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X3を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 247



例文

Wow! x3!例文帳に追加

うわぁーっ! x3! - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

We are shoutmon x3!例文帳に追加

俺たちは シャウトモンx3 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

What can a puny digimon like x3 do?例文帳に追加

フフフフ...。 x3ごときに何ができる。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

How much longer the answer is x3 power minus 8例文帳に追加

どれどれ なるほど 答えはx3乗 マイナス8です - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

例文

The center of gravity of X1', X2', and X3' is regarded as X' which should be found.例文帳に追加

X1',X2',X3'の重心を求めるべきX’とする。 - 特許庁


例文

He composition of Al of the first -third semiconductor layers is 0≤x1<0.2, 0.8<x3≤1.0, and [0.15(x3-x1)+x1]<x2< [0.4(x3-x1)+x1].例文帳に追加

第1〜第3の半導体層のAlの組成は、0≦x1<0.2、かつ0.8<x3≦1.0、かつ[0.15(x3−x1)+x1]<x2<[0.4(x3−x1)+x1]である。 - 特許庁

Glamafast ultra x3, which retails at 9.99 more than your requested gift.例文帳に追加

グラマファースト ウルトラX3 要請されたプレゼントより 高価だ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Relation of Y3>X3 is satisfied between the distance X3 and the distance Y3 at this time.例文帳に追加

このとき、距離X3 と距離Y3 との間にはY3 >X3 の関係が成立している。 - 特許庁

The answer is xcubed minus eight.例文帳に追加

どれどれ なるほど 答えはx3乗 マイナス8です - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

例文

In a step S1, a plurality of campaign candidates x1, x2, and x3 are selected from the group of campaign candidates.例文帳に追加

ステップS1では、キャンペーン対象の集合から複数のキャンペーン対象者x1,x2,x3が選抜される。 - 特許庁

例文

The X-electrodes X2, X3, ..., have similar structures.例文帳に追加

X電極X2,X3,…も同様な構造である。 - 特許庁

When X1, X2 and X3 respectively represent the diameters of the first, second and third apertures, X2<X3X1 is satisfied.例文帳に追加

第1開口部の径をX1とし、第2開口部の径をX2とし、第3開口部の径をX3としたとき、X2<X3≦X1である。 - 特許庁

This key generating method decides (p) with which y2=x3+1 (mod p) becomes safe.例文帳に追加

y^2 ≡x^3 +1(mod p)が安全となるpを決定する。 - 特許庁

Moreover a recessed portion X1 appears between the projecting portions X2 and X3.例文帳に追加

そして,凸部X2,X3の間に凹部X1が表れている。 - 特許庁

In (c), the target avoidance route candidate X2 is corrected into a target avoidance route candidate X3 on the basis of a second risk potential generated on the basis of the virtual obstacle 32a.例文帳に追加

(c)では、仮想障害物32aに基づき生成した第2リスクポテンシャルを基に目標回避経路候補X2を目標回避経路候補X3に補正する。 - 特許庁

The lower clad layer 12 and the upper clad layer 14 are composed of Al_x1Ga_(1-x1)As (x1=0.28), and the active layer 13 is composed of Al_x2Ga_x3In_(1-x2-x3)P (x2=0.12).例文帳に追加

下クラッド層12および上クラッド層14は、Al_x1Ga_(1-x1)As(x1=0.28)からなり、活性層13は、Al_x2Ga_x3In_(1-x2-x3)P(x2=0.12)からなる。 - 特許庁

When the obtained distance is equal to or shorter than L2, the width X of the approach determination area is set to a distance of X3 (X2>X3) from the left car body side (S22).例文帳に追加

求められた距離がL2より短い場合、接近判定領域の幅Xを左車体側よりX3の距離(X2>X3)に設定する(S22)。 - 特許庁

A vertical cutting mechanism X2 and a lateral cutting mechanism X3 are provided in a hopper 1.例文帳に追加

ホッパ1内に縦切断機構X_2 と横切断機構X_3 とを設ける。 - 特許庁

The group (X3): a group having a HO-CH_2CH(OH)CH_2O- group on its terminal.例文帳に追加

基(X3):末端にHO−CH_2CH(OH)CH_2O−基を有する基。 - 特許庁

The generated shreds D are discharged in a discharge port 5 to an arrow X3 direction.例文帳に追加

生じたせん断くずDは、排出口5の中を矢印X3方向に排出される。 - 特許庁

A proportion X2 of indium in the In_X2Al_Y2Ga_1-X2-Y2N barrier layer 27 is smaller than the proportion X3 of indium in the In_X3Al_Y3Ga_1-X3-Y3N buffer layer 19.例文帳に追加

また、In_X2Al_Y2Ga_1−X2−Y2Nバリア層27のインジウム組成X2はIn_X3Al_Y3Ga_1−X3−Y3N緩衝層19のインジウム組成X3より小さい。 - 特許庁

