させた後、熱処理して拡散接合させても良い。 - 特許庁

In this case, zone 32 which is not doped with impurities is provided in a side of the clad layer 25 provided with the active layer 24 and is used as a buffer region of impurity diffusion at the thermal treatment.例文帳に追加

その場合、p型クラッド層25の活性層24側に不純物がドープされない領域32を形成し、上記熱処理の際に不純物拡散の緩衝領域とする。 - 特許庁

Therefore, impurities used for forming source/drain regions in the silicon semiconductor substrate can be restrained from thermal diffusion, and a fine MOS device can be formed.例文帳に追加

したがって、シリコン半導体基板中の、例えば、ソース/ドレイン領域形成に用いられるドーパント不純物の熱拡散を抑えることができるので微細MOS素子を形成することができる。 - 特許庁

The thermal diffusion module includes at least one heat pipe and a plurality of fins connected to the heat pipe, wherein the at least one LED unit is arranged on the heat pipe.例文帳に追加

熱拡散モジュールは少なくとも一つのヒートパイプとそのヒートパイプに接続される複数のフィンを含むが、このとき少なくとも一つのLEDユニットはそのヒートパイプに配置されている。 - 特許庁

As a result, a quantity of heat in the vicinity of a center can be carried to a peripheral part most spaced array from a center, and can be evenly diffused throughout the whole surface of the thermal diffusion plate 1.例文帳に追加

このため、中心付近の熱量を、中心から最も離れた周辺部まで輸送することができ、熱を熱拡散板1の全面にわたって均等に拡散することができる。 - 特許庁

In such a case, the mode field diameter D1 of the inner end surface 4 of the side opposite to the light receiving element 3 of the single mode fiber constituting the short fiber 2 is preferably enlarged by thermal diffusion.例文帳に追加

短尺ファイバ2を構成する単一モードファイバの受光素子3と対向する側の内端面4のモードフィールド径D_1を熱拡散によって拡大することが好適である。 - 特許庁

Then, in the thermal diffusion plate 30, the thermal conductivity in a plate thickness direction 1a perpendicular to the one surface 12a and a first direction 1b along the one surface 12a is higher than that in a second direction 1c perpendicular to the plate thickness direction 1a and the first direction 1b.例文帳に追加

そして、熱拡散板30は、一面12aに垂直な板厚方向1aと一面12aに沿う第1方向1bの熱伝導率が、板厚方向1a及び第1方向1bに垂直な第2方向1cの熱伝導率よりも高くなっている。 - 特許庁

This super-high temperature incineration thermal decomposition furnace of PCB comprises the incinerator 3, a rotary fire stand 4, a diffusion type super-high temperature thermal decomposition fire blast nozzle 1, a super-high temperature after burner 2, a heating air rotation guiding injection device 20 and the like as internal structures.例文帳に追加

該焼却炉のアフターバーナーの前面に連結した焼却炉を損なわず、焼却炉内の難燃性廃棄物を1200℃〜1500℃に加熱し、廃熱と熱交換して1500℃〜1800℃で瞬時に超高温熱分解しダイオキシンを発生させない。 - 特許庁

The complex oxide semiconductive ceramic of the ceramic electrode 15a working as an anode by this DC lighting is heated and reduced to cause segregation of a thermal electron emitting substance such as Ba and supplied to the surface of the ceramic electrode 15a through thermal diffusion.例文帳に追加

直流点灯により陽極として作動するセラミックス電極15aの複合酸化物半導体セラミックスが高温になって還元されてBaなどの熱電子放出物質が分離し、熱拡散によりセラミックス電極15aの表面に供給される。 - 特許庁

The invention offers the thermal transfer image receiving sheet 10 which has the base material 11, and a receiving layer 12 formed on the base materal and containing an acetal resin with the specific structure, coloring matter of thermal diffusion property and metal ion content compound which can be chelated.例文帳に追加

基材11と、該基材11上に形成され、特定の構造を有したアセタール系樹脂と、熱拡散性の色素とキレート化が可能な金属イオン含有化合物とを含む受容層12とを有する熱転写受像シート10を提供するものである。 - 特許庁

To provide a thermal ring closure for microwave curing that is capable of enabling the curing temperature to become a low temperature range of less than 250°C and in which the membrane properties of the resulting cured membrane has no difference from the physical properties of the cured membrane obtained from the high temperature treatment using a thermal diffusion furnace.例文帳に追加

マイクロ波照射による硬化温度を250℃未満に低温度化することが可能で、得られる硬化膜の膜特性が熱拡散炉を用いた高温処理で得られる硬化膜の物性と差がないマイクロ波硬化用熱閉環硬化型樹脂を提供する。 - 特許庁

To prevent a light reflection layer from peeling off from a diffusion layer by thermal hysteresis received in a color filter forming step, when the light reflection layer containing a base layer consisting of an ICO based transparent film is formed on the diffusion layer and a color filter is formed on the light reflection layer.例文帳に追加

拡散層の上にICO系の透明膜からなる下地層を含む光反射層を形成し、その光反射層の上にカラーフィルタを形成する場合、カラーフィルタ形成工程で受ける熱履歴によって、拡散層から光反射層が剥離するのを防止する。 - 特許庁

A single-crystal silicon wafer is put into a thermal diffusion furnace, heated at 900-1,150°C in a mixed atmosphere of boron tribromide, nitrogen and oxygen of a p-type impurity, the boron is thermally diffused on the front surface of the wafer from the mixed atmosphere, and a boron diffusion layer is formed (boron deposition step).例文帳に追加

単結晶シリコンウェハを熱拡散炉に入れ、P形不純物である三臭化ボロンと窒素と酸素の混合雰囲気中にて900〜1150℃で加熱し、その混合雰囲気からウェハ表面にボロンを熱拡散させてボロン拡散層を形成する(ボロンデポジション工程)。 - 特許庁

Alternatively, an introducing channel 110 is opened on a surface 101 of the gas sensor element, and the surface of gas sensor element 101 is composed of a diffusion resistive layer 17 covering the introducing channel 110 and a fine layer 162 covering the sensor cell, and a thermal insulating section 10 is arranged between the diffusion resistive layer 17 and the fine layer 162.例文帳に追加

またはガスセンサ素子表面101に導入路110が開口し,かつガスセンサ素子表面101は導入路110を覆う拡散抵抗層17と,センサセルを覆う緻密層162とよりなり,拡散抵抗層17と緻密層162との間に熱遮断部10を有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a photoelectric converter comprises the steps of forming the bonding layer by the thermal diffusion in an atmosphere containing an N-type or P-type dopant on a P-type or an N-type silicon substrate in a diffusion furnace, then switching the atmosphere in the furnace to the oxygen atmosphere, and starting annealing to form the protective film on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

拡散炉内で、P型またはN型シリコン基板に、N型またはP型ドーパントを含む雰囲気で熱拡散によって接合層を形成した後、その炉内の雰囲気を酸素雰囲気に切り換えるとともに、徐冷を開始して、シリコン基板表面に保護膜を形成する。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet capable of improving heat resistance and thermal dimensional stability while retaining transparency, less liable to flexon even under heat generated from a lamp and enhancing its production efficiency and to provide a backlight unit using the light diffusion sheet and ensuring uniform luminance.例文帳に追加

透明性を維持しつつ、耐熱性および熱的寸法安定性を向上させることができ、ランプの発熱によっても撓みが発生しにくく、さらにその製造効率を改善する光拡散シート、および該光拡散シートを用いた輝度ムラの発生が小さなバックライトユニットを提供する。 - 特許庁

A plurality of cooling structures connecting a plurality of heating components 102-108 having the same shape to a single thermal diffusion plate 112-114 via first thermally conductive members 109-111 are provided on the same substrate 101, and respective thermal diffusion plates of the plurality of cooling structures are connected to a single radiator 118 via second thermally conductive members 115-117.例文帳に追加

同一形状の複数の発熱部品102〜108を第1の熱伝導部材109〜111を介して1つの熱拡散板112〜114に接続した冷却構造体を同一基板101上に複数備え、複数の冷却構造体の各熱拡散板を第2の熱伝導部材115〜117を介して1つの放熱体118に接続する。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel battery cell with high manufacturing yield and excellent durability equipped with an element diffusion preventing layer between a solid electrolyte layer and an oxygen electrode layer with element diffusion from the oxygen electrode layer to the solid electrolyte effectively restrained and exfoliation between the element diffusion preventing layer and the oxygen electrode layer due to difference of thermal expansion coefficient effectively prevented.例文帳に追加

固体電解質層と酸素極層との間に元素拡散防止層が設けられ、酸素極層から固体電解質層への元素拡散が有効に抑制されるとともに、熱膨張係数差による元素拡散防止層と酸素極層との剥離が有効に防止され、製造歩留まりが高く且つ優れた耐久性を示す固体電解質型燃料電池セルを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a high sensitivity thermal negative type planographic printing plate original capable of ensuring both high adhesion of an image recording layer to a support and high stain resistance of a non-image area and capable of efficiently using energy by exposure in image formation, that is, excellent in thermal diffusion inhibiting effect.例文帳に追加

画像記録層と支持体との密着性および非画像部の耐汚れ性を高い水準で両立し、かつ、露光によるエネルギーを効率的に画像形成に用いることができ、即ち、熱拡散抑制効果に優れる、高感度のサーマルネガタイプの平版印刷版原版の提供。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2025 GRAS Group, Inc.RSS