A proportion X1 of indium in the In_X1Al_Y1Ga_1-X1-Y1N well layer 25 is smaller than a proportion X3 of indium in the In_X3Al_Y3Ga_1-X3-Y3N buffer layer 19.例文帳に追加

In_X1Al_Y1Ga_1−X1−Y1N井戸層25のインジウム組成X1はIn_X3Al_Y3Ga_1−X3−Y3N緩衝層19のインジウム組成X3より小さい。 - 特許庁

All X1-X3 become different values and all Y1-Y3 become different values as well.例文帳に追加

X1〜X3が全て異なった値になり、且つ、Y1〜Y3も全て異なった値になるようにする。 - 特許庁

The inner diameter of the upper end of the coil spring is smaller than the maximum outer diameter X3 of the pressing part 72b.例文帳に追加

また、コイルスプリングの上端部の内径は、押圧部72bの最大外径X3よりも小さい。 - 特許庁

The SSL server X3 designates the authentication station for the authentication to the SSL client 2.例文帳に追加

SSLサーバX3が認証のための認証局をSSLクライアント2に対して指定する。 - 特許庁

A barrier layer 19 is provided between a first conductivity type nitride semiconductor layer 13 and the light emitting region 17, and comprises In_X3Al_Y3Ga_1-X3-Y3N (1>X3>0 and 1>Y3>0) semiconductor.例文帳に追加

緩衝層19は、第1導電型窒化物半導体層13と発光領域17との間に設けられ、In_X3Al_Y3Ga_1−X3−Y3N(1>X3>0、1>Y3>0)半導体からなる。 - 特許庁

A signal generation circuit 313 includes a contact section comprising contacts X1-X2, a contact section comprising contacts X2-X3, and a contact section comprising contacts X3-X1, the contact sections being formed by Δ connection.例文帳に追加

信号生成回路313は、Δ結線によって、接点X1〜X2より成る接点区間と、接点X2〜X3より成る接点区間と、接点X3〜X1より成る接点区間とが形成される。 - 特許庁

Band-stop adjusting parts 11 and 12 have varactor diodes X3 and X4 respectively and attenuate signals of frequencies corresponding to control voltages V2 and V3 applied to the varactor diodes X3 and X4.例文帳に追加

帯域阻止調整部11、12は、それぞれバラクタダイオードX3、X4を有し、バラクタダイオードX3、X4に印加される制御電圧V2、V3に応じた周波数の信号を減衰させる。 - 特許庁

X-electrodes X1, X2, X3, ..., and Y-electrodes Y1, Y2, Y3, ..., are orthogonally arranged.例文帳に追加

X電極X1,X2,X3,…とY電極Y1,Y2,Y3,…とが直交するように配されている。 - 特許庁

At least one wind window entrance X1, X2, X3 are located on a sole surface S of the golf club head.例文帳に追加

ゴルフクラブヘッドのソール面Sに少なくとも1つの風窓入口X1、X2、X3を設ける。 - 特許庁

In (d), a new virtual obstacle 32b is set, the second risk potential is regenerated on the basis of the new virtual obstacle 32b, and the target avoidance route candidate X3 is corrected into the final target travel route X4 on the basis of the second risk potential.例文帳に追加

(d)では、新たな仮想障害物32bを設定し、これに基づき第2リスクポテンシャルを生成し直し、この第2リスクポテンシャルを基に目標回避経路候補X3を最終的な目標走行経路X4へと補正する。 - 特許庁

Further, sudden changes of light colors can be restrained since a third irradiation range X3 for irradiating light with intermediate color temperature exists between the outermost first irradiation range X1 and the innermost second irradiation range X2.例文帳に追加

また、最も外側の第1照射範囲X1と最も内側の第2照射範囲X2との間に、中間の色温度の光が照射される第3照射範囲X3が存在するため、光色の急激な変化が抑制される。 - 特許庁

The first semiconductor layer 12A mainly contains a Se mixed crystal without containing Te, and is formed by containing, for instance, Be_x1Mg_x2Zn_x3Se mixed crystal (0≤x1≤1, 0≤x2≤1, 0≤x3≤1 and x1+x2+x3=1).例文帳に追加

第1半導体層12Aは、Teを含まないSe混晶を主に含んでおり、例えばBe_x1Mg_x2Zn_x3Se混晶(0≦x1≦1,0≦x2≦1,0≦x3≦1,x1+x2+x3=1)を含んで構成されている。 - 特許庁

Sanban is a grid chart with each column expressing numbers such as one, ten, one hundred, one thousand, ten thousand, and each row expressing answers to algebraic equations and their coefficients, such as "sho" (answer), "jitsu" (constant term), "ho" (x), "ren" (x2), "gu" (x3), "sanjo" (x4) and so on. 例文帳に追加

算盤とは碁盤の目状になった表であり、各列が一、十、百、千、万といった桁を表し、各行は商(答え)、実(定数項)、方 (x)、廉(x2)、隅(x3)、三乗(x4)…と代数方程式の解および各係数を表した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Thereafter, detection of the sheet end part is carried out by the lateral slippage detection CIS 800 to determine a lateral slippage detection value X3 (S11).例文帳に追加

そして、用紙端部の検知を横ずれ検知CIS800で行い、横ずれ検知値X3とする(S11)。 - 特許庁

The rectangular pieces are cut in a direction crossing the longitudinal direction into fine pieces by the lateral cutting mechanism X3.例文帳に追加

その破砕片を横切断機構X___3 により長手方向と交差する方向に切断して細片化する。 - 特許庁

An ion generation/blast means 2 is arranged on the side of a first side X3 within both sides X3 and X4 of a static elimination object surface X1 of the charged object X, and an air suction means 3 is arranged on the side of the second side X4.例文帳に追加

帯電物体Xの除電対象面X1の両側辺X3,X4のうちの第1の辺X3側にイオン生成・送風手段2を配置し、第2の辺X4側に空気吸引手段3を配置する。 - 特許庁

An insulating member 1 includes a band-like dielectric film 10 and electrodes X1, X2, X3, and X4.例文帳に追加

絶縁部材1は、帯状に形成された誘電体フィルム10と、電極X1、X2、X3、X4と、を備える。 - 特許庁

A substrate holding member 330 has three holding arms x1, x2, x3 for holding each peripheral edge of a substrate W.例文帳に追加

基板保持具330は、基板Wの外周端部を保持する3本の保持アームx1,x2,x3を有する。 - 特許庁

The polyester resin has a unit of formula (1) [wherein R is represented by formula (2); and X1, X2 and X3 are each represented by formula (3)] in its main chain.例文帳に追加

式(1)の単位を主鎖に有するポリエステル樹脂(Rは式(2)、X1、X2、X3は式(3)で表される)。 - 特許庁

When general readers X1 to X3 click link-points L1 and L2, the covenanted articles that become the linked one are read.例文帳に追加

一般閲覧者X1〜X3がリンクポイントL1,L2をクリックすると、リンク先となる成約記事が閲読できる。 - 特許庁

The distance between the reading surface of an optical disk 3 and the axial line of the main spindle 24 is defined as a prescribed third distance X3.例文帳に追加

光学ディスク3の読み取り面と主軸24の軸線との距離は所定の第3の距離X3とされる。 - 特許庁

The opening and closing amount of the valve is adjusted by changing the pin hole 44 into which the connecting pin X3 is inserted.例文帳に追加

そして、連結ピンX3が挿入されるピン穴44を変更することによって、バルブの開閉量を調整する。 - 特許庁

A projection 18 projected in an urging direction X3 is formed on the front surface 10a of the support member 10.例文帳に追加

支持部材10の前面10aには、付勢方向X3に向けて突出する凸条18が設けられている。 - 特許庁

Then, these plural divided files X1, X2, X3 are distributed into plural storage devices 2, 3, 4 and stored.例文帳に追加

そして、分割されたこれら複数のファイルX1,X2,X3を複数の記憶装置2,3,4に分散させて記憶させる。 - 特許庁

The distributed files X are restored from the files X1, X2, X3 respectively stored in the storage devices 2, 3, 4.例文帳に追加

分散されたファイルXは、記憶装置2,3,4にそれぞれ記憶されたファイルX1,X2,X3から復元される。 - 特許庁

Thus, by controlling vertical and horizontal keys that are usually assigned to the movement of the cursor in the program title area X3, the cursor CR can be moved from the program title area X3 to the function operation area A3.例文帳に追加

これにより、本来は、番組タイトル領域X3においてカーソル移動をさせるために割与えられた上下左右キーに対する操作で以て、番組タイトル領域X3から機能操作エリアA3に対してカーソルCRを移動させることが可能となる。 - 特許庁

Assuming that measurement time is t seconds and a distance covered by a sedimenting particle D3 in t seconds is X3, the particle diameter of the particle D3 being largest, only distances X2 and X1 smaller than X3 are covered by sedimenting particles D2 and D1 of smaller diameters.例文帳に追加

測定時間をt秒とし、粒子径の最も大きい粒子D3がt秒間に沈降する距離をX3とすると、それより小さな粒子D2とD1はX3より小さな距離X2とX1だけしか沈降しない。 - 特許庁

At least one air pass Z that passes through the wind window entrance X1, X2, X3 and the wind window outlet Y is located.例文帳に追加

風窓入口X1、X2、X3と風窓出口Yとを連通する少なくとも1つの空気通路Zを設ける。 - 特許庁

例文

By changing this distance X3 into a distance Y3 as illustrated in drawing (b), the traction quantity of the hardness adjusting wire 26 is elongated.例文帳に追加

この距離X3 を同図(b)に示すように距離Y3 とすることで硬度調整用ワイヤ26の牽引量は長くなる。 - 特許庁




  
